顯示基板及其制作方法以及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種顯示基板、一種顯示裝置和一種顯 示基板制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002] COA即Color-filter on Array，是將彩膜層與陣列（Array)基板集成在一起的技 術(shù)。即將彩色光阻涂布于已完成的陣列（Array)上形成彩膜層，可以提高像素的開口率，并 實現(xiàn)彩膜層與陣列基板的自對準(zhǔn)。
[0003] 但是，現(xiàn)有的COA技術(shù)中所采用的黑矩陣主要由包覆碳黑顆粒的有機樹脂組成， 將包覆有碳黑顆粒的黑矩陣設(shè)置在陣列基板上時，工藝復(fù)雜，并且如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中 的公共電極1覆蓋在陣列基板上，如圖2和圖3所示，其中的黑矩陣2與數(shù)據(jù)線8和柵線9 僅間隔一個到兩個層結(jié)構(gòu)，距離TFT (薄膜晶體管）較近，容易會對陣列基板的TFT性能造 成影響，造成生產(chǎn)良率的降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，如何避免彩膜層中的黑矩陣對薄膜晶體管的性能 造成影響。
[0005] 為此目的，本發(fā)明提出了一種顯示基板，包括：
[0006] 彩膜層，包括多個子像素；
[0007] 公共電極，設(shè)置在所述彩膜層之上，與所述多個子像素中相鄰子像素的交界處相 對應(yīng)；
[0008] 黑矩陣，設(shè)置在所述公共電極之上。
[0009] 優(yōu)選地，所述黑矩陣的反射率小于預(yù)設(shè)反射率。
[0010] 優(yōu)選地，所述黑矩陣的耐蝕刻度比所述公共電極的耐蝕刻度低。
[0011] 優(yōu)選地，所述黑矩陣為金屬單質(zhì)，或金屬合金，或金屬單質(zhì)與金屬合金構(gòu)成的復(fù)合 層，或金屬氧化物、氮化物與氮氧化物構(gòu)成的復(fù)合層，或金屬合金氧化物、氮化物與氮氧化 物構(gòu)成的復(fù)合層。
[0012] 優(yōu)選地，還包括：
[0013]基底；
[0014] 薄膜晶體管，設(shè)置在所述基底之上；
[0015] 第一鈍化層，設(shè)置在所述薄膜晶體管之上，其中，所述彩膜層設(shè)置在所述第一鈍化 層之上；
[0016] 像素電極，設(shè)置在所述彩膜層之上；
[0017] 第二鈍化層，設(shè)置在所述像素電極之上，其中，所述公共電極設(shè)置在所述第二鈍化 層之上。
[0018] 優(yōu)選地，還包括：
[0019] 平坦層，設(shè)置在所述彩膜層之上，其中，所述像素電極設(shè)置在所述平坦層之上。
[0020] 優(yōu)選地，所述公共電極以所述多個子像素中相鄰子像素的交界的延長線為對稱 軸。
[0021] 本發(fā)明還提出了一種顯示裝置，包括上述所述的顯示基板。
[0022] 本發(fā)明還提出了一種顯示基板制作方法，包括：
[0023] 形成彩膜層，其中，所述彩膜層包括多個子像素；
[0024] 在所述彩膜層之上形成公共電極層，在所述公共電極層之上形成黑矩陣層；
[0025] 對所述公共電極層和黑矩陣層進行蝕刻，以形成與所述多個子像素中相鄰子像素 的交界處相對應(yīng)的公共電極和黑矩陣。
[0026] 優(yōu)選地，在形成所述彩膜層之前還包括：
[0027] 在基底上形成薄膜晶體管；
[0028] 在所述薄膜晶體管之上形成第一鈍化層，其中，所述彩膜層形成在所述第一鈍化 層之上；
[0029] 在所述彩膜層之上形成像素電極；
[0030] 在所述像素電極之上形成第二鈍化層，其中，所述公共電極形成在所述第二鈍化 層之上。
[0031] 優(yōu)選地，在所述彩膜層之上形成平坦層，其中，所述像素電極形成在所述平坦層之 上。
[0032] 根據(jù)上述技術(shù)方案，通過將黑矩陣設(shè)置在公共電極之上，其中公共電極與相鄰子 像素的交界處相對應(yīng)，也即設(shè)置在公共電極上的黑矩陣也與相鄰子像素的交界處相對應(yīng)， 保證了黑矩陣對相鄰子像素的分隔作用，并且由于黑矩陣遠離薄膜晶體管，避免了對薄膜 晶體管的電學(xué)特性造成影響。
【附圖說明】
[0033] 通過參考附圖會更加清楚的理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點，附圖是示意性的而不應(yīng)理 解為對本發(fā)明進行任何限制，在附圖中：
[0034] 圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中公共陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035] 圖2示出了圖1中陣列基板沿AA'的截面示意圖；
[0036] 圖3示出了圖1中陣列基板沿BB'的截面示意圖；
[0037] 圖4示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的顯示基板垂直于數(shù)據(jù)線的截面示意圖；
[0038] 圖5示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的顯示基板垂直于柵線的截面示意圖；
[0039] 圖6示出了公共電極位置與透過率的關(guān)系示意圖；
[0040] 圖7示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的顯示基板制作方法的示意流程圖；
[0041] 圖8至圖11示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的顯示基板制作方法的具體示意流程 圖；
[0042] 圖12示出了現(xiàn)有技術(shù)與本發(fā)明一個實施例的工藝次數(shù)對比示意圖；
[0043] 附圖標(biāo)號說明：
[0044] 1-公共電極；2-黑矩陣；3-基底；4-第一鈍化層；5-像素電極；6-第二鈍化層； 7-平坦層；8-數(shù)據(jù)線；9-柵線；10-柵絕緣層；11-第一子像素；12-第二子像素。
【具體實施方式】
[0045] 為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點，下面結(jié)合附圖和具體實 施方式對本發(fā)明進行進一步的詳細(xì)描述。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請的實施 例及實施例中的特征可以相互組合。
[0046] 在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是，本發(fā)明還可 以采用其他不同于在此描述的其他方式來實施，因此，本發(fā)明的保護范圍并不受下面公開 的具體實施例的限制。
[0047] 如圖4和圖5所示，根據(jù)本發(fā)明一個實施例的顯示基板，包括：
[0048] 彩膜層，包括多個子像素，圖4中僅示出了第一子像素11和第二子像素12,還可以 包括其他子像素；
[0049] 公共電極1，設(shè)置在彩膜層之上，與多個子像素中相鄰子像素的交界處相對應(yīng)；
[0050] 黑矩陣2,設(shè)置在公共電極1之上。
[0051] 本實施例通過將黑矩陣2設(shè)置在公共電極1之上，其中公共電極1與相鄰子像素 的交界處相對應(yīng)，也即設(shè)置在公共電極2上的黑矩陣1也與相鄰子像素的交界處相對應(yīng)，保 證了黑矩陣1對相鄰子像素的分隔作用，并且由于黑矩陣1遠離薄膜晶體管，避免了對薄膜 晶體管的性能造成影響。
[0052] 而且將黑矩陣1設(shè)置在公共電極2之上，由于本發(fā)明的黑矩陣是相對于公共電極 1具有良好導(dǎo)電性能的金屬或金屬復(fù)合層，能夠與公共電極1 一起起到傳導(dǎo)電流的作用，因 此可以提高公共電極1的導(dǎo)電均勻性，進而改善Greenish，提高了顯示效果。
[0053] 需要說明的是，本實施例中的公共電極2并非與彩膜層直接接觸，只是空間上位 于彩膜層上方。
[0054] 優(yōu)選地，黑矩陣2的反射率小于預(yù)設(shè)反射率。
[0055] 黑矩陣2的具有較低的反射率，可以有效的減小黑矩陣2對環(huán)境光的反射，防止由 于環(huán)境光反射造成的顯示對比度的降低，改善顯示效果。例如可以通過選用特定材料來制 作黑矩陣2,將黑矩陣2的反射率限定在10%以下（即預(yù)設(shè)反射率為10% )。例如還可以 將黑矩陣2的厚度設(shè)置為]〇〇〇~30001，以保證其具有良好的遮光效果，進而保證黑矩陣2 良好地分隔相鄰的子像素。
[0056] 優(yōu)選地，黑矩陣2的耐蝕刻度比公共電極的耐蝕刻度低。
[0057] 在本實施例中，通過選用一定的材料來制作黑矩陣2和公共電極1，可以使得黑矩 陣2比公共電極1更易被蝕刻，在通過一次掩膜工藝形成公共電極圖形的工藝過程中，可以 對公共電極層和黑矩陣層同時進行蝕刻形成公共電極和黑矩陣，并且刻蝕后黑矩陣2的寬 度比公共電極1的寬度小。
[0058] -般地，黑矩陣2的寬度比公共電極1的寬度小1至2微米。
[0059] 優(yōu)選地，黑矩陣2為金屬單質(zhì)，例如Al、Cr、Cu、Mo或Ti ;
[0060] 或金屬合金，例如Al/Nd合金、Cu/Mo合金、Mo/Ta合金、Al/Mo合金或Mo/Nb合金；
[0061] 或金屬單質(zhì)與金屬合金構(gòu)成的復(fù)合層，例如由Mo/Al/Mo構(gòu)成的復(fù)合層、由Cu/ IT0/Ti構(gòu)成的復(fù)合層或由Mo/Cu/Ti構(gòu)成的復(fù)合層；
[0062] 或金