陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)陣列基板為減少X_Line(橫線不良)，扇出區(qū)的數(shù)據(jù)線引線往往采用柵金屬層來制作，然后通過過孔利用透明導電層將數(shù)據(jù)線引線與數(shù)據(jù)線連接起來。在陣列基板的制作工藝中，經(jīng)常存在DDS(Data Data Short，數(shù)據(jù)線短路不良)，現(xiàn)有技術(shù)首先是通過ESS(Environment Stress Screen,環(huán)境應力篩選)測試數(shù)據(jù)線引線或數(shù)據(jù)線之間是否存在短路不良，然后再由定位單元確定短路不良發(fā)生的位置坐標信息。
[0003]如圖1所示，在扇出區(qū)設(shè)置有第一信號加載線I和第二信號加載線2，其中第一信號加載線I用于向奇數(shù)行數(shù)據(jù)線引線加載測試信號，第二信號加載線2用于向偶數(shù)行數(shù)據(jù)線引線加載測試信號，在檢測是否發(fā)生短路不良時，分別向第一信號加載線I和第二信號加載線2加載測試信號。但是，如圖1所示，由于透明導電層殘留或者柵金屬層殘留導致第2k-l根數(shù)據(jù)線引線3和第2k根數(shù)據(jù)線引線4在位置5處發(fā)生短路，在進行測試向第一信號加載線I加載測試信號時，測試信號傳遞至第2k-l根數(shù)據(jù)線引線3后，經(jīng)由短路處傳遞至第2k根數(shù)據(jù)線引線4、再傳遞至第二信號加載線2，進而由第二信號加載線2傳遞至所有的偶數(shù)行數(shù)據(jù)線引線，最終導致所有的數(shù)據(jù)線引線和數(shù)據(jù)線都存在測試信號，使得定位單元無法確定短路不良發(fā)生的位置坐標信息，進而無法對陣列基板進行維修，導致陣列基板的良品率下降。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種陣列基板及顯示裝置，在不改變現(xiàn)有陣列基板測試信號加載方式的前提下，能夠確定出短路不良發(fā)生的位置坐標信息，進而提高陣列基板的良品率。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型的實施例提供技術(shù)方案如下:
[0006]—方面，提供一種陣列基板，包括多條數(shù)據(jù)線和形成在非顯示區(qū)域的與所述數(shù)據(jù)線對應連接的多條信號加載線，所述信號加載線與對應數(shù)據(jù)線的連接處設(shè)置有單向?qū)ㄆ骷?，以使外部測試信號經(jīng)所述單向?qū)ㄆ骷鬟f至對應的數(shù)據(jù)線。
[0007]進一步地，所述信號加載線包括:
[0008]與奇數(shù)行數(shù)據(jù)線連接的第一信號加載線以及與偶數(shù)行數(shù)據(jù)線連接的第二信號加載線;或
[0009]與奇數(shù)列數(shù)據(jù)線連接的第一信號加載線以及與偶數(shù)列數(shù)據(jù)線連接的第二信號加載線。
[0010]進一步地，所述單向?qū)ㄆ骷闁艠O和源極連接的單向?qū)ū∧ぞw管，所述單向?qū)ū∧ぞw管的源極或柵極與所述信號加載線連接，所述單向?qū)ū∧ぞw管的漏極與所述數(shù)據(jù)線連接。
[0011]進一步地，所述陣列基板還包括形成在顯示區(qū)域的多個開關(guān)薄膜晶體管，所述單向?qū)ū∧ぞw管的柵極與所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極為同層同材料設(shè)置，所述單向?qū)ū∧ぞw管的源極和漏極與所述開關(guān)薄膜晶體管的源極和漏極為同層同材料設(shè)置，所述單向?qū)ū∧ぞw管的有源層與所述開關(guān)薄膜晶體管的有源層為同層同材料設(shè)置。
[0012]進一步地，所述單向?qū)ū∧ぞw管的漏極通過導電連接線與所述數(shù)據(jù)線連接。
[0013]進一步地，所述陣列基板還包括形成在顯示區(qū)域的多個像素電極，所述導電連接線與所述像素電極為采用同材料且部分所述導電連接線與所述像素電極同層設(shè)置。
[0014]進一步地，所述單向?qū)ㄆ骷槎O管，所述二極管的陽極與所述信號加載線連接，所述二極管的陰極與所述數(shù)據(jù)線連接。
[0015]進一步地，所述陣列基板還包括形成在顯示區(qū)域的多個開關(guān)薄膜晶體管，所述二極管與所述開關(guān)薄膜晶體管的有源層為同層設(shè)置。
[0016]本實用新型實施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。
[0017]本實用新型的實施例具有以下有益效果:
[0018]上述方案中，信號加載線與對應數(shù)據(jù)線引線的連接處設(shè)置有單向?qū)ㄆ骷?，外部測試信號只能從信號加載線單向傳遞至對應的數(shù)據(jù)線引線，這樣當數(shù)據(jù)線引線發(fā)生短路不良時，數(shù)據(jù)線引線上的外部測試信號不會傳遞至信號加載線，除了與加載有外部測試信號的信號加載線連接的數(shù)據(jù)線引線外，只有發(fā)生短路不良的數(shù)據(jù)線引線上才有外部測試信號，這樣就能夠在不改變現(xiàn)有陣列基板測試信號加載方式的前提下，確定出短路不良發(fā)生的位置坐標信息，進而可以對陣列基板進行維修，提高陣列基板的良品率。
【附圖說明】
[0019]圖1為現(xiàn)有陣列基板扇出區(qū)的走線示意圖；
[0020]圖2為本實用新型實施例陣列基板扇出區(qū)的走線示意圖；
[0021]圖3為本實用新型實施例五單向?qū)ū∧ぞw管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖4為本實用新型實施例六二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]附圖標記
[0024]I第一信號加載線 2第二信號加載線 3第2k_l根數(shù)據(jù)線引線
[0025]4第2k根數(shù)據(jù)線引線 5數(shù)據(jù)線引線發(fā)生短路的位置
[0026]6單向?qū)ㄆ骷?1數(shù)據(jù)線引線 12柵極
[0027]13柵絕緣層14有源層15層間絕緣層 16源極
[0028]17漏極18鈍化層19導電連接線 20陽極
[0029]21 陰極
【具體實施方式】
[0030]為使本實用新型的實施例要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實施例進行詳細描述。
[0031]本實用新型的實施例針對現(xiàn)有技術(shù)無法確定短路不良發(fā)生的位置坐標信息，進而無法對陣列基板進行維修，導致陣列基板的良品率下降的問題，提供一種陣列基板及顯示裝置，在不改變現(xiàn)有陣列基板測試信號加載方式的前提下，能夠確定出短路不良發(fā)生的位置坐標?目息，進而提尚陣列基板的良品率。
[0032]實施例一
[0033]本實施例提供了一種陣列基板，包括多條數(shù)據(jù)線和形成在非顯示區(qū)域的與數(shù)據(jù)線對應連接的多條信號加載線，信號加載線與對應數(shù)據(jù)線的連接處設(shè)置有單向?qū)ㄆ骷?，以使外部測試信號經(jīng)單向?qū)ㄆ骷鬟f至對應的數(shù)據(jù)線。
[0034]本實施例中，信號加載線與對應數(shù)據(jù)線引線的連接處設(shè)置有單向?qū)ㄆ骷?，外部測試信號只能從信號加載線單向傳遞至對應的數(shù)據(jù)線引線，這樣當數(shù)據(jù)線引線發(fā)生短路不良時，數(shù)據(jù)線引線上的外部測試信號不會傳遞至信號加載線，除了與加載有外部測試信號的信號加載線連接的數(shù)據(jù)線引線外，只有發(fā)生短路不良的數(shù)據(jù)線引線上才有外部測試信號，這樣就能夠在不改變現(xiàn)有陣列基板測試信號加載方式的前提下，確定出短路不良發(fā)生的位置坐標信息，進而可以對陣列基板進行維修，提高陣列基板的良品率。
[0035]具體實施例中，信號加載線包括:
[0036]與奇數(shù)行數(shù)據(jù)線連接的第一信號加載線以及與偶數(shù)行數(shù)據(jù)線連接的第二信號加載線;或
[0037]與奇數(shù)列數(shù)據(jù)線連接的第一信號加載線以及與偶數(shù)列數(shù)據(jù)線連接的第二信號加載線。
[0038]具體實施例中，單向?qū)ㄆ骷闁艠O和源極連接的單向?qū)ū∧ぞw管，單向?qū)ū∧ぞw管的源極或柵極與信號加載線連接，單向?qū)ū∧ぞw管的漏極與數(shù)據(jù)線引線連接，這樣在信號加載線上加載外部測試信號后，外部測試信號傳遞至單向?qū)ū∧ぞw管的源極和柵極，使單向?qū)ū∧ぞw管處于導通狀態(tài)，外部測試信號可由單向?qū)ū∧ぞw管的源極傳遞至漏極，進一步傳遞至數(shù)據(jù)線引線；當出現(xiàn)短路不良導致數(shù)據(jù)線引線上存在外部測試信號時，對應單向?qū)ū∧ぞw管的漏極存在外部測試信號，而由于單向?qū)ū∧ぞw管的柵極沒有外部測試信號，單向?qū)ū∧ぞw管不導通，因此，外部測試信號不能從數(shù)據(jù)線引線傳遞至信號加載線，從而實現(xiàn)外部測試信號的單向?qū)ā?br>[0039]進一步地，單向?qū)ū∧ぞw管的柵極、數(shù)據(jù)線引線與開關(guān)薄膜晶體管的柵極為同層同材料設(shè)置，單向?qū)ū∧ぞw管的源極和漏極與開關(guān)薄膜晶體管的源極和漏極為同層同材料設(shè)置，單向?qū)ū∧ぞw管的有源層與開關(guān)薄膜晶體管的有源層為同層同材料設(shè)置，這樣單向?qū)ū∧ぞw管的柵極、數(shù)據(jù)線引線與開關(guān)薄膜晶體管的柵極可以通過一次構(gòu)圖工藝同時形成，單向?qū)ū∧ぞw管的有源層與開關(guān)薄膜晶體管的有源層可以通過一次構(gòu)圖工藝