技術(shù)編號(hào)：9709797
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。氣體在高溫環(huán)境、強(qiáng)電場(chǎng)或射頻(RF)電磁場(chǎng)下被電離，以形成包括離子、電子和自由基的等離子體。制作半導(dǎo)體器件的工藝包括等離子體刻蝕步驟。例如，形成在基板上的基片或?qū)油ㄟ^包含等離子體的離子性粒子的物理碰撞或化學(xué)反應(yīng)被刻蝕?？涛g工藝在處理腔室中被執(zhí)行。具體地，等離子體通過將工藝氣體供應(yīng)到處理腔室中而產(chǎn)生，然后向處理腔室施加RF功率，以激勵(lì)該工藝氣體。在這里，工藝氣體通過分別設(shè)置在處理腔室的頂蓋的中央?yún)^(qū)域的中央噴嘴或設(shè)置處理腔室的側(cè)壁的側(cè)噴嘴被供應(yīng)到處理腔室中。通...
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