y和孔中的一種。用于N-滲雜的有機(jī)材料的N-型滲質(zhì)和基質(zhì)可W是通常使 用的材料。例如，N-型滲質(zhì)可W是堿金屬、堿金屬化合物、堿±金屬或堿±金屬化合物。具 體地，所述N-型滲質(zhì)可W是Li、Cs、K、化、Mg、化、Ca、Sr、化和孔中的一種。相對(duì)于基質(zhì) 的100%，被混入的滲質(zhì)的百分比是在1%與8%之間。滲質(zhì)可具有2. 5eV或更高的功函。 所述基質(zhì)材料可W是具有含氮原子并且包括20至60個(gè)碳原子的雜環(huán)的有機(jī)材料，例如W 下材料中的一種材料(8-徑基哇嘟）侶、S嗦、徑基哇嘟衍生物、嗎I噪衍生物、和嚷咯 (Silole)衍生物。
[0223] 具有第二空穴傳輸層180、第二發(fā)光層190、第二電子傳輸層200和電子注入層210 的第二發(fā)光部ST2位于第一發(fā)光部STl之上。本發(fā)明的第二電子傳輸層200用來(lái)促進(jìn)電子 傳輸。如果電子向第二發(fā)光層190的傳輸不順楊，則會(huì)影響有機(jī)發(fā)光顯示裝置的壽命或效 率。因此，本發(fā)明人進(jìn)行了多次測(cè)試或試驗(yàn)，W改善電子傳輸層的電子注入特性。通過(guò)對(duì)不 影響有機(jī)發(fā)光顯示裝置的壽命或效率并且不引起工作電壓升高的材料進(jìn)行的多次測(cè)試，選 擇出具有氮原子的化合物作為用于電子傳輸層的電子傳輸化合物。所述化合物可包括二氮 雜菲化合物。本發(fā)明的化合物由于具有兩個(gè)氮原子而富電子，運(yùn)導(dǎo)致高電子遷移率，使得電 子傳輸容易。
[0224] 因此，第二電子傳輸層200包括上述化學(xué)式1表示的化合物。由化學(xué)式1表示的 化合物可具有W下組成。該化合物可執(zhí)行不同的功能，部分地，用于本發(fā)明的第一示例性實(shí) 施方式的N-型電荷產(chǎn)生層和本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的第二電子傳輸層。
[0225]
[0226] 二氮雜菲，即化學(xué)式1的Ari為核，并且由于具有兩個(gè)氮原子而富電子，運(yùn)導(dǎo)致高 的電子遷移率，使得電子傳輸更為容易。
[0227]連接基團(tuán)，即化學(xué)式1的Li和Lz調(diào)整載流子遷移率。Li用作藉由調(diào)控共輛而能使Lz中的大量電子到達(dá)Ar1的通路，并且L1調(diào)控冊(cè)MO(最高占據(jù)分子軌道）和LUMO(最低未 占分子軌道）。Lz用于藉由利用芳香大環(huán)來(lái)提高Pi(31)-電子密度并形成HOMO和LUMO的 基組。因此，能夠提高第一電子傳輸層的電子遷移率，從而促進(jìn)電子從第一電子傳輸層至第 一發(fā)光層的傳輸。
[022引側(cè)基，即化學(xué)式1的Ls-A。和Ar3用來(lái)提供電荷特性并調(diào)控冊(cè)MO和LUM0。例如， 由W下化學(xué)式2表示的化合物具有空穴特性，由W下化學(xué)式3表示的化合物具有電子特性。 具有電子特性的側(cè)基能夠通過(guò)提高N-型電荷產(chǎn)生層的電子特性而促進(jìn)電子從N-型電荷產(chǎn) 生層至電子傳輸層的傳輸。
[0229] [化學(xué)式2]
[0230]
[0231] 其中Ar是芳基。
[0232] [化學(xué)式3]
[0233]
[0234] 上述連接基團(tuán)和側(cè)基作為在核上的取代基，用來(lái)提高化合物的電子遷移率。因此， 具有所述化合物的N-型電荷產(chǎn)生層的電子遷移率能夠得W提高，從而促進(jìn)電子從N-型電 荷產(chǎn)生層至電子傳輸層的傳輸。
[0235] 能夠用于本發(fā)明的第二電子傳輸層200的由化學(xué)式1表示的化合物可W是下表1 中所示的化合物中的一種：
[0236] [表 1]
[0237]










[024引本發(fā)明的上述化合物被包括在具有黃綠色發(fā)光層的第二發(fā)光部ST2中。所述黃綠 色發(fā)光層為憐光發(fā)光層，且需要具有高的電子遷移率的有機(jī)層。本發(fā)明的化合物適用于憐 光發(fā)光層，因?yàn)樗龌衔锞哂懈叩碾娮舆w移率和低的=重態(tài)能量。因此，當(dāng)本發(fā)明的化合 物被包括在第二發(fā)光部ST2中時(shí)，第二發(fā)光部ST2的電子遷移率得W提高。因此，本發(fā)明的 化合物優(yōu)選地位于發(fā)出憐光黃綠色光的第二發(fā)光部ST2中。另一方面，當(dāng)憐光發(fā)光層位于 第一發(fā)光部STl或第=發(fā)光部ST3中時(shí)，本發(fā)明的化合物可位于第一發(fā)光部STl或第=發(fā) 光部ST3中。
[0249] 根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的第二電子傳輸層200使得傳輸電子更為容 易，運(yùn)是因?yàn)樗龅诙娮觽鬏攲?00藉由本發(fā)明的所述化合物而具有高的電子遷移率， 并且所述第二電子傳輸層200促進(jìn)電子從電子傳輸層至發(fā)光層的傳輸。因此，根據(jù)本發(fā)明 的第二示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括位于陽(yáng)極110和陰極220之間的第一發(fā)光 部ST1、電荷產(chǎn)生層160和第二發(fā)光部ST2。
[0巧0] 盡管已經(jīng)W其中電荷產(chǎn)生層160的N-型電荷產(chǎn)生層160N和第二電子傳輸層200 是由本發(fā)明的化合物形成作為例子描述了本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式，但本發(fā)明并不限 于該例子，且第一電子傳輸層150、第二電子傳輸層200W及電荷產(chǎn)生層160的N-型電荷產(chǎn) 生層160N中的至少一個(gè)可由本發(fā)明的所述化合物形成。
[0251] 如上所述，本發(fā)明的具有氮原子的化合物由于具有兩個(gè)氮原子而富電子，運(yùn)導(dǎo)致 高的電子遷移率，使得電子傳輸容易。因此，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置通過(guò)將該化合物用 于發(fā)光部中的各電子傳輸層中的至少一個(gè)，而使得電子從N-型電荷產(chǎn)生層有效傳輸至發(fā) 光層。
[0252] 此外，本發(fā)明的具有氮原子的化合物包括相對(duì)富電子的SP2雜化軌道的氮（腳，并 且該氮鍵合到堿金屬或堿±金屬一一用于N-型電荷產(chǎn)生層的滲質(zhì)，由此形成能隙狀態(tài)。該 能隙狀態(tài)可促進(jìn)電子從N-型電荷產(chǎn)生層至電子傳輸層的傳輸。因此，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯 示裝置通過(guò)將本發(fā)明的化合物用于N-型電荷產(chǎn)生層，促進(jìn)了電子從N-型電荷產(chǎn)生層至電 子傳輸層的傳輸。此外，由于該具有氮原子的化合物是鍵合到N-型電荷產(chǎn)生層中的堿金屬 或堿±金屬，因此該堿金屬或堿±金屬不會(huì)擴(kuò)散到P-型電荷產(chǎn)生層中，從而增加了壽命。
[0253] 因此，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置通過(guò)將該具有氮原子的化合物用于發(fā)光部中的 電子傳輸層和N-型電荷產(chǎn)生層中的至少一個(gè)，使得電子從N-型電荷產(chǎn)生層有效傳輸至發(fā) 光層，從而提高裝置效率和裝置性能。此外，促進(jìn)電子從N-型電荷產(chǎn)生層至電子傳輸層的 傳輸有助于減少由較差的電子注入導(dǎo)致的低壽命問(wèn)題。此外，還能夠減少當(dāng)注入到N-型電 荷產(chǎn)生層中的電子向電子傳輸層移動(dòng)時(shí)，由于電子傳輸層和N-型電荷產(chǎn)生層之間的LUMO 能級(jí)差異導(dǎo)致的工作電壓升高的問(wèn)題。
[0254] 圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的第=示例性實(shí)施方式和第四示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā) 光顯示裝置的視圖。與第一和第二示例性實(shí)施方式相同的元件由相同的附圖標(biāo)記指代，因 此將省略對(duì)運(yùn)些元件的描述。
[0巧5] 參照?qǐng)D2,本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100包括位于陽(yáng)極110和陰極220之間的多 個(gè)發(fā)光部ST1、ST2和ST3,W及位于發(fā)光部ST1、ST2和ST3之間的第一電荷產(chǎn)生層160和 第二電荷產(chǎn)生層230。盡管W陽(yáng)極110和陰極220之間存在=個(gè)發(fā)光部作為例子圖解和描 述了該示例性實(shí)施方式，但本發(fā)明并不限于該例子，且在陽(yáng)極110和陰極220之間可存在有 四個(gè)或更多個(gè)發(fā)光部。
[0巧6] 更具體地，第一發(fā)光部STl為單個(gè)發(fā)光二極管單元，并且包括第一發(fā)光層140。第 一發(fā)光層140可發(fā)出紅光、綠光或藍(lán)光中的一種：例如，在該不例性實(shí)施方式中，第一發(fā)光 層140可為藍(lán)色發(fā)光層。所述藍(lán)色發(fā)光層包括藍(lán)色發(fā)光層、深藍(lán)色發(fā)光層、或天藍(lán)色發(fā)光層 中的一個(gè)。在此情形下，所述藍(lán)色發(fā)光層、深藍(lán)色發(fā)光層、或天藍(lán)色發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域可在 440nm至480nm的范圍內(nèi)?；蛘撸谝话l(fā)光層140可由藍(lán)色發(fā)光層和紅色發(fā)光層組成，或可 由藍(lán)色發(fā)光層和黃綠色發(fā)光層組成，或可由藍(lán)色發(fā)光層和綠色發(fā)光層組成。藍(lán)色發(fā)光層和 紅色發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域可在440nm至650nm的范圍內(nèi)。藍(lán)色發(fā)光層和黃綠色發(fā)光層的發(fā) 光區(qū)域可在440nm至590nm的范圍內(nèi)。藍(lán)色發(fā)光層和綠色發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域可在440nm至 570nm的范圍內(nèi)。
[0巧7] 第一發(fā)光部STl包括位于陽(yáng)極110和第一發(fā)光層140之間的空穴注入層120和第 一空穴傳輸層130,W及位于第一發(fā)光層140之上的第一電子傳輸層150。因此，具有空穴 注入層120、第一空穴傳輸層130、第一發(fā)光層140和第一電子傳輸層150的第一發(fā)光部STl 形成于陽(yáng)極110之上。取決于裝置的結(jié)構(gòu)或特性，在第一發(fā)光部STl的組成中可不包括空 穴注入層120。
[0巧引第一電荷產(chǎn)生層160位于第一發(fā)光部STl和第二發(fā)光部ST2之間。第一電荷產(chǎn)生 層160是通過(guò)將N-型電荷產(chǎn)生層160N與P-型電荷產(chǎn)生層160P結(jié)合而形成的PN-結(jié)電荷 產(chǎn)生層。PN結(jié)電荷產(chǎn)生層160產(chǎn)生電荷或?qū)⒃撾姾桑?，電子和空穴）分別注入到發(fā)光層 中。
[0巧9] 本發(fā)明的第一電荷產(chǎn)生層160的N-型電荷產(chǎn)生層160N可包括與第一示例性實(shí)施 方式的N-型電荷產(chǎn)生層和第二示例性實(shí)施方式的N-型電荷產(chǎn)生層相同的化合物。也就是 說(shuō)，在由化學(xué)式1表示的化合物中，根據(jù)本發(fā)明的第S示例性實(shí)施方式的N-型電荷產(chǎn)生層 160N可由化學(xué)式4和化學(xué)式5表示的化合物形成。
[0260] 如上所述，本發(fā)明的化合物具有運(yùn)樣結(jié)構(gòu)：在該結(jié)構(gòu)中，連接基團(tuán)和側(cè)基與二氮雜 菲核相連接。因此，所述化合物的核中的氮是鍵合到滲質(zhì)W形成能隙狀態(tài)，連接基團(tuán)引起電 子遷移率的增強(qiáng)，并且側(cè)基提供電子特性。因此，能夠通過(guò)提高N-型電荷產(chǎn)生層的電子特 性來(lái)促進(jìn)電子從N-型電荷產(chǎn)生層至電子傳輸層的傳輸。在本發(fā)明的化合物中，糞位于二氮 雜菲的2位，且是在糞的1位或2位被取代。由于糞連接到二氮雜菲的2位，能夠減小N-型 電荷產(chǎn)生層和電子傳輸層之間的能級(jí)差異，從而使電子的隧道效應(yīng)最大化。因此，本發(fā)明能 夠通過(guò)將運(yùn)種化合物用于N-型電荷產(chǎn)生層的隧道效應(yīng)而提高電子注入。
[0261] 具有第二發(fā)光層190的第二發(fā)光部ST2位于第一電荷產(chǎn)生層160之上。第二發(fā)光 層190可發(fā)出紅光、綠光或藍(lán)光中的一種，且例如，在該示例性實(shí)施方式中，第二發(fā)光層190 可為黃綠色發(fā)光層。所述黃綠色發(fā)光層可包括黃色發(fā)光層、綠色發(fā)光層、由黃綠色發(fā)光層和 綠色發(fā)光層組成的多層結(jié)構(gòu)、由黃色發(fā)光層和紅色發(fā)光層組成的多層結(jié)構(gòu)、由綠色發(fā)光層 和紅色發(fā)光層組成的多層結(jié)構(gòu)、或由黃綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層組成的多層結(jié)構(gòu)。所述黃 綠色發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域可在510nm至590nm的范圍內(nèi)。當(dāng)?shù)诙l(fā)光層190由兩個(gè)發(fā)光層一一 黃綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層組成時(shí)，為了提高紅光發(fā)射效率，黃綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層 的發(fā)光區(qū)域可在510皿至650皿的范圍內(nèi)。
[0262] 第二發(fā)光部ST2包括第二空穴傳輸層180、第二發(fā)光層190和位于第二發(fā)光層190 之上的第二電子傳輸層200。因此，具有第二空穴傳輸層180、第二發(fā)光層190和第二電子 傳輸層200的第二發(fā)光部ST2位于第一電荷產(chǎn)生層160之上。
[0263] 第二電荷產(chǎn)生層230位于第二發(fā)光部ST2和第=發(fā)光部ST3之間。第二電荷產(chǎn)生 層230是通過(guò)將N-型電荷產(chǎn)生層230N與P-型電荷產(chǎn)生層230P結(jié)合而形成的PN-結(jié)電荷 產(chǎn)生層。PN結(jié)電荷產(chǎn)生層230產(chǎn)生電荷或?qū)⒃撾姾桑?，電子和空穴）分別注入到發(fā)光層 中。與第一電荷產(chǎn)生層160的N-型電荷產(chǎn)生層160N-樣，本發(fā)明的第二電荷產(chǎn)生層230 的N-型電荷產(chǎn)生層230N也是由化學(xué)式1表示的化合物形成的。
[0264] 具有第=發(fā)光層化0的第=發(fā)光部ST3位于第二發(fā)光部ST2之上。第=發(fā)光層 250可發(fā)出紅光、綠光或藍(lán)光中的一種：例如，在該示例性實(shí)施方式中，第=發(fā)光層250可為 藍(lán)色發(fā)光層。所述藍(lán)色發(fā)光層包括藍(lán)色發(fā)光層、深藍(lán)色發(fā)光層、或天藍(lán)色發(fā)光層中的一個(gè)。 在此情形下，所述藍(lán)色發(fā)光層、深藍(lán)色發(fā)光層、或天藍(lán)色發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域可在440皿至 480nm的范圍內(nèi)?；蛘?，第=發(fā)光層250可由藍(lán)色發(fā)光層和紅色發(fā)光層組成，或可由藍(lán)色發(fā) 光層和黃綠色發(fā)光層組成，或可由藍(lán)色發(fā)光層和綠色發(fā)光層組成。藍(lán)色發(fā)光層和紅色發(fā)光 層的發(fā)光區(qū)域可在440nm至650nm的范圍內(nèi)。藍(lán)色發(fā)光層和黃綠色發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域可在 440nm至590nm的范圍內(nèi)。藍(lán)色發(fā)光層和綠色發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域可在440nm至570nm的范 圍內(nèi)。
[0265] 第=發(fā)光部ST3包括第=空穴傳輸層240、第=發(fā)光層250W及位于第=發(fā)光層 250之上的第=電子傳輸層260和電子注入層210。因此，具有第=空穴傳輸層240、第= 發(fā)光層250、第=電子傳輸層260和電子注入層210的第=發(fā)光部ST3位于第二電荷產(chǎn)生 層230之上。陰極220位于第=發(fā)光部ST3之上，從而構(gòu)成了根據(jù)本發(fā)明的第=示例性實(shí) 施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
[0266] 盡管已經(jīng)W其中第一電荷產(chǎn)生層160的N-型電荷產(chǎn)生層160N和第二電荷產(chǎn)生層 230的N-型電荷產(chǎn)生層230N包括本發(fā)明的化合物作為例子來(lái)描述了本發(fā)明的第S示例性 實(shí)施方式，但本發(fā)明并不限于該例子，第一電荷產(chǎn)生層160的N-型電荷產(chǎn)生層160N和第二 電荷產(chǎn)生層230的N-型電荷產(chǎn)生層230N中的至少一個(gè)可包括本發(fā)明的所述化合物。
[0267] 如上所述，本發(fā)明的化合物具有運(yùn)樣的結(jié)構(gòu)：在此結(jié)構(gòu)中連接基團(tuán)和側(cè)基與二氮 雜菲核相連接。因此，所述化合物的核中的氮是鍵合到滲質(zhì)W形成能隙狀態(tài)，連接基團(tuán)引起 電子遷移率的增強(qiáng)，并且側(cè)基提供電子特性。因此，能夠通過(guò)提高N-型電荷產(chǎn)生層的電子 特性來(lái)促進(jìn)電子從N-型電荷產(chǎn)生層至電子傳輸層的傳輸。
[026引在本發(fā)明的化合物中，糞位于二氮雜菲的2位，且是在糞的1位或2位被取代。由 于糞連接到二氮雜菲的2位，能夠減小N-型電荷產(chǎn)生層和電子傳輸層之間的能級(jí)差異，從 而使電子的隧道效應(yīng)最大化。因此，本發(fā)明能夠通過(guò)將運(yùn)種化合物用于N-型電荷產(chǎn)生層的 隧道效應(yīng)而提高電子注入。
[0269] 因此，本發(fā)明通過(guò)將具有氮原子的化合物用于N-型電荷產(chǎn)生層，使得電子從N-型 電荷產(chǎn)生層有效傳輸至電子傳輸層，從而提高裝置效率和裝置性能。此外，促進(jìn)電子從 N-型電荷產(chǎn)生層至電子傳輸層的傳輸有助于減少由較差的電子注入導(dǎo)致的低壽命問(wèn)題。此 夕F，還能夠減少當(dāng)注入到N-型電荷產(chǎn)生層中的電子向電子傳輸層移動(dòng)時(shí)，由于電子傳輸層 和N-型電荷產(chǎn)生層之間的LUMO能級(jí)差異導(dǎo)致的工作電壓升高的問(wèn)題。
[0270] 下面將描述根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明 的第四示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有與圖2中相同的結(jié)構(gòu)，因此將參照?qǐng)D2對(duì) 根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置進(jìn)行描述，并將簡(jiǎn)略說(shuō)明自第一至 第=示例性實(shí)施方式中的重復(fù)表述。
[0271] 參照?qǐng)D2,根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100包括位于 陽(yáng)極110和陰極220之間的多個(gè)發(fā)光部ST1、ST2和ST3,W及位于發(fā)光部ST1、ST2和ST3 之間的第一電荷產(chǎn)生層160和第二電荷產(chǎn)生層230。盡管W=個(gè)發(fā)光部位于陽(yáng)極110和陰 極220之間作為例子圖解和描述了該示例性實(shí)施方式，但本發(fā)明并不限于該例子，且在陽(yáng) 極110和陰極220之間可存在有四個(gè)或更多個(gè)發(fā)光部。
[0272] 更具體地，第一發(fā)光部STl為單個(gè)發(fā)光二極管單元，并且包括第一發(fā)光層140。第 一發(fā)光層140可發(fā)出紅光、綠光或藍(lán)光中的一種：例如，在該不例性實(shí)施方式中，第一發(fā)光 層140可為藍(lán)色發(fā)光層。所述藍(lán)色發(fā)光層包括藍(lán)色發(fā)光層、深藍(lán)色發(fā)光層、或天藍(lán)色發(fā)光層 中的一個(gè)。在此情形下，所述藍(lán)色發(fā)光層、深藍(lán)色發(fā)光層、或天藍(lán)色發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域可在 440nm至480nm的范圍內(nèi)?；蛘撸谝话l(fā)光層140可由藍(lán)色發(fā)光層和紅色發(fā)光層組成，或可 由藍(lán)色發(fā)光層和黃綠色發(fā)光層組成，或可由藍(lán)色發(fā)光層和綠色發(fā)光層組成。藍(lán)色發(fā)光層和 紅色發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域可在440nm至650nm的范圍內(nèi)。藍(lán)色發(fā)光層和黃綠色發(fā)光層的發(fā) 光區(qū)域可在440nm至590nm的范圍內(nèi)。藍(lán)色發(fā)光層和綠色發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域可在440nm至 570nm的范圍內(nèi)。
[0273] 第一發(fā)光部STl包括位于陽(yáng)極110和第一發(fā)光層140之間的空穴注入層120和第 一空穴傳輸層130,W及位于第一發(fā)光層140之上的第一電子傳輸層150。因此，具有空穴 注入層120、第一空穴傳輸層130、第一發(fā)光層140和第一電子傳輸層150的第一發(fā)光部STl 位于陽(yáng)極110之上。取決于裝置的結(jié)構(gòu)或特性，在第一發(fā)光部STl的組成中可不包括空穴 注入層120。
[0274] 第一電荷產(chǎn)生層160位于第一發(fā)光部STl和第二發(fā)光部ST2之間。第一電荷產(chǎn)生 層160是通過(guò)將N-型電荷產(chǎn)生層160N與P-型電荷產(chǎn)生層160P結(jié)合而形成的PN-結(jié)電荷 產(chǎn)生層。PN結(jié)電荷產(chǎn)生層160產(chǎn)生電荷或?qū)⒃撾姾桑?，電子和空穴）分別注入到發(fā)光層 中。
[0275] 與第一至第S示例性實(shí)施方式一樣，本發(fā)明的第一電荷產(chǎn)生層160的N-型電荷產(chǎn) 生層160N包括由化學(xué)式1表示的化合物。根據(jù)本發(fā)明的由化學(xué)式1表示的化合物具有運(yùn)樣 的結(jié)構(gòu)：在此結(jié)構(gòu)中，連接基團(tuán)和側(cè)基與二氮雜菲核相連接。因此，所述化合物的核中的氮 是鍵合到N-型電荷產(chǎn)生層160N中的堿金屬或堿±金屬W形成能隙狀態(tài)，連接基團(tuán)引起電 子遷移率的增強(qiáng)，并且側(cè)基提供電子特性。因此，能夠通過(guò)提高N-型電荷產(chǎn)生層的電子特 性來(lái)促進(jìn)電子從N-型電荷產(chǎn)生層至電子傳輸層的傳輸。此外，由于氮是鍵合到N-型電荷 產(chǎn)生層中的堿金屬或堿±金屬，因此該堿金屬或堿±金屬不會(huì)擴(kuò)散到P-型電荷產(chǎn)生層中， 從而增加了壽命。
[0276] 具有第二發(fā)光層190的第二發(fā)光部ST2位于第一電荷產(chǎn)生層160之上。第二發(fā)光 層190可發(fā)出紅光、綠光或藍(lán)光中的一種，且例如，在該示例性實(shí)施方式中，第二發(fā)光層190 可為黃綠色發(fā)光層。所述黃綠色發(fā)光層可包括黃綠色發(fā)光層、綠色發(fā)光層、由黃綠色發(fā)光層 和綠色發(fā)光層組成的多層結(jié)構(gòu)、由黃色發(fā)光層和紅色發(fā)光層組成的多層結(jié)構(gòu)、由綠色發(fā)光 層和紅色發(fā)光層組成的多層結(jié)構(gòu)、或由黃綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層組成的多層結(jié)構(gòu)。所述 黃綠色發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域可在SlOnm至590nm的范圍內(nèi)。當(dāng)?shù)诙l(fā)光層190由兩個(gè)發(fā)光 層一一黃綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層組成時(shí)，為了提高紅光發(fā)射效率，黃綠色發(fā)光層和紅色 發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域可在SlOnm至650nm的范圍內(nèi)。
[0277] 第二發(fā)光部ST2進(jìn)一步包括第二空穴傳輸層180和位于第二發(fā)光層190之上的第 二電子傳輸層200。因此，具有第二空穴傳輸層180、第二發(fā)光層190和第二電子傳輸層200 的第二發(fā)光部ST2位于第一發(fā)光部STl之上。
[027引與第二示例性實(shí)施方式一樣，本發(fā)明的第二電子傳輸層200包括由化學(xué)式1表示 的化合物。根據(jù)本發(fā)明的由化學(xué)式I表示的化合物具有運(yùn)樣的結(jié)構(gòu)：在此結(jié)構(gòu)中，連接基團(tuán) 和側(cè)基與二氮雜菲核相連接。因此，根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實(shí)施方式的第二電子傳輸層 200具有高的電子遷移率，使得電子傳輸容易。
[0279]第二電荷產(chǎn)生層230位于第二發(fā)光部ST2和第=發(fā)光部ST3之間。第二電荷產(chǎn)生 層230是通過(guò)將N-型電荷產(chǎn)生層230N與P-型電荷產(chǎn)生層230P結(jié)合而形成的PN-結(jié)電荷 產(chǎn)生層。PN結(jié)電荷產(chǎn)生層230產(chǎn)生電荷或?qū)⒃撾姾桑?，電子和空穴）分別注入到發(fā)光層 中。
[0280] 與第一電荷產(chǎn)生層160的N-型電荷產(chǎn)生層160N-樣，本發(fā)明的第二電荷產(chǎn)生層 230的N-型電荷產(chǎn)生層230N包括由化學(xué)式1表示的化合物。根據(jù)本發(fā)明的由化學(xué)式1表 示的化合物具有運(yùn)樣的結(jié)構(gòu)：在此結(jié)構(gòu)中，連接基團(tuán)和側(cè)基與二氮雜菲核相連接。因此，所 述化合物的核中的氮是鍵合到滲質(zhì)W形成能隙狀態(tài)，連接基團(tuán)引起電子遷移率的增強(qiáng)，并 且側(cè)基提供電子特性。因此，能夠通過(guò)提高N-型電荷產(chǎn)生層的電子特性來(lái)促進(jìn)電子從N-型 電荷產(chǎn)生層至電子傳輸層的傳輸。
[0281] 具有第=發(fā)光層化0的第=發(fā)光部ST3位于第二發(fā)光部ST2之上。第=發(fā)光層 250可發(fā)出紅光、綠光或藍(lán)光中的一種：例如，在該示例性實(shí)施方式中，第=發(fā)光層250可為 藍(lán)色發(fā)光層。所述藍(lán)色發(fā)光層包括藍(lán)色發(fā)光層、深藍(lán)色發(fā)光層、或天藍(lán)色發(fā)光層中的一個(gè)。 或者，第=發(fā)光層250可由藍(lán)色發(fā)光層和紅色發(fā)光層組成，或可由藍(lán)色發(fā)光層和黃綠色發(fā) 光層組成，或可由藍(lán)色發(fā)光層和綠色發(fā)光層組成。
[0282]第=發(fā)光部ST3包括第=空穴傳輸層240W及位于第=發(fā)光層250之上的第=電 子傳輸層260和電子注入層210。因此，具有第=空穴傳輸層240、第=發(fā)光層250、第=電 子傳輸層260和電子注入層210的第=發(fā)光部ST3位于第二發(fā)光部ST2之上。陰極220位 于第=發(fā)光部ST3之上，從而構(gòu)成了根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝 置。
[028引盡管已經(jīng)W其中第一電荷產(chǎn)生層160的N-型電荷產(chǎn)生層160N和第二電荷產(chǎn)生層 230的N-型電荷產(chǎn)生層230N是由本發(fā)明的化合物形成作為例子來(lái)描