、或工藝依然被認(rèn)為落入該權(quán)利要求的范圍內(nèi)。而且，在下面的權(quán)利要求中，術(shù)語“第一”、“第二”以及“第三”等僅僅用作為標(biāo)注，并不旨在將數(shù)值要求強(qiáng)加于其對象上。
[0091]以上的描述旨在是示例性的，而不是限制性的。例如，能夠彼此結(jié)合地來使用以上描述的范例(或其一個或多個方面)。一旦回顧了以上描述，諸如本領(lǐng)域技術(shù)人員就能夠使用其它實(shí)施例。提供了摘要以符合37C.F.R.§ 1.72 (b)，以容許讀者快速地查明技術(shù)公開的本質(zhì)。應(yīng)能理解，摘要將不用于解釋或限制權(quán)利要求的范圍或意思。同樣，實(shí)施例的以上描述中，能夠?qū)⒏鱾€特征分組在一起以精簡本公開。這不應(yīng)解釋為意指為未要求保護(hù)的公開的特征對于任何權(quán)利要求是必不可少的。相反，創(chuàng)造性主題能夠在于少于特定公開實(shí)施例的所有特征。從而，將下面的權(quán)利要求特此并入至實(shí)施例的描述中，其中每一個權(quán)利要求基于其自身作為單獨(dú)實(shí)施例，并且預(yù)期了該實(shí)施例能夠以各種組合或置換彼此結(jié)合。應(yīng)當(dāng)參照所附權(quán)利要求連同該權(quán)利要求所賦予的等同物的完全的范圍來確定本發(fā)明的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種設(shè)備，包括: 介質(zhì)，所述介質(zhì)中包含低密度互連布線； 第一電路元件和第二電路元件； 互連元件，所述互連元件被嵌入于所述介質(zhì)中，所述互連元件中包含高密度布線，所述互連元件包含多個導(dǎo)電部件，所述多個導(dǎo)電部件中的導(dǎo)電部件電耦合至所述第一電路元件和所述第二電路元件；以及 介電層，所述介電層在所述互連元件之上，所述介電層包含穿過所述介電層的所述第一電路元件和所述第二電路元件。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，包括: 第一管芯，所述第一管芯電耦合至所述第一電路元件，所述第一管芯在所述介質(zhì)之上；以及 第二管芯，所述第二管芯電耦合至所述第二電路元件，所述第二管芯在所述介質(zhì)之上。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中: 所述第一管芯是邏輯管芯；并且 所述第二管芯是存儲器管芯。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述第一電路元件是第一導(dǎo)電通孔，并且所述第二電路元件是第二導(dǎo)電通孔。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中，所述第一導(dǎo)電通孔電耦合至第一焊盤，所述第一焊盤在所述互連元件的頂表面上或至少部分地在所述互連元件的所述頂表面中，所述第一焊盤被定位于所述第一導(dǎo)電通孔和所述導(dǎo)電部件的第一端之間。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中，所述第二導(dǎo)電通孔電耦合至第二焊盤，所述第二焊盤在所述互連元件的所述頂表面上或至少部分地在所述互連元件的所述頂表面中，所述第二焊盤被定位于所述第二導(dǎo)電通孔和所述導(dǎo)電部件的第二端之間。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，包括: 阻焊劑，所述阻焊劑在所述介電層之上，所述阻焊劑不完全覆蓋所述第一電路元件和所述第二電路元件。8.一種方法，包括: 將互連管芯嵌入于基底中，所述互連管芯包含導(dǎo)電部件； 將第一電路元件和第二電路元件電耦合至所述導(dǎo)電部件；以及 將介電層定位于所述互連管芯之上。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，包括: 將第一管芯定位于所述基底之上； 將所述第一管芯電耦合至所述第一電路元件； 將第二管芯定位于所述基底之上；以及 將所述第二管芯電耦合至所述第二電路元件。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中: 將所述第一管芯定位于所述基底之上包含將邏輯管芯定位于所述基底之上；并且 將所述第二管芯定位于所述基底之上包含將存儲器管芯定位于所述基底之上。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，電耦合所述第一電路元件和所述第二電路元件包含將第一導(dǎo)電通孔和第二導(dǎo)電通孔電耦合至所述導(dǎo)電部件。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，包括將第一焊盤定位于所述互連管芯的頂表面上或至少部分地定位于所述互連管芯的所述頂表面中，并且將所述第一焊盤定位于(I)所述第一導(dǎo)電通孔和(2)所述導(dǎo)電部件的第一端之間；并且 其中，電耦合所述第一導(dǎo)電通孔和所述第二導(dǎo)電通孔包含將所述第一導(dǎo)電通孔電耦合至所述第一焊盤。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，包括將第二焊盤定位于所述互連管芯的頂表面上或至少部分地定位于所述互連管芯的所述頂表面中，將所述第二焊盤定位于(I)所述第二導(dǎo)電通孔和(2)所述導(dǎo)電部件的第二端之間；并且 其中，電耦合所述第一導(dǎo)電通孔和所述第二導(dǎo)電通孔包含將所述第二導(dǎo)電通孔電耦合至所述第二焊盤。14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，包括: 將阻焊劑定位于所述介電層之上。15.—種封裝體,包括: 第一管芯和第二管芯； 基底； 第一導(dǎo)電通孔和第二導(dǎo)電通孔； 互連管芯，所述互連管芯被嵌入于所述基底中，所述互連管芯包含被嵌入于其中的導(dǎo)電部件，所述互連管芯包含在所述互連管芯的頂表面上或至少部分地在所述互連管芯的所述頂表面中的第一導(dǎo)電焊盤和第二導(dǎo)電焊盤，所述導(dǎo)電部件通過所述第一導(dǎo)電焊盤電耦合至所述第一導(dǎo)電通孔并且通過所述第二導(dǎo)電焊盤電耦合至所述第二導(dǎo)電通孔； 介電層，所述介電層在所述互連管芯之上，所述介電層包含穿過所述介電層的所述第一導(dǎo)電通孔和所述第二導(dǎo)電通孔；并且 其中，所述第一管芯通過所述第一導(dǎo)電通孔和所述第二導(dǎo)電通孔電耦合至所述第二管-!-HΛ ο16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的封裝體，其中，所述第一管芯是邏輯管芯并且所述第二管芯是存儲器管芯。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的封裝體，其中，所述第一焊盤和所述第二焊盤均包含具有50微米的尺寸的覆蓋區(qū)，并且其中，所述第一導(dǎo)電通孔和所述第二導(dǎo)電通孔均包含具有30微米的尺寸的覆蓋區(qū)。18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的封裝體，包括在所述介電層之上的阻焊劑，所述阻焊劑不覆蓋所述第一導(dǎo)電通孔和所述第二導(dǎo)電通孔。19.一種設(shè)備,包括: 半導(dǎo)體基底； 第一電路元件和第二電路元件； 硅互連管芯，所述硅互連管芯被嵌入于所述半導(dǎo)體基底中，所述硅互連管芯包含導(dǎo)電部件，所述導(dǎo)電部件電耦合至所述第一電路元件和所述第二電路元件；以及 介電層，所述介電層在所述硅互連管芯之上，所述介電層包含穿過所述介電層的所述第一電路元件和所述第二電路元件。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的設(shè)備，包括: 第一管芯，所述第一管芯電耦合至所述第一電路元件，所述第一管芯在所述基底之上；以及 第二管芯，所述第二管芯電耦合至所述第二電路元件，所述第二管芯在所述基底之上。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的設(shè)備，其中: 所述第一管芯是邏輯管芯；并且 所述第二管芯是存儲器管芯。22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的設(shè)備，其中，所述硅互連管芯包含在所述硅互連管芯的頂表面上或至少部分地在所述硅互連管芯的所述頂表面中的第一導(dǎo)電焊盤，所述第一導(dǎo)電焊盤電耦合至所述第一電路元件，并且所述第一導(dǎo)電焊盤包含大約50微米的覆蓋區(qū)尺寸。23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的設(shè)備，其中，所述第一電路元件包含大約30微米的覆蓋區(qū)尺寸。24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的設(shè)備，包括: 阻焊劑，所述阻焊劑在所述介電層之上，所述阻焊劑不覆蓋所述第一電路元件和所述第二電路元件。
【專利摘要】于此總體描述了對于局部高密度基底布線的系統(tǒng)和方法的實(shí)施例。在一個或多個實(shí)施例中，設(shè)備包含介質(zhì)、第一和第二電路元件、互連元件、以及介電層。所述介質(zhì)中能夠包含低密度布線。所述互連元件能夠被嵌入于所述介質(zhì)中，并且所述互連元件中能夠包含多個導(dǎo)電部件，所述導(dǎo)電部件能夠電耦合至所述第一電路元件和所述第二電路元件。所述互連元件中能夠包含高密度布線。所述介電層能夠在所述互連管芯之上，所述介電層包含穿過所述介電層的所述第一和第二電路元件。
【IPC分類】H01L23/538, H01L21/768
【公開號】CN104952838
【申請?zhí)枴緾N201410116450
【發(fā)明人】R·斯塔克斯托恩, D·馬利克, J·S·居澤爾, C-P·秋, D·庫爾卡尼, R·V·馬哈詹
【申請人】英特爾公司
【公開日】2015年9月30日
【申請日】2014年3月26日