見(jiàn)，層和區(qū)域的厚度被放大。在附圖中相似的參考編號(hào)表示相似的組件，因此它們的描述將被省略。
[0044]應(yīng)理解的是，當(dāng)一個(gè)組件被稱(chēng)為“連接”或“耦合”到另一組件時(shí)，它可直接地連接或耦合到另一組件或可能存在的中間組件。相反地，當(dāng)組件被稱(chēng)為“直接連接”或“直接耦合”到另一組件時(shí)，不存在中間組件。在全文中相似的編號(hào)代表相似的組件。如本文使用的術(shù)語(yǔ)“和/或”，包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)聯(lián)的列出項(xiàng)目的任意和所有組合。用于描述組件或?qū)又g關(guān)系的其它詞語(yǔ)(例如，“在……之間”與“直接在……之間”，“鄰近”與“直接鄰近”，“在……上”與“直接在……上)應(yīng)以相似的方式解釋。
[0045]應(yīng)理解的是，雖然本文可使用術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等來(lái)描述不同的組件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些組件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)被這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)組件、部件、區(qū)域、層或部分從另一個(gè)組件、部件、區(qū)域、層或部分中區(qū)分出來(lái)。因此，以下討論的第一組件、第一部件、第一區(qū)域、第一層或第一部分可以被稱(chēng)為第二組件、第二部件、第二區(qū)域、第二層或第二部分，而不脫離示例性實(shí)施例的教導(dǎo)。
[0046]為了便于描述，本文可使用空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，例如“在……下面(beneath) ”、“在……
下方(below) ”、“下部的(lower)”、“在......上方(above) ”、“上部的(upper) ”等，以描述如附圖中示出的一個(gè)組件或特征與另一個(gè)(或多個(gè))組件或特征的關(guān)系。應(yīng)理解的是，除附圖中描述的方位以外，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在包含設(shè)備在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的設(shè)備被倒置，描述為在其它組件或特征“下方(below)”或“下面(beneath)”的組件將隨之調(diào)整為在所述其它組件或特征的“上方”。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“下方”可包含上方和下方兩個(gè)方位。然而，設(shè)備可作其它調(diào)整(旋轉(zhuǎn)90度或處于其它方位)，且本文使用的空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)被相應(yīng)地解釋。
[0047]本文所用術(shù)語(yǔ)僅僅出于描述特定實(shí)施例的目的，而非旨在限制示例性實(shí)施例。如本文使用的單數(shù)形式的“一個(gè)(a，an)”和“該/所述(the)”旨在還包含復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出并非如此。還應(yīng)當(dāng)理解的是，在本文中使用術(shù)語(yǔ)“包含(comprises和/或comprising) ”、“包括(include和/或including) ”時(shí)，指定陳述的特征、整體、步驟、操作、組件、和/或部件的存在，但是不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、組件、部件、和/或以上的組合的存在或附加。
[0048]除非另有定義，本文使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。還應(yīng)理解的是，術(shù)語(yǔ)，例如那些在常用詞典中定義的術(shù)語(yǔ)，應(yīng)解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域的語(yǔ)境中的含義一致的含義，不能以理想化或過(guò)于正式的意義來(lái)解釋?zhuān)潜疚拿鞔_定義如此。
[0049]圖1為不出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的不例性實(shí)施例的基板處理系統(tǒng)的剖視圖，圖2和圖3為示出圖1的內(nèi)襯的透視圖，以及圖4為設(shè)置在圖1的內(nèi)襯中的輔助噴嘴的剖視圖。參照?qǐng)D1至圖4，基板處理系統(tǒng)10可被構(gòu)造為使用等離子體處理基板或晶片W?；逄幚硐到y(tǒng)10可包括腔室100、支撐單元200、氣體供應(yīng)單元300、等離子體源單元400、襯墊單元500、以及擋板單元600。
[0050]腔室100可構(gòu)造為限定頂部開(kāi)口的空間。腔室100可提供處理空間，在該空間中將執(zhí)行基板處理工藝。腔室100可包括主體I1和窗120。
[0051]主體110可設(shè)置為限定其頂部開(kāi)口的內(nèi)部空間。主體110的內(nèi)部空間可被用作基板處理工藝的空間。主體I1可由金屬材料組成。例如，主體110可由含鋁材料組成。主體110可接地。排氣孔102可形成為通過(guò)主體110的底表面。所述排氣孔102可被用作這樣的一種通道:用于將在基板處理工藝中產(chǎn)生的副產(chǎn)物和停留在主體110中的工藝氣體排放到主體I1外側(cè)。
[0052]窗120可設(shè)置在主體110上以蓋住主體110的開(kāi)放頂部。窗120可設(shè)置為具有板狀結(jié)構(gòu)且密封主體110的內(nèi)部空間。窗120可由介電材料組成，或者窗120可包括介電材料。
[0053]支撐單元200可位于主體110中。支撐單元200可構(gòu)造為支撐基板W。支撐單元200可包括靜電吸盤(pán)，該靜電吸盤(pán)構(gòu)造為使用靜電力保持基板W。可替代地，支撐單元200可構(gòu)造為使用其它方式，如機(jī)械夾持的方式保持基板W。為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，以下描述將參照本發(fā)明實(shí)施例中靜電吸盤(pán)被用作支撐單元200的示例。
[0054]靜電吸盤(pán)200可包括支撐板210、下電極220、加熱器230、下板240，下部電源260、絕緣板270、以及聚焦環(huán)280。
[0055]支撐板210可被用作靜電吸盤(pán)200的上部。支撐板210可形成如同圓盤(pán)的形狀且可由介電材料組成?？蓪⒒錡裝載到支撐板210的頂表面上。支撐板210的頂表面可具有比基板W的半徑更小的半徑。因此，如果將基板W裝載到支撐板210上，基板W的邊緣區(qū)域可位于支撐板210之外。
[0056]下電極220和加熱器230可被埋設(shè)在支撐板210中。下電極220可位于加熱器230上。下電極220可電連接到第一電源223。第一電源223可構(gòu)造為供應(yīng)直流(DC)電，以讓靜電吸盤(pán)200固定基板W。開(kāi)關(guān)222可安裝在下電極220和第一電源223之間。根據(jù)開(kāi)關(guān)222的接通或斷開(kāi)狀態(tài)，下電極220可電連接到第一電源223。例如，在開(kāi)關(guān)222處于接通狀態(tài)的情況下，直流電流可被施加到下電極220。施加到下電極220的電流能夠使下電極220對(duì)基板W施加靜電力，由此基板W可被固定在支撐板210上。
[0057]加熱器230可電連接到第二電源233。在加熱器230中，從第二電源233供應(yīng)的電流可被轉(zhuǎn)換為熱能。該熱能可通過(guò)支撐板210傳遞到基板W。例如，在加熱器230中產(chǎn)生的熱能可使基板W加熱到特定的溫度。加熱器230可設(shè)置為螺旋狀加熱絲的形式。在一些實(shí)施例中，在支撐板210中可設(shè)置多個(gè)加熱器230。
[0058]下板240可位于支撐板210的下方。支撐板210的底表面可通過(guò)粘膠層236附接到下板240的頂表面。下板240可由含鋁材料組成。下板240的頂表面的中央?yún)^(qū)域可高于其邊緣區(qū)域，從而具有階梯結(jié)構(gòu)。下板240的頂表面的中央?yún)^(qū)域可具有與支撐板210的底表面的中央?yún)^(qū)域基本相同或相似的面積，且可粘附到支撐板210的底表面。
[0059]下板240可設(shè)置為具有至少一個(gè)用于使傳熱介質(zhì)流通的通道。例如，傳熱介質(zhì)可包括惰性氣體(例如氦氣)。在一些實(shí)施例中，下板240可以這樣的方式構(gòu)造:在下板240中可有通路通過(guò)。例如，下板240可設(shè)置為具有第二流通管道242，用于冷卻下板240的冷卻劑通過(guò)該第二流通管道242流通。下板240的冷卻可以這樣的方式執(zhí)行:基板W被冷卻到特定溫度。
[0060]絕緣板270可設(shè)置在下板240的下方。絕緣板270可設(shè)置為具有與下板240的尺寸基本相同或相似的尺寸。絕緣板270可位于下板240和腔室100之間。絕緣板270可有絕緣材料組成以使下板240和腔室100彼此電隔離。
[0061]下部電源260可連接到下板240以向下板240提供電功率。下部電源260可構(gòu)造為產(chǎn)生具有射頻的電功率。在一些實(shí)施例中，下部電源260可接地。
[0062]聚焦環(huán)280可設(shè)置在靜電吸盤(pán)200的邊緣區(qū)域。聚焦環(huán)280可為如環(huán)的形狀且可沿支撐板210的圓周設(shè)置。聚焦環(huán)280可包括內(nèi)部282和外部281。內(nèi)部282可位于聚焦環(huán)280的內(nèi)部區(qū)域。內(nèi)部282可設(shè)置為具有比外部281的頂表面低的頂表面。在一些實(shí)施例中，內(nèi)部282可設(shè)置為具有與支撐板210的頂表面共面的頂表面。內(nèi)部282可支撐基板W的邊緣區(qū)域，該邊緣區(qū)域位于支撐板210的外部。外部281可位于內(nèi)部282的外側(cè)。外部281可設(shè)置為面向裝載在支撐板210上的基板W的側(cè)邊部。外部281可設(shè)置為環(huán)繞基板W的邊緣區(qū)域。
[0063]氣體供應(yīng)單元300可包括主噴嘴310和320以及輔助噴嘴330。
[0064]主噴嘴310和320可將氣體供應(yīng)到處理空間。氣體供應(yīng)單元300可包括多個(gè)主噴嘴310和320。主噴嘴310和320可設(shè)置為通過(guò)腔室100的壁。例如，主噴嘴310和320可設(shè)置分別通過(guò)腔室100的頂壁和側(cè)壁。在一些實(shí)施例中，主噴嘴可包括上噴嘴310和側(cè)噴嘴320。上噴嘴310可設(shè)置為通過(guò)腔室100的頂壁。上噴嘴310可位于基板的中央之上。上噴嘴310可將氣體供應(yīng)到基板上。上噴嘴310可構(gòu)造為具有至少一個(gè)噴射孔311。噴射孔311可將工藝氣體供應(yīng)到激勵(lì)空間IS的中央?yún)^(qū)域。上噴嘴310可由噴嘴支撐桿(未示出)支撐且可被設(shè)置為通過(guò)窗120。
[0065]側(cè)噴嘴320可設(shè)置為圍繞激勵(lì)空間IS且可為如環(huán)形形狀。側(cè)噴嘴320可設(shè)置為通過(guò)腔室100的側(cè)壁。側(cè)噴嘴320可構(gòu)造為具有至少一個(gè)噴射孔321。噴射孔321可向支撐單元200傾斜。側(cè)噴嘴320可將氣體供應(yīng)到激勵(lì)空間IS的邊緣區(qū)域。
[0066]主儲(chǔ)氣部360可構(gòu)造為存儲(chǔ)工藝氣體。存儲(chǔ)在主儲(chǔ)氣部360中的工藝氣體可被供應(yīng)到上噴嘴310和側(cè)