顯示面板及其制造方法、顯示器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種顯示面板及其制造方法、顯示器，該顯示面板包括相對設(shè)置的第一基板和第二基板、設(shè)置在第一基板上且依次沿靠近第二基板的方向設(shè)置的黑色矩陣、多晶硅層、柵極層、漏源層，黑色矩陣遮擋由第一基板射入且射向多晶硅層的環(huán)境光，柵極層、漏源層共同遮擋由第二基板射入且射向多晶硅層的背光。本發(fā)明還公開了一種顯示面板的制造方法和顯示器。通過上述方式，本發(fā)明能夠簡化顯示面板的制造工藝。
【專利說明】
顯示面板及其制造方法、顯示器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種顯示面板及其制造方法、顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，隨著液晶顯示器的廣泛應(yīng)用，高分辨率成為發(fā)展趨勢。
[0003]為了提升高分辨率像素下的開口率，開發(fā)和使用了LTPS(Low Temperature Poly-silicon, 低溫多晶硅)工藝，然而LTPS工藝復(fù)雜，在為了確保LTPS TFT性能的前提下通常需要10?12道光罩，再加上CF側(cè)的光罩，使得LTPS顯示面板的工藝更加的復(fù)雜/光罩繁多。
[0004]因此，需要提供一種顯示面板及其制造方法、顯示器，以解決上述技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種顯示面板及其制造方法、顯示器，能夠簡化顯示面板的制造工藝。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是:提供一種顯示面板，顯示面板包括相對設(shè)置的第一基板和第二基板、設(shè)置在第一基板上且依次沿靠近第二基板的方向設(shè)置的黑色矩陣、多晶硅層、柵極層、漏源層，黑色矩陣遮擋由第一基板射入且射向多晶硅層的環(huán)境光，柵極層、漏源層共同遮擋由第二基板射入且射向多晶硅層的背光。
[0007]其中，顯示面板還包括設(shè)置在漏源層靠近第二基板一側(cè)的色阻層，色阻層將漏源層平坦化。
[0008]其中，顯示面板還包括設(shè)置在漏源層靠近第二基板一側(cè)的色阻層和設(shè)置在色阻層靠近第二基板的表面上的平坦化層，色阻層和平坦化層共同將漏源層平坦化。
[0009]其中，顯示面板還包括緩沖層、柵極絕緣層以及層間介質(zhì)層，緩沖層設(shè)置在黑色矩陣和第一基板上，多晶硅層設(shè)置在緩沖層上，柵極絕緣層設(shè)置在多晶硅層和緩沖層上，柵極層設(shè)置在柵極絕緣層上，層間介質(zhì)層設(shè)置在柵極層和柵極絕緣層上，漏源層設(shè)置在層間介質(zhì)層上且通過設(shè)置在層間介質(zhì)層上的過孔與多晶硅層導(dǎo)通。
[0010]其中，顯示面板還包括設(shè)置于色阻層上的公共電極層、設(shè)置在色阻層和公共電極層上的絕緣層以及設(shè)置在絕緣層上的像素電極，像素電極通過設(shè)置在絕緣層上的過孔與漏源層導(dǎo)通。
[0011]其中，顯示面板還包括設(shè)置于平坦化層上的公共電極層、設(shè)置在平坦化層和公共電極層上的絕緣層以及設(shè)置在絕緣層上的像素電極，像素電極通過設(shè)置在絕緣層上的過孔與漏源層導(dǎo)通。
[0012]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個技術(shù)方案是:提供一種顯示面板的制造方法，該制造方法包括:使黑色矩陣、多晶硅層、柵極層、漏源層依次沿遠(yuǎn)離第一基板的方向設(shè)置在第一基板上；第一基板和第二基板進(jìn)行對組形成顯示面板，以使黑色矩陣遮擋由第一基板射入且射向多晶硅層的環(huán)境光，柵極層、漏源層共同遮擋由第二基板射入且射向多晶硅層的背光。
[0013]其中，使黑色矩陣、多晶硅層、柵極層、漏源層依次沿遠(yuǎn)離第一基板的方向設(shè)置在第一基板上之后還包括:在漏源層靠近第二基板一側(cè)形成色阻層，以使色阻層將漏源層平坦化;或者，使黑色矩陣、多晶硅層、柵極層、漏源層依次沿遠(yuǎn)離第一基板的方向設(shè)置在第一基板上之后還包括:在漏源層靠近第二基板一側(cè)形成色阻層;在色阻層靠近第二基板的表面上形成平坦化層。
[0014]其中，使黑色矩陣、多晶硅層、柵極層、漏源層依次沿遠(yuǎn)離第一基板的方向設(shè)置在第一基板上之后還包括:在漏源層靠近第二基板一側(cè)形成包括部分色阻的色阻層，并預(yù)留剩余色阻的間隙；在間隙中填滿剩余色阻的材料，并使剩余色阻的材料鋪在色阻層上;將色阻層上的剩余色阻材料刮平并使剩余色阻材料成型，以形成剩余色阻和由色阻層上的剩余色阻材料成型形成的平坦化層;蝕刻保留預(yù)定位置的平坦化層。
[0015]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的又一個技術(shù)方案是:提供一種顯示器，該顯示器包括上述的顯示面板和用于為顯示面板提供背光的背光模組。
[0016]本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明的顯示面板包括相對設(shè)置的第一基板和第二基板、設(shè)置在第一基板上且依次沿靠近第二基板的方向設(shè)置的黑色矩陣、多晶硅層、柵極層、漏源層，黑色矩陣遮擋由第一基板射入且射向多晶硅層的環(huán)境光，柵極層、漏源層共同遮擋由第二基板射入且射向多晶硅層的背光，通過上述方式，本發(fā)明通過黑色矩陣遮擋環(huán)境光線，同時通過漏源層和柵極層遮擋背光光線的功能，省去了原本用來遮擋環(huán)境光的Shield(遮擋)層的制程。
【附圖說明】
[0017]圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2是本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖3是本發(fā)明顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖4是本發(fā)明顯示面板制造方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0022I請參閱圖1，圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。在本實(shí)施例中，顯示面板包括相對設(shè)置的第一基板11和第二基板12、夾持在第一基板11和第二基板12之間的液晶層13、設(shè)置在第一基板11上且依次沿靠近第二基板12的方向設(shè)置的黑色矩陣14、多晶娃層15、柵極層16、漏源層17。
[0023]黑色矩陣15遮擋由第一基板11射入且射向多晶硅層15的環(huán)境光，柵極層16、漏源層17共同遮擋由第二基板12射入且射向多晶硅層15的背光。也就是說，黑色矩陣15在多晶硅層15所在平面的垂直投影覆蓋多晶硅層15，柵極層16、漏源層17在多晶硅層15所在平面的垂直投影覆蓋多晶硅層15。
[0024]優(yōu)選地，黑色矩陣14可以采用Cr(鉻金屬)等能呈現(xiàn)黑色或者其他期望顏色的金屬以及金屬化合物制作，以便該黑色矩陣14能夠經(jīng)受后續(xù)高溫工藝。
[0025]由于黑色矩陣14遮擋由第一基板11射入且射向多晶硅層15的環(huán)境光，柵極層16、漏源層17共同遮擋由第二基板12射入且射向多晶硅層15的背光，因此可以省去一道遮擋層的制程。
[0026]優(yōu)選地，顯示面板還包括設(shè)置在漏源層17靠近第二基板12—側(cè)的色阻層18，色阻層18將漏源層17平坦化。由于色阻層18起到了將漏源層17平坦化的作用因此不需要另外設(shè)置在漏源層17上設(shè)置平坦化層，因此可以省去一道平坦化層的制程。
[0027]優(yōu)選地，在本實(shí)施例中，顯示面板還包括緩沖層19、柵極絕緣層20以及層間介質(zhì)層21。緩沖層19設(shè)置在黑色矩陣15和第一基板11上，多晶硅層15設(shè)置在緩沖層19上，柵極絕緣層20設(shè)置在多晶硅層15和緩沖層19上，柵極層16設(shè)置在柵極絕緣層20上，層間介質(zhì)層21設(shè)置在柵極層16和柵極絕緣層20上，漏源層17設(shè)置在層間介質(zhì)層21上且通過設(shè)置在層間介質(zhì)層21上的過孔與多晶硅層15導(dǎo)通。
[0028]優(yōu)選地，顯示面板還包括設(shè)置于色阻層18上的公共電極層22、設(shè)置在色阻層18和公共電極層22上的絕緣層23以及設(shè)置在絕緣層23上的像素電極24，像素電極24通過設(shè)置在絕緣層23上的過孔與漏源層17導(dǎo)通。
[0029]優(yōu)選地，緩沖層19包括層疊的氮化硅(SiNx)層191和氧化硅(S1x)層192。更為優(yōu)選地，氮化硅層191設(shè)置在黑色矩陣15和第一基板11上。氧化硅層192設(shè)置在氮化硅層191上。在其他實(shí)施例中，可以將氮化硅層191的位置與氧化硅層192進(jìn)行調(diào)換，即氧化硅層192設(shè)置在黑色矩陣15和第一基板11上。氮化硅層191設(shè)置在氧化硅層192上。
[0030]優(yōu)選地，層間介質(zhì)層21包括層疊的氧化硅層211和氮化硅層212。更為優(yōu)選地，氧化硅層211設(shè)置在柵極層16和柵極絕緣層20上，氮化硅層212設(shè)置在氧化硅層211上。在其他實(shí)施例中，氧化硅層211和氮化硅層212的位置也可以調(diào)換，即氮化硅層212設(shè)置在柵極層16和柵極絕緣層20上，氧化硅層211設(shè)置在氮化硅層212上。
[0031]優(yōu)選地，第二基板12靠近第一基板11一側(cè)表面上設(shè)置有隔離層25。隔離層25可以是SiNx(氮化硅)、S10x(氧化硅)或者樹脂平坦化層等材料或者其中任意幾種的組合多層結(jié)構(gòu)。
[0032]優(yōu)選地，第二基板12靠近第一基板11的表面上設(shè)置有支撐柱26;或者在其他實(shí)施例中，隔離層25靠近第一基板11的表面上設(shè)置有支撐柱(圖未示)；或者第一基板11上設(shè)置有支撐柱(圖未示)，支撐柱26的一部分為第一基板11上的膜層蝕刻或顯影時保留的部分形成。
[0033I請參閱圖2，圖2是本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。在本實(shí)施例中，顯示面板包括相對設(shè)置的第一基板31和第二基板32、夾持在第一基板31和第二基板32之間的液晶層33、設(shè)置在第一基板31上且依次沿靠近第二基板32的方向設(shè)置的黑色矩陣34、多晶娃層35、柵極層36、漏源層37。
[0034]黑色矩陣34遮擋由第一基板31射入且射向多晶硅層35的環(huán)境光，柵極層36、漏源層37共同遮擋由第二基板32射入且射向多晶硅層35的背光。也就是說，黑色矩陣35在多晶硅層35所在平面的垂直投影覆蓋多晶硅層35，柵極層36、漏源層37在多晶硅層35所在平面的垂直投影覆蓋多晶硅35。
[0035]優(yōu)選地，黑色矩陣34可以采用Cr(鉻金屬)等能呈現(xiàn)黑色或者其他期望顏色的金屬以及金屬化合物制作，以便該黑色矩陣34能夠經(jīng)受后續(xù)高溫工藝。
[0036]由于黑色矩陣34遮擋由第一基板31射入且射向多晶硅層35的環(huán)境光，柵極層36、漏源層37共同遮擋由第二基板32射入且射向多晶硅層35的背光，因此可以省去一道遮擋層的制程。
[0037]優(yōu)選地，顯示面板還包括設(shè)置在漏源層37靠近第二基板32—側(cè)的色阻層38和設(shè)置在色阻層38靠近第二基板32的表面上的平坦化層47，色阻層38和平坦化層47共同將漏源層37平坦化。
[0038]值得注意的是，由于色阻層38和平坦化層47共同起到了將漏源層47平坦化的作用，平坦化層47可以設(shè)置的更薄節(jié)省了平坦化層47的材料。例如可以在形成色阻層38之后再在色阻層上形成薄型的平坦化層47?；蛘呃?，在RGBW顯示模式中，在制作完RGB色阻后預(yù)留W色阻的間隙，然后利用旋涂法或者Slit(狹縫)噴涂一刮平法在預(yù)留的W色阻的間隙中制作W色阻，并且利用高出RGB色阻的W色阻材料刮平形成薄型的平坦化層47，即可以用W色阻的材料充當(dāng)平坦化層47。
[0039]優(yōu)選地，在本實(shí)施例中，顯示面板還包括緩沖層39、柵極絕緣層40以及層間介質(zhì)層41。緩沖層39設(shè)置在黑色矩陣35和第一基板31上，多晶硅層35設(shè)置在緩沖層39上，柵極絕緣層40設(shè)置在多晶硅層35和緩沖層39上，柵極層36設(shè)置在柵極絕緣層40上，層間介質(zhì)層41設(shè)置在柵極層36和柵極絕緣層40上，漏源層37設(shè)置在層間介質(zhì)層41上且通過設(shè)置在層間介質(zhì)層41上的過孔與多晶硅層35導(dǎo)通。
[0040]優(yōu)選地，顯示面板還包括設(shè)置于平坦化層47上的公共電極層42、設(shè)置在平坦化層47和公共電極層42上的絕緣層43以及設(shè)置在絕緣層43上的像素電極44，像素電極44通過設(shè)置在絕緣層43上的過孔與漏源層37導(dǎo)通。
[0041 ] 優(yōu)選地，緩沖層39包括層疊的氮化硅(SiNx)層391和氧化硅(S1x)層392。更為優(yōu)選地，氮化硅層391設(shè)置在黑色矩陣35和第一基板31上。氧化硅層392設(shè)置在氮化硅層391上。在其他實(shí)施例中，可以將氮化硅層391的位置與氧化硅層392進(jìn)行調(diào)換，即氧化硅層392設(shè)置在黑色矩陣35和第一基板31上。氮化硅層391設(shè)置在氧化硅層392上。
[0042]優(yōu)選地，層間介質(zhì)層41包括層疊的氧化硅層411和氮化硅層412。更為優(yōu)選地，氧化硅層411設(shè)置在柵極層36和柵極絕緣層40上，氮化硅層412設(shè)置在氧化硅層411上。在其他實(shí)施例中，氧化硅層411和氮化硅層412的位置也可以調(diào)換，即氮化硅層412設(shè)置在柵極層36和柵極絕緣層40上，氧化硅層411設(shè)置在氮化硅層412上。
[0043]優(yōu)選地，第二基板32靠近第一基板31—側(cè)表面上設(shè)置有隔離層45。隔離層45可以是SiNx(氮化硅)、S10x(氧化硅)或者樹脂平坦化層等材料或者其中任意幾種的組合多層結(jié)構(gòu)。
[0044]優(yōu)選地，第二基板32靠近第一基板31的表面上設(shè)置有支撐柱46;或者在其他實(shí)施例中，隔離層45靠近第一基板31的表面上設(shè)置有支撐柱(圖未示)；或者第一基板31上設(shè)置有支撐柱(圖未示)，支撐柱46的一部分為第一基板31上的膜層蝕刻或顯影時保留的部分形成。
[0045]應(yīng)理解，本發(fā)明第一實(shí)施例和第二實(shí)施例的顯示面板中示意了FFS顯示模式中像素的局部結(jié)構(gòu)，顯示面板像素其他部位結(jié)構(gòu)可以與圖示有差異。本提案示意FFS(邊緣場開關(guān))顯示模式的像素局部結(jié)構(gòu)，本發(fā)明精神還適用于其他顯示模式的像素結(jié)構(gòu)，例如VAmode(垂直配向模式)、TN mode(扭曲向列型)等。
[0046]請參閱圖3，圖3是本發(fā)明顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖。在本實(shí)施例中，顯示器包括顯示面板51和用于為顯示面板51提供背光的背光模組52。顯示面板51為上述任意一實(shí)施例中描述的顯示面板51。圖3中以第一實(shí)施例的顯示面板為例，但是在其他實(shí)施例中也可以是上述的任意一個實(shí)施例中所描述的顯示面板，優(yōu)選地，圖1中所示的第一基板11為TOP基板(上基板)，第二基板12為BOTTOM基板(下基板)。圖2中所示的第一基板31為TOP基板，第二基板32為BOTTOM基板。圖1和圖2中顯示面板均為倒置。
[0047]請參閱圖4，圖4是本發(fā)明的顯示面板制造方法的流程圖。在本實(shí)施例中，顯示面板的制造方法包括以下步驟:
[0048]步驟Sll:使黑色矩陣、多晶硅層、柵極層、漏源層依次沿遠(yuǎn)離第一基板的方向設(shè)置在第一基板上。
[0049]在步驟Sll中，具體的可以包括以下步驟，在第一基板上形成黑色矩陣；在黑色矩陣和第一基板上形成緩沖層;在緩沖層上形成多晶硅層;在多晶硅層和緩沖層上形成柵極絕緣層;在柵極絕緣層上形成柵極層;在柵極層和柵極絕緣層上形成層間介質(zhì)層;在所述層間介質(zhì)層上設(shè)置漏源層并在層間介質(zhì)層上形成過孔以使漏源層和多晶硅層導(dǎo)通。其中，優(yōu)選地，在黑色矩陣和第一基板上形成緩沖層包括:在黑色矩陣和第一基板上形成氮化硅層，在氮化硅層上形成氧化硅層。其中，優(yōu)選地，在柵極層和柵極絕緣層上形成層間介質(zhì)層包括:在柵極層和柵極絕緣層上形成氧化硅層，在氧化硅層上形成氮化硅層。以上是FFS顯示模式中的膜層結(jié)構(gòu)，其他顯示模式的膜層結(jié)構(gòu)可以有所區(qū)別，例如VA mode(垂直配向模式)、TN mode(扭曲向列型)可以為其他的膜層結(jié)構(gòu)。
[0050]步驟S12:第一基板和第二基板進(jìn)行對組形成顯示面板，以使黑色矩陣遮擋由第一基板射入且射向多晶硅層的環(huán)境光，柵極層、漏源層共同遮擋由第二基板射入且射向多晶娃層的背光。
[0051]上述的制造方法中，黑色矩陣在多晶硅層所在平面的垂直投影覆蓋多晶硅層，柵極層、漏源層在多晶硅層所在平面的垂直投影覆蓋多晶硅層。由于黑色矩陣遮擋由第一基板射入且射向多晶硅層的環(huán)境光，柵極層、漏源層共同遮擋由第二基板射入且射向多晶硅層的背光，因此可以省去一道遮擋層的制程。
[0052]進(jìn)一步地，在第一種情況下，在步驟SI I之后還可以包括以下步驟:在漏源層靠近第二基板一側(cè)形成色阻層，以使色阻層將漏源層平坦化;在色阻層上形成公共電極層;在色阻層和公共電極層上形成絕緣層;在絕緣層上形成像素電極。在這種情況下可以在省去一道遮擋層制程的情況進(jìn)一步省去一層平坦化層的制程，由色阻層充當(dāng)平坦化層的作用。
[0053]在第二種情況下，在步驟Sll之后還可以包括:在漏源層靠近第二基板一側(cè)形成色阻層;在色阻層靠近第二基板的表面上形成平坦化層;在平坦化層上形成公共電極層;在色阻層和公共電極層上形成絕緣層;在絕緣層上形成像素電極。在這種情況下可以在省去一道遮擋層制程的情況下進(jìn)一步節(jié)省平坦化層的材料，只需要在色阻層上形成薄型的平坦化層即可。
[0054]在第三種情況下，在步驟Sll之后還可以包括:在漏源層靠近第二基板一側(cè)形成包括部分色阻的色阻層，并預(yù)留剩余色阻的間隙；在間隙中填滿剩余色阻的材料，并使剩余色阻的材料鋪在色阻層上；將色阻層上的剩余色阻材料刮平并使剩余色阻材料成型，以形成剩余色阻和由色阻層上的剩余色阻材料成型形成的平坦化層;蝕刻保留預(yù)定位置的平坦化層;在平坦化層上形成公共電極層;在色阻層和公共電極層上形成絕緣層;在絕緣層上形成像素電極。在這種情況下可以在省去一道遮擋層制程的情況下進(jìn)一步節(jié)省平坦化層的材料，只需要在色阻層上形成薄型的平坦化層即可，還可以利用色阻層的材料來充當(dāng)平坦化層。
[0055]在第三種情況下，例如，在RGBW顯示模式中，在制作完RGB色阻后預(yù)留W色阻的間隙，然后利用旋涂法或者Slit(狹縫)噴涂一刮平法在預(yù)留的W色阻的間隙中制作W色阻，并且利用高出RGB色阻的W色阻材料刮平形成薄型的平坦化層，即可以用W色阻的材料充當(dāng)平坦化層。在第三種情況下，由于色阻層較厚，色阻層上的公共電極層、像素電極、絕緣層等較薄，因此，色阻層是否平坦對第一基板上的膜層是否平坦影響相對較大，公共電極層、像素電極、絕緣層是否平坦依賴于色阻層的平坦性，在絕緣層上形成像素電極后可以制作支撐柱。
[0056]優(yōu)選地，在步驟Sll之后還可以包括在第二基板上形成隔離層。隔離層45可以是SiNx(氮化硅)、S10x(氧化硅)或者樹脂平坦化層等材料或者其中任意幾種的組合多層結(jié)構(gòu)。
[0057]本發(fā)明的顯示面板包括相對設(shè)置的第一基板和第二基板、設(shè)置在第一基板上且依次沿靠近第二基板的方向設(shè)置的黑色矩陣、多晶硅層、柵極層、漏源層，黑色矩陣遮擋由第一基板射入且射向多晶硅層的環(huán)境光，柵極層、漏源層共同遮擋由第二基板射入且射向多晶硅層的背光，通過上述方式，本發(fā)明通過黑色矩陣遮擋環(huán)境光線，同時通過漏源層和柵極層遮擋背光光線的功能，省去了原本用來遮擋環(huán)境光的Shield(遮擋)層的制程，RGB、RGBW色阻層充當(dāng)TFT平坦層化層，可以節(jié)省平坦化層的制程。
[0058]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括相對設(shè)置的第一基板和第二基板、設(shè)置在第一基板上且依次沿靠近所述第二基板的方向設(shè)置的黑色矩陣、多晶硅層、柵極層、漏源層，所述黑色矩陣遮擋由所述第一基板射入且射向所述多晶硅層的環(huán)境光，所述柵極層、所述漏源層共同遮擋由所述第二基板射入且射向所述多晶硅層的背光。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括設(shè)置在所述漏源層靠近所述第二基板一側(cè)的色阻層，所述色阻層將所述漏源層平坦化。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括設(shè)置在所述漏源層靠近所述第二基板一側(cè)的色阻層和設(shè)置在所述色阻層靠近所述第二基板的表面上的平坦化層，所述色阻層和所述平坦化層共同將所述漏源層平坦化。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任意一項所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括緩沖層、柵極絕緣層以及層間介質(zhì)層，所述緩沖層設(shè)置在所述黑色矩陣和所述第一基板上，所述多晶硅層設(shè)置在所述緩沖層上，所述柵極絕緣層設(shè)置在所述多晶硅層和所述緩沖層上，所述柵極層設(shè)置在所述柵極絕緣層上，所述層間介質(zhì)層設(shè)置在所述柵極層和所述柵極絕緣層上，所述漏源層設(shè)置在所述層間介質(zhì)層上且通過設(shè)置在所述層間介質(zhì)層上的過孔與所述多晶娃層導(dǎo)通。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括設(shè)置于所述色阻層上的公共電極層、設(shè)置在所述色阻層和所述公共電極層上的絕緣層以及設(shè)置在所述絕緣層上的像素電極，所述像素電極通過設(shè)置在所述絕緣層上的過孔與所述漏源層導(dǎo)通。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括設(shè)置于所述平坦化層上的公共電極層、設(shè)置在所述平坦化層和所述公共電極層上的絕緣層以及設(shè)置在所述絕緣層上的像素電極，所述像素電極通過設(shè)置在所述絕緣層上的過孔與所述漏源層導(dǎo)通。7.—種顯示面板的制造方法，其特征在于，所述顯示面板的制造方法包括: 使黑色矩陣、多晶硅層、柵極層、漏源層依次沿遠(yuǎn)離第一基板的方向設(shè)置在所述第一基板上； 所述第一基板和第二基板進(jìn)行對組形成所述顯示面板，以使所述黑色矩陣遮擋由所述第一基板射入且射向所述多晶硅層的環(huán)境光，所述柵極層、所述漏源層共同遮擋由所述第二基板射入且射向所述多晶硅層的背光。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述使黑色矩陣、多晶硅層、柵極層、漏源層依次沿遠(yuǎn)離第一基板的方向設(shè)置在所述第一基板上之后還包括:在所述漏源層靠近所述第二基板一側(cè)形成色阻層，以使所述色阻層將所述漏源層平坦化； 或者， 所述使黑色矩陣、多晶硅層、柵極層、漏源層依次沿遠(yuǎn)離第一基板的方向設(shè)置在所述第一基板上之后還包括: 在所述漏源層靠近所述第二基板一側(cè)形成色阻層； 在所述色阻層靠近所述第二基板的表面上形成平坦化層。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述使黑色矩陣、多晶硅層、柵極層、漏源層依次沿遠(yuǎn)離第一基板的方向設(shè)置在所述第一基板上之后還包括: 在所述漏源層靠近所述第二基板一側(cè)形成包括部分色阻的色阻層，并預(yù)留剩余色阻的間隙； 在所述間隙中填滿剩余色阻的材料，并使所述剩余色阻的材料鋪在色阻層上； 將色阻層上的剩余色阻材料刮平并使所述剩余色阻材料成型，以形成所述剩余色阻和由所述色阻層上的剩余色阻材料成型形成的平坦化層； 蝕刻保留預(yù)定位置的所述平坦化層。10.—種顯示器，其特征在于，所述顯示器包括如權(quán)利要求1-6任意一項所述的顯示面板和用于為所述顯示面板提供背光的背光模組。
【文檔編號】H01L27/12GK106098703SQ201610512800
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年7月1日
【發(fā)明人】唐岳軍
【申請人】武漢華星光電技術(shù)有限公司