一面)的結(jié)構(gòu)示意圖，第一電極300的上表面以及第二電極400的下表面具有納米通道結(jié)構(gòu)N，該納米通道N使得第一電極300的上表面的面積大于該第一電極300的投影面積，使得第二電極400的下表面的面積大于該第二電極400的投影面積。
[0035]圖1和2所示的陣列基板中，由于第一電極300的上表面和第二電極400的下表面上形成有能夠使表面積增大的納米通道N，會(huì)導(dǎo)致所形成的存儲(chǔ)電容的容值的增加。不難理解的是，雖然本發(fā)明實(shí)施例中是以第一電極300的上表面和第二電極的下表面400均具有納米通道結(jié)構(gòu)進(jìn)行的說(shuō)明，但是在實(shí)際應(yīng)用中，只要有一個(gè)電極的相應(yīng)表面形成有納米通道，都能夠使得相應(yīng)的存儲(chǔ)電容的容值增加，相應(yīng)的技術(shù)方案也應(yīng)該落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0036]同時(shí)，在圖1中，由于柵極210和第一電極300同層形成，貝Ij在制作時(shí)可以通過(guò)同一工藝進(jìn)行制作，這樣有利于降低制作工藝的復(fù)雜度。
[0037]在具體實(shí)施時(shí)，上述的第一電極300和第二電極400可以通過(guò)氣相沉淀工藝或者射頻濺射工藝的方式形成，由于氣相沉淀工藝或者射頻濺射工藝本身能夠使得得到的結(jié)構(gòu)層的各個(gè)表面具有納米通道結(jié)構(gòu)，這樣就無(wú)需再對(duì)第一電極300和第二電極400的相應(yīng)表面進(jìn)行專門的處理以得到相應(yīng)的納米通道結(jié)構(gòu)，同樣可以降低制作難度。
[0038]對(duì)于圖1和圖2中所示的陣列基板，可以具體通過(guò)如下流程制作:
[0039]通過(guò)圖案化工藝在基底上同層形成第一電極圖形和柵極圖形(柵極圖形由開(kāi)關(guān)晶體管陣列中的各個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管的柵極組成)。具體來(lái)說(shuō):可以首先在基底上通過(guò)氣相沉淀工藝或者射頻濺射工藝沉積電極材料層(比如銅等)；其次對(duì)形成的電極材料層進(jìn)行圖案化得到第一電極圖形和柵極圖形(柵極圖形由開(kāi)關(guān)晶體管陣列中的各個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管的柵極組成)，該圖案化的過(guò)程可以具體包括:在形成的電極材料層上涂覆光刻膠層，并采用掩膜板對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影得到光刻膠保留區(qū)域和光刻膠去除區(qū)域；以剩余的光刻膠作為掩膜刻蝕掉光刻膠去除區(qū)域的電極材料層，得到第一電極圖形和柵極圖形。
[0040]相應(yīng)的，形成第二電極圖形的步驟可以包括:
[0041]在第二絕緣層之上通過(guò)氣相沉淀工藝或者射頻濺射工藝沉積電極材料層(比如氧化銦錫等)，并按照形成第一圖形的方式進(jìn)行圖案化得到上述的第二電極圖形。
[0042]該方法中，由于柵極圖形和第一電極圖形同層形成通過(guò)同一工藝進(jìn)行制作，這樣有利于降低制作工藝的復(fù)雜度。當(dāng)然在實(shí)際應(yīng)用中，不在同一工藝中制作柵極圖形和第一電極圖形所得到的陣列基板也能達(dá)到本發(fā)明的基本目的，相應(yīng)的技術(shù)方案也應(yīng)該落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0043]并且，該方法中，采用氣相沉淀工藝或者射頻濺射工藝的方式形成第一電極圖形和第二電極圖形，由于氣相沉淀工藝或者射頻濺射工藝本身能夠使得所得到的結(jié)構(gòu)層的各個(gè)表面具有納米通道結(jié)構(gòu)，這樣就無(wú)需再對(duì)第一電極圖形和第二電極圖形的相應(yīng)表面進(jìn)行專門的處理以得到相應(yīng)的納米通道結(jié)構(gòu)，可以降低制作難度。當(dāng)然在實(shí)際應(yīng)用中，在能夠使得相應(yīng)的表面具有納米結(jié)構(gòu)的前提下，具體通過(guò)何種方式制作第一電極圖形和第二電極圖形并不會(huì)影響本發(fā)明的實(shí)施。
[0044]在具體實(shí)施時(shí)，上述的制作方法還包括形成第一絕緣層、源漏極圖、形有源層圖形和第二絕緣層的過(guò)程。其中，在制作第二絕緣層時(shí)，需要形成貫穿第二絕緣層的過(guò)孔，以使之后形成的第二電極通過(guò)該過(guò)孔與晶體管的漏極相連。
[0045]在具體實(shí)施時(shí)，這里的陣列基板可以是指扭曲向列(Twisted Nematic, TN)型陣列基板、共平面切換(In-PlaneSwitching, IPS)型陣列基板、垂直排列(verticalalignment)型陣列基板和邊緣電場(chǎng)切換(Fringe Field Switching，F(xiàn)FS)型陣列基板中的任意一種。不同模式的陣列基板在具體結(jié)構(gòu)上可能會(huì)存在一定的差異，相應(yīng)的制作方法也可能存在一定的不同，但是這些差異和不同本身不會(huì)影響本發(fā)明的實(shí)施，相應(yīng)的技術(shù)方案均應(yīng)該落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0046]第三方面，本發(fā)明還提供了一種顯示面板，該顯示面板包括上述的陣列基板。
[0047]第四方面，本發(fā)明提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的顯示面板。
[0048]在具體實(shí)施時(shí)，該顯示裝置可以為手機(jī)、電腦、電視機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的裝置。
[0049]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但是，本發(fā)明的保護(hù)范圍不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替代，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括:基底以及形成在基底上的開(kāi)關(guān)晶體管陣列、第一電極圖形和第二電極圖形；其中，所述開(kāi)關(guān)晶體管陣列包括多個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管，所述第一電極圖形包括多個(gè)第一電極、所述第二電極圖形包括多個(gè)第二電極；其中，每一個(gè)第二電極連接一個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管，并與一個(gè)第一電極構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)電容；所述第一電極朝向所述第二電極的一面和/或所述第二電極朝向所述第一電極的一面具有納米通道結(jié)構(gòu)，所述納米通道結(jié)構(gòu)適于增大所屬的電極的表面積。2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，每一個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管包括一個(gè)柵極，所述第一電極圖形中的第一電極與各個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管的柵極同層形成。3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，具有納米通道結(jié)構(gòu)的電極所屬的電極圖形通過(guò)氣相沉淀工藝或者射頻濺射工藝形成。4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為扭曲向列型陣列基板、共平面切換型陣列基板、垂直排列型陣列基板和邊緣電場(chǎng)切換型陣列基板中的一種。5.一種制作陣列基板的方法，其特征在于，包括:在基底上形成開(kāi)關(guān)晶體管陣列、第一電極圖形和第二電極圖形的步驟；其中，所述開(kāi)關(guān)晶體管陣列包括多個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管，所述第一電極圖形包括多個(gè)第一電極、所述第二電極圖形包括多個(gè)第二電極；其中，每一個(gè)第二電極連接一個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管，并與一個(gè)第一電極構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)電容；所述第一電極朝向所述第二電極的一面和/或所述第二電極朝向所述第一電極的一面具有納米通道結(jié)構(gòu)，所述納米通道結(jié)構(gòu)適于增大所述的電極的表面積；其中， 形成具有納米通道結(jié)構(gòu)的電極所屬的電極圖形的步驟包括: 通過(guò)氣相沉淀工藝或者射頻濺射工藝沉積電極材料層，使所形成的電極材料層的表面具有納米通道結(jié)構(gòu)； 對(duì)所述電極材料層進(jìn)行圖案化得到相應(yīng)的電極圖形。6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所形成的開(kāi)關(guān)晶體管陣列中的每一個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管均包括一個(gè)柵極，在基底上形成開(kāi)關(guān)晶體管陣列、第一電極圖形和第二電極圖形的步驟包括: 通過(guò)圖案化工藝，同層形成第一電極圖形中的第一電極以及各個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管中的柵極。7.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述對(duì)所述電極材料層進(jìn)行圖案化得到相應(yīng)的電極圖形包括: 在所述電極材料層上涂覆光刻膠層； 采用掩膜板對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影得到光刻膠保留區(qū)域和光刻膠去除區(qū)域； 以剩余的光刻膠作為掩膜刻蝕掉光刻膠去除區(qū)域的電極材料層，得到相應(yīng)的電極圖形。8.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法用以制作扭曲向列型陣列基板、共平面切換型陣列基板、垂直排列型陣列基板和邊緣電場(chǎng)切換型陣列基板中的一種。9.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的陣列基板。10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的液晶顯示面板。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置，該陣列基板包括：基底以及形成在基底上的開(kāi)關(guān)晶體管陣列、第一電極圖形和第二電極圖形；其中，所述開(kāi)關(guān)晶體管陣列包括多個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管，所述第一電極圖形包括多個(gè)第一電極、所述第二電極圖形包括多個(gè)第二電極；其中，每一個(gè)第二電極連接一個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管，并與一個(gè)第一電極構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)電容；所述第一電極朝向所述第二電極的一面和/或所述第二電極朝向所述第一電極的一面具有納米通道結(jié)構(gòu)，所述納米通道結(jié)構(gòu)適于增大所屬的電極的表面積。這樣能夠增大該存儲(chǔ)電容的容值。
【IPC分類】H01L27/12, G02F1/1343, H01L21/77, G02F1/1362
【公開(kāi)號(hào)】CN105097835
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510399035
【發(fā)明人】王海峰
【申請(qǐng)人】合肥鑫晟光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年11月25日
【申請(qǐng)日】2015年7月7日