合物NC232。
[0488] 下文中，將披露用于制造使用根據(jù)上述合成實例所制備的化合物作為N-型電荷 產(chǎn)生層的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的實施方式。應(yīng)當(dāng)注意的是，W下有機(jī)層的厚度或形成條件不 限制本發(fā)明的范圍。
[048引實施方式7
[0490]N-型電荷產(chǎn)生層與測試1的比較例1具有相同的組成，并且由化合物NC119形成。
[0491] 實施方式8
[049引N-型電荷產(chǎn)生層與測試1的比較例1具有相同的組成，并且由化合物NC124形成。
[049引實施方式9
[0494] N-型電荷產(chǎn)生層與測試1的比較例1具有相同的組成，并且由化合物NC126形成。
[049引實施方式10
[0496] N-型電荷產(chǎn)生層與測試1的比較例1具有相同的組成，并且由化合物NC132形成。
[0497] 實施方式11
[049引N-型電荷產(chǎn)生層與測試1的比較例1具有相同的組成，并且由化合物NC151形成。
[049引實施方式12
[0500]N-型電荷產(chǎn)生層與測試1的比較例1具有相同的組成，并且由化合物NC175形成。
[0501] 實施方式13
[050引N-型電荷產(chǎn)生層與測試1的比較例1具有相同的組成，并且由化合物NC195形成。
[0503] 實施方式14
[0504]N-型電荷產(chǎn)生層與測試1的比較例1具有相同的組成，并且由化合物NC197形成。
[0505] 實施方式15
[0506] N-型電荷產(chǎn)生層與測試1的比較例1具有相同的組成，并且由化合物NC223形成。
[0507] 實施方式16
[0508]N-型電荷產(chǎn)生層與測試1的比較例1具有相同的組成，并且由化合物NC231形成。
[0509] 實施方式17
[0510] N-型電荷產(chǎn)生層與測試1的比較例1具有相同的組成，并且由化合物NC232形成。
[0511] 測量了根據(jù)比較例1和實施方式7至17的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的工作電壓、電流效 率和壽命，并在下表4中示出。此外，下表4示出了相對于比較例1的結(jié)果100%的各實施 方式的結(jié)果百分比。此外，壽命T95描述了達(dá)到比較例1的初始亮度的95%所花費的時間。
[0512] 測量了根據(jù)比較例1和實施方式7至10制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的相對于工作 電壓的電流密度并在圖19中示出，測量了相對于亮度的量子效率并在圖20中示出，測量了 亮度隨時間的下降并在圖21中示出。此外，測量了根據(jù)比較例1和實施方式11至14制造 的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的相對于工作電壓的電流密度并在圖22中示出，測量了相對于亮度 的量子效率并在圖23中示出，測量了亮度隨時間下降的比率并在圖24中示出。此外，測量 了根據(jù)比較例1和實施方式15至17制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的相對于工作電壓的電流密 度并在圖25中示出，測量了相對于亮度的量子效率并在圖26中示出，測量了亮度隨時間下 降的比率并在圖27中示出。
[051 引[表 4]
[051引參照圖19至圖27和表4,與使用B化en作為堆疊結(jié)構(gòu)中的N-型電荷產(chǎn)生層的比 較例1相比，使用化合物NC119作為N-型電荷產(chǎn)生層的實施方式7顯示出電流效率下降了 3. 9%，量子效率下降了 4. 1%，工作電壓下降了 5.6%，壽命增加了 5%。此外，與比較例1相 比，使用化合物NC124作為N-型電荷產(chǎn)生層的實施方式8顯示出電流效率下降了 1 %，量子 效率下降了 0.5%，工作電壓下降了 7. 3%，壽命增加了 14%。此外，與比較例1相比，使用 化合物NC126作為N-型電荷產(chǎn)生層的實施方式9顯示出電流效率下降了 1. 4%，量子效率 下降了 0.6%，工作電壓下降了8.6%，壽命減少了 31. 4 %。此外，與比較例1相比，使用化 合物NC132作為N-型電荷產(chǎn)生層的實施方式10顯示出電流效率增加了 1. 3 %，量子效率增 加了 0. 4 %，工作電壓下降了 5. 7 %，壽命減少了 109 %。此外，與比較例1相比，使用化合物 NC151作為N-型電荷產(chǎn)生層的實施方式11顯示出電流效率下降了6. 5%，量子效率下降了6.8%，工作電壓沒有變化，壽命增加了 10.6%。此外，與比較例1相比，使用化合物NC175作 為N-型電荷產(chǎn)生層的實施方式12顯示出電流效率下降了 0. 7%，量子效率下降了 0. 3%， 工作電壓下降了8. 1%，壽命增加了 16. 1%。此外，與比較例1相比，使用化合物NC195作 為N-型電荷產(chǎn)生層的實施方式13顯示出電流效率下降了 0. 1%，量子效率下降了 0. 7%， 工作電壓下降了 4. 1%，壽命減少了 21.2%。此外，與比較例1相比，使用化合物NC197作 為N-型電荷產(chǎn)生層的實施方式14顯示出電流效率下降了 4.6%，量子效率下降了 4. 4%， 工作電壓下降了 1.5%，壽命減少了8. 8%。此外，與比較例1相比，使用化合物NC223作為 N-型電荷產(chǎn)生層的實施方式15顯示出電流效率增加了 0.6%，量子效率下降了 0. 5 %，工 作電壓下降了 14. 2%，壽命增加了 34. 9%。此外，與比較例1相比，使用化合物NC231作為 N-型電荷產(chǎn)生層的實施方式16顯示出電流效率下降了 3. 5 %，量子效率下降了 3. 9 %，工作 電壓下降了 3%，壽命減少了 3.5%。此外，與比較例1相比，使用化合物NC232作為N-型 電荷產(chǎn)生層的實施方式17顯示出電流效率下降了 3. 1 %，量子效率下降了 3. 4 %，工作電壓 下降了 0. 9%，壽命減少了 20. 3%。
[0516] 從運些結(jié)果可W發(fā)現(xiàn)，具有本發(fā)明的化合物的N-型電荷產(chǎn)生層使得裝置的工作 電壓下降且壽命整體增加。
[0517] 下文中，將披露用于制造使用根據(jù)上述合成實例所制備的化合物作為電子傳輸層 的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的實施方式。
[051引實施方式18
[0519] 第二電子傳輸層與測試1的比較例1具有相同的組成，并且由化合物NC119形成。
[0520] 實施方式19
[0521] 第二電子傳輸層與測試1的比較例1具有相同的組成，并且由化合物NC124形成。
[0522] 實施方式20
[052引第二電子傳輸層與測試1的比較例1具有相同的組成，并且由化合物NC197形成。 [0524] 實施方式21
[052引第二電子傳輸層與測試1的比較例1具有相同的組成，并且由化合物NC209形成。
[0526] 測量了根據(jù)比較例1和實施方式18至21的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的工作電壓、電流 效率和壽命并在下表5中示出。在圖28中示出了根據(jù)比較例1和實施方式18、19制造的 有機(jī)發(fā)光顯示裝置的相對于工作電壓的電流密度，在圖29中示出了根據(jù)比較例1和實施方 式18、19制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的發(fā)射光譜，在圖30中示出了根據(jù)比較例1和實施方式 18、19制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的亮度隨時間的下降。此外，在圖31中示出了根據(jù)比較例 1和實施方式20、21制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的相對于工作電壓的電流密度，在圖32中示 出了根據(jù)比較例1和實施方式20、21制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的發(fā)射光譜，在圖33中示出 了根據(jù)比較例1和實施方式20、21制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的亮度隨時間的下降。
[0527][表 5]

陽529] 參照圖28至圖33和表5,與使用Alq3作為堆疊結(jié)構(gòu)中的電子傳輸層的比較例I相 比，使用化合物NC119作為電子傳輸層的實施方式18顯示出電流效率下降了 0.7%，量子效 率下降了 0. 3%，工作電壓下降了8. 1%，壽命增加了 14%。此外，與比較例1相比，使用化 合物NC124作為電子傳輸層的實施方式19顯示出電流效率下降了 2.8%，量子效率下降了 2.8%，工作電壓下降了 5. 5 %，壽命減少了8.8%。此外，與比較例1相比，使用化合物NC197 作為電子傳輸層的實施方式20顯示出電流效率下降了 1.6%，量子效率下降了 1.5%，工作 電壓下降了 4. 4%，壽命增加了 10.6%。此外，與比較例1相比，使用化合物NC209作為電 子傳輸層的實施方式21顯示出電流效率下降了 5. 9%，量子效率下降了6%，工作電壓下降 了 10%，壽命減少了 20. 3%。
[0530] 從運些結(jié)果可W發(fā)現(xiàn)，具有本發(fā)明的化合物的電子傳輸層使得裝置的工作電壓下 降且壽命增加。
[0531] < 測試 3〉
[053引 比較例2
[0533] 通過在基板上形成具有藍(lán)色發(fā)光層和第一電子傳輸層的第一發(fā)光部，具有N-型 電荷產(chǎn)生層、P-型電荷產(chǎn)生層、黃色發(fā)光層和第二電子傳輸層的第二發(fā)光部化及陰極，來制 造有機(jī)發(fā)光顯示裝置。所述第一電子傳輸層由W下化合物ETL_R1形成，且所述N-型電荷 產(chǎn)生層由W下化合物NCGL_R形成。
[0534]
[053引 比較例3
[0536] 通過包括與比較例2具有相同的組成且由化合物ETL_A形成的第一電子傳輸層和 與比較例2具有相同的組成且由化合物NCGL_R形成的N-型電荷產(chǎn)生層，來制造有機(jī)發(fā)光 顯示裝置。
[0537]
[053引 比較例4
[0539] 通過包括與比較例2具有相同的組成且由化合物ETL_R1形成的第一電子傳輸層 和與比較例2具有相同的組成且由化合物NCGL_B形成的N-型電荷產(chǎn)生層，來制造有機(jī)發(fā) 光顯示裝置。
[0540]
[0541] 比較例5
[0542] 通過包括與比較例2具有相同的組成且由化合物ETL_R2形成的第一電子傳輸層 和與比較例2具有相同的組成且由化合物NCGL_C形成的N-型電荷產(chǎn)生層，來制造有機(jī)發(fā) 光顯示裝置。
[0543]
[0544]
[0545] 實施方式22
[0546] 通過包括與比較例2具有相同的組成且由化合物ETL_A形成的第一電子傳輸層和 與比較例2具有相同的組成且由化合物NCGL_B形成的N-型電荷產(chǎn)生層，來制造有機(jī)發(fā)光 顯示裝置。
[0547] 實施方式23
[054引通過包括與比較例2具有相同的組成且由化合物ETL_B形成的第一電子傳輸層和 與比較例2具有相同的組成且由化合物NCGL_A形成的N-型電荷產(chǎn)生層，來制造有機(jī)發(fā)光 顯示裝置。
[0549]
[0550] 實施方式24
[0巧1 ] 通過包括與比較例2具有相同的組成且由化合物ETL_C形成的第一電子傳輸層和 與比較例2具有相同的組成且由化合物NCGL_C形成的N-型電荷產(chǎn)生層，來制造有機(jī)發(fā)光 顯示裝置。
[0巧2]
[0巧3] 上述比較例和各實施方式中使用的第一電子傳輸層和N-型電荷產(chǎn)生層的材料或 發(fā)光層的組成不限制本發(fā)明的范圍。
[0554] 測量了根據(jù)比較例2至5和實施方式22至24的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的工作電壓和 發(fā)光效率，并在下表6中示出。下表6示出了相對于比較例2的結(jié)果100%的比較例3至5 和實施方式22至24的結(jié)果百分比，其中WlOmA/cm2的電流密度驅(qū)動所述裝置。
[0巧5][表 6]
[0巧7] 在比較例2中，電子傳輸層由ETL_R1形成，且N-型電荷產(chǎn)生層由NCGL_R形成。 ETL_R1為苯并咪挫取代的蔥化合物，且NCGL_R為二氮雜菲化合物度地en)。
[0巧8] 在比較例3中，電子傳輸層由ETL_A形成，且N-型電荷產(chǎn)生層由NCGL_R形成。ETL_A為二氮雜菲取代的蔥化合物。
[0巧引在比較例4中，電子傳輸層由ETL_R1形成，且N-型電荷產(chǎn)生層由NCGL_B形成。NCGL_B為巧嘟取代的巧化合物。
[0560] 在比較例5中，電子傳輸層由ETL_R2形成，且N-型電荷產(chǎn)生層由NCGL_C形成。ETL_R2為化晚取代的巧化合物，且NCGL_C為巧嘟取代的蔥化合物。
[056。 在實施方式22中，電子傳輸層由ETL_A形成，且N-型電荷產(chǎn)生層由NCGL_B形成。ETL_A為二氮雜菲取代的蔥化合物，且NCGL_B為巧嘟取代的巧化合物。
[056引在實施方式23中，電子傳輸層由ETL_B形成，且N-型電荷產(chǎn)生層由NCGL_A形成。ETL_B為二氮雜菲取代的蔥化合物，且NCGL_A為巧嘟取代的蔥化合物。
[056引在實施方式24中，電子傳輸層由ETL_C形成，且N-型電荷產(chǎn)生層由NCGL_C形成。ETL_C為二氮雜菲取代的蔥化合物，且NCGL_C為巧嘟取代的蔥化合物。
[0564] 參照表6,可W發(fā)現(xiàn)，與將二氮雜菲衍生物或巧嘟衍生物用于電子傳輸層或N-型 電荷產(chǎn)生層中的一種的比較例2至5相比，將二氮雜菲衍生物用于電子傳輸層且將巧嘟衍 生物用于N-型電荷產(chǎn)生層的實施方式22實現(xiàn)了工作電壓下降了 12%至16%且發(fā)光效率 增加了 13%至24%。
[0565] 可W發(fā)現(xiàn)，與將二氮雜菲衍生物或巧嘟衍生物用于電子傳輸層或N-型電荷產(chǎn)生 層其中之一的比較例2至5相比，將二氮雜菲衍生物用于電子傳輸層且將巧嘟衍生物用于 N-型電荷產(chǎn)生層的實施方式23實現(xiàn)了工作電壓下降了 10%至14%且發(fā)光效率增加了8% 至 19%。
[0566] 可W發(fā)現(xiàn)，與將二氮雜菲衍生物或巧嘟衍生物用于電子傳輸層或N-型電荷產(chǎn)生 層其中之一的比較例2至5相比，將二氮雜菲衍生物用于電子傳輸層且將巧嘟衍生物用于 N-型電荷產(chǎn)生層的實施方式24實現(xiàn)了工作電壓下降了8%至12%且發(fā)光效率增加了 10% 至21%。
[0567] 如上所述，根據(jù)本發(fā)明的第一至第四示例性實施方式和第屯至第二十一示例性實 施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有W下優(yōu)點。
[056引本發(fā)明的具有氮原子的化合物由于具有兩個氮原子而富電子，運導(dǎo)致高電子遷移 率，使得電子傳輸容易。因此，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置通過將該化合物用于發(fā)光部中的 各電子傳輸層中的至少一個，使得電子從N-型電荷產(chǎn)生層有效傳輸至發(fā)光層。
[0569]此外，本發(fā)明的具有氮原子的化合物包括相對富電子的SP2雜化軌道的氮（腳，并 且該氮是鍵合到堿金屬或堿±金屬一一用于N-型電荷產(chǎn)生層的滲質(zhì)，由此形成能隙狀態(tài)。 該能隙狀態(tài)可促進(jìn)電子從N-型電荷產(chǎn)生層至電子傳輸層的傳輸。因此，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光 顯示裝置通過將本發(fā)明的該化合物用于N-型電荷產(chǎn)生層，促進(jìn)了電子從N-型電荷產(chǎn)生層 至電子傳輸層的傳輸。此外，由于該具有氮原子的化合物是鍵合到N-型電荷產(chǎn)生層中的堿 金屬或堿±金屬，因此該堿金屬或堿±金屬不會擴(kuò)散到P-型電荷產(chǎn)生層中，從而增加了壽 命。
[0570] 因此，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置通過將具有氮原子的所述化合物用于發(fā)光部中 的電子傳輸層和N-型電荷產(chǎn)生層中的至少一個，使得電子從N-型電荷產(chǎn)生層有效傳輸至 發(fā)光層，從而提高了裝置效率和裝置性能。此外，促進(jìn)電子從N-型電荷產(chǎn)生層至電子傳輸 層的傳輸有助于減少由較差的電子注入導(dǎo)致的低壽命問題。此外，還能夠減少當(dāng)注入到N-型電荷產(chǎn)生層中的電子向電子傳輸層移動時，由于電子傳輸層和N-型電荷產(chǎn)生層之間 的LUMO能級差異導(dǎo)致的工作電壓升高的問題。
[0571] 此外，根據(jù)本發(fā)明的第五、第六、第二十二、第二十=和第二十四示例性實施方式 的有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有W下優(yōu)點。
[0572] 本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置通過將二氮雜菲衍生物用于發(fā)光部中的各電子傳輸 層中的至少一個，并將具有巧嘟衍生物的蔥化合物或巧化合物用于N-型電荷產(chǎn)生層，促進(jìn) 了電子從N-型電荷產(chǎn)生層至電子傳輸層或發(fā)光層的傳輸。
[0573] 此外，所述電子傳輸層包括二氮雜菲化合物和具有氮的二氮雜菲環(huán)，促進(jìn)了電子 向發(fā)光層的傳輸。此外，S聯(lián)苯衍生物是連接到二氮雜菲衍生物，促進(jìn)了電子從N-型電荷 產(chǎn)生層向發(fā)光層的移動。
[0574] 此外，通過將具有巧嘟衍生物的蔥化合物或巧化合物用于N-型電荷產(chǎn)生層，巧嘟 衍生物中的相對富電子的SP2雜化軌道的氮（腳是鍵合到N-型電荷產(chǎn)生層中的堿金屬或 堿±金屬，從而形成能隙狀態(tài)。該能隙狀態(tài)可促進(jìn)電子從P-型電荷產(chǎn)生層至N-型電荷產(chǎn) 生層的傳輸。
[0575] 對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的是，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況 下，可對本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置進(jìn)行各種改進(jìn)和變型。因而，本發(fā)明旨在涵蓋對本發(fā)明 的各種改進(jìn)和變型，只要運些改進(jìn)和變型落入所附權(quán)利要求書及其等同物的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括： 至少兩個發(fā)光部，所述至少兩個發(fā)光部每一個都包括發(fā)光層和電子傳輸層；和 位于所述發(fā)光部之間的至少一個電荷產(chǎn)生層， 其中所述電荷產(chǎn)生層和所述電子傳輸層中的至少一個包括一化合物，所述化合物具有 氮原子和用于提高電子遷移率的取代基。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述至少兩個發(fā)光部中的一個發(fā)光 部包括藍(lán)色發(fā)光部，且另一個發(fā)光部包括黃綠色發(fā)光部。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述黃綠色發(fā)光部包括所述電子傳 輸層。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述化合物包括由W下化學(xué)式1表 示的化合物：其中Ari是二氮雜菲基或亞二氮雜菲基；Ar2和Ar3獨立地為下列中的一種：氨、具有6 至60個碳原子的取代或未取代的芳基、具有3至60個碳原子的取代或未取代的雜芳基、和 具有1至20個碳原子的烷基山和L3獨立地為下列中的一種：單鍵、具有6至60個碳原子 的取代或未取代的芳基、具有3至60個碳原子的取代或未取代的雜芳基、和具有1至20個 碳原子的烷基；且L2為下列中的一種：單鍵、取代或未取代的蔥撐基、和取代或未取代的巧 撐基。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中Ar2和Ar3獨立地為下列中的一種： 氮、取代或未取代的苯基、烷基苯基、聯(lián)苯基、烷基聯(lián)苯基、面代苯基、烷氧基苯基、面代燒氧 基苯基、氯基苯基、娃基苯基、糞基、烷基糞基、面代糞基、氯基糞基、娃基糞基、化晚基、烷基 化晚基、面代化晚基、氯基化晚基、烷氧基化晚基、娃基化晚基、喀晚基、面代喀晚基、氯基喀 晚基、烷氧基喀晚基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、化嗦基、哇挫嘟基、糞晚基、苯并嚷吩基、 苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、芳基嚷挫基、二苯并巧喃基、巧基、巧挫基、咪挫基、巧嘟基、菲 基、Ξ聯(lián)苯基、Ξ聯(lián)化晚基、Ξ聯(lián)苯撐基、巧蔥基和二氮雜巧基。6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中L1和L3獨立地為下列中的一種： 單鍵、取代或未取代的苯撐基、烷基苯撐基、面代苯撐基、氯基苯撐基、糞撐基、烷基糞撐基、 聯(lián)苯撐基、烷基聯(lián)苯撐基、化晚撐基、喀晚撐基、哇嘟撐基、異哇嘟撐基、哇喔嘟撐基、化嗦?lián)?基、哇挫嘟撐基、糞晚撐基、嚷吩撐基、巧喃撐基、苯并嚷吩撐基、苯并巧喃撐基、二苯并嚷吩 撐基、二苯并巧喃撐基、巧撐基、巧挫撐基、咪挫撐基、Ξ聯(lián)苯撐基撐基、巧蔥撐基和二氮雜 巧基。7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中L1具有藉由調(diào)控共輛而使得L2中 的大量電子到達(dá)Ari的通路，L2具有用來提高pi(η)-電子密度的芳香大環(huán)化合物。8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中L3 -A。和Ar3為所述化合物提供電 子特性或空穴特性，且由W下化學(xué)式2表示的化合物具有空穴特性，由W下化學(xué)式3表示的 化合物具有電子特性：其中Ar為芳基，9. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中由化學(xué)式1表示的所述化合物包括 下表中所示的化合物中的任何一種：10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中由化學(xué)式1表示的所述化合物由w下化學(xué)式4或化學(xué)式5表示：其中R是氨、具有6至60個碳原子的取代或未取代的芳基、具有3至60個碳原子的取 代或未取代的雜芳基、或具有1至20個碳原子的烷基。
【專利摘要】披露了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置。所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括：至少兩個發(fā)光部，所述至少兩個發(fā)光部每一個都包括發(fā)光層和電子傳輸層；和位于發(fā)光部之間的至少一個電荷產(chǎn)生層，其中電荷產(chǎn)生層或電子傳輸層中的至少一個包括具有氮原子和用于提高電子遷移率的取代基的化合物。
【IPC分類】C09K11/06, C07D471/04, H01L51/54, H01L51/50, H01L27/32
【公開號】CN105321984
【申請?zhí)枴緾N201510459845
【發(fā)明人】劉璇根, 朱性壎, 徐正大, 金孝錫, 姜慧承, 尹珉, 尹丞希
【申請人】樂金顯示有限公司
【公開日】2016年2月10日
【申請日】2015年7月30日
【公告號】EP2983227A1, US20160043327