[0037] 本發(fā)明的另一實施例的顯示器用透明電極薄膜可包括：電極圖案，在離型膜上將 導電油墨組合物印刷為微細電極圖案而形成；絕緣層，通過全面涂覆所述絕緣樹脂，以使 所述絕緣樹脂填充在所述微細電極圖案之間的槽中來形成；及基底層，層壓在所述絕緣層 的另一側(cè)面上，所述絕緣層的另一側(cè)面為所述絕緣層中的與所述離型膜相接的一側(cè)面的反 面，所述電極圖案設(shè)置為埋入于所述絕緣層的內(nèi)部，并且所述電極圖案的一面向所述絕緣 層的所述一側(cè)面的表面裸露而與所述離型膜相接。
[0038] 本發(fā)明的另一實施例的顯示器用透明電極薄膜可包括：電極圖案，在離型膜上將 導電油墨組合物印刷為微細電極圖案而形成；絕緣層，在形成有所述微細電極圖案的所述 離型膜上涂覆絕緣樹脂，并使所述絕緣樹脂覆蓋所述微細電極圖案來形成；及基底層，層壓 在所述絕緣層的另一側(cè)面上，所述絕緣層的另一側(cè)面為所述絕緣層中的與所述離型膜相接 的一側(cè)面的反面，其中，所述電極圖案設(shè)置為埋入于所述絕緣層的內(nèi)部，并且所述電極圖案 的一面向所述絕緣層的所述一側(cè)面的表面裸露而與所述離型膜相接，此外，所述顯示器用 透明電極薄膜為通過蝕刻液溶解殘留在去除所述離型膜之后的所述微細電極圖案之間的 殘留導電油墨組合物，并且將溶解的所述殘留導電油墨組合物可推出而去除殘留導電油墨 組合物而形成的。
[0039] 本發(fā)明的另一實施例的顯示器用透明電極薄膜可包括：電極圖案，在離型膜上將 導電油墨組合物印刷為微細電極圖案而形成；絕緣層，在形成有所述微細電極圖案的所述 離型膜上涂覆絕緣樹脂而形成絕緣層；及基底層，層壓在所述絕緣層的另一側(cè)面上，所述絕 緣層的另一側(cè)面為所述絕緣層中的與所述離型膜相接的一側(cè)面的反面，所述電極圖案設(shè)置 為埋入于所述絕緣層的內(nèi)部，并且所述電極圖案的一面向所述絕緣層的所述一側(cè)面的表面 裸露而與所述離型膜相接，所述顯示器用透明電極薄膜進一步包括導電物質(zhì)，所述導電物 質(zhì)形成于在去除所述離型膜的狀態(tài)下，通過蝕刻液溶解殘留在所述微細電極圖案之間的殘 留導電油墨組合物，并且將溶解的所述殘留導電油墨組合物推出而去除殘留導電油墨組合 物之后的所述微細電極圖案上。
[0040] 所述導電油墨組合物可由包括金屬絡(luò)合物、金屬前體、球形金屬粒子、金屬薄片或 金屬納米粒子中的至少一種的導電金屬組合物來構(gòu)成。
[0041] 所述絕緣樹脂可為熱固性或紫外線光固性樹脂。
[0042] 所述蝕刻液可包括氨基甲酸銨系列、碳酸銨系列、碳酸氫銨系列、羧酸系列、內(nèi)酯 系列、內(nèi)酰胺系列、環(huán)狀酸酐系列化合物、酸-堿鹽復合物、酸-堿-醇復合物或巰基系列化 合物中的至少一種及氧化劑。
[0043] 所述導電物質(zhì)可為ΙΤΟ、AZO、CNT、石墨稀或?qū)щ娦愿叻肿印?br>[0044] 所述顯示器用透明電極薄膜的表面粗糙度Ra可為0. 05μπι至0. 3μπι。
[0045] 所述顯示器用透明電極薄膜的面電阻可為10mΩ/sq至100kΩ/sq。
[0046] 所述顯示器用透明電極薄膜的透射率可為60 %至99%。
[0047] 本發(fā)明的顯示器用透明電極薄膜的制造方法及顯示器用透明電極薄膜，具有如下 的一個或一個以上的效果。
[0048] 可提供一種顯示器用透明電極薄膜的制造方法及顯示器用透明電極薄膜，該顯示 器用透明電極薄膜的制造方法及顯示器用透明電極薄膜通過利用離型膜在離型膜上印刷 導電油墨組合物而形成微細電極圖案的方式來制造透明電極薄膜，從而在去除離型膜的方 向的表面上裸露微細電極圖案，因此電極之間容易接觸，且表面粗糙度優(yōu)異。
[0049] 此外，提供一種顯示器用透明電極薄膜的制造方法及顯示器用透明電極薄膜，該 顯示器用透明電極薄膜的制造方法及顯示器用透明電極薄膜在離型膜上依次形成微細電 極圖案和絕緣層，并且通過熱壓或粘合劑的粘合來形成基底層，從而提高微細電極圖案和 基底層的附著力。
[0050] 此外，構(gòu)成微細電極圖案的導電油墨組合物使用包含金屬絡(luò)合物或金屬前體的導 電物質(zhì)，因此能夠同時提高光學、電氣及機械特性。
[0051] 此外，在去除離型膜之后，可通過蝕刻液溶解并去除在非微細電極圖案形成位置 的絕緣層上產(chǎn)生的微細殘留金屬物，從而提高透射率及耐電壓。
[0052] 在微細電極圖案上形成有ΙΤ0或ΑΖ0等導電物質(zhì)的混合型透明電極薄膜的兩個電 極之間的界面特性優(yōu)異，因此能夠在要求高導電度及高可靠性的領(lǐng)域中使用。
[0053] 本發(fā)明的效果并不局限于在上面所提及的效果，本領(lǐng)域技術(shù)人員可通過權(quán)利要求 書的記載能夠清楚理解沒有提及的其他效果。
【附圖說明】
[0054] 圖1為將本發(fā)明的一實施例的顯示器用透明電極薄膜的制造方法依次表示的順 序圖。
[0055]圖2為將本發(fā)明的另一實施例的顯示器用透明電極薄膜的制造方法依次表示的 順序圖。
[0056] 圖3a至圖3j為將本發(fā)明的一實施例的顯示器用透明電極薄膜的制造方法依次表 示的剖視圖。
[0057] 圖4為通過實施例1至5制造的透明電極薄膜的SEM圖像。
【具體實施方式】
[0058] 參照下面的結(jié)合附圖詳細描述的實施例能夠清楚地理解本發(fā)明的優(yōu)點和特點以 及實現(xiàn)這兩者的方法。但本發(fā)明并不局限于下面公開的實施例，可通過不同的多種形態(tài)實 現(xiàn)。此外，本實施例只是用于完整地公開本發(fā)明，且為了向本領(lǐng)域的技術(shù)人員完整地告知發(fā) 明的范疇而提供的，本發(fā)明應(yīng)由權(quán)利要求書的范疇來定義。此外，在通篇說明書中對相似的 部分使用了相同的附圖標記。
[0059] 空間上相對的術(shù)語"下面（below) "、"下方（beneath) "、"下部（lower) "、"上面 (above) "、"上部（upper)"等，可以為了便于描述如圖所示那樣一個構(gòu)件和其他構(gòu)件之間 的相關(guān)關(guān)系而使用。應(yīng)當理解的是，空間上相對的術(shù)語不僅包括圖中示出的方向，還包括使 用時或動作時構(gòu)件的不同方向。例如，當將圖中示出的構(gòu)件翻轉(zhuǎn)時，被描述為在另一構(gòu)件的 "下面（below) "或"下方（beneath) "的構(gòu)件可以位于該另一構(gòu)件的"上面（above) "。因 此，示意性的術(shù)語"下面"可以包括下方和上方這兩者。構(gòu)件可以取向為其他方向，因此空 間上相對的術(shù)語可以根據(jù)取向來解釋。
[0060] 為了便于說明和清楚起見，圖中各構(gòu)件的厚度和大小是夸張或省略或示意地表 示。此外，各構(gòu)件的大小和面積并不完整地反映實際大小和面積。
[0061] 下面，參照用于說明顯示器用透明電極薄膜的制造方法的圖，并通過本發(fā)明的實 施例，對本發(fā)明進行說明。
[0062] 如圖1所示，本發(fā)明的一實施例的顯示器用透明電極薄膜的制造方法包括離型膜 的準備步驟S10、電極圖案的形成步驟S20、絕緣層的形成步驟S30、基底層的形成步驟S40 及離型膜的去除步驟S50。
[0063] 離型膜的準備步驟S10
[0064] 離型膜的準備步驟S10為準備在耐熱薄膜上涂覆有離型劑的離型膜，并且準備即 將形成微細電極圖案的離型膜的步驟。
[0065] 所述離型膜可使用已調(diào)節(jié)離型力的離型涂覆膜。在此，離型涂覆膜可在耐熱薄膜 上涂覆離型劑而制造。
[0066]所述耐熱薄膜可使用聚萘二甲酸乙二醇酯（PolyethyleneNaphthalate，PEN)、聚 對苯二甲酸乙二醇酯（polyethyleneterephthalate，PET)、聚乙?。≒olyethylene，PE)、聚 酰亞胺（Polyimide，PI)或聚碳酸酯（Polycarbonate，PC)，但并不局限于此，也可使用在本 領(lǐng)域中眾所周知的各種材質(zhì)的耐熱薄膜。
[0067] 所述離型劑優(yōu)選使用有機硅類或丙烯酸類離型劑。
[0068] 有機硅類離型劑具有即使在熱壓工藝中也不會產(chǎn)生嚴重的收縮的耐熱特性，并且 具有能夠容易調(diào)節(jié)離型力的優(yōu)點，因此更為有效，優(yōu)選為有機硅類離型劑。
[0069] 離型劑也同樣可使用在本領(lǐng)域中眾所周知的各種離型劑，根據(jù)情況可將其組合使 用。
[0070] 在耐熱薄膜上涂覆所述離型劑的方法可使用微凹版涂布法、凹版涂布法、狹縫式 擠出涂布法、逆向吻涂或旋轉(zhuǎn)式絲網(wǎng)涂布法，而且并不局限于此。
[0071] 電極圖案的形成步驟S20
[0072] 電極圖案的形成步驟S20為在離型膜上利用導電油墨組合物來形成微細電極圖 案的步驟。
[0073] 在所述離型膜上的涂覆有離型劑的方向的表面上印刷導電油墨組合物。
[0074] 導電油墨組合物優(yōu)選使用金屬絡(luò)合物、金屬前體、球形金屬粒子、金屬薄片或金屬 納米粒子，根據(jù)導電物質(zhì)的材料可混合兩種以上來使用。
[0075] 更加優(yōu)選地，可使用金屬絡(luò)合物或金屬前體。此外，也可將金屬絡(luò)合物或金屬前體 還原后制造納米大小的金屬粒子，從而作為混合物來使用。將其使用時，能夠容易形成通過 以往技術(shù)無法形成的納米大小的微細電極圖案。
[0076] 在本發(fā)明中使用的金屬前體可由通式ΜηΧ來表示，其中，Μ為Ag、Au、Cu、Ni、Co、Pd、Ti、V、Μη、Fe、Cr、Zr、Nb、Mo、W、Ru、Cd、Ta、Re、Os、Ir、Al、Ga、Ge、In、Sn、Sb、Pb、Bi， n為1~10的整數(shù)，X表示氧、硫磺、鹵素、氰基、氰酸鹽、碳酸鹽、硝酸鹽（Nitrate)、硝酸 鹽（Nitrate)、硫酸鹽、磷酸鹽、硫氰酸鹽、氯酸鹽、過氯酸鹽（perchlorate)、四氟硼酸鹽 (tetrafluoroborate)、乙酰丙酮化物、疏基、酰胺、醇鹽及羧酸鹽等。具體而言，例如可選 擇醋酸金、草酸鈀、2-乙基己酸銀、2-乙基己酸銅、硬脂酸鐵、甲酸鎳及檸檬酸鋅等的羧酸 金屬；硝酸銀、氰化銅、碳酸鈷、氯化鉬、氯金酸、四丁氧基鈦、二甲氧基二氯化錯（dimethoxy zirconiumdicloride)、三異丙氧基錯、氧化|凡、甲氧基鉭（Tantalummethoxide)、乙酸祕、 十二烷基巰基金及乙酰丙酮銦等的金屬化合物等中的一種以上一起使用。
[0077] 常規(guī)的金屬納米粒子的制備方法有以物理方式將金屬塊粉碎而制備的物理方法 和用化學方法來制備的方法。
[0078] 對化學方法進一步詳細說明，則包括：噴射高壓氣體來制成粉末的氣溶膠法、使用 金屬化合物和氣體還原劑并通過熱解來制成粉末的熱解法、對蒸發(fā)原料進行加熱使其蒸發(fā) 來制成粉末的蒸發(fā)濃縮法、溶凝膠法、水熱合成法、超聲波合成法、微乳液法及液相還原法 等。
[0079] 最常用的是液相還原法，該方法利用分散劑和還原劑來制備，其易于控制納米粒 子的形成，并且被評價為經(jīng)濟效果最佳的方法，但在本發(fā)明中只要能夠形成納米粒子，就能 使用所有的方法。
[0080] 對于通過液相還原法制備納米粒子的方法的具體說明，在本申請人提出的韓國專 利申請第2006-0074246號中有記載，在所述專利申請中記載的金屬納米粒子具有粒子大 小均勻及凝聚性最小化的優(yōu)點，含有所述金屬納米粒子的導電油墨具有即使在150Γ以下 的低溫