陣列基板、顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板、顯示裝置，屬于液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，其可至少部分解決現(xiàn)有的陣列基板中公共電極的信號(hào)均一性較差、影響顯示效果的問題。本發(fā)明的陣列基板包括基底并具有多個(gè)像素，每個(gè)所述像素中設(shè)有公共電極，部分相鄰像素的公共電極間設(shè)有第一引線，所述第一引線所在層與公共電極所在層之間無絕緣層，且至少部分之間設(shè)有第一引線的相鄰的公共電極通過連接部電連接，所述連接部與第一引線絕緣。
【專利說明】
陣列基板、顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]ADS(Advanced super Dimens1n Switch，高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換)模式的陣列基板是液晶顯示裝置的陣列基板的一種形式。在ADS模式的陣列基板中，各像素中同時(shí)設(shè)有公共電極和像素電極。例如，可以是公共電極為板狀上，其上方(即遠(yuǎn)離基底一側(cè))設(shè)有柵絕緣層、鈍化層等，而像素電極設(shè)于鈍化層上方且具有狹縫。
[0003]為給像素電極提供電壓，相鄰行像素間設(shè)有柵線，相鄰列像素間設(shè)有數(shù)據(jù)線。通常而言，柵線與公共電極都位于柵絕緣層下方，故柵線所在層與公共電極所在層間沒有任何絕緣層。由此，陣列基板的不同行的像素中的公共電極不能連接(否則會(huì)使公共電極與柵線導(dǎo)通)，這導(dǎo)致公共電極的信號(hào)均一性較差，降低了顯示效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明至少部分解決現(xiàn)有的陣列基板中公共電極的信號(hào)均一性較差、影響顯示效果的問題，提供一種公共電極的信號(hào)均一性好、顯示效果佳的陣列基板、顯示裝置。
[0005]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，包括基底并具有多個(gè)像素，每個(gè)所述像素中設(shè)有公共電極，部分相鄰像素的公共電極間設(shè)有第一引線，所述第一引線所在層與公共電極所在層之間無絕緣層，且
[0006]至少部分之間設(shè)有第一引線的相鄰的公共電極通過連接部電連接，所述連接部與第一引線絕緣。
[0007]優(yōu)選的是，所述連接部與公共電極同層設(shè)置;所述第一引線在連接部處斷開，斷開處兩側(cè)的第一引線通過與連接部交叉的連接橋電連接;所述連接橋與連接部之間設(shè)有第一絕緣層。
[0008]進(jìn)一步優(yōu)選的是，每個(gè)所述像素中，在逐漸遠(yuǎn)離所述基底的方向上依次設(shè)有所述公共電極，第一絕緣層、像素電極;其中，所述連接橋與像素電極同層設(shè)置。
[0009]進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述連接部遠(yuǎn)離或靠近基底的一側(cè)設(shè)有第一輔助導(dǎo)電層，所述第一輔助導(dǎo)電層與第一引線同層設(shè)置。
[0010]優(yōu)選的是，每個(gè)所述像素中，在逐漸遠(yuǎn)離所述基底的方向上依次設(shè)有所述公共電極，第二絕緣層、像素電極，所述像素電極具有狹縫;其中，所述連接部位于第二絕緣層遠(yuǎn)離基底的一側(cè)，且其兩端部分別通過第二絕緣層中的過孔與兩個(gè)公共電極電連接;所述連接部的端部朝向其所在像素中的像素電極的狹縫的邊緣為第一邊，像素電極與所述第一邊相對(duì)的邊緣為第二邊，所述第一邊和第二邊均與該像素電極的狹縫平行。
[0011]進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述連接部與像素電極同層設(shè)置。
[0012]進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述第一引線所在層比公共電極所在層更遠(yuǎn)離基底，所述連接部的端部與公共電極間還設(shè)有第二輔助導(dǎo)電層，所述第二輔助導(dǎo)電層與第一引線同層設(shè)置。
[0013]進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述第二輔助導(dǎo)電層在基底上的正投影與像素電極在基底上的正投影無重疊。
[0014]優(yōu)選的是，所述第一引線為柵線。
[0015]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示裝置，其包括上述的任意一種陣列基板。
[0016]本發(fā)明的陣列基板中，至少部分之間設(shè)有第一引線的相鄰公共電極間通過連接部實(shí)現(xiàn)電連接，而連接部與第一引線絕緣，由此其可在不導(dǎo)致公共電極與第一引線導(dǎo)通的情況下增加公共電極間的電連接，從而使公共電極上的信號(hào)均一性更好，改善顯示效果。
【附圖說明】
[0017]圖1為本發(fā)明的實(shí)施例的一種陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2為圖1中沿AA’的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖3為圖1中沿BB’的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖4為本發(fā)明的實(shí)施例的另一種陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖5為圖4中沿CC’的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖6為本發(fā)明的實(shí)施例的另一種陣列基板的局部模擬漏光圖；
[0023]其中，附圖標(biāo)記為:1、柵線；2、公共電極;3、連接部;4、像素電極;41、狹縫;5、連接橋;61、第一輔助導(dǎo)電層;62、第二輔助導(dǎo)電層;81、柵絕緣層;82、鈍化層;9、基底。
【具體實(shí)施方式】
[0024]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0025]在本發(fā)明中，兩結(jié)構(gòu)“同層設(shè)置”是指二者是由同一個(gè)材料層經(jīng)構(gòu)圖工藝后形成的，故它們?cè)趯盈B關(guān)系上處于相同層中，但并不代表它們與基底間的距離必然相等。
[0026]在本發(fā)明中，“構(gòu)圖工藝”是指形成具有特定的圖形的結(jié)構(gòu)的步驟，其可為光刻工藝，光刻工藝包括形成材料層、涂布光刻膠、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等步驟中的一步或多步；當(dāng)然，“構(gòu)圖工藝”也可包括壓印工藝、噴墨打印工藝等其它工藝。
[0027]實(shí)施例1:
[0028]本實(shí)施例提供一種陣列基板，其包括基底并具有多個(gè)像素，每個(gè)所述像素中設(shè)有公共電極，部分相鄰像素的公共電極間設(shè)有第一引線，所述第一引線所在層與公共電極所在層之間無絕緣層，且，
[0029]至少部分之間設(shè)有第一引線的相鄰的公共電極通過連接部電連接，所述連接部與第一引線絕緣。
[0030]該陣列基板分為多個(gè)像素，每個(gè)像素中均具有公共電極，由此其為ADS模式的陣列基板。
[0031]其中，部分相鄰像素(如相鄰行像素)之間設(shè)有第一引線(如柵線)，且第一引線與公共電極之間沒有絕緣層，故若之間有第一引線的相鄰公共電極(即之間有第一引線的相鄰像素中的公共電極)直接相連，則會(huì)導(dǎo)致公共電極與第一引線導(dǎo)通。為此，本實(shí)施例的陣列基板中使用連接部將之間有第一引線的相鄰公共電極電連接，且該連接部與第一引線保持絕緣。
[0032]本實(shí)施例的陣列基板中，至少部分之間設(shè)有第一引線的相鄰公共電極間通過連接部實(shí)現(xiàn)電連接，而連接部與第一引線絕緣，由此其可在不導(dǎo)致公共電極與第一引線導(dǎo)通的情況下增加公共電極間的電連接，從而使公共電極上的信號(hào)均一性更好，改善顯示效果。
[0033]實(shí)施例2:
[0034]如圖1至圖3所示，本實(shí)施例提供一種陣列基板，其包括基底9并具有多個(gè)像素，每個(gè)像素中設(shè)有公共電極2，部分相鄰像素的公共電極2間設(shè)有第一引線，第一引線所在層與公共電極2所在層之間無絕緣層，且，
[0035]至少部分之間設(shè)有第一引線的相鄰的公共電極2通過連接部3電連接，連接部3與第一引線絕緣。
[0036]該陣列基板分為多個(gè)像素，每個(gè)像素中均具有公共電極2，由此其為ADS模式的陣列基板。其中，部分相鄰像素(如相鄰行像素)之間設(shè)有第一引線(如柵線I)，且第一引線與公共電極2之間沒有絕緣層。該基板中使用連接部3將之間有第一引線的相鄰公共電極2電連接，該連接部3與第一引線保持絕緣。
[0037]優(yōu)選的，以上第一引線為柵線I。
[0038]在ADS模式的陣列基板中，公共電極2和柵線I可以是最先形成的，二者之間沒有絕緣層，因此柵線I通常符合以上第一引線的條件。相應(yīng)的，通常柵線I是沿行方向延伸的，故之間有第一引線的相鄰像素就是相鄰行的像素，之間有第一引線的相鄰公共電極2就是相鄰行像素中的公共電極2。下面就以此為例詳細(xì)介紹本實(shí)施例。
[0039]當(dāng)然，當(dāng)?shù)谝灰€為柵線I時(shí)，相鄰列像素之間通常設(shè)置的是數(shù)據(jù)線，而數(shù)據(jù)線與公共電極2間通常具有柵絕緣層81等絕緣層，故同行的相鄰像素中的公共電極2可直接連為一體以提高信號(hào)均一性，在此不再詳細(xì)描述。
[0040]同時(shí)，在每?jī)蓚€(gè)相鄰行中具有多“對(duì)”在列方向上相鄰的像素，在這多對(duì)相鄰像素中，可以是每對(duì)相鄰像素的公共電極2均通過以上連接部3電連接，或者，也可以是只有部分相鄰像素之間電連接，在此不再詳細(xì)描述。
[0041]在本實(shí)施例中，連接部3與公共電極2同層設(shè)置;柵線I在連接部3處斷開，斷開處兩側(cè)的柵線I通過與連接部3交叉的連接橋5電連接;連接橋5與連接部3之間設(shè)有第一絕緣層。
[0042]如圖2所示，根據(jù)本實(shí)施例的方式，連接部3是與公共電極2同層設(shè)置的，即相鄰行的公共電極2中，有至少部分通過同層的透明導(dǎo)電材料(如氧化銦錫)直接相連。其中，為了清楚表示電極等其它結(jié)構(gòu)，故在圖2中，并未示出柵絕緣層81、鈍化層82等基本完整的絕緣層結(jié)構(gòu)。
[0043]顯然，按照這樣的方式，連接部3需要穿過柵線I所在位置，為此，柵線I應(yīng)在連接部3處斷開，并通過跨越連接部3的連接橋5實(shí)現(xiàn)斷開處兩側(cè)柵線I的電連接，當(dāng)然，該連接橋5與連接部3之間應(yīng)設(shè)有第一絕緣層以保證二者絕緣。具體的，連接橋5可通過第一絕緣層中的過孔與柵線相連，或者，也可以是在柵線I上方?jīng)]有第一絕緣層。
[0044]可見，通過以上的方式可實(shí)現(xiàn)相鄰行公共電極2的電連接，從而提高公共電極2的信號(hào)均一性，改善顯示效果。
[0045]進(jìn)一步的，若不采用本實(shí)施例的方式，而是使柵線I為一體，相鄰行公共電極2間通過橋接的方式連接(即連接部為連接橋的形式)，則此時(shí)的連接部(連接橋)與像素中的公共電極2必然要通過過孔相連，而該過孔處處不能設(shè)有像素電極4，故過孔附近的電場(chǎng)不能用于驅(qū)動(dòng)液晶；同時(shí)，過孔的存在還會(huì)導(dǎo)致配向液的流動(dòng)不均，影響配向膜的均勻性?？傊?，該方式會(huì)導(dǎo)致過孔處無法正常顯示，需增加相應(yīng)的黑矩陣，這就降低了開口率；同時(shí)，如果在相鄰行中只有部分像素通過連接部3電連接，則也只有這些相連的像素中才設(shè)有過孔，這還會(huì)造成各像素的結(jié)構(gòu)不同，從而降低顯示的均勻性。
[0046]而根據(jù)本實(shí)施例的方案，如圖1、圖3所示，連接橋5(包括相應(yīng)過孔)是位于柵線I處的，而柵線I處并不進(jìn)行顯示，故即使該位置存在連接橋5、過孔等，對(duì)顯示效果也無影響。相應(yīng)的，此時(shí)不論公共電極是否電連接，各像素中均無過孔存在，故其開口率不會(huì)降低，顯示效果不受影響。也就是說，本實(shí)施例的陣列基板在保證不降低開口率的情況下實(shí)現(xiàn)了公共電極的電連接。
[0047]優(yōu)選的，連接部3遠(yuǎn)離或靠近基底9的一側(cè)設(shè)有第一輔助導(dǎo)電層61，第一輔助導(dǎo)電層61與柵線I同層設(shè)置。
[0048]也就是說，如圖2、圖3所示，可在連接部3的位置將柵線I所在層的金屬材料保留下來，由于連接部3是與公共電極2同層設(shè)置的，而公共電極2所在層與柵線I所在層間并無絕緣層，故以上金屬材料必然與連接部3接觸，并位于連接部3—側(cè)(本實(shí)施例中以其位于連接部3上方為例)，從而其可作為增強(qiáng)連接部3導(dǎo)電性的第一輔助導(dǎo)電層61。
[0049]優(yōu)選的，每個(gè)像素中，在逐漸遠(yuǎn)離基底9的方向上依次設(shè)有公共電極2，第一絕緣層、像素電極4;其中，連接橋5與像素電極4同層設(shè)置。
[0050]也就是說，本實(shí)施例的陣列基板中，優(yōu)選采取公共電極2位于像素電極4下方的方式。相應(yīng)的，其公共電極2為板狀，而像素電極4具有狹縫41;而以上第一絕緣層則可包括柵絕緣層81和鈍化層82。在這種情況下，用于連接?xùn)啪€I的連接橋5可與像素電極4同層設(shè)置，從而連接橋5不需要使用單獨(dú)的步驟制造，可簡(jiǎn)化制備工藝。
[0051]具體的，下面提供一種以上陣列基板的制備方法，其包括以下步驟:
[0052]S201、在基底9上通過構(gòu)圖工藝形成包括公共電極2和連接部3的圖形。
[0053]S202、通過構(gòu)圖工藝形成包括柵線1、薄膜晶體管的柵極、第一輔助導(dǎo)電層61的圖形。
[0054]S203、形成柵絕緣層81。
[0055]S204、通過構(gòu)圖工藝形成包括薄膜晶體管的有源區(qū)的圖形。
[0056]S205、通過構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管的源極、薄膜晶體管的漏極的圖形。
[0057]S206、形成鈍化層82，并通過構(gòu)圖工藝在鈍化層82和柵絕緣層81( 二者共同為第一絕緣層)中形成用于將連接橋5與柵線I連接的過孔。
[0058]S207、通過構(gòu)圖工藝形成包括像素電極4和連接橋5的圖形。
[0059]可見，以上制備工藝包括6次構(gòu)圖(Mask)，即本實(shí)施例的陣列基板可采用與常規(guī)陣列基板相同的6Mask工藝制備，而并不用新增步驟或明顯改變現(xiàn)有的工藝流程，其方法簡(jiǎn)單，易實(shí)現(xiàn)。
[0060]實(shí)施例3:
[0061]如圖4至圖6所示，本實(shí)施例提供一種陣列基板，其包括基底9并具有多個(gè)像素，每個(gè)像素中設(shè)有公共電極2，部分相鄰像素的公共電極2間設(shè)有第一引線，第一引線所在層與公共電極2所在層之間無絕緣層，且，
[0062]至少部分之間設(shè)有第一引線的相鄰的公共電極2通過連接部3電連接，連接部3與第一引線絕緣。
[0063]該陣列基板分為多個(gè)像素，每個(gè)像素中均具有公共電極2，由此其為ADS模式的陣列基板。其中，部分相鄰像素(如相鄰行像素)之間設(shè)有第一引線(如柵線I)，且第一引線與公共電極2之間沒有絕緣層。該基板中使用連接部3將之間有第一引線的相鄰公共電極2電連接，該連接部3與第一引線保持絕緣。
[0064]優(yōu)選的，以上第一引線為柵線I。
[0065]在ADS模式的陣列基板中，公共電極2和柵線I可以是最先形成的，二者之間沒有絕緣層，因此柵線I通常符合以上第一引線的條件。相應(yīng)的，通常柵線I是沿行方向延伸的，故之間有第一引線的相鄰像素就是相鄰行的像素，之間有第一引線的相鄰公共電極2就是相鄰行像素中的公共電極2。下面就以此為例詳細(xì)介紹本實(shí)施例。
[0066]當(dāng)然，當(dāng)?shù)谝灰€為柵線I時(shí)，相鄰列像素之間通常設(shè)置的是數(shù)據(jù)線，而數(shù)據(jù)線與公共電極2間通常具有柵絕緣層81等絕緣層，故同行的相鄰像素中的公共電極2可直接連為一體以提高信號(hào)均一性，在此不再詳細(xì)描述。
[0067]同時(shí)，在每?jī)蓚€(gè)相鄰行中具有多“對(duì)”在列方向上相鄰的像素，在這多對(duì)相鄰像素中，可以是每對(duì)相鄰像素的公共電極2均通過以上連接部3電連接，或者，也可以是只有部分相鄰像素之間電連接，在此不再詳細(xì)描述。
[0068]在本實(shí)施例中，每個(gè)像素中在逐漸遠(yuǎn)離基底9的方向上依次設(shè)有公共電極2，第二絕緣層、像素電極4，像素電極4具有狹縫41;其中，
[0069]連接部3位于第二絕緣層遠(yuǎn)離基底9的一側(cè)，且其兩端部分別通過第二絕緣層中的過孔與兩個(gè)公共電極2電連接；
[0070]連接部3的端部朝向其所在像素中的像素電極4的狹縫41的邊緣為第一邊，像素電極4與第一邊相對(duì)的邊緣為第二邊，第一邊和第二邊均與該像素電極4的狹縫41平行。
[0071]如圖4、圖5所示，本實(shí)施例的陣列基板中，相鄰行中的公共電極2是通過連接部3以橋接方式實(shí)現(xiàn)電連接的，該連接部3與柵線I間具有第二絕緣層，故其雖然與柵線I交疊但相互絕緣，從而可實(shí)現(xiàn)公共電極2的電連接，提高公共電極2信號(hào)的均一性，改善顯示效果。其中，為了清楚表示電極等其它結(jié)構(gòu)，故在圖4中，并未示出柵絕緣層81、鈍化層82等基本完整的絕緣層結(jié)構(gòu)。
[0072]在本實(shí)施例的陣列基板中，采取的是公共電極2在下而像素電極4在上的方式，由此公共電極2為板狀電極，像素電極4則具有狹縫41，且公共電極2與像素電極4間通過第二絕緣層(可包括柵絕緣層81、鈍化層82等)隔開。由于此時(shí)連接部3位于第二絕緣層上方，而公共電極2位于第二絕緣層下方，故連接部3需通過第二絕緣層中的過孔與公共電極2連接。
[0073]而如圖4所示，連接部3在過孔處朝向像素電極4的狹縫41的邊，以及像素電極4的對(duì)應(yīng)的邊，均為平行于像素電極4中的狹縫41的斜邊形式。顯然，過孔處是沒有像素電極4的，因此該位置不能產(chǎn)生用于驅(qū)動(dòng)液晶的電場(chǎng)，不能實(shí)現(xiàn)顯示，需要用黑矩陣覆蓋;而且，過孔周圍的電場(chǎng)也與像素電極4所在位置(即具有狹縫41的位置)的電場(chǎng)情況不同，故在過孔周圍也容易造成漏光現(xiàn)象。而本實(shí)施例的陣列基板中，在過孔處，像素電極4邊緣和連接部3邊緣均平行于狹縫41，從而形成近似于狹縫41的結(jié)構(gòu)和電場(chǎng)，使能用于驅(qū)動(dòng)液晶的電場(chǎng)范圍擴(kuò)大，從而減少了漏光，提高了開口率。
[0074]優(yōu)選的，連接部3與像素電極4同層設(shè)置。
[0075]也就是說，如圖4、圖5所示，可用與像素電極4同層的透明導(dǎo)電材料(如氧化銦錫)形成連接部3，從而其不用增加單獨(dú)的形成連接部3的步驟，工藝簡(jiǎn)單。
[0076]更優(yōu)選的，柵線I所在層比公共電極2所在層更遠(yuǎn)離基底9，連接部3的端部與公共電極2間還設(shè)有第二輔助導(dǎo)電層62，第二輔助導(dǎo)電層62與柵線I同層設(shè)置。
[0077]也就是說，如圖5所示，若柵線I比公共電極2更遠(yuǎn)離基底9，則在以上過孔處，可保留部分與柵線I同層的金屬作為第二輔助導(dǎo)電層62(該層當(dāng)然位于公共電極2和第二絕緣層之間)。相應(yīng)的，以上連接部3與公共電極2分別與第二輔助導(dǎo)電層62電連接，從而間接的實(shí)現(xiàn)二者間的電連接。以上方式避免了透明導(dǎo)電材料間的直接接觸，而將其變?yōu)榻饘倥c透明導(dǎo)電材料的接觸，從而降低了歐姆電阻，提高了導(dǎo)電性。同時(shí)，由于第二輔助導(dǎo)電層62是與柵線I同層的，故其不需要增加單獨(dú)的形成步驟，工藝簡(jiǎn)單。
[0078]更優(yōu)選的，第二輔助導(dǎo)電層62在基底9上的正投影與像素電極4在基底9上的正投影無重疊。
[0079]也就是說，如圖4、圖5所示，以上第二輔助導(dǎo)電層62應(yīng)當(dāng)“較小”，僅設(shè)在沒有像素電極4的位置，從而避免其對(duì)像素電極4中的信號(hào)產(chǎn)生影響。
[0080]圖6為通過模擬計(jì)算得到的陣列基板局部的漏光分布圖，圖中淺色的部分為漏光。可見，當(dāng)采用以上圖X結(jié)構(gòu)的連接部3時(shí)，在過孔處并不會(huì)產(chǎn)生漏光。這表明本實(shí)施例的陣列基板除了能提高公共電極2的信號(hào)均一性，改善顯示效果外，也不會(huì)引起額外的漏光問題。
[0081]具體的，下面提供一種以上陣列基板的制備方法，其包括以下步驟:
[0082]S301、通過構(gòu)圖工藝形成包括公共電極2的圖形。
[0083]S302、通過構(gòu)圖工藝形成包括柵線1、薄膜晶體管的柵極、第二輔助導(dǎo)電層62的圖形。
[0084]S303、形成柵絕緣層81。
[0085]S304、通過構(gòu)圖工藝形成包括薄膜晶體管的有源區(qū)的圖形。
[0086]S305、通過構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管的源極、薄膜晶體管的漏極的圖形。
[0087]S306、形成鈍化層82，并通過構(gòu)圖工藝在鈍化層82和柵絕緣層81( 二者共同為第二絕緣層)中形成用于將連接部3與柵線I連接的過孔。
[0088]S307、通過構(gòu)圖工藝形成包括像素電極4和連接部3的圖形。
[0089]可見，以上制備工藝包括6次構(gòu)圖(Mask)，即本實(shí)施例的陣列基板可采用與常規(guī)陣列基板相同的6Mask工藝制備，而并不用新增步驟或明顯改變現(xiàn)有的工藝流程，其方法簡(jiǎn)單，易實(shí)現(xiàn)。
[0090]實(shí)施例4:
[0091]本實(shí)施例提供一種顯示裝置，其包括上述任意一種陣列基板。
[0092]具體的，該顯示裝置可為液晶顯示面板、電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0093]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，包括基底并具有多個(gè)像素，每個(gè)所述像素中設(shè)有公共電極，部分相鄰像素的公共電極間設(shè)有第一引線，所述第一引線所在層與公共電極所在層之間無絕緣層，特征在于， 至少部分之間設(shè)有第一引線的相鄰的公共電極通過連接部電連接，所述連接部與第一引線絕緣。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述連接部與公共電極同層設(shè)置； 所述第一引線在連接部處斷開，斷開處兩側(cè)的第一引線通過與連接部交叉的連接橋電連接； 所述連接橋與連接部之間設(shè)有第一絕緣層。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，每個(gè)所述像素中，在逐漸遠(yuǎn)離所述基底的方向上依次設(shè)有所述公共電極，第一絕緣層、像素電極;其中， 所述連接橋與像素電極同層設(shè)置。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于， 所述連接部遠(yuǎn)離或靠近基底的一側(cè)設(shè)有第一輔助導(dǎo)電層，所述第一輔助導(dǎo)電層與第一引線同層設(shè)置。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，每個(gè)所述像素中，在逐漸遠(yuǎn)離所述基底的方向上依次設(shè)有所述公共電極，第二絕緣層、像素電極，所述像素電極具有狹縫;其中， 所述連接部位于第二絕緣層遠(yuǎn)離基底的一側(cè)，且其兩端部分別通過第二絕緣層中的過孔與兩個(gè)公共電極電連接； 所述連接部的端部朝向其所在像素中的像素電極的狹縫的邊緣為第一邊，像素電極與所述第一邊相對(duì)的邊緣為第二邊，所述第一邊和第二邊均與該像素電極的狹縫平行。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于， 所述連接部與像素電極同層設(shè)置。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于， 所述第一引線所在層比公共電極所在層更遠(yuǎn)離基底，所述連接部的端部與公共電極間還設(shè)有第二輔助導(dǎo)電層，所述第二輔助導(dǎo)電層與第一引線同層設(shè)置。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于， 所述第二輔助導(dǎo)電層在基底上的正投影與像素電極在基底上的正投影無重疊。9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于， 所述第一引線為柵線。10.一種顯示裝置，其特征在于，包括: 根據(jù)權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK106098709SQ201610694444
【公開日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年8月19日 公開號(hào)201610694444.9, CN 106098709 A, CN 106098709A, CN 201610694444, CN-A-106098709, CN106098709 A, CN106098709A, CN201610694444, CN201610694444.9
【發(fā)明人】王小元, 王武, 方琰, 郭建東, 金在光, 尚飛
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 重慶京東方光電科技有限公司