陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示
目.0
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的進(jìn)步與發(fā)展，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display，TFT-LCD)已成為平板顯示器件的主流，TFT是由源極、漏極和柵極組成的三極管，打開TFT，在柵極和源極加上電壓后，經(jīng)由三極管給予漏極一定的電壓，漏極再將電壓傳給像素電極，相對的公共電極的電壓由外部提供，由像素電極和公共電極之間形成的電壓差進(jìn)行驅(qū)動液晶分子，以達(dá)到顯示的目的，TFT關(guān)閉后，像素需要保持一幀的畫面，因此需要利用存儲電容保持液晶分子不動，以達(dá)到顯示一幀畫面的目的，因此存儲電極和像素電極形成的存儲電容就尤其重要。
[0003]為了保證更好的保持一幀的畫面，需要增加存儲電容以提高電壓保持率，并降低相應(yīng)的漏電流，在現(xiàn)有的技術(shù)條件下，要增大存儲電容，一般是降低絕緣膜厚度和增加存儲電極的寬度，絕緣膜的厚度在工藝條件確定后很少再做變更，因此存儲電容的大小主要取決于存儲電極的寬度，但增大存儲電極的寬度，同時增加了 TFT的負(fù)載容量，并且會降低像素的開口率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的一個目的在于克服上述技術(shù)問題。
[0005]第一方面，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括:基底以及形成在基底上的開關(guān)晶體管陣列、第一電極圖形和第二電極圖形；其中，所述開關(guān)晶體管陣列包括多個開關(guān)晶體管，所述第一電極圖形包括多個第一電極、所述第二電極圖形包括多個第二電極；其中，每一個第二電極連接一個開關(guān)晶體管，并與一個第一電極構(gòu)成一個存儲電容。
[0006]進(jìn)一步的，每一個開關(guān)晶體管包括一個柵極，所述第一電極圖形中的第一電極與各個開關(guān)晶體管的柵極同層形成。
[0007]進(jìn)一步的，具有納米通道結(jié)構(gòu)的電極所屬的電極圖形通過氣相沉淀工藝或者射頻濺射工藝形成。
[0008]進(jìn)一步的，所述陣列基板為扭曲向列型陣列基板、共平面切換型陣列基板、垂直排列型陣列基板和邊緣電場切換型陣列基板中的一種。
[0009]第二方面，本發(fā)明提供了一種制作陣列基板的方法，在基底上形成開關(guān)晶體管陣列、第一電極圖形和第二電極圖形的步驟；其中，所述開關(guān)晶體管陣列包括多個開關(guān)晶體管，所述第一電極圖形包括多個第一電極、所述第二電極圖形包括多個第二電極；其中，每一個第二電極連接一個開關(guān)晶體管，并與一個第一電極構(gòu)成一個存儲電容；所述第一電極朝向所述第二電極的一面和/或所述第二電極朝向所述第一電極的一面具有納米通道結(jié)構(gòu)，所述納米通道結(jié)構(gòu)適于增大所述的電極的表面積；其中，
[0010]形成具有納米通道結(jié)構(gòu)的電極所屬的電極圖形的步驟包括:
[0011]通過氣相沉淀工藝或者射頻濺射工藝沉積電極材料層，使所形成的電極材料層的表面具有納米通道結(jié)構(gòu)；
[0012]對所述電極材料層進(jìn)行圖案化得到相應(yīng)的電極圖形。
[0013]進(jìn)一步的，所形成的開關(guān)晶體管陣列中的每一個開關(guān)晶體管均包括一個柵極，在基底上形成開關(guān)晶體管陣列、第一電極圖形和第二電極圖形的步驟包括:
[0014]通過圖案化工藝，同層形成第一電極圖形中的第一電極以及各個開關(guān)晶體管中的柵極。
[0015]進(jìn)一步的，所述對所述電極材料層進(jìn)行圖案化得到相應(yīng)的電極圖形包括:
[0016]在所述電極材料層上涂覆光刻膠層；
[0017]采用掩膜板對所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影得到光刻膠保留區(qū)域和光刻膠去除區(qū)域；
[0018]以剩余的光刻膠作為掩膜刻蝕掉光刻膠去除區(qū)域的電極材料層，得到相應(yīng)的電極圖形。
[0019]進(jìn)一步的，所述方法用以制作扭曲向列型陣列基板、共平面切換型陣列基板、垂直排列型陣列基板和邊緣電場切換型陣列基板中的一種。
[0020]第三方面，本發(fā)明提供了一種顯示面板，包括上述任一項(xiàng)所述的陣列基板。
[0021]第四方面，本發(fā)明提供了一種顯示裝置，其特征在于，包括上述的液晶顯示面板。
[0022]本發(fā)明提供的陣列基板中，構(gòu)成存儲電容的第一電極和第二電極中至少有一個在朝向相對的電極的一面上具有納米通道結(jié)構(gòu)，這樣可以提高電容的電極板的面積，在不降低絕緣膜厚度或者增加存儲電極的寬度的前提下增大電容的容值。
【附圖說明】
[0023]圖1為本發(fā)明提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2為圖1中的陣列基板中的部分結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他的實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0026]第一方面，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括:基底以及形成在基底上的開關(guān)晶體管陣列、第一電極圖形和第二電極圖形；其中，所述開關(guān)晶體管陣列包括多個開關(guān)晶體管，所述第一電極圖形包括多個第一電極、所述第二電極圖形包括多個第二電極；其中，每一個第二電極連接一個開關(guān)晶體管，并與一個第一電極構(gòu)成一個存儲電容；所述第一電極朝向所述第二電極的一面和/或所述第二電極朝向所述第一電極的一面具有納米通道結(jié)構(gòu)，所述納米通道結(jié)構(gòu)適于增大所屬的電極的表面積。
[0027]第二方面，本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制作方法，該方法可以用于制作第一方面所述的陣列基板，該方法包括:在基底上形成開關(guān)晶體管陣列、第一電極圖形和第二電極圖形的步驟；其中，所述開關(guān)晶體管陣列包括多個開關(guān)晶體管，所述第一電極圖形包括多個第一電極、所述第二電極圖形包括多個第二電極；其中，每一個第二電極連接一個開關(guān)晶體管，并與一個第一電極構(gòu)成一個存儲電容；所述第一電極朝向所述第二電極的一面和/或所述第二電極朝向所述第一電極的一面具有納米通道結(jié)構(gòu)，所述納米通道結(jié)構(gòu)適于增大所述的電極的表面積；其中，
[0028]形成具有納米通道結(jié)構(gòu)的電極所屬的電極圖形的步驟包括:
[0029]通過氣相沉淀工藝或者射頻濺射工藝沉積電極材料層，使所形成的電極材料層的表面具有納米通道結(jié)構(gòu)；
[0030]對所述電極材料層進(jìn)行圖案化得到相應(yīng)的電極圖形。
[0031]本發(fā)明提供的陣列基板以及利用本發(fā)明提供的陣列基板制作方法制作的陣列基板中，構(gòu)成存儲電容的第一電極和第二電極中至少有一個在朝向相對的電極的一面上具有納米通道結(jié)構(gòu)，這樣可以提高電容的電極板的面積，在不降低絕緣膜厚度或者增加存儲電極的寬度的前提下增大電容的容值。
[0032]不難理解的是，這里所指的納米通道是指相應(yīng)的通道的直徑的尺寸為納米級，一般為幾個納米到幾十個納米。
[0033]在具體實(shí)施時，上述的陣列基板除了包括上述的各個結(jié)構(gòu)之外，還可能包含其他結(jié)構(gòu)，比如用于將第一電極圖形和第二電極圖形間隔開的絕緣層等。另外，上述的各個結(jié)構(gòu)一般構(gòu)成多個基本的像素單元實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的顯示功能。具體來說，上述的開關(guān)晶體管陣列中的一個開關(guān)晶體管與第一電極圖形中的一個第一電極以及第二電極圖形中的一個第二電極會構(gòu)成一個基本的像素單元，用于實(shí)現(xiàn)發(fā)光顯示。此時，這里的第二電極相當(dāng)于像素電極。下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的其中一種陣列基板在一個像素單元處的結(jié)構(gòu)進(jìn)行簡要說明。
[0034]參考圖1，該陣列基板在一個像素單元處的結(jié)構(gòu)包括基底100、形成在基底100上的開關(guān)晶體管200、形成在基底上的第一電極300和第二電極400，另外還包括間隔在開關(guān)晶體管200、第一電極300和第二電極400之間的第一絕緣層500和第二絕緣層600 ;該開關(guān)晶體管200包括柵極210、源極221和漏極222 ;柵極210和第一電極300同層形成在基底100上，第一絕緣層500覆蓋在該柵極210和第一電極300上，源極221和漏極222以及有源層230形成在第一絕緣層500上，源極221和漏極222被有源層230分隔開；第二絕緣層600在源極221和漏極222以及有源層230之上，其中形成有過孔，第二電極400通過該過孔與漏極222相連。參見圖2為第一電極300的上表面(朝向第二電極400的一面)或者第二電極400的下表面(朝向第一電極300的