基板處理裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本文所述的本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例涉及一種基板處理裝置，尤其涉及一種在進(jìn)行處理時同時加熱基板的基板處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，在制作平板顯示器或半導(dǎo)體裝置時，可以進(jìn)行諸如光刻膠涂覆工藝、顯影工藝、刻蝕工藝以及除塵工藝等各種工藝以處理玻璃基板或晶片。
[0003]在每一工藝中，可以進(jìn)行濕法清潔工藝以去除附著在基板上的各種污染物，然后可以進(jìn)行干燥工藝以干燥殘留在基板表面的化學(xué)溶液或純水(例如去離子水)。
[0004]近年來，可以采用刻蝕工藝通過在高溫下使用化學(xué)溶液來選擇性去除氮化硅薄膜或氧化硅薄膜，所述化學(xué)溶液例如為硫酸或磷酸。
[0005]在使用高溫化學(xué)溶液的基板處理裝置中，可以采用基板加熱裝置以提高刻蝕速率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供了一種基板處理裝置，能夠在處理基板過程中均勻加熱基板。本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供了一種基板處理裝置。
[0007]—方面，本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例旨在提供一種基板處理裝置，所述裝置包括:處理容器，所述處理容器的頂端是開放的；基板支撐單元，所述基板支撐單元放置于所述處理容器中以支撐基板；處理液供應(yīng)單元，所述處理液供應(yīng)單元將處理液供應(yīng)至放置于基板支撐單元上的基板；加熱單元，所述加熱單元放置于所述基板支撐單元中以加熱基板；所述加熱單元包括加熱元件和反射元件，所述反射元件將來自所述加熱元件的熱量向上反射。
[0008]所述加熱元件可以包括多個燈。
[0009]所述基板支撐單元可以包括:卡盤載臺(stage)，基板放置于所述卡盤載臺上，并且所述卡盤載臺是可旋轉(zhuǎn)的；和旋轉(zhuǎn)單元，所述旋轉(zhuǎn)單元具有中空形狀并與所述卡盤載臺相連以使所述卡盤載臺旋轉(zhuǎn)；其中，所述加熱元件位于所述卡盤載臺中，并且包括多個燈，多個燈同心布置以形成多個環(huán)形形狀，各個環(huán)形形狀到所述卡盤載臺中心的距離彼此不同。
[0010]所述反射元件可以包括設(shè)置在相鄰的燈之間的主反射板。
[0011]所述反射元件可以進(jìn)一步包括位于所述卡盤載臺與所述多個燈之間的內(nèi)反射板。
[0012]所述反射元件可以進(jìn)一步包括與所述內(nèi)反射板間隔開的外反射板，其中，所述多個燈居于所述內(nèi)反射板與所述外反射板之間。
[0013]所述外反射板的高度低于所述主反射板和所述內(nèi)反射板的高度。
[0014]所述反射元件可以進(jìn)一步包括位于所述多個燈下方的下反射板。
[0015]所述主反射板從所述下反射板向上突出。
[0016]所述主反射板可以包括第一側(cè)壁。所述第一側(cè)壁是傾斜的，并且越朝向其頂端越遠(yuǎn)離與其相鄰的燈。
[0017]所述主反射板可以進(jìn)一步包括第二側(cè)壁，所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁以穿過所述主反射板中心的虛線為中心對稱。
[0018]所述主反射板的寬度朝著其頂端逐漸縮小。
[0019]所述主反射板垂直于所述下反射板。
[0020]所述反射元件的表面由金屬材料形成。
[0021]所述反射元件的表面由金、銀或鋁中的任一種形成。
【附圖說明】
[0022]通過下述參照下列附圖進(jìn)行的描述，上述內(nèi)容及其它目標(biāo)和特征將變得顯而易見，其中，在所有的各個附圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的部件，除非明確表明并非如此。其中，
[0023]圖1為示出了提供有根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例所述的基板處理裝置的基板處理設(shè)備的俯視圖；
[0024]圖2為圖1的基板處理裝置的俯視圖；
[0025]圖3為圖1的基板處理裝置的剖視圖；
[0026]圖4為根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例所述的、圖2的基板支撐單元和加熱單元的剖視圖；
[0027]圖5為圖4的加熱單元的局部放大圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]將參照附圖詳細(xì)描述實(shí)施例。然而，本發(fā)明構(gòu)思可以以各種不同形式體現(xiàn)，而不應(yīng)當(dāng)解釋為僅限定于所示實(shí)施例。更確切些，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，這些實(shí)施例是作為示例來提供，這樣，本公開將徹底、完整并充分地表達(dá)本發(fā)明構(gòu)思的理念。相應(yīng)地，對于本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例，并沒有描述相關(guān)的已知工藝、構(gòu)件和技術(shù)。除非另有說明，否則在全部附圖和本說明書中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件，因此對于相同的附圖標(biāo)記將不會重復(fù)描述。在附圖中，為清楚起見，層和區(qū)域的尺寸及其相對尺寸可以被放大。
[0029]應(yīng)當(dāng)理解的是，雖然本文可使用術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等來描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)受限于這些術(shù)語。這些術(shù)語僅用于將一個元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個元件、組件、區(qū)域、層或部分相區(qū)分。因此，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思教導(dǎo)的情況下，以下討論的第一元件、第一組件、第一區(qū)域、第一層或第一部分可以被稱為第二元件、第二組件、第二區(qū)域、第二層或第二部分。
[0030]為了便于描述，本文可使用空間相對術(shù)語例如“在…之下”、“在…下方”、“下面的”、“在…下面”、“在…上方”、“上面的”等，以描述如附圖中所示的一個元件或特征與其他元件或特征之間的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解的是，空間相對術(shù)語的目的在于除了附圖中描述的方位以外，還意圖包含裝置在使用或操作中的其它不同方位。例如，如果附圖中的裝置被倒置，描述為在其它元件或特征“之下”或“下方”或“下面”的元件將隨之調(diào)整為在其它元件或特征的“上方”。因此，示例性術(shù)語“在…下方”和“在…之下”可包含上方和下方兩個方位。裝置可作其它調(diào)整(旋轉(zhuǎn)90度或處于其它方位)，并且本文使用的空間相對術(shù)語可進(jìn)行相應(yīng)的解釋。此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)某層被描述為在兩層“之間”時，可為兩層之間的唯一層，或者也可存在一個或多個中間層。
[0031]本文所使用的術(shù)語僅僅出于描述特定實(shí)施例的目的，而非旨在限定本發(fā)明構(gòu)思。如本文所使用的單數(shù)形式的“一個”和“該/所述”旨在還包含復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出并非如此。還應(yīng)當(dāng)理解的是，在該說明書中所使用的術(shù)語“包含”和/或“包括”指定存在所述的特征、整體、步驟、操作、元件、和/或組件，但是不排除存在或附加一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件、和/或以上的組合。如本文所用，術(shù)語“和/或”包括所列出的相關(guān)項(xiàng)目中的任意一個或多個、或者它們的所有組合。此外，術(shù)語“示例性”的目的是指例子或示例。
[0032]應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖幻枋鰹椤霸?另一個元件或?qū)?上”、“連接到”、“結(jié)合到”、或“相鄰”另一個元件或?qū)訒r，可為直接在(另一個元件或?qū)?上、直接連接到另一個元件或?qū)?、直接結(jié)合到另一個元件或?qū)?、或直接相鄰另一個元件或?qū)?，或者也可存在中介元件或?qū)?。與此相反，當(dāng)一個元件被描述為“直接在(另一個元件或?qū)?上”、“直接連接到”、“直接結(jié)合到”、或“直接相鄰”另一個元件或?qū)訒r，則不存在中介元件或?qū)印?br>[0033]除非另有定義，本文所使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員普遍理解的含義相同的含義。還應(yīng)當(dāng)理解的是，例如在常用詞典中定義的那些術(shù)語，應(yīng)解釋為具有與它們在本說明書【背景技術(shù)】和/或【具體實(shí)施方式】等部分相一致的含義，而不能在理想化或過于正式的意義中解釋，除非本文明確定義如此。
[0034]在下述說明中，應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)某元件(例如層、區(qū)域、基板、板或元件)被描述為“在(另一元件)上”時，可以是指該元件直接在另一元件上，也可以存在中介元件。相反的，術(shù)語“直接”則意味著沒有中介元件。
[0035]圖1為示出了本發(fā)明構(gòu)思的基板處理設(shè)備1的俯視圖。
[0036]參見圖1，基板處理設(shè)備1可以包括索引模塊1000和工藝處理模塊2000。索引模塊