專利名稱:晶舟的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實用新型涉及半導(dǎo)體制造裝置技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種晶舟。
背景技術(shù):
通常來說,在半導(dǎo)體集成電路的生產(chǎn)制造過程中,為確保半導(dǎo)體晶片的安全儲存、 搬移,避免破損和污染,廣泛運用晶舟作為晶片的承載及運輸工具。關(guān)于現(xiàn)有的晶舟,請參考圖IA至圖1C,其中,圖IA為現(xiàn)有的晶舟的正視圖,圖IB 為圖IA沿A-A方向的剖視圖,圖IC為圖IA示意的現(xiàn)有的晶舟裝有晶片后沿A-A方向的剖 視圖,如圖IA至圖IC所示,現(xiàn)有的晶舟包括盒體101,所述盒體101兩側(cè)設(shè)置有相對的擋板 102,晶片200放置于所述擋板102上。且現(xiàn)有的擋板102的寬度χ通常為5mm左右。由于 在傳統(tǒng)的二維集成電路中,晶片的直徑一般為幾百毫米,其厚度一般大于300微米,因此現(xiàn) 有的晶舟能滿足安全存儲晶片的要求。然而,當(dāng)集成電路進(jìn)入到三維(3D)集成階段時,將出現(xiàn)超薄晶片,從而使得現(xiàn)有 的晶舟不能滿足安全存儲的要求。所謂3D集成電路是指器件做在不同的晶片上,再通過穿 透硅通孔(TSV,Through Silicon Via)將這些晶片在Z方向進(jìn)行連接。在3D集成電路中, 通常都會對晶片進(jìn)行減薄,以使穿透硅通孔穿通整個晶片,從而出現(xiàn)了厚度小于50 μ m的 超薄晶片。由于超薄晶片極易彎折,而現(xiàn)有的擋板的寬度通常只有5mm左右,若采用現(xiàn)有的 晶舟運載超薄晶片,超薄晶片將極易滑落,從而導(dǎo)致超薄晶片變形,甚至破裂。因此,有必要提供一種改進(jìn)的晶舟,使其能安全有效地存儲及運載超薄晶片。
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種晶舟,以解決現(xiàn)有的晶舟不能安全有效地存儲及 運載超薄晶片的問題。為解決上述問題,本實用新型提出一種晶舟,用于裝載晶片,所述晶舟包括盒體, 所述盒體兩側(cè)具有相對的擋板,其特征在于,所述盒體內(nèi)還設(shè)置有支撐板,所述支撐板與所 述擋板平行,且位于同一平面??蛇x的,所述擋板的寬度為5 150mm??蛇x的,所述支撐板位于所述盒體兩側(cè)相對擋板的正中間??蛇x的,所述支撐板的長度大于所述晶片的半徑??蛇x的,所述支撐板的長度為100 300mm。可選的,所述支撐板的寬度為1 200mm??蛇x的,所述支撐板的材料為塑料或金屬。本實用新型由于采用以上的技術(shù)方案,使之與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下的優(yōu)點和 積極效果1、本實用新型提供的晶舟包括支撐板,所述支撐板對擋板上的超薄晶片起支撐作 用,可防止超薄晶片變形滑落受損;[0016]2、本實用新型提供的晶舟中的擋板的寬度為5 150mm,大于現(xiàn)有的晶舟中的擋 板的寬度,從而可進(jìn)一步防止超薄晶片滑落受損。
圖IA為現(xiàn)有的晶舟的正視圖;圖IB為圖IA沿A-A方向的剖視圖;圖IC為圖IA示意的現(xiàn)有的晶舟裝有晶片后沿A-A方向的剖視圖;圖2A為本實用新型實施例提供的晶舟的正視圖; 圖2B為圖2A沿B-B方向的剖視圖;圖2C為圖2A示意的本實用新型實施例提供的晶舟裝有晶片后沿B-B方向的剖視 圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型提出的晶舟作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下 面說明和權(quán)利要求書,本實用新型的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是,附圖均采用非常簡 化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率,僅用于方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。本實用新型的核心思想在于,提供一種晶舟,用于裝載超薄晶片,所述晶舟包括盒 體,所述盒體兩側(cè)具有相對的擋板,所述超薄晶片位于所述擋板上,所述盒體內(nèi)還設(shè)置有支 撐板,所述支撐板支撐所述超薄晶片,防止所述超薄晶片變形,并且所述擋板的寬度大于現(xiàn) 有的晶舟中的擋板的寬度,從而使得超薄晶片不易滑落受損,可安全有效地存儲及運載超 薄晶片。請參考圖2A至圖2C,其中,圖2A為本實用新型實施例提供的晶舟的正視圖,圖2B 為圖2A沿B-B方向的剖視圖,圖2C為圖2A示意的本實用新型實施例提供的晶舟裝有晶片 后沿B-B方向的剖視圖,如圖2A至圖2C所示,本實用新型實施例提供的晶舟包括盒體201, 所述盒體201兩側(cè)具有相對的擋板202,超薄晶片300放置于所述擋板202上,所述盒體201 內(nèi)還設(shè)置有支撐板203,所述支撐板203與所述擋板202平行,且位于同一平面。進(jìn)一步地,所述擋板202的寬度y為5 150mm,從而可更大面積地與所述超薄晶 片300接觸,防止超薄晶片300滑落。進(jìn)一步地,所述支撐板203位于所述盒體兩側(cè)相對擋板202的正中間,從而可使所 述支撐板203與超薄晶片300的中心接觸,更好地支撐所述超薄晶片300。進(jìn)一步地,所述支撐板203的長度大于所述超薄晶片300的半徑,從而可更好地支 撐所述超薄晶片300,防止所述超薄晶片300變形。進(jìn)一步地,所述支撐板203的長度為100 300mm。進(jìn)一步地,所述支撐板203的寬度為1 200mm,從而可增加支撐板203與超薄晶 片300的接觸面積。在本實用新型的一個具體實施例中,所述晶舟用于裝載超薄晶片,然而應(yīng)該認(rèn)識 到,所述晶舟還可以用于裝載常規(guī)晶片。綜上所述,本實用新型提供了一種晶舟,用于裝載超薄晶片,所述晶舟包括盒體, 所述盒體兩側(cè)具有相對的擋板,所述超薄晶片放置于所述擋板上,所述盒體內(nèi)還設(shè)置有支撐板,所述支撐板與所述擋板平行,且位于同一平面,所述支撐板支撐所述超薄晶片,防止 所述超薄晶片變形,并且所述擋板的寬度大于現(xiàn)有的晶舟中的擋板的寬度,從而使得超薄 晶片不易滑落受損,可安全有效地存儲及運載超薄晶片。 顯然,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對實用新型進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本實用新 型的精神和范圍。這樣,倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權(quán)利要求及其 等同技術(shù)的范圍之內(nèi),則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種晶舟,用于裝載晶片,所述晶舟包括盒體,所述盒體兩側(cè)具有相對的擋板,其特 征在于,所述盒體內(nèi)還設(shè)置有支撐板,所述支撐板與所述擋板平行,且位于同一平面。
2.如權(quán)利要求1所述的晶舟,其特征在于,所述擋板的寬度為5 150mm。
3.如權(quán)利要求1所述的晶舟,其特征在于,所述支撐板位于所述盒體兩側(cè)相對擋板的 正中間。
4.權(quán)利要求1所述的晶舟,其特征在于,所述支撐板的長度大于所述晶片的半徑。
5.如權(quán)利要求4所述的晶舟,其特征在于,所述支撐板的長度為100 300mm。
6.如權(quán)利要求1所述的晶舟,其特征在于,所述支撐板的寬度為1 200mm。
7.如權(quán)利要求1所述的晶舟,其特征在于,所述支撐板的材料為塑料或金屬。
專利摘要本實用新型公開了一種晶舟,用于裝載超薄晶片,所述晶舟包括盒體,所述盒體兩側(cè)具有相對的擋板,所述超薄晶片放置于所述擋板上,所述盒體內(nèi)還設(shè)置有支撐板,所述支撐板與所述擋板平行,且位于同一平面,所述支撐板支撐所述超薄晶片,防止所述超薄晶片變形,并且所述擋板的寬度大于現(xiàn)有的晶舟中的擋板的寬度,從而使得超薄晶片不易滑落受損,可安全有效地存儲及運載超薄晶片。
文檔編號H01L21/677GK201845746SQ201020564748
公開日2011年5月25日 申請日期2010年10月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月16日
發(fā)明者張明華, 白英英, 蔣莉, 黎銘琦 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司