顯示裝置和用于制造顯示裝置的方法
【專利說明】顯示裝置和用于制造顯示裝置的方法
[0001]本申請要求于2014年8月1日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2014-0099237號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和利益，該韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種顯示裝置和一種用于制造該顯示裝置的方法。
【背景技術(shù)】
[0003]諸如液晶顯示器(IXD)和有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器的平板顯示器包括一對電場產(chǎn)生電極和插入其間的電光活性層。液晶層作為電光活性層被包括在LCD中，有機(jī)發(fā)射層作為電光活性層被包括在0LED顯示器中。
[0004]至少一個像素電極和至少一個相對電極被用以驅(qū)動電光活性層。像素電極根據(jù)像素而被分類，并且相對電極面對像素電極。相對電極可以用針對所有像素設(shè)置的共電極來取代。
[0005]使用共電極線來向共電極提供電力。共電極線通常位于像素所處的顯示單元外部，并且它由具有低電阻的金屬制成，以降低或防止電壓降(IR-drop)。
[0006]然而，在顯示裝置的制造過程中重復(fù)地執(zhí)行圖案化工藝，這導(dǎo)致共電極線的損壞。
[0007]將要理解的是，此【背景技術(shù)】部分意圖提供對理解這里公開的技術(shù)有用的背景，如此，技術(shù)背景部分可以包括這樣的理念、構(gòu)思或認(rèn)識，即，這些理念、構(gòu)思或認(rèn)識并不是在這里所公開的主題的相應(yīng)的有效申請日之前的相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員所知道或領(lǐng)會的部分。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的實(shí)施例的各方面涉及一種包括涂覆共電極線的端部的至少一部分的保護(hù)層的顯示裝置。
[0009]此外，本發(fā)明的實(shí)施例的各方面涉及一種用于制造包括涂覆共電極線的端部的至少一部分的保護(hù)層的顯示裝置的方法。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括:基底，包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域；共電極線，位于非顯示區(qū)域中；保護(hù)層，涂覆共電極線的端部的至少一部分。
[0011]在實(shí)施例中，共電極線包括金屬。
[0012]在實(shí)施例中，顯示區(qū)域包括至少一個薄膜晶體管，該至少一個薄膜晶體管包括柵電極、半導(dǎo)體層、源電極和漏電極，其中，共電極線包括與源電極和漏電極基本相同的材料。
[0013]在實(shí)施例中，保護(hù)層與共電極線的一側(cè)邊緣疊置。
[0014]在實(shí)施例中，保護(hù)層的長度大于或等于顯示區(qū)域的一側(cè)的長度。
[0015]在實(shí)施例中，保護(hù)層包括沿共電極線的方向彼此分離的第一保護(hù)層和第二保護(hù)層。
[0016]在實(shí)施例中，第一保護(hù)層和第二保護(hù)層之間的距離在大約20 μ m到大約2000 μ m的范圍內(nèi)。
[0017]在實(shí)施例中，第一保護(hù)層涂覆共電極線的遠(yuǎn)離顯示區(qū)域設(shè)置的端部的至少一部分，第二保護(hù)層未涂覆共電極線的端部，第一保護(hù)層和第二保護(hù)層交替地布置。
[0018]在實(shí)施例中，保護(hù)層具有在大約20 μ m到大約200 μ m的范圍內(nèi)的寬度。
[0019]在實(shí)施例中，顯示區(qū)域包括至少一個顯示元件，該至少一個顯示元件包括:像素電極，位于基底上；光發(fā)射層，位于像素電極上；共電極，位于光發(fā)射層上，其中，共電極結(jié)合到共電極線。
[0020]在實(shí)施例中，顯示區(qū)域還包括位于基底和像素電極之間的平坦化層，其中，保護(hù)層包括與平坦化層基本相同的材料。
[0021]在實(shí)施例中，顯示裝置還包括位于平坦化層上以限定像素區(qū)域的像素限定層，其中，像素電極和光發(fā)射層設(shè)置在像素區(qū)域中。
[0022]在實(shí)施例中，顯示裝置還包括位于平坦化層上的共電極結(jié)合部，共電極結(jié)合部結(jié)合到共電極線。
[0023]在實(shí)施例中，共電極結(jié)合部包括與像素電極基本相同的材料。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種用于制造顯示裝置的方法，所述方法包括:在基底上形成顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域；在基底上的非顯示區(qū)域中形成共電極線；形成覆蓋共電極線的端部的至少一部分的保護(hù)層。
[0025]在實(shí)施例中，形成顯示區(qū)域的步驟包括在基底上形成薄膜晶體管，形成薄膜晶體管的步驟包括:形成半導(dǎo)體層；形成與半導(dǎo)體層至少部分疊置的柵電極；形成結(jié)合到半導(dǎo)體層的源電極；形成與源電極分離并結(jié)合到半導(dǎo)體層的漏電極，其中，利用與形成共電極線基本相同的工藝來執(zhí)行形成源電極和漏電極的步驟。
[0026]在實(shí)施例中，所述方法還包括在形成薄膜晶體管的步驟之后，在薄膜晶體管上形成平坦化層，其中，利用與形成保護(hù)層基本相同的工藝來執(zhí)行形成平坦化層的步驟。
[0027]在實(shí)施例中，形成平坦化層的步驟包括:通過在薄膜晶體管上涂敷平坦化層形成材料來形成用于平坦化層的材料層；選擇性地使用于平坦化層的材料層暴露于光；使用于平坦化層的暴露的材料層顯影。
[0028]在實(shí)施例中，形成顯示區(qū)域的步驟包括形成一個或更多個顯示元件，其中，形成顯示元件的步驟包括:在基底上形成像素電極；在像素電極上形成光發(fā)射層；在光發(fā)射層上形成共電極，其中，共電極結(jié)合到共電極線。
[0029]在實(shí)施例中，形成像素電極的步驟包括形成結(jié)合到共電極線的共電極結(jié)合部。
[0030]在實(shí)施例中，所述方法還包括在形成像素電極的步驟之后且在形成光發(fā)射層的步驟之前，在基底上形成像素限定層。
[0031 ] 在實(shí)施例中，保護(hù)層覆蓋共電極線的一側(cè)邊緣。
[0032]在實(shí)施例中，形成保護(hù)層的步驟包括形成彼此分離的第一保護(hù)層和第二保護(hù)層。
[0033]在實(shí)施例中，第一保護(hù)層和第二保護(hù)層之間的距離在大約20 μ m到大約2000 μ m的范圍內(nèi)。
[0034]在實(shí)施例中，形成保護(hù)層的步驟包括形成覆蓋共電極線的端部的至少一部分的第一保護(hù)層以及形成未覆蓋共電極線的端部的第二保護(hù)層，第一保護(hù)層和第二保護(hù)層交替地布置。
[0035]在實(shí)施例中，保護(hù)層具有在大約20 μ m到大約200 μ m的范圍內(nèi)的寬度。
[0036]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，顯示裝置包括設(shè)置在共電極線的端部上的保護(hù)層。因此，當(dāng)在顯示裝置的制造工藝中形成層中，層形成材料可以被均勻地涂敷以形成均一層。
[0037]此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以制造在共電極線的端部上設(shè)置有保護(hù)層的顯示
目.ο
[0038]上述總結(jié)僅是說明性的，且不意圖以任何方式限制。除了上述說明性的方面、實(shí)施例和特征，通過參照附圖和下面的詳細(xì)描述，更多的方面、實(shí)施例和特征將變得明顯。
【附圖說明】
[0039]通過下面的在結(jié)合附圖時進(jìn)行的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其它方面、特征和其它改進(jìn)將被更加清楚地理解，在附圖中，
[0040]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例實(shí)施例的顯示裝置的平面圖；
[0041]圖2是圖1的部分“Α”的放大的局部視圖；
[0042]圖3是沿圖2中的線1-Ι截取的剖視圖；
[0043]圖4是圖1的部分“Α”的放大的局部視圖的另一示例；
[0044]圖5是圖4中示出的像素的等效電路圖；
[0045]圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的顯示裝置的平面圖；
[0046]圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的顯示裝置的局部平面圖；
[0047]圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的顯示裝置的剖視圖；
[0048]圖9Α至圖91是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的顯示裝置的順序的制造工藝的剖視圖；
[0049]圖10Α和圖10Β是示出共電極線的剖視圖；
[0050]圖11是示出用來制造顯示裝置的母玻璃的平面圖；
[0051]圖12是示出涂敷用來形成像素限定層的有機(jī)材料的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0052]將參照附圖中示出的實(shí)施例來描述本發(fā)明的各方面。然而，附圖中公開的實(shí)施例和詳細(xì)描述不意圖限制本發(fā)明的范圍。
[0053]僅為了示出本發(fā)明的實(shí)施例而選擇附圖。可以示意性地或夸大地示出每個元件及其形狀，以幫助理解本發(fā)明。為實(shí)體產(chǎn)品提供的一些元件可以不被示出或者可以在附圖或描述中省略。附圖應(yīng)該被解釋為幫助理解本發(fā)明。在說明書中，相似的附圖標(biāo)記可以指示相似的元件。
[0054]將要理解的是，盡管在這里可以使用術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等來描述各個元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，下面討論的第一元件、第一組件、第一區(qū)域、第一層或第一部分可以稱為第二元件、第二組件、第二區(qū)域、第二層或第二部分，而沒有背離本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍。
[0055]為了便于描述，這里可以使用諸如“下面的”、“上面的”等的空間相對術(shù)語來描述圖中所示出的一個元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。將理解的是，空間相對術(shù)語意圖涵蓋器件在使用或操作中的除了在圖中所描繪的方位之外的不同方位。器件可以被另外定位(例如，旋轉(zhuǎn)90度或在其它方位)，并且應(yīng)當(dāng)相應(yīng)地解釋在這里使用的空間相對描述符。另外，還將理解的是，當(dāng)層稱為“在”兩個層“之間”