噴嘴320。主氣體供應(yīng)管線361可設(shè)置為將主儲(chǔ)氣部360連接到上噴嘴310和側(cè)噴嘴320。主氣體供應(yīng)管線361可將存儲(chǔ)在主儲(chǔ)氣部360中的工藝氣體供應(yīng)到上噴嘴310和側(cè)噴嘴320。閥門362可設(shè)置在主氣體供應(yīng)管線361上。閥門362可用于控制通過主氣體供應(yīng)管線361的工藝氣體的流量。
[0067]輔助噴嘴330可設(shè)置為通過如下描述的內(nèi)襯510。輔助噴嘴330可設(shè)置為限定內(nèi)襯510的噴射孔332。在一些實(shí)施例中，多個(gè)噴射孔332可沿著內(nèi)襯510的圓周布置。輔助噴嘴330可包括垂直管道331和噴射孔332。垂直管道331可在垂直方向上從內(nèi)襯510的底部延伸到頂部。垂直管道331的一端可連接到噴射孔332。噴射孔332可在從垂直管道331到支撐單元200的方向上延伸。噴射孔332可構(gòu)造為向基板的邊緣區(qū)域噴射供應(yīng)的氣體。在特定實(shí)施例中，輔助噴嘴330可設(shè)置為具有耦合到內(nèi)襯510的結(jié)構(gòu)。
[0068]在一些實(shí)施例中，內(nèi)襯510的輔助噴嘴330可構(gòu)造為供應(yīng)工藝氣體和清洗氣體。在其他示例性實(shí)施例中，內(nèi)襯510的輔助噴嘴330可構(gòu)造為將工藝氣體供應(yīng)到基板的邊緣區(qū)域。在其他實(shí)施例中，內(nèi)襯510的輔助噴嘴330可構(gòu)造為將清洗氣體直接供應(yīng)到聚焦環(huán)280和支撐板210之間的空間中。在其他實(shí)施例中，內(nèi)襯510的輔助噴嘴330可構(gòu)造為在平行于支撐板210頂表面的方向上供應(yīng)工藝氣體或清洗氣體。
[0069]輔助工藝氣體存儲(chǔ)部373可設(shè)置為存儲(chǔ)工藝氣體。輔助工藝氣體管線371可設(shè)置為將輔助工藝氣體存儲(chǔ)部373連接到輔助噴嘴330。工藝氣體可通過輔助工藝氣體管線371供應(yīng)到輔助噴嘴330。在輔助工藝氣體管線371上可設(shè)置閥門375。閥門375可用于控制通過輔助工藝氣體管線371的工藝氣體的流量。
[0070]輔助清洗氣體存儲(chǔ)部374可設(shè)置為存儲(chǔ)清洗氣體。輔助清洗氣體管線372可設(shè)置為將輔助清洗氣體存儲(chǔ)部374連接到輔助噴嘴330。輔助清洗氣體管線372可用于將輔助清洗氣體存儲(chǔ)部374中的清洗氣體供應(yīng)到輔助噴嘴330。輔助噴嘴330可設(shè)置為將清洗氣體供應(yīng)到聚焦環(huán)280和支撐板210之間的空間中。在輔助清洗氣體管線372上可設(shè)置閥門376。閥門376可用于控制通過輔助清洗氣體管線372的清洗氣體的流量。例如，清洗氣體可包含非活性氣體或惰性氣體(如氮?dú)饣驓鍤?。
[0071]等離子體源單元400可構(gòu)造為將供應(yīng)到腔室100中的工藝氣體轉(zhuǎn)換為等離子體。在一些實(shí)施例中，等離子體源單元400可包括電感耦合等離子體(ICP)源。例如，等離子體源單元400可包括天線室410、天線420、和等離子體電源430。天線室410可設(shè)置為具有底部開放的圓柱狀結(jié)構(gòu)。天線室410可設(shè)置為具有空的空間。天線室410可設(shè)置為具有與腔室100的直徑相對(duì)應(yīng)的直徑，天線室410可具有使天線室410附接到窗120或與窗120分離的底部結(jié)構(gòu)。天線420可設(shè)置在天線室410中。天線420可設(shè)置為具有多個(gè)繞組的螺旋結(jié)構(gòu)或線圈結(jié)構(gòu)，且可耦合到等離子體電源430。天線420可被供應(yīng)由等離子體電源430提供的電功率。等離子體電源430可位于腔室100的外部。在將電功率施加到天線420的情況下，在腔室100的處理空間中可產(chǎn)生電磁場。工藝氣體可由該電磁場激發(fā)為等離子體狀
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[0072]襯墊單元500可構(gòu)造為將氣體供應(yīng)到基板的頂表面上。在一些實(shí)施例中，襯墊單元500可構(gòu)造為將工藝氣體和/或清洗氣體供應(yīng)到處理空間中，且構(gòu)造為將可能在基板處理工藝期間產(chǎn)生的副產(chǎn)物排放到排氣孔。襯墊單元500除了包括內(nèi)襯510外，可進(jìn)一步包括外襯130、致動(dòng)器550和控制器570。
[0073]外襯130可設(shè)置在主體110中。外襯130可設(shè)置為具有開放頂部和開放底部的空間。外襯130可設(shè)置為具有圓柱形形狀。外襯130可具有半徑，該半徑可對(duì)應(yīng)于或等于主體110的內(nèi)部空間的半徑。外襯130可沿著主體110的內(nèi)側(cè)壁設(shè)置。外襯130可包括支撐環(huán)131，該支撐環(huán)131設(shè)置在主體110上，且從主體110的頂表面向外側(cè)延伸。支撐環(huán)131可以環(huán)形板的形式設(shè)置且可從外襯130的外圓周向外突出。支撐環(huán)131可布置在主體110上且可由外襯130支撐。外襯130可由與主體110的材料相同的材料組成。外襯130可由含鋁材料組成。外襯130可保護(hù)主體110的內(nèi)側(cè)壁。在激發(fā)工藝氣體期間，在腔室100中可能發(fā)生電弧放電。該電弧放電可導(dǎo)致腔室100損壞。然而，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，設(shè)置在主體110內(nèi)側(cè)表面上的外襯130能夠使主體110的內(nèi)側(cè)表面免受電弧放電的損壞。
[0074]內(nèi)襯510可設(shè)置為環(huán)繞支撐單元200。內(nèi)襯510可以環(huán)的形式設(shè)置。輔助噴嘴330可設(shè)置為通過內(nèi)襯510。在內(nèi)襯510中可形成有多個(gè)穿透孔511，以沿著內(nèi)襯510的圓周使內(nèi)襯510的內(nèi)部空間連通到外部空間。所述多個(gè)穿透孔511可形成在輔助噴嘴330的下方。穿透孔511可垂直于內(nèi)襯510的圓周表面且可設(shè)置為形成多個(gè)彼此平行的列。在基板處理工藝期間產(chǎn)生的副產(chǎn)物可通過穿透孔511排出。
[0075]致動(dòng)器550可連接到內(nèi)襯510。致動(dòng)器550可允許內(nèi)襯510在豎直方向上移動(dòng)。
[0076]控制器570可控制致動(dòng)器550。例如，控制器570可以這樣的方式控制致動(dòng)器550:根據(jù)基板處理工藝的狀態(tài)改變內(nèi)襯510的豎直水平。
[0077]例如，在工藝步驟A中，用于處理基板的工藝氣體可供應(yīng)到腔室100中，且控制器570可以這樣的方式控制致動(dòng)器550:在工藝步驟A中，內(nèi)襯510位于第一位置Rl處。在清洗步驟B中，可供應(yīng)清洗氣體以清除來自支撐板210和聚焦環(huán)280之間的空間的副產(chǎn)物，且控制器570可以這樣的方式控制致動(dòng)器550:在清洗步驟B中，內(nèi)襯510位于第三位置R3處。在等待步驟C中，基板可等待被裝載到腔室100中，且控制器570可以這樣的方式控制致動(dòng)器550:在等待步驟C中，內(nèi)襯510位于第二位置R2處。這里，第一位置Rl在豎直水平上可高于支撐單元200的頂表面。第二位置R2在豎直水平上可低于支撐單元200的頂表面。第三位置R3在豎直水平上可高于支撐單元200的頂表面。
[0078]第一位置Rl可高于第二位置R2和第三位置R3 ο第二位置R2可低于第三位置R3。第三位置R3可低于第一位置Rl并高于第二位置R2。
[0079]由于在內(nèi)襯510中設(shè)置有輔助噴嘴330，因此能夠有效地將工藝氣體供應(yīng)到基板的邊緣區(qū)域從而減少將要損失的工藝氣體量。而且，由于在內(nèi)襯510中設(shè)置有穿透孔511，因此能夠?qū)⒖赡茉诨逄幚砉に囍挟a(chǎn)生的副產(chǎn)物排到外部，從而提高基板處理工藝的工藝效率。
[0080]擋板單元600可位于主體110的內(nèi)側(cè)壁和支撐單元200之間。擋板可以圓環(huán)的形式設(shè)置。多個(gè)穿透孔可設(shè)置為通過該擋板。供應(yīng)到主體110的工藝氣體可通過擋板單元600的穿透孔被排放到排氣孔102?？筛鶕?jù)擋板單元600和穿透孔的形狀控制工藝氣體的流動(dòng)。
[0081]圖5至圖7為示例性示出當(dāng)執(zhí)行基板處理工藝時(shí)內(nèi)襯位置變化的剖視圖；圖8為示意性示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的基板處理方法的圖表。在下文中，將參照附圖5至圖8來描述基板處理工藝的一個(gè)示例。例如，基板可包括第一組基板和第二組基板，且可連續(xù)地在第一組基板和第二組基板上執(zhí)行基板處理工藝。
[0082]基板處理工藝可包括工藝步驟A，清洗步驟B和等待步驟C。
[0083]在工藝步驟A中，可將工藝氣體供應(yīng)到腔室100的處理空間中(或供應(yīng)到裝載在支撐板210上的基板上)以處理該基板。在工藝步驟A中，工藝氣體可通過內(nèi)襯510的輔助噴嘴330被供應(yīng)。在工藝步驟A中，內(nèi)襯510可位于在第一位置Rl處。這里，第一位置Rl可高于裝載在支撐板210上的基板的位置。當(dāng)內(nèi)襯510位于第一位置Rl處時(shí)，穿透孔511可位于比裝載在支撐板210上的基板的水平更高的水平。在內(nèi)襯510在工藝步驟A中位于第一位置Rl處的情況下，能夠增加基板的邊緣區(qū)域上的氣體密度，從而提高基板處理工藝的效率。在基板處理工藝中產(chǎn)生副產(chǎn)物的情況下，這些副產(chǎn)物可通過內(nèi)襯510的穿透孔511排放到外部。
[0084]在工藝步驟A之后可執(zhí)行清洗步驟B。在第一組基板中的一個(gè)基板上執(zhí)行工藝步驟A之后且在第一組基板中的另一個(gè)基板上執(zhí)行工藝步驟A之前可執(zhí)行清洗步驟B。清洗步驟B可被執(zhí)行以清除來自聚焦環(huán)280和支撐板210之間的空間的副產(chǎn)物。在清洗步驟B中，內(nèi)襯510可位于第三位置R3處。第三位置R3可高于裝載在支撐板210上的基板的頂表面。第三位置R3在豎直水平可低于第一位置Rl。在清洗步驟B中，可通過內(nèi)襯510的輔助噴嘴330供應(yīng)清洗氣體。作為供應(yīng)清洗氣體的結(jié)果，副產(chǎn)物可以從聚焦環(huán)280和支撐板210之間的空間被清除，并且這能夠提高后續(xù)的工藝步驟A中的工藝效率。如果完成基板的清洗步驟B，可從腔室100卸載該基板，然后，可在選自第一組的新基板上繼續(xù)執(zhí)行工藝步驟A和清洗步驟B。
[0085]如果完成第一組基板的工藝步驟A和清洗步驟B，在第二組基板上的工藝步驟A和清洗步驟B之前可執(zhí)行等待步驟C。在等待步驟C中，第二組基板中的一個(gè)基板可裝載在腔室100的處理空間中。在等待步驟C中，內(nèi)襯510可