其中，O < y < Xo
[0135]在本實(shí)施例中，界面缺陷防止層的材料可以為氮化硅，其N含量比例越高，界面缺陷防止層與有源層的晶格匹配越好，柵極絕緣層和有源層的接觸界面的缺陷越少。
[0136]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，該陣列基板包括前述的薄膜晶體管。
[0137]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括前述的陣列基板。在顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0138]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括:襯底、柵電極、柵極絕緣層以及有源層，所述柵極絕緣層夾設(shè)于所述柵電極和所述有源層之間，其特征在于，所述柵極絕緣層包括:內(nèi)部缺陷防止層和界面缺陷防止層，所述內(nèi)部缺陷防止層位于所述界面缺陷防止層和所述柵電極之間，所述內(nèi)部缺陷防止層用于減少所述柵極絕緣層的內(nèi)部缺陷，所述界面缺陷防止層用于減少所述柵極絕緣層和所述有源層的接觸界面的缺陷。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述界面缺陷防止層的材料為氮化娃。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述界面缺陷防止層為SiNx，其中，X的取值范圍為1.33?10。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述界面缺陷防止層的厚度為5?50nmo5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述內(nèi)部缺陷防止層的材料為SiNy，其中，O < y < Xo6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述內(nèi)部缺陷防止層包括生長(zhǎng)速度控制層和第一缺陷防止層，所述第一缺陷防止層位于所述生長(zhǎng)速度控制層和所述界面缺陷防止層之間，所述生長(zhǎng)速度控制層為SiNyl，所述第一缺陷防止層為SiNy2，其中，O < yl< !2。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，12的取值范圍為0.5?10，yl的取值范圍為0.1?1.33。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一缺陷防止層的厚度為5?50nm，所述生長(zhǎng)速度控制層的厚度為30?400nm。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極絕緣層還包括:設(shè)于所述柵電極和所述內(nèi)部缺陷防止層之間的擴(kuò)散阻擋層，所述擴(kuò)散阻擋層用于阻擋所述柵電極向所述柵極絕緣層擴(kuò)散。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述擴(kuò)散阻擋層的材料為SiNz，其中，z的取值范圍為1.33?10。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述擴(kuò)散阻擋層的厚度為5?50nmo12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述內(nèi)部缺陷防止層還包括:設(shè)于所述擴(kuò)散阻擋層和所述生長(zhǎng)速度控制層之間的第二缺陷防止層。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二缺陷防止層的材料為SiNy3,其中，O < yl < y3。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于，y3的取值范圍為0.5?10。15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二缺陷防止層的厚度為5 ?50nmo16.—種薄膜晶體管制備方法，所述方法包括: 提供一襯底； 在所述襯底上生長(zhǎng)柵電極； 在所述柵電極上生長(zhǎng)柵極絕緣層； 在所述柵極絕緣層上生長(zhǎng)有源層； 其特征在于，所述在所述柵電極上生長(zhǎng)柵極絕緣層，包括: 在所述柵電極上生長(zhǎng)內(nèi)部缺陷防止層，所述內(nèi)部缺陷防止層用于減少所述柵極絕緣層的內(nèi)部缺陷； 在所述內(nèi)部缺陷防止層上生長(zhǎng)界面缺陷防止層，所述界面缺陷防止層用于減少所述柵極絕緣層和所述有源層的接觸界面的缺陷。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述界面缺陷防止層的材料為氮化硅。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述界面缺陷防止層為SiNx，其中，X的取值范圍為1.33?10。19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述內(nèi)部缺陷防止層的材料為SiNy，其中，O < y < X。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述在所述柵電極上生長(zhǎng)內(nèi)部缺陷防止層，包括: 在所述柵電極上生長(zhǎng)生長(zhǎng)速度控制層； 在所述生長(zhǎng)速度控制層上生長(zhǎng)第一缺陷防止層，所述生長(zhǎng)速度控制層為SiNyl，所述第一缺陷防止層為SiNy2，其中，O < yl < y2。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，y2的取值范圍為0.5?10，yl的取值范圍為0.1?1.33。22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，所述在所述柵電極上生長(zhǎng)內(nèi)部缺陷防止層，還包括: 在生長(zhǎng)所述第一缺陷防止層之前，對(duì)所述生長(zhǎng)速度控制層的表面采用N2進(jìn)行等離子體處理。23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，所述在所述柵電極上生長(zhǎng)柵極絕緣層，還包括: 在所述柵電極和所述內(nèi)部缺陷防止層之間生長(zhǎng)擴(kuò)散阻擋層，所述擴(kuò)散阻擋層用于阻擋所述柵電極向所述柵極絕緣層擴(kuò)散。24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，所述擴(kuò)散阻擋層的材料為SiNz，其中，z的取值范圍為1.33?10。25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，所述在所述柵電極上生長(zhǎng)內(nèi)部缺陷防止層，還包括: 在所述擴(kuò)散阻擋層和所述生長(zhǎng)速度控制層之間生長(zhǎng)第二缺陷防止層。26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，所述第二缺陷防止層的材料為SiNy3,其中，O < yl < Yi。27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，y3的取值范圍為0.5?10。28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，所述在所述柵電極上生長(zhǎng)內(nèi)部缺陷防止層，還包括: 在生成所述第二缺陷防止層之前，對(duì)所述擴(kuò)散阻擋層表面采用N2進(jìn)行等離子體處理。29.根據(jù)權(quán)利要求16-28任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在生長(zhǎng)所述柵極絕緣層之前，所述方法還包括以下步驟中的至少一種: 采用H2對(duì)所述柵電極的表面進(jìn)行等離子體處理； 采用N2對(duì)所述柵電極的表面進(jìn)行等離子體處理。30.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括權(quán)利要求1-15任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管。31.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權(quán)利要求30所述的陣列基板。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示裝置，屬于薄膜晶體管技術(shù)領(lǐng)域。所述薄膜晶體管包括：襯底、柵電極、柵極絕緣層、以及有源層，柵極絕緣層包括：內(nèi)部缺陷防止層和界面缺陷防止層，內(nèi)部缺陷防止層位于界面缺陷防止層和柵電極之間，內(nèi)部缺陷防止層用于減少柵極絕緣層的內(nèi)部缺陷，界面缺陷防止層用于減少柵極絕緣層和有源層的接觸界面的缺陷。本發(fā)明通過(guò)上述方式設(shè)置柵極絕緣層，可以減少柵極絕緣層內(nèi)部以及柵極絕緣層與有源層接觸面的缺陷態(tài)數(shù)量，進(jìn)而減少了載流子(即正電子)在柵極絕緣層內(nèi)部以及柵極絕緣層與有源層接觸面處的累積，這樣能有效減少薄膜晶體管的閥值電壓的偏移現(xiàn)象，降低薄膜晶體管的不良率。
【IPC分類】H01L21/336, H01L27/12, H01L29/786, H01L29/423, H01L21/28
【公開號(hào)】CN104966740
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510431173
【發(fā)明人】李正亮, 周斌, 姚琪, 孫雪菲, 高錦成, 張偉, 張斌, 曹占鋒
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司
【公開日】2015年10月7日
【申請(qǐng)日】2015年7月21日