檢測(cè)電路結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種檢測(cè)電路結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]在薄膜晶體管液晶顯示器的制作過程中，為了檢測(cè)顯示區(qū)域的像素單元中各像素單元的子像素能否正常工作，需要在陣列基板的周邊區(qū)域制作檢測(cè)電路。
[0003]如圖1所示，陣列基板上的檢測(cè)電路一般包括在襯底基板上相互絕緣且橫縱交叉設(shè)置的多個(gè)待檢測(cè)走線I和多個(gè)信號(hào)通入走線2，其中所述信號(hào)通入走線2用于對(duì)所述待檢測(cè)走線I輸入檢測(cè)信號(hào)，且所述多個(gè)待檢測(cè)走線I與所述多個(gè)信號(hào)通入走線2在垂直于所述襯底基板的方向上具有重合區(qū)域3。
[0004]所述信號(hào)通入走線2與所述待檢測(cè)走線之間可以通過連接線4進(jìn)行連接，其中，所述連接線4的一端通過第一過孔11與所述待檢測(cè)走線I連接;所述連接線4的另一端在重合區(qū)域通過第二過孔21與所述信號(hào)通入走線2;且所述第二過孔21位于與所述第一過孔11距離最近的重合區(qū)域3。
[0005]這樣由于第一過孔11和第二過孔21距離較近，在制作連接線4時(shí)，例如，沉積氧化銦錫(ITO)作為連接線4時(shí)，ITO爬坡處膜質(zhì)差，有電流通過時(shí)，容易發(fā)生ITO燒斷的現(xiàn)象，導(dǎo)致檢測(cè)失效。具體的測(cè)試方法可以將信號(hào)源的針腳插入上述過孔處進(jìn)行檢測(cè)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]本實(shí)用新型的目的在于提供一種檢測(cè)電路結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示面板，能夠解決上述連接線(ITO)爬坡處膜質(zhì)差，易燒斷的現(xiàn)象。
[0007]本實(shí)用新型實(shí)施例中所提供的技術(shù)方案如下:
[0008]—種檢測(cè)電路結(jié)構(gòu)，包括在襯底基板上設(shè)置的多個(gè)待檢測(cè)走線和用于向所述待檢測(cè)走線輸入檢測(cè)信號(hào)的多個(gè)信號(hào)通入走線，多個(gè)待檢測(cè)走線和多個(gè)信號(hào)通入走線相互絕緣且交叉布置；
[0009]每一所述信號(hào)通入走線上包括斷開的至少兩個(gè)子走線，且每一所述信號(hào)通入走線的各子走線之間的斷開區(qū)域?qū)?yīng)有待檢測(cè)走線，每一所述信號(hào)通入走線上的各子走線之間通過連接線進(jìn)行連接，且各子走線之間的斷開區(qū)域所對(duì)應(yīng)的待檢測(cè)走線與所述連接線之間形成第一重合區(qū)域；
[0010]其中所述連接線的兩端分別通過第一過孔和第二過孔與所述信號(hào)通入走線連接，并通過第三過孔在所述第一重合區(qū)域與所述待檢測(cè)走線連接。
[0011]進(jìn)一步的，所述信號(hào)通入走線與所述待檢測(cè)走線之間交叉布置而形成多個(gè)第二重合區(qū)域，其中所述第一過孔和所述第二過孔位于所述第二重合區(qū)域。
[0012]進(jìn)一步的，不同所述信號(hào)通入走線上的斷開區(qū)域錯(cuò)開設(shè)置，每一所述信號(hào)通入走線與對(duì)應(yīng)的所述待檢測(cè)走線通過所述連接線連接。
[0013]進(jìn)一步的，所述連接線設(shè)置于所述信號(hào)通入走線的遠(yuǎn)離所述待檢測(cè)走線的一側(cè)。
[0014]進(jìn)一步的，所述連接線與所述信號(hào)通入走線的之間設(shè)有絕緣層。
[0015]進(jìn)一步的，所述多個(gè)待檢測(cè)走線沿第一方向平行設(shè)置;所述多個(gè)信號(hào)通入走線沿第二方向平行設(shè)置;所述第一方向和所述第二方向相互垂直。
[0016]進(jìn)一步的，所述待檢測(cè)走線包括柵線。
[0017]進(jìn)一步的，所述連接線由沉積在襯底基板上的氧化銦錫層形成。
[0018]—種陣列基板，包括如上所述的檢測(cè)電路結(jié)構(gòu)。
[0019]一種顯示面板，包括如上所述的陣列基板。
[0020]本實(shí)用新型的有益效果如下:
[0021]本實(shí)用新型提供的檢測(cè)電路結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示面板，增加了過孔之間的距離，在制作連接線時(shí)，例如，沉積氧化銦錫(ITO)作為連接線時(shí)，使得ITO爬坡處膜質(zhì)比較好，有電流通過時(shí)，不容易發(fā)生ITO燒斷的現(xiàn)象，導(dǎo)致檢測(cè)失效。
【附圖說明】
[0022]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中檢測(cè)電路的連接線在過孔處俯視示意圖；
[0023]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例中提供的一種檢測(cè)電路的俯視示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本實(shí)用新型，并非用于限定本實(shí)用新型的范圍。
[0025]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板上的檢測(cè)電路上過孔設(shè)計(jì)間距過小，導(dǎo)致ITO爬坡處膜質(zhì)差，有電流通過時(shí)，容易發(fā)生ITO燒斷的現(xiàn)象，而導(dǎo)致檢測(cè)失效的問題，本實(shí)用新型提供了一種檢測(cè)電路結(jié)構(gòu)，增加了過孔之間的距離，在制作連接線時(shí)，例如，沉積氧化銦錫(ITO)作為連接線時(shí)，使得ITO爬坡處膜質(zhì)比較好，有電流通過時(shí)，不容易發(fā)生ITO燒斷的現(xiàn)象。
[0026]如圖2所示，本實(shí)用新型實(shí)施例中所提供的檢測(cè)電路結(jié)構(gòu)包括:
[0027]在襯底基板上設(shè)置的多個(gè)待檢測(cè)走線100和用于向所述待檢測(cè)走線100輸入檢測(cè)信號(hào)的多個(gè)信號(hào)通入走線200，多個(gè)待檢測(cè)走線100和多個(gè)信號(hào)通入走線200相互絕緣且交叉布置;每一所述信號(hào)通入走線200上包括斷開的至少兩個(gè)子走線，且每一所述信號(hào)通入走線200的各子走線之間的斷開區(qū)域?qū)?yīng)一個(gè)待檢測(cè)走線100，每一所述信號(hào)通入走線200上的各子走線之間通過一連接線300進(jìn)行連接，各子走線之間的斷開區(qū)域所對(duì)應(yīng)的待檢測(cè)走線100與所述連接線300之間形成第一重合區(qū)域;其中所述連接線300的兩端分別通過第一過孔401和第二過孔402與所述信號(hào)通入走線200連接，并通過第三過孔403在所述第一重合區(qū)域與所述待檢測(cè)走線100連接。
[0028]上述方案中，將所述信號(hào)通入走線200斷開設(shè)計(jì)，并利用連接線300將所述信號(hào)通入走線的兩子走線以及待檢測(cè)走線100通過過孔來進(jìn)行連接，如此，由于第一過孔401、第二過孔402和第三過孔403的距離可以比較遠(yuǎn)，在制作連接線300時(shí)，例如，沉積氧化銦錫(ITO)作為連接線300時(shí)，ITO爬坡處膜質(zhì)比較好，有電流通過時(shí)，不容易發(fā)生ITO燒斷的現(xiàn)象，而導(dǎo)致檢測(cè)失效。
[0029]此外，上述方案中，將所述信號(hào)通入走線200斷開設(shè)計(jì)，減少信號(hào)通入走線200和待檢測(cè)走線100的交疊面積，可以緩解靜電(ESD)問題。
[0030]上述檢測(cè)電路結(jié)構(gòu)在對(duì)待檢測(cè)走線100進(jìn)行信號(hào)檢測(cè)時(shí)，可以將信號(hào)源插入上述第一過孔401、第二過孔402和第三過孔403處進(jìn)行檢測(cè)。
[0031]在本實(shí)用新型實(shí)施例中所提供的檢測(cè)電路結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選的，如圖2所示，所述信號(hào)通入走線200與所述待檢測(cè)走線100之間交叉布置，而形成多個(gè)第二重合區(qū)域，其中所述第一過孔401和所述第二過孔402位于所述第二重合區(qū)域。
[0032]采用上述方案，所述連接線300與所述信號(hào)通入走線200之間在所述信號(hào)通入走線200與所述待檢測(cè)走線100之間重疊的區(qū)域(S卩，第二重合區(qū)域)通過第一過孔401和第二過孔402連接，這樣，第一過孔401和第二過孔402之間的距離能夠保證連接線300的沉積膜層的膜質(zhì)較好。
[0033]應(yīng)當(dāng)理解的是，所述第二過孔402和所述第一過孔401的距離可以根據(jù)沉積膜層的厚度，第二過孔402和第一過孔401的深度等條件進(jìn)行調(diào)節(jié)，只要與第三過孔403具有足夠的距離，而不影響ITO膜層的連接線300的沉積膜層的膜