一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶體管-液晶顯示器)作為一種平板顯示裝置，因其具有體積小、功耗低、無輻射以及制作成本相對較低等特點(diǎn)，而越來越多地被應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域當(dāng)中。
[0003]TFT-1XD實(shí)現(xiàn)一幀畫面顯示的基本原理是通過柵線依次從上到下對每一行像素單元輸入一定寬度的方波進(jìn)行選通，再通過數(shù)據(jù)線向被選通像素單元的存儲電容充電。通過存儲電容控制液晶分子在一段時間內(nèi)保持的某一偏轉(zhuǎn)角度，從而實(shí)現(xiàn)對光線強(qiáng)弱的控制。
[0004]然而，如果顯示裝置中的存儲電容太小，會導(dǎo)致像素單元在電壓保持階段的亮度不能達(dá)到設(shè)計(jì)值，造成顯示不良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，能夠增大像素單元的存儲電容。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0007]本發(fā)明實(shí)施例的一方面，提供一種陣列基板，包括橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線、與所述數(shù)據(jù)線交叉的公共電極線，由所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉界定的多個像素單元，所述像素單元設(shè)置有像素電極；所述公共電極線上設(shè)置有與所述公共電極線電連接的第一凸起；所述柵線上設(shè)置有第一凹槽；所述第一凸起位于所述第一凹槽中；所述像素電極與所述第一凸起重疊。
[0008]優(yōu)選的，所述像素電極完全覆蓋所述第一凸起。
[0009]優(yōu)選的，所述像素單元還包括TFT，所述TFT漏極的位置與所述第一凸起的位置相對應(yīng)。
[0010]優(yōu)選的，所述像素單元包括相鄰，且與同一條數(shù)據(jù)線相連的第一像素單元和第二像素單元；所述第一像素單元中的公共電極線上還設(shè)置有與所述公共電極線電連接的第二凸起；所述第一像素單元中的柵線上還設(shè)置有第二凹槽；所述第二凸起位于所述第二凹槽中；所述第二凸起與所述第二像素單元的公共電極電連接。
[0011]優(yōu)選的，還包括透明電連接線；所述透明電連接線與所述第二凸起和所述第二像素單元的公共電極直接接觸；或者，所述第二像素單元中設(shè)置有導(dǎo)電塊，所述導(dǎo)電塊與第二像素單元的公共電極相連接，所述透明電連接線與所述第二凸起和所述導(dǎo)電塊直接接觸。
[0012]可選的，所述柵線還設(shè)置有第三凹槽，所述第三凹槽的開口方向與所述第一凹槽和所述第二凹槽的開口方向相反，所述導(dǎo)電塊位于所述第三凹槽中。
[0013]優(yōu)選的，所述公共電極線與所述柵線同材料。
[0014]本發(fā)明實(shí)施例的另一方面，提供一種顯示裝置，包括如上所述的任意一種陣列基板。
[0015]本發(fā)明實(shí)施例的又一方面，提供一種陣列基板的制作方法，包括:在襯底基板上，形成柵線、公共電極線的圖案，所述柵線的圖案上形成有第一凹槽，所述公共電極線的圖案上形成有與所述公共電極線相連接的第一凸起；其中，所述第一凸起位于所述第一凹槽中；在所述襯底基板上，形成數(shù)據(jù)線的圖案，所述數(shù)據(jù)線與所述柵線橫縱交叉界定出多個像素單元；在所述像素單元中形成像素電極的圖案，所述像素電極與所述第一凸起重疊。
[0016]優(yōu)選的，形成所述像素電極的圖案包括，所述像素電極完全覆蓋所述第一凸起。
[0017]優(yōu)選的，所述在襯底基板上形成柵線圖案的步驟之前，所述方法還包括在所述襯底基板上，通過構(gòu)圖工藝形成公共電極的圖案，每一個公共電極的圖案對應(yīng)一個所述像素單元，所述像素單元包括相鄰，且與同一條數(shù)據(jù)線相連的第一像素單元和第二像素單元；所述形成所述柵線和所述公共電極線的圖案包括:在形成有位于第一像素單元的公共電極圖案的基板上，形成所述柵線和所述公共電極線的圖案，所述柵線的圖案上形成有第二凹槽，所述公共電極線的圖案上形成有與所述公共電極線電連接的第二凸起，所述第二凸起位于所述第二凹槽中；
[0018]在形成有所述柵線和所述公共電極線的基板上，通過構(gòu)圖工藝依次形成柵極絕緣層、半導(dǎo)體有源層的圖案、TFT的源、漏極、數(shù)據(jù)線的圖案、鈍化層，所述TFT漏極的位置與所述第一凸起的位置相對應(yīng)；將所述第二凸起與所述第二像素單元的公共電極電連接。
[0019]優(yōu)選的，所述將第二凸起與所述第二像素單元的公共電極電連接包括:在所述鈍化層上形成第一過孔、第二過孔以及第三過孔，其中，所述第一過孔對應(yīng)所述TFT漏極的位置；所述第二過孔對應(yīng)所述第二凸起的位置；所述第三過孔對應(yīng)所述第二像素單元的公共電極的位置；在形成有所述第一過孔、所述第二過孔以及所述第三過孔的基板上，通過構(gòu)圖工藝形成像素電極和透明電連接線的圖案，所述像素電極通過所述第一過孔與所述TFT的漏極相連接；所述透明電連接線通過所述第二過孔、所述第三過孔分別與所述第二凸起和所述第二像素單元的公共電極直接接觸。
[0020]優(yōu)選的，所述將第二凸起與所述第二像素單元的公共電極電連接包括:在形成所述柵線和所述公共電極線的同時，在所述第二像素單元內(nèi)形成導(dǎo)電塊，所述導(dǎo)電塊與所述第二像素單元的公共電極相接觸；在所述鈍化層上形成第一過孔、第二過孔以及第三過孔，其中，所述第一過孔對應(yīng)所述TFT漏極的位置；所述第二過孔對應(yīng)所述第二凸起的位置；所述第三過孔對應(yīng)所述導(dǎo)電塊的位置；在形成有所述第一過孔、所述第二過孔以及所述第三過孔的基板上，通過構(gòu)圖工藝形成像素電極和透明電連接線的圖案，所述像素電極通過所述第一過孔與所述TFT的漏極相連接；所述透明電連接線通過所述第二過孔、所述第三過孔分別將所述第二凸起和所述導(dǎo)電塊直接接觸。
[0021]優(yōu)選的，所述在形成有位于第一像素單元的公共電極圖案的基板上，形成所述柵線的圖案還包括，所述柵線的圖案上形成有第三凹槽，所述第三凹槽的開口方向與所述第一凹槽和所述第二凹槽的開口方向相反；形成導(dǎo)電塊的圖案包括，形成位于所述第三凹槽中的所述導(dǎo)電塊。
[0022]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。其中，陣列基板包括橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線、與數(shù)據(jù)線交叉的公共電極線，由柵線和數(shù)據(jù)線交叉界定的多個像素單元，像素單元設(shè)置有像素電極；公共電極線上設(shè)置有與公共電極線電連接的第一凸起；柵線上設(shè)置有第一凹槽；第一凸起位于第一凹槽中；像素電極與第一凸起重疊。對于透過率相同的顯示面板而言，由于第一凸起通過公共電極線與公共電極相連接，因此通過第一凸起可以擴(kuò)大陣列基板中像素單元的存儲電容下基板的面積，此外，由于像素電極與第一凸起重疊，因此像素電極的面積也增大，所以擴(kuò)大該存儲電容下極板的面積。這樣一來，由于存儲電容上、下基板的面積均增加，所以增大了存儲電容，從而避免了由于顯示裝置中存儲電容太小，導(dǎo)致像素單元在電壓保持階段亮度不能達(dá)到設(shè)計(jì)值的問題。
【附圖說明】
[0023]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0024]圖1a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖1b為圖1a中沿A-A’得到的截面圖；
[0026]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖5為圖1a所示的陣列基板的制作方法流程圖；
[0030]圖6為圖2所示的陣列基板的制作方法流程圖；
[0031]圖7a_7c為與圖6所示的陣列基板的制作方法流程圖中的步驟S201對應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032]【附圖說明】:
[0033]01-襯底基板；10_柵線；11_公共電極線；12-TFT ;13_數(shù)據(jù)線；20_公共電極；21-像素電極；22_柵極絕緣層；23_半導(dǎo)體有源層；24_鈍化層；30_第一像素單元；31_第二像素單元；40_透明電連接線；41_導(dǎo)電塊；42_第一過孔；43_第二過孔；44_第三過孔；100-第一凸起；101_第一凹槽；102_第二凸起；103_第二凹槽；104_第三凹槽；120_漏極；121-源極。
【具體實(shí)施方式】
[0034]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其