專利名稱：晶舟的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種用于生產(chǎn)晶圓的晶舟。
背景技術(shù)：
隨著科技的進(jìn)步，半導(dǎo)體電子產(chǎn)品已經(jīng)應(yīng)用到社會(huì)生活的各個(gè)領(lǐng)域，而這 些半導(dǎo)體電子產(chǎn)品都具有半導(dǎo)體晶片，由此可見，半導(dǎo)體晶片在當(dāng)今生活中具 有非常顯著的重要性。
在半導(dǎo)體晶片的制造過程中，爐管是一個(gè)不可缺少的設(shè)備，例如其中利用
爐管的擴(kuò)散制程就是一個(gè)基本制程，擴(kuò)散制程中，是先將多片晶圓放置在一晶 舟上，再將晶舟放置在爐管內(nèi)進(jìn)行批次制造。對(duì)于半導(dǎo)體晶片而言，同一期間 內(nèi)在一臺(tái)設(shè)備制造出的晶片的質(zhì)量和數(shù)量，很大程度影響到半導(dǎo)體晶片的出產(chǎn) .的良品率和制造成本。
然而，現(xiàn)有技術(shù)中，在制造半導(dǎo)體晶片的工藝流程中，有很多因素可能導(dǎo)
致半導(dǎo)體晶片的生產(chǎn)出現(xiàn)問題。請(qǐng)參見圖1A,例如當(dāng)把多片晶圓110插入到晶 舟100的晶圓槽120時(shí)，由于晶圓110與晶圓槽120之間有摩擦，會(huì)產(chǎn)生微小 的顆粒130,晶舟豎直放置，由于重力的作用，當(dāng)抽取晶圓110時(shí)，晶圓110與 晶圓槽120摩擦產(chǎn)生的顆粒130,會(huì)掉落到下面的晶圓IIO上，這就會(huì)導(dǎo)致微小 的顆粒130污染晶圓IIO的表面，請(qǐng)參見圖1B，其所示為受到顆粒130污染的 晶圓110，進(jìn)而會(huì)導(dǎo)致后續(xù)的制造工序不能正常進(jìn)行，影響產(chǎn)品的良品率、增加 制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中，晶圓放置在晶舟中，由于摩擦產(chǎn)生的微小顆 粒造成晶圓的污染的技術(shù)問題。
有鑒于此，本發(fā)明提供一種晶舟，包括多個(gè)晶圓槽，分別包括多個(gè)支撐部，用于支撐晶圓；所述支撐部，包括第一支撐塊；以及第二支撐塊；其中 所述第二支撐塊設(shè)置于所述第一支撐塊上，且小于所述第一支撐塊。
進(jìn)一步的，所述第二支撐塊與所述第一支撐塊位于所述第一支撐塊的上支 撐面內(nèi)。
進(jìn)一步的，所述多個(gè)晶圓槽相互平行:沒置且間隔相同。
本發(fā)明所提供的晶舟可在不影響晶圓制程均勻度、不減少晶舟放置晶圓數(shù) 量的前提下，避免晶圓與晶舟摩擦產(chǎn)生的微小顆粒污染晶圓，保證晶圓的潔凈 度，進(jìn)一步保證了后續(xù)工藝設(shè)備的正常運(yùn)作，確保了產(chǎn)品的良品率，降低了制 造成本。


圖1A所示為現(xiàn)有技術(shù)中所使用的晶舟導(dǎo)致灰塵顆粒污染晶圓的示意圖1B所示為受到顆粒污染的晶圓的示意圖2所示為本發(fā)明一實(shí)施例提供的晶舟的示意圖3所示為本發(fā)明一實(shí)施例提供的晶舟的支撐部的示意圖。
具體實(shí)施例方式
為使本發(fā)明的目的、特征更明顯易懂，給出較佳實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本 發(fā)明作進(jìn)一步說明。
請(qǐng)參加圖2，其所示為本發(fā)明一實(shí)施例提供的晶舟的示意圖。該晶舟200, 包括多個(gè)晶圓槽210，分別包括多個(gè)支撐部220,用于支撐晶圓；所述支撐部 220,包括第一支撐塊222;以及第二支撐塊221;其中所述第二支撐塊221 設(shè)置于所述第一支撐塊222上，且小于所述第一支撐塊222。
在本實(shí)施例中，當(dāng)把多片晶圓插入到晶舟200的晶圓槽210時(shí)，由于晶圓 與晶圓槽210之間有摩擦，會(huì)產(chǎn)生微小的顆粒，晶舟豎直放置，由于重力的作 用，當(dāng)抽取晶圓時(shí)，晶圓與晶圓槽210的支撐部220的第二支撐塊221的上支 撐面接觸摩擦產(chǎn)生的顆粒，由于第一支撐塊222大于第二支撐塊221,這些顆粒 掉落到第一支撐塊222的支撐面，而不會(huì)掉落到下面的晶圓上，這就保證了晶 圓表面的潔凈。在本實(shí)施例中，所述第二支撐塊221與所述第一支撐塊222位于所述第一 支撐塊222的支撐面內(nèi)，以保證顆粒完全被第一支撐塊222的支撐面收集到。
在本實(shí)施例中，所述多個(gè)晶圓槽210相互平行設(shè)置，且間隔相同，這就保 證了晶圓放置的數(shù)量和均勻度，在對(duì)晶圓進(jìn)行加工時(shí)，使各晶圓都能處于相同 的環(huán)境，確保了晶圓的質(zhì)量。
在本實(shí)施例中，請(qǐng)結(jié)合參見圖3，其所示為本實(shí)施例提供的晶舟的支撐部的 示意圖。該支撐部300，包括第一支撐塊310;以及第二支撐塊320，設(shè)置于 所述第一支撐塊310上，且小于所述第一支撐塊310。所述第二支撐塊320位于 所述第一支撐塊310支撐面內(nèi)。晶圓放置晶圓槽時(shí)，是由第二支撐塊320的上 支撐面支撐晶圓，當(dāng)抽取晶圓時(shí)，因摩擦產(chǎn)生的顆粒會(huì)掉落到第一支撐塊310 的支撐面，而不會(huì)掉落到晶圓面上，避免了晶圓受顆粒污染，保證了晶圓的潔 凈。
本發(fā)明實(shí)施例所提供的晶舟可在不影響晶圓制程均勻度、不減少晶舟放置 晶圓數(shù)量的前提下，避免晶圓與晶舟摩擦產(chǎn)生的微小顆粒污染晶圓，保證晶圓 的潔凈度，進(jìn)一步保證了后續(xù)工藝設(shè)備的正常運(yùn)作，確保了產(chǎn)品的良品率，降 低了制造成本。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所 屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許 的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種晶舟，其特征在于，包括多個(gè)晶圓槽，分別包括多個(gè)支撐部，用于支撐晶圓；所述支撐部，包括第一支撐塊；以及第二支撐塊；其中所述第二支撐塊設(shè)置于所述第一支撐塊上，且小于所述第一支撐塊。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶舟，其特征在于，所述第二支撐塊與所述第一 支撐塊位于所述第一支撐塊的支撐面內(nèi)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶舟，其特征在于，所述多個(gè)晶圓槽相互平行設(shè) 置且間隔相同。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶舟，包括多個(gè)晶圓槽，分別包括多個(gè)支撐部，用于支撐晶圓；所述支撐部，包括第一支撐塊；以及第二支撐塊；其中所述第二支撐塊設(shè)置于所述第一支撐塊上，且小于所述第一支撐塊。該晶舟可在不影響晶圓制程均勻度、不減少晶舟放置晶圓數(shù)量的前提下，避免晶圓與晶舟摩擦產(chǎn)生的微小顆粒污染晶圓，保證晶圓的潔凈度，進(jìn)一步保證了后續(xù)工藝設(shè)備的正常運(yùn)作，確保了產(chǎn)品的良品率，降低了制造成本。
文檔編號(hào)H01L21/673GK101556931SQ20091005156
公開日2009年10月14日 申請(qǐng)日期2009年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月19日
發(fā)明者周維文, 顏明輝 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司