位于第二位置R2處。第二位置R2可低于裝載在支撐板210上的基板的頂表面。第二位置R2可低于第一位置Rl和第三位置R3o
[0086]圖9為示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例性實(shí)施例的基板處理系統(tǒng)的剖視圖?；逄幚硐到y(tǒng)20可構(gòu)造為具有與圖1中的基板處理系統(tǒng)基本相同的特征。然而，在基板處理系統(tǒng)20中，輔助工藝氣體管線371和輔助清洗氣體管線372可連接到側(cè)噴嘴320。分別從工藝氣體存儲(chǔ)部373和清洗氣體存儲(chǔ)部374供應(yīng)的工藝氣體和清洗氣體可通過側(cè)噴嘴320和輔助噴嘴330供應(yīng)到激勵(lì)空間IS。例如，分別通過側(cè)噴嘴320和輔助噴嘴330供應(yīng)的工藝氣體和清洗氣體的量或流量可以基本相同?？商娲?，分別通過側(cè)噴嘴320和輔助噴嘴330供應(yīng)的工藝氣體和清洗氣體的量或流量可以彼此不同。
[0087]不同于前述的示例，主噴嘴和輔助噴嘴可構(gòu)造為既供應(yīng)工藝氣體又供應(yīng)清洗氣體。
[0088]另外，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，支撐單元可為靜電吸盤。但在其他示例性實(shí)施例中，支撐單元可具有能夠支撐基板的各種結(jié)構(gòu)中的其中一種結(jié)構(gòu)。例如，支撐單元可為利用真空壓力固定基板的真空吸盤。
[0089]在前述的示例中，等離子體刻蝕工藝已作為基板處理工藝的一個(gè)示例進(jìn)行描述，但是本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例不限于此。例如，基板處理工藝可為其他各種等離子體工藝中的一種工藝(如沉積工藝、灰化工藝、以及清洗工藝)
[0090]在前述的示例中，ICP源已作為等離子體發(fā)生器(如等離子體源單元)的一個(gè)示例進(jìn)行描述，但是其他各種等離子體系統(tǒng)(如容性耦合等離子體(CCP)等離子體源或電子回旋共振(ECR)等離子體源)也可用作等離子體發(fā)生器。
[0091]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，輔助噴嘴可設(shè)置為通過內(nèi)襯，這能夠提高基板處理系統(tǒng)的工藝效率。
[0092]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的其他示例性實(shí)施例，輔助噴嘴可用于將工藝氣體供應(yīng)到處理腔室中，這能夠減少被供應(yīng)的工藝氣體的損失。
[0093]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的其他示例性實(shí)施例，輔助噴嘴可構(gòu)造為將工藝氣體供應(yīng)到基板的邊緣區(qū)域，這能夠?qū)⒐に嚉怏w均勻地供應(yīng)到基板，避免基板上所供應(yīng)的工藝氣體量的區(qū)域差異。
[0094]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的其他示例性實(shí)施例，輔助噴嘴可用于供應(yīng)清洗氣體，用于清除來自支撐板和聚焦環(huán)之間的空間的副產(chǎn)物，這能夠進(jìn)一步提高基板處理工藝的工藝效率。
[0095]雖然本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例已具體示出和描述，應(yīng)理解的是本領(lǐng)域技術(shù)人員可在不脫離所附權(quán)利要求書的精神和范圍下做出各種形式和細(xì)節(jié)的改變。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基板處理系統(tǒng)，其特征在于，包括: 腔室，所述腔室具有處理空間； 支撐單元，所述支撐單元設(shè)置在所述處理空間中以支撐基板； 氣體供應(yīng)單元，所述氣體供應(yīng)單元設(shè)置在所述處理空間中以將氣體供應(yīng)到所述處理空間中； 等離子體源單元，所述等離子體源單元由所述氣體產(chǎn)生等離子體；和 襯墊單元，所述襯墊單元布置為環(huán)繞所述支撐單元， 其中，所述支撐單元包括支撐基板的支撐板，以及 所述襯墊單元包括: 內(nèi)襯，所述內(nèi)襯布置為環(huán)繞所述支撐板；和 致動(dòng)器，所述致動(dòng)器豎直地移動(dòng)所述內(nèi)襯。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述氣體供應(yīng)單元包括: 主噴嘴，所述主噴嘴耦合到所述腔室的壁以將所述氣體供應(yīng)到所述處理空間中；和 輔助噴嘴，所述輔助噴嘴設(shè)置在所述內(nèi)襯上以將所述氣體供應(yīng)到所述處理空間中。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述襯墊單元還包括外襯，所述外襯設(shè)置在所述腔室中且形狀如環(huán)形。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述支撐單元還包括聚焦環(huán)，所述聚焦環(huán)設(shè)置為環(huán)繞所述支撐板且具有圓形形狀，并且所述內(nèi)襯設(shè)置為環(huán)繞所述聚焦環(huán)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述氣體包括工藝氣體，并且所述氣體供應(yīng)單元還包括輔助工藝氣體管線，所述輔助工藝氣體管線將所述工藝氣體供應(yīng)到所述輔助噴嘴。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述氣體包括清洗氣體，并且所述氣體供應(yīng)單元還包括輔助清洗氣體管線，所述輔助清洗氣體管線將所述清洗氣體供應(yīng)到所述輔助噴嘴。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述氣體包括工藝氣體和清洗氣體，并且 所述氣體供應(yīng)單元包括: 輔助工藝氣體管線，所述輔助工藝氣體管線將所述工藝氣體供應(yīng)到所述輔助噴嘴；和 輔助清洗氣體管線，所述輔助清洗氣體管線將所述清洗氣體供應(yīng)到所述輔助噴嘴。8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述內(nèi)襯設(shè)置為具有圓環(huán)形狀；并且 所述內(nèi)襯包括多個(gè)穿透孔，所述多個(gè)穿透孔沿著所述內(nèi)襯的圓周形成為通過所述內(nèi)襯，以將所述內(nèi)襯的內(nèi)部空間連通到外部空間。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述穿透孔位于所述輔助噴嘴的下方。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述襯墊單元還包括控制器，所述控制器控制所述致動(dòng)器，并且 所述控制器以這樣的方式控制所述致動(dòng)器:根據(jù)基板處理工藝的狀態(tài)改變所述內(nèi)襯的豎直位置。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述控制器以這樣的方式控制所述致動(dòng)器:在將工藝氣體供應(yīng)到所述腔室以處理所述基板的工藝步驟中，所述內(nèi)襯位于第一位置處，且在將所述基板裝載到所述腔室之前的等待步驟中，所述內(nèi)襯位于第二位置處，所述第二位置低于所述第一位置。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述控制器以這樣的方式控制所述致動(dòng)器:在將清洗氣體供應(yīng)到所述腔室以清除所述支撐板和所述聚焦環(huán)之間的空間的副產(chǎn)物的清洗步驟中，所述內(nèi)襯位于第三位置處，所述第三位置低于所述第一位置，且所述第三位置高于所述第二位置。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述第一位置高于所述支撐單元的頂表面。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述第二位置低于所述支撐單元的頂表面。15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述第三位置高于所述支撐單元的頂表面。16.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述輔助噴嘴設(shè)置為通過所述內(nèi)襯，以將所述清洗氣體直接供應(yīng)到所述聚焦環(huán)和所述支撐板之間的空間中。17.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述輔助噴嘴以這樣的方式設(shè)置為通過所述內(nèi)襯:允許所述清洗氣體在平行于所述支撐板的頂表面的方向上被供應(yīng)。18.—種處理基板的方法，其特征在于，包括: 將工藝氣體供應(yīng)到腔室的處理空間以處理裝載在支撐板上的基板的工藝步驟；以及 等待將所述基板裝載在所述腔室的所述處理空間中的等待步驟， 其中，設(shè)置為環(huán)繞所述支撐板的內(nèi)襯在所述工藝步驟中位于第一位置處，且在所述等待步驟中位于第二位置處，所述第二位置低于所述第一位置。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，還包括，在所述工藝步驟和所述等待步驟之間，將副產(chǎn)物從環(huán)繞所述支撐板的聚焦環(huán)和所述支撐板之間的空間清除的清洗步驟， 其中，在所述清洗步驟中，所述內(nèi)襯位于第三位置處，所述第三位置低于所述第一位置，且所述第三位置高于所述第二位置。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，在所述工藝步驟中，所述工藝氣體被供應(yīng)到主噴嘴和輔助噴嘴，所述主噴嘴設(shè)置為通過所述腔室的壁，所述輔助噴嘴被設(shè)置為通過所述內(nèi)襯。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，在所述工藝步驟中，供應(yīng)到所述主噴嘴和所述輔助噴嘴的工藝氣體的量基本相同。22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，在所述清洗步驟中，所述清洗氣體被供應(yīng)到設(shè)置為通過所述內(nèi)襯的輔助噴嘴。23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述第一位置高于裝載在所述支撐板上的所述基板的頂表面。24.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述第二位置低于裝載在所述支撐板上的所述基板的頂表面。25.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述第三位置高于裝載在所述支撐板上的所述基板的頂表面。26.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述內(nèi)襯設(shè)置為具有圓環(huán)形狀，且包括多個(gè)穿透孔，所述多個(gè)穿透孔沿著所述內(nèi)襯的圓周形成為通過所述內(nèi)襯，以將所述內(nèi)襯的內(nèi)部空間連通到外部空間，以及 在所述第一位置，所述穿透孔位于高于裝載在所述支撐板上的所述基板的頂表面的水平。
【專利摘要】公開一種基板處理系統(tǒng)。所述系統(tǒng)可包括腔室，所述腔室具有處理空間；支撐單元，所述支撐單元設(shè)置在所述處理空間中以支撐基板；氣體供應(yīng)單元，所述氣體供應(yīng)單元設(shè)置在所述處理空間中以將氣體供應(yīng)到所述處理空間中；等離子體源單元，所述等離子體源單元由所述氣體產(chǎn)生等離子體；和襯墊單元，所述襯墊單元布置為環(huán)繞所述支撐單元。所述支撐單元可包括支撐所述基板的支撐板。所述襯墊單元可包括：內(nèi)襯，所述內(nèi)襯環(huán)繞所述支撐板；和致動(dòng)器，所述致動(dòng)器豎直地移動(dòng)所述內(nèi)襯。
【IPC分類】H01J37/32, H01L21/3065
【公開號(hào)】CN105470125
【申請?zhí)枴緾N201510623549
【發(fā)明人】文炯哲, 金炯俊
【申請人】細(xì)美事有限公司
【公開日】2016年4月6日
【申請日】2015年9月25日
【公告號(hào)】US20160093473