)下對基板10進(jìn)行熱處理時(shí)，基板10以及環(huán)狀支架部130上的下垂現(xiàn)象會有所減少，因此以將環(huán)狀支架部130等分成120°的方式進(jìn)行三點(diǎn)支撐的必要性相對減少。因此，當(dāng)在中溫至高溫下進(jìn)行熱處理時(shí)，可以將支撐桿部110與環(huán)狀支架部130所接觸的三個(gè)點(diǎn)之間的間隔分隔成91°至150°。具體來講，參照圖4，從位于與末端執(zhí)行器200的操作路線垂直的方向上的垂直支架121向著中心點(diǎn)C方向突出的支撐桿部111與環(huán)狀支架部130所接觸的點(diǎn)、以及從相鄰的兩個(gè)垂直支架125突出的支撐桿部115與環(huán)狀支架部130所接觸的點(diǎn)之間的角度B可以呈91°至150°。
[0052]環(huán)狀支架部130可以用于防止在高溫?zé)崽幚磉^程中基板的硅晶格的結(jié)晶缺陷、即滑移的發(fā)生，并且用于支撐正逐漸大口徑化(300mm、450mm)的基板10的底部，以在結(jié)構(gòu)上防止下垂。
[0053]為了穩(wěn)定地支撐基板10，優(yōu)選為環(huán)狀支架部130以中心軸(或中心點(diǎn)C)對齊的方式配置。在此，中心軸(或中心點(diǎn)C)可以理解為經(jīng)過環(huán)狀支架部130重心的法線(或重心點(diǎn)(原點(diǎn)))或經(jīng)過基板10重心的法線(或重心點(diǎn)(原點(diǎn)))。另一方面，為了使環(huán)狀支架部130有效地均勻支撐基板10的整個(gè)面積，環(huán)狀支架部130的直徑可以是基板10直徑的0.6至0.8倍。特別是，為了使環(huán)狀支架部130的內(nèi)側(cè)與外側(cè)分別支撐基板10的1/2的面積，優(yōu)選為環(huán)狀支架部130的直徑為基板10直徑的0.7倍，但并非限定于此，可以考慮工藝溫度、基板的尺寸以及強(qiáng)度等而適當(dāng)?shù)刈兏h(huán)狀支架部130的直徑。
[0054]此外，當(dāng)基板10的直徑為300mm時(shí)，環(huán)狀支架部130的環(huán)寬可以為2mm至25mm，更優(yōu)先的是環(huán)寬為2mm至5mm。當(dāng)環(huán)狀支架部130的直徑(外徑)采用為基板10直徑的0.7倍、即210mm時(shí)，通過將環(huán)狀支架部130的環(huán)寬設(shè)定為2mm至25mm，能使基板10與環(huán)狀支架部130接觸的面積比率大約為1.85%至20.56% ;通過將環(huán)狀支架部130的環(huán)寬設(shè)定為2mm至5mm，能使基板10與環(huán)狀支架部130接觸的面積比率大約為1.85%至4.56%。作為其它實(shí)施例，當(dāng)環(huán)狀支架部130的直徑(外徑)采用為199_時(shí)，通過將環(huán)狀支架部130的環(huán)寬設(shè)定為2mm至25mm，能使基板10與環(huán)狀支架部130接觸的面積比率大約為1.85%至15.56% ;通過將環(huán)狀支架部130的環(huán)寬設(shè)定為2mm至5mm，能使基板10與環(huán)狀支架部130接觸的面積比率大約為1.75%至4.31%。因此，當(dāng)將環(huán)狀支架部130的環(huán)寬設(shè)定為2_至5mm時(shí)，只有基板10面積中約小于5%的部分與環(huán)狀支架部130接觸，從而具有能夠防止基板10下垂的同時(shí)進(jìn)一步減少基板10下部的劃痕的優(yōu)點(diǎn)。
[0055]另一方面，當(dāng)基板10的直徑為450mm時(shí)，也可以調(diào)整環(huán)狀支架部130的環(huán)寬，以在防止基板10下垂的同時(shí)減少基板10下部的劃痕的范圍內(nèi)調(diào)整基板10與環(huán)狀支架部130接觸的面積比率。
[0056]末端執(zhí)行器200能夠以托底方式將基板10裝載于晶舟100或從晶舟100上卸載。
[0057]再次參照圖4，本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的托底式末端執(zhí)行器200能夠從環(huán)狀支架部130的外周面的外側(cè)以占據(jù)與環(huán)狀支架部130同一平面上的空間的方式進(jìn)入晶舟100，支撐基板10的底部以進(jìn)行基板10的裝載/卸載。當(dāng)托底式末端執(zhí)行器200進(jìn)入晶舟100內(nèi)部時(shí)，為了避免與環(huán)狀支架部130發(fā)生干擾，末端執(zhí)行器200可以具有U型叉形狀。此外，如圖4(b)的俯視圖所示，由于末端執(zhí)行器200具有U型叉形狀，因此還能夠自然解決其與從垂直支架121突出的支撐桿部111之間的干擾問題。此外，如圖4(b)的剖視圖所示，末端執(zhí)行器200處在高于支撐桿部115的位置，從而以不與支撐桿部115重疊但與環(huán)狀支架部130重疊的狀態(tài)的高度進(jìn)入晶舟100的內(nèi)部，因此也能夠解決其與從兩個(gè)垂直支架125突出的支撐桿部115之間的干擾問題。也就是說，由于末端執(zhí)行器200的位置高于從兩個(gè)垂直支架125突出的支撐桿部115，因此能夠解決干擾問題。
[0058]此外，為了能夠避免與環(huán)狀支架部130發(fā)生干擾，同時(shí)穩(wěn)定而有效地支撐基板10，優(yōu)選為末端執(zhí)行器200的兩個(gè)內(nèi)側(cè)面間的距離dl大于環(huán)狀支架部130的直徑，末端執(zhí)行器200的兩個(gè)外側(cè)面間的距離d2小于基板10的直徑。
[0059]作為一實(shí)施例，當(dāng)基板10的直徑為300mm時(shí)，末端執(zhí)行器200的兩個(gè)內(nèi)側(cè)面間的距離dl采用200mm至220mm的范圍，兩外側(cè)面間的距離d2則采用244mm至260mm的范圍，以此能夠避免與環(huán)狀支架部130以及兩個(gè)垂直支架220發(fā)生干擾，從而能夠容易地裝載/卸載基板10。
[0060]作為另一實(shí)施例，當(dāng)基板10的直徑為450mm時(shí)，末端執(zhí)行器200的兩個(gè)內(nèi)側(cè)面間的距離dl采用300mm至330mm的范圍、兩外側(cè)面間的距離d2采用366mm至390mm的范圍，以此能夠避免與環(huán)狀支架部130以及兩個(gè)垂直支架220發(fā)生干擾，從而能夠容易地裝載/卸載基板10。
[0061]圖5是示出本發(fā)明的第二實(shí)施例涉及的批處理式基板處理裝置的立體圖，圖6是示出本發(fā)明的第二實(shí)施例涉及的支撐桿部IW與環(huán)狀支架部130相連接的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0062]在以下的圖5以及圖6的說明中，只描述與上述的圖2至圖4的說明之間的不同之處，而省略重復(fù)的說明。
[0063]參照圖5以及圖6，本發(fā)明的第二實(shí)施例的特征在于，環(huán)狀支架部130、支撐桿部IlOr以及連接部113連接成一體。
[0064]連接部113能夠連接支撐桿部11(V的另一端112'。優(yōu)選為連接部113具有半圓弧的形狀。由此，連接部113能夠以占據(jù)與晶舟100的水平剖面相對應(yīng)的假想圓的圓周上約1/2空間的方式，連接多個(gè)支撐桿部11(V的另一端112'。
[0065]可以一開始將一體式的支撐桿部110'與連接部113加工制造成一體，或者，也可以首先單獨(dú)完成對支撐桿部110'與連接部113各自的加工，之后通過焊接等方法連接支撐桿部11(V與連接部113，以加工制造成一體。進(jìn)一步，可以通過焊接等方法，將一體式的支撐桿部110'與連接部113加工制造成與環(huán)狀支架部130形成一體。此外，也可以從一開始將支撐桿部IW、連接部113以及環(huán)狀支架部130加工制造成一體。
[0066]在制造一體式的支撐桿部11(V、連接部113以及環(huán)狀支架部130之后，可以分別連接支撐桿部IKV的另一端112'與晶舟100的垂直支架120，以完成本發(fā)明的晶舟100。此時(shí)，可以通過焊接等方法連接支撐桿部110'的另一端112'與垂直支架120，或者，將支撐桿部11(V的另一端112'插入到形成在垂直支架120上的規(guī)定的槽127中，以此連接支撐桿部11(V的另一端112'與垂直支架120。
[0067]下面，參照圖2以及圖4，觀察使用了托底式末端執(zhí)行器200的晶舟100上的基板10的裝載/卸載過程。雖然圖4中示出的是基板10的卸載過程，但是裝載過程可以理解為逆向進(jìn)行卸載過程。
[0068]參照圖4的(a)，在從垂直支架121、125突出配置的三個(gè)支撐桿部110的端部上一體地連接有環(huán)狀支架部130，基板10以與環(huán)狀支架部130對齊中心軸(或中心點(diǎn)C)的方式載放在環(huán)狀支架部130的上部。
[0069]接著，參照圖4的(b)，托底式末端執(zhí)行器200通過晶舟100的前側(cè)開放部5進(jìn)入。此時(shí)，末端執(zhí)行器200具有U型叉形狀，以便能夠包圍環(huán)狀支架部130的外周面，末端執(zhí)行器200的兩個(gè)內(nèi)側(cè)面間的距離dl大于環(huán)狀支架部130的直徑，末端執(zhí)行器200的兩個(gè)外側(cè)面間的距離d2小于環(huán)狀支架部130的直徑，在環(huán)狀支架部130的外周面的外側(cè)占據(jù)同一平面上的空間，且位置高于從兩個(gè)垂直支架120突出的支撐桿部115，因此能夠以避免與環(huán)狀支架部130或支撐桿部110發(fā)生干擾的方式進(jìn)入后位于基板10的底部。之后，末端執(zhí)行器200抬起基板10，使基板10能夠與環(huán)狀支架部130隔開規(guī)定的高度。
[0070]接著，參照圖4的(C)，末端執(zhí)行器200以只支撐基板10的狀態(tài)從晶舟100上卸載。
[0071 ] 如此，通過采用本發(fā)明的托底式末端執(zhí)行器200，僅在基板10與環(huán)狀支架部130隔開的高度范圍內(nèi)也能夠進(jìn)行基板10的裝載/卸載。由此，通過增加裝載于晶舟的基板的數(shù)量，能夠增加單位工藝內(nèi)的基板處理量。
[0072] 如上所述，本發(fā)明列舉優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行了圖示并說明，但并非限定于所述實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明精神的范圍內(nèi)，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以進(jìn)行多種變形以及變更。應(yīng)理解為，這種變形例以及變更例屬于本發(fā)明和所附的權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶舟，其以上下層疊的方式裝載多個(gè)基板，其特征在于，包括: 環(huán)狀支架部，支撐基板的底部以載放基板；以及 多個(gè)支撐桿部，支撐所述環(huán)狀支架部的底部，在一端載放所述環(huán)狀支架部； 在所述基板的投射面積內(nèi)，所述環(huán)狀支架部與所述支撐桿部連接成一體。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶舟，其特征在于， 包括連接部，用于連接所述多個(gè)支撐桿部的另一端； 所述環(huán)狀支架部、所述支撐桿部以及所述連接部連接成一體。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶舟，其特征在于， 所述連接部具有半圓弧形狀。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶舟，其特征在于， 三個(gè)所述支撐桿部使得所述環(huán)狀支架部以三點(diǎn)支撐的方式被載放。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶舟，其特征在于， 所述晶舟還包括多個(gè)垂直支架， 所述支撐桿部的另一端與所述垂直支架連接成一體。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶舟，其特征在于， 在用于載放所述環(huán)狀支架部的所述支撐桿部的一端形成有臺階。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶舟，其特征在于， 所述環(huán)狀支架部的直徑為所述基板直徑的0.6倍至0.8倍。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶舟，其特征在于， 所述基板的直徑為300mm，所述環(huán)狀支架部的環(huán)寬為2mm至25mm。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶舟，其特征在于， 所述環(huán)狀支架部的環(huán)寬為2mm至5mm。10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶舟，其特征在于， 通過調(diào)整從所述垂直支架突出的所述支撐桿部的突出角度，將所述環(huán)狀支架部分割成三各支撐點(diǎn)之間的角度間隔為91°至150°。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶舟，其特征在于， 所述晶舟的材料為，石英、碳化硅、石墨、碳復(fù)合材料以及硅中的至少一種。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種晶舟。本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的晶舟(100)以上下層疊的方式裝載多個(gè)基板，其特征在于，包括：環(huán)狀支架部130，支撐基板(10)的底部以載放基板(10)；以及多個(gè)支撐桿部(110)，支撐環(huán)狀支架部(130)的底部，在其一端載放環(huán)狀支架部(130)；在基板(10)的投射面積內(nèi)，環(huán)狀支架部(130)與支撐桿部(110)連接成一體。
【IPC分類】H01L21/673
【公開號】CN104952774
【申請?zhí)枴緾N201510127890
【發(fā)明人】柳漢吉, 崔宇镕
【申請人】泰拉半導(dǎo)體株式會社
【公開日】2015年9月30日
【申請日】2015年3月23日
【公告號】US20150270150