技術編號：9236662
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。基板處理裝置大致分為氣相沉積(Vapor Deposit1n)裝置和退火(Annealing) 目.ο氣相沉積裝置為形成構成半導體的核心結構的透明傳導層、絕緣層、金屬層或硅層的裝置，分為低壓化學氣相沉積(LPCVDLow Pressure Chemical Vapor Deposit1n)或等離子體增強化學氣相沉積(PECVDPlasma-Enhanced Chemical Vapor Deposit1n)等化學氣相沉積裝置和濺射(Sputtering...
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