余量Cu組成。阻擋層可 包括、基本上由，或由約5%重量的Nb、約2%重量的Cr以及余量Cu組成。阻擋層可包括、 基本上由，或由5%重量的Nb、2重量％的Cr以及余量Cu組成。
[0016] 電極可包括側(cè)壁，所述側(cè)壁包括、基本上由，或由（a)阻擋層的暴露部分，（b)導(dǎo)體 層的暴露部分，以及（c)在阻擋層的暴露部分和導(dǎo)體層的暴露部分之間的界面組成。盡管 有界面，電極的側(cè)壁可以基本上或甚至完全沒有間斷?；蹇梢曰旧匣蛏踔镣耆珱]有來 自阻擋層的Cu擴(kuò)散。阻擋層可包括、基本上由，或由通過晶界隔開的多個(gè)晶粒組成。晶界 中的至少一個(gè)可包括在其中的微粒。微?？砂ā⒒旧嫌?，或由硅和難熔金屬元素中的至 少一種元素的反應(yīng)產(chǎn)物組成。
[0017] 在另一個(gè)方面，本發(fā)明的實(shí)施例特征在于形成薄膜晶體管的電極的方法。提供了 一種基板?；蹇砂?、基本上由，或由硅和/或玻璃組成。阻擋層沉積在基板上方，并且 導(dǎo)體層沉積在阻擋層上方。阻擋層包括、基本上由，或由Cu與選自由Ta、Nb、Mo、W、Zr、Hf、 Re、Os、Ru、Rh、Ti、V、Cr以及Ni組成的組合的一種或多種難恪金屬元素的合金組成。導(dǎo)體 層包括、基本上由，或由Cu、Ag、A1和/或Au組成。掩模層形成在阻擋層上方，并且掩模層 圖案化以露出導(dǎo)體層的一部分。掩模層的余留部分可以至少部分地限定電極的形狀。蝕 刻劑被施加以去除沒有由圖案化掩模層掩模的導(dǎo)體層和阻擋層的部分，從而形成電極的側(cè) 壁。側(cè)壁包括、基本上由，或由（a)阻擋層的暴露部分，（b)導(dǎo)體層的暴露部分，以及（c)在 阻擋層的暴露部分和導(dǎo)體層的暴露部分之間的界面組成。盡管有界面，側(cè)壁基本上或甚至 完全沒有間斷。
[0018] 本發(fā)明的實(shí)施例可包括在任何各種不同組合中的下列中的一個(gè)或多個(gè)。掩模層可 包括、基本上由，或由光致抗蝕劑組成。蝕刻劑可包括、基本上由，或由磷酸、乙酸、硝酸以及 水的混合物組成。蝕刻劑可包括、基本上由，或由50重量％至60重量％的磷酸、15重量％ 至25重量％的乙酸、3重量％至5重量％的硝酸以及余量水組成。蝕刻劑可包括、基本上 由，或由50重量％的磷酸、25重量％的乙酸、3重量％的硝酸以及余量水組成。例如在蝕刻 劑施加之后，圖案化掩模層的余留部分可以被去除。阻擋層可包括、基本上由，或由通過晶 界隔開的多個(gè)晶粒組成?；蹇砂?、基本上由，或由硅組成。在足以形成在晶界中的至少 一個(gè)內(nèi)的微粒的溫度下（例如，在200°C和700°C之間，或在300°C和500°C之間）電極可被 退火。微?？砂?、基本上由或由硅和難熔金屬元素（例如，難熔金屬硅化物）中的至少一 種難熔金屬元素的反應(yīng)產(chǎn)物組成?；蹇砂?、基本上由，或由玻璃或非晶硅組成。
[0019] 阻擋層可包括、基本上由，或由Cu、Ta以及Cr的合金組成。阻擋層可包括、基本上 由，或由1重量％至12重量％的Ta、l重量％至5重量％的Cr以及余量Cu組成。阻擋層 可包括、基本上由，或由約5重量％的Ta、約2重量％的Cr以及余量Cu組成。阻擋層可包 括、基本上由，或由5重量％的Ta、2重量％的Cr以及余量Cu組成。阻擋層可包括、基本上 由或由約2重量％的Ta、約1重量％的Cr以及余量Cu組成。阻擋層可包括、基本上由或由 2重量％的Ta、1重量％的Cr以及余量Cu組成。
[0020] 阻擋層可包括、基本上由，或由Cu、Ta以及Ti的合金組成。阻擋層可包括、基本上 由，或由1重量％至12重量％的Ta、l重量％至5重量％的Ti以及余量Cu組成。阻擋層 可包括、基本上由，或由約5重量％的Ta、約2重量％的Ti以及余量Cu組成。阻擋層可包 括、基本上由，或由5重量％的Ta、2重量％的Ti以及余量Cu組成。
[0021] 阻擋層可包括、基本上由，或由Cu、Nb以及Cr的合金組成。阻擋層可包括、基本上 由，或由1重量％至10重量％的Nb、1重量％至5重量％的Cr以及余量Cu組成。阻擋層 可包括、基本上由，或由約5重量％的Nb、約2重量％的Cr以及余量Cu組成。阻擋層可包 括、基本上由，或由5重量％的Nb、2重量％的Cr以及余量Cu組成。
[0022] 在另一個(gè)方面，本發(fā)明的實(shí)施例的特征在于觸摸面板顯示器，其包括或基本上由 基板、多個(gè)導(dǎo)電觸摸面板行傳感器、多個(gè)導(dǎo)電觸摸面板列傳感器以及互連組成。行傳感器被 布置在基板上方并設(shè)置在沿第一方向延伸的行中。列傳感器被布置在基板上方并設(shè)置在沿 第二方向延伸并與行傳感器的線相交的線中?；ミB布置在行傳感器和線列傳感器之間的相 交點(diǎn)處，并且互連將兩個(gè)列傳感器或兩個(gè)行傳感器電連接?；ミB包括、基本上由，或由（i) 導(dǎo)體層，其包括、基本上由，或由Cu、Ag、A1和/或Au中的至少一種組成，以及（ii)布置在 導(dǎo)體層上方或上面的覆蓋層組成，所述覆蓋層包括、基本上由，或由Cu與選自由Ta、Nb、Mo、 W、Zr、Hf、Re、0s、Ru、Rh、Ti、V、Cr以及Ni組成的列表的一種或多種難熔金屬元素的合金 組成。
[0023] 本發(fā)明的實(shí)施例可包括在任何各種不同組合中的下列中的一個(gè)或多個(gè)?；ミB可在 行傳感器上方或下方延伸，并且將兩個(gè)列傳感器電連接。絕緣層可布置在互連和行傳感器 之間，并且可將互連和行傳感器電絕緣?；ミB可在列傳感器上方或下方延伸，并且將兩個(gè)行 傳感器電連接。絕緣層可布置在互連和列傳感器之間，并且可將互連和列傳感器電絕緣。基 板可包括、基本上由，或由例如玻璃的絕緣材料組成。行傳感器和/或列傳感器可包括、基 本上由，或由例如氧化銦錫的基本上透明的導(dǎo)電材料組成。
[0024] 覆蓋層可包括、基本上由，或由Cu、Ta以及Cr的合金組成。覆蓋層可包括、基本上 由，或由1重量％至12重量％的Ta、l重量％至5重量％的Cr以及余量Cu組成。覆蓋層 可包括、基本上由，或由約5重量％的Ta、約2重量％的Cr以及余量Cu組成。覆蓋層可包 括、基本上由，或由5重量％的Ta、2重量％的Cr以及余量Cu組成。覆蓋層可包括、基本上 由，或由約2重量％的Ta、約1重量％的Cr以及余量Cu組成。覆蓋層可包括、基本上由，或 由2重量％的Ta、1重量％的Cr以及余量Cu組成。
[0025] 覆蓋層可包括，基本上由，或由Cu、Ta以及Ti的合金組成。覆蓋層可包括，基本上 由，或由1重量％至12重量％的Ta、l重量％至5重量％的Ti以及余量Cu組成。覆蓋層 可包括，基本上由，或由約5重量％的Ta、約2重量％的Ti以及余量Cu組成。覆蓋層可包 括，基本上由，或由5重量％的Ta、2重量％的Ti以及余量Cu組成。
[0026] 覆蓋層可包括，基本上由，或由Cu、Nb以及Cr的合金組成。覆蓋層可包括，基本上 由，或由1重量％至10重量％的Nb、l重量％至5重量％的Cr以及余量Cu組成。覆蓋層 可包括，基本上由，或由約5重量％的Nb、約2重量％的Cr以及余量Cu組成。覆蓋層可包 括，基本上由，或由5重量％的Nb、2重量％的Cr以及余量Cu組成。
[0027] 互連可包括側(cè)壁，該側(cè)壁包括、基本上由，或由（a)覆蓋層的暴露部分，（b)導(dǎo)體層 的暴露部分，以及（c)在覆蓋層的暴露部分和導(dǎo)體層的暴露部分之間的界面組成。盡管有 界面，電極的側(cè)壁基本上或甚至完全沒有間斷。覆蓋層可包括、基本上由，或由通過晶界隔 開的多個(gè)晶粒組成。晶界中的至少一個(gè)可包括在其中的微粒。微?？砂?、基本上由，或由 一種或多種難熔金屬元素的附聚（例如，原子經(jīng)由擴(kuò)散聚集在一起的附聚）組成。一個(gè)或 多個(gè)晶粒邊界可以包含比覆蓋層的晶粒容積更大濃度的難熔金屬元素。
[0028] 在另一個(gè)方面，本發(fā)明的實(shí)施例的特征在于形成觸摸面板顯示器的互連的方法。 提供了一種結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括、或基本上由，或由基板、多個(gè)導(dǎo)電觸摸面板行傳感器以及多 個(gè)導(dǎo)電觸摸面板列傳感器組成。行傳感器布置在基板上方并且設(shè)置在沿著第一方向延伸的 線中。列傳感器布置在基板上方并且設(shè)置在沿著第二方向延伸并且與行傳感器的線相交的 線中。絕緣體層沉積在至少行傳感器的線和列傳感器的線之間的相交點(diǎn)處。導(dǎo)體層沉積在 絕緣體層上方，并且覆蓋層沉積在導(dǎo)體層上方或上面。覆蓋層包括、基本上由，或由Cu、Ag、 A1和/或Au組成。覆蓋層包括、基本上由，或由Cu與選自由Ta、Nb、Mo、W、Zr、Hf、Re、Os、 Ru、Rh、Ti、V、Cr以及Ni組成的組合的一種或多種難恪金屬元素的合金組成。掩模層形成 在覆蓋層上方。將掩模層圖案化以露出覆蓋層的一部分。掩模層的余留部分可至少部分地 限定互連的形狀。蝕刻劑被施加以去除沒有由圖案化掩模層掩模的覆蓋層和導(dǎo)體層的部 分，從而形成互連的側(cè)壁。側(cè)壁包括、基本上由，或由（a)覆蓋層的暴露部分，（b)導(dǎo)體層的 暴露部分，以及（c)在覆蓋層的暴露部分和導(dǎo)體層的暴露部分之間的界面。盡管有界面，側(cè) 邊基本上或甚至完全沒有間斷。
[0029] 本發(fā)明的實(shí)施例可包括在任何各種不同組合中的下列中的一個(gè)或多個(gè)。掩模層可 包括、基本上由，或由光致抗蝕劑組成。蝕刻劑可包括、基本上由，或由磷酸，乙酸，硝酸，和 水的混合物。蝕刻劑可包括、基本上由，或由50重量％至60重量％的磷酸、15重量％至25 重量％的乙酸、3重量％至5重量％的硝酸以及余量水組成。蝕刻劑可包括、基本上由，或 由50重量％的磷酸、25重量％的乙酸、3重量％的硝酸以及余量水組成。圖案化掩模層的 任何余留部分可被去除。覆蓋層可包括、基本上由，或由通過晶界隔開的多個(gè)晶粒組成?；?連可以在足以形成在晶界中的至少一個(gè)內(nèi)的微粒的溫度下（例如，200°C和700°C之間，或 在300°C和500°C之間）退火。微粒可包括、基本上由，或由難熔金屬元素中的至少一個(gè)的 附聚組成?；蹇梢园?、基本上由，或由例如玻璃的絕緣材料組成。行傳感器和列傳感器 可包括、基本上由，或由例如氧