同時(shí)加工不同結(jié)構(gòu)的同軸線(xiàn)的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電氣技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種同時(shí)加工不同結(jié)構(gòu)的同軸線(xiàn)的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子產(chǎn)品的高度集成化和微型化，極細(xì)同軸線(xiàn)的開(kāi)發(fā)應(yīng)用已經(jīng)受到越來(lái)越高的關(guān)注，并且，不同結(jié)構(gòu)的極細(xì)同軸線(xiàn)也越來(lái)越廣泛地應(yīng)用在電腦主機(jī)排線(xiàn)等高精密產(chǎn)品上。
[0003]極細(xì)同軸線(xiàn)一般由多層(4層甚至5層)線(xiàn)體構(gòu)成，如圖1所示，一種4層的極細(xì)同軸線(xiàn)從外到內(nèi)依次包括第I層的外絕緣層1，第2層的屏蔽線(xiàn)層2，第3層的內(nèi)絕緣層3，第4層的芯線(xiàn)導(dǎo)體層4。由于極細(xì)同軸線(xiàn)在制作時(shí)多層線(xiàn)體是一致成型，因此，在使用極細(xì)同軸線(xiàn)時(shí)，必須對(duì)其進(jìn)行剝切加工，以露出進(jìn)行焊接的屏蔽線(xiàn)層2和芯線(xiàn)導(dǎo)體層4。
[0004]但是，由于直徑小于0.5mm的極細(xì)同軸線(xiàn)的每一層結(jié)構(gòu)都極薄，因此，在對(duì)極細(xì)同軸線(xiàn)進(jìn)行加工，尤其是在對(duì)不同結(jié)構(gòu)的極細(xì)同軸線(xiàn)進(jìn)行同時(shí)加工時(shí)，如何在切割第2層的屏蔽線(xiàn)層時(shí)保證第3層的內(nèi)絕緣層不被破壞，已經(jīng)成為當(dāng)前亟待解決的技術(shù)難點(diǎn)之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種同時(shí)加工不同結(jié)構(gòu)的同軸線(xiàn)的方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中在切割屏蔽線(xiàn)層時(shí)會(huì)破壞內(nèi)絕緣層的問(wèn)題。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
[0007]一種同時(shí)加工不同結(jié)構(gòu)的同軸線(xiàn)的方法，所述不同結(jié)構(gòu)的同軸線(xiàn)至少包括第一同軸線(xiàn)和第二同軸線(xiàn)，所述第一同軸線(xiàn)至少包括第一外絕緣層、第一屏蔽線(xiàn)層、第一內(nèi)絕緣層和第一芯線(xiàn)導(dǎo)體層，所述第二同軸線(xiàn)至少包括第二外絕緣層和第二芯線(xiàn)導(dǎo)體層，所述方法包括:
[0008]同時(shí)切割并剝除所述第一同軸線(xiàn)的第一外絕緣層和所述第二同軸線(xiàn)的第二外絕緣層，以暴露出所述第一屏蔽線(xiàn)層和所述第二芯線(xiàn)導(dǎo)體層；
[0009]對(duì)所述第一屏蔽線(xiàn)層進(jìn)行部分切割，并切斷所述第二芯線(xiàn)導(dǎo)體層；
[0010]剝除部分切割后的所述第一屏蔽線(xiàn)層，并對(duì)暴露出的所述第一內(nèi)絕緣層和所述第一芯線(xiàn)導(dǎo)體層進(jìn)行相應(yīng)的切割處理。
[0011]優(yōu)選的，所述同時(shí)切割并剝除所述第一同軸線(xiàn)的第一外絕緣層和所述第二同軸線(xiàn)的第二外絕緣層，包括:
[0012]采用激光切割機(jī)切割所述第一同軸線(xiàn)的第一外絕緣層和所述第二同軸線(xiàn)的第二外絕緣層；
[0013]采用拉拔工裝剝離切割后的所述第一外絕緣層和第二外絕緣層，以暴露出所述第一屏蔽線(xiàn)層和所述第二芯線(xiàn)導(dǎo)體層。
[0014]優(yōu)選的，在對(duì)所述第一屏蔽線(xiàn)層和所述第二芯線(xiàn)導(dǎo)體層進(jìn)行切割之前，還包括:
[0015]對(duì)所述第一屏蔽線(xiàn)層和所述第二芯線(xiàn)導(dǎo)體層進(jìn)行浸錫處理。
[0016]優(yōu)選的，對(duì)所述第一屏蔽線(xiàn)層進(jìn)行部分切割，并切斷所述第二芯線(xiàn)導(dǎo)體層，包括:
[0017]采用設(shè)定為第一參數(shù)的激光切割機(jī)對(duì)所述第一屏蔽線(xiàn)層進(jìn)行部分切割；
[0018]采用設(shè)定為第二參數(shù)的所述激光切割機(jī)切斷所述第二芯線(xiàn)導(dǎo)體層。
[0019]優(yōu)選的，所述第一參數(shù)是指所述激光切割機(jī)的功率范圍為IlW?16W，切割速度為80mm/s ?110mm/so
[0020]優(yōu)選的，所述第二參數(shù)是指所述激光切割機(jī)的功率范圍為16W?19W，切割速度為8mm/s ?14mm/s。
[0021]優(yōu)選的，所述對(duì)所述第一屏蔽線(xiàn)層進(jìn)行部分切割包括所述第一屏蔽線(xiàn)層的切割厚度大于或等于所述第一屏蔽線(xiàn)層厚度的二分之一。
[0022]優(yōu)選的，所述剝除切割后的所述第一屏蔽線(xiàn)層是指采用拉拔工裝剝離所述第一屏蔽線(xiàn)層。
[0023]優(yōu)選的，所述對(duì)暴露出的所述第一內(nèi)絕緣層和所述第一芯線(xiàn)導(dǎo)體層進(jìn)行相應(yīng)的切割處理，包括:
[0024]采用激光切割機(jī)切斷所述第一內(nèi)絕緣層，并采用拉拔工裝剝離所述切割后的第一內(nèi)絕緣層；
[0025]對(duì)暴露出的所述第一芯線(xiàn)導(dǎo)體層進(jìn)行浸錫處理，并采用激光切割機(jī)切斷所述第一芯線(xiàn)導(dǎo)體層。
[0026]優(yōu)選的，所述第一同軸線(xiàn)和第二同軸線(xiàn)為直徑小于0.5mm的極細(xì)同軸線(xiàn)。
[0027]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0028]本發(fā)明所提供的同時(shí)加工不同結(jié)構(gòu)的同軸線(xiàn)的方法，同時(shí)切割并剝除第一同軸線(xiàn)的第一外絕緣層和第二同軸線(xiàn)的第二外絕緣層后，對(duì)所述第一屏蔽線(xiàn)層進(jìn)行部分切割，并切斷所述第二芯線(xiàn)導(dǎo)體層，然后再剝除部分切割后的所述第一屏蔽線(xiàn)層，并對(duì)暴露出的所述第一內(nèi)絕緣層和所述第一芯線(xiàn)導(dǎo)體層進(jìn)行相應(yīng)的切割處理。由于本發(fā)明提供的方法只是對(duì)第一屏蔽線(xiàn)層進(jìn)行了部分切割，并未切斷所述第一屏蔽線(xiàn)層，因此，不會(huì)對(duì)內(nèi)側(cè)的第一內(nèi)絕緣層進(jìn)行破壞，從而避免了切割屏蔽線(xiàn)層時(shí)破壞內(nèi)絕緣層的問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0029]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0030]圖1為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供的一種同時(shí)加工不同結(jié)構(gòu)的同軸線(xiàn)的方法的流程圖；
[0031]圖2為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供的第一同軸線(xiàn)和第二同軸線(xiàn)的示意圖；
[0032]圖3為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供的第一外絕緣層和第二外絕緣層的切割示意圖；
[0033]圖4為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供的剝離第一外絕緣層和第二外絕緣層后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖5為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供的第一屏蔽線(xiàn)層和第二芯線(xiàn)導(dǎo)體層的切割示意圖；
[0035]圖6為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供的剝離第一屏蔽線(xiàn)層后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖7為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供的第一內(nèi)絕緣層的切割示意圖；
[0037]圖8為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供的第一芯線(xiàn)導(dǎo)體層的切割示意圖；
[0038]圖9為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供的加工完成后的第一同軸線(xiàn)和第二同軸線(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0039]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0040]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供了一種同時(shí)加工不同結(jié)構(gòu)的同軸線(xiàn)的方法，本實(shí)施例中的同軸線(xiàn)均為直徑小于0.5mm的極細(xì)同軸線(xiàn)，其中，所述不同結(jié)構(gòu)的同軸線(xiàn)至少包括一根第一同軸線(xiàn)和一根第二同軸線(xiàn)，所述第一同軸線(xiàn)從外到內(nèi)至少依次包括第一外絕緣層、第一屏蔽線(xiàn)層、第一內(nèi)絕緣層和第一芯線(xiàn)導(dǎo)體層，所述第二同軸線(xiàn)從外到內(nèi)至少依次包括第二外絕緣層和第二芯線(xiàn)導(dǎo)體層，當(dāng)然，所述第一芯線(xiàn)導(dǎo)體層內(nèi)側(cè)還可包括第一內(nèi)芯絕緣層，所述第二芯線(xiàn)導(dǎo)體層內(nèi)側(cè)還可包括第二內(nèi)絕緣層，本發(fā)明并不對(duì)此進(jìn)行限定。
[0041]其中，芯線(xiàn)導(dǎo)體層的作用是傳輸信號(hào)，屏蔽線(xiàn)層的作用是防止芯線(xiàn)導(dǎo)體層在傳輸信號(hào)時(shí)產(chǎn)生電磁干擾，在后續(xù)焊接時(shí)，屏蔽線(xiàn)層與地線(xiàn)板焊接在一起，芯線(xiàn)導(dǎo)體層與待連接部件的連接端子焊接在一起。基于此，在切割的過(guò)程中，需保證芯線(xiàn)導(dǎo)體層和屏蔽線(xiàn)層保留一定的長(zhǎng)度。
[0042]下面以包括第一外絕緣層10、第一屏蔽線(xiàn)層11、第一內(nèi)絕緣層12和第一芯線(xiàn)導(dǎo)體層13的第一同軸線(xiàn)I和包括第二外絕緣層20、第二芯線(xiàn)導(dǎo)體層21和第二內(nèi)絕緣層(圖中未示出)的第二同軸線(xiàn)2為例，對(duì)本發(fā)明提供的不同結(jié)構(gòu)的極細(xì)同軸線(xiàn)進(jìn)行同時(shí)加工的方法進(jìn)行說(shuō)明，參考圖2?圖9。
[0043]對(duì)不同結(jié)構(gòu)的同軸線(xiàn)進(jìn)行同時(shí)加工的方法的流程圖如圖1所示，包括:
[0044]SlOl:同時(shí)切割并剝除所述第一同軸線(xiàn)I的第一外絕緣層10和所述第二同軸線(xiàn)2的第二外絕緣層20，以暴露出所述第一屏蔽線(xiàn)層11和所述第二芯線(xiàn)導(dǎo)體層21 ;
[0045]具體地，同時(shí)切割并剝除第一同軸線(xiàn)I的第一外絕緣層10和第二同軸線(xiàn)2的第二外絕緣層20，包括:
[0046]參考圖2和圖3，先采用激光切割機(jī)切割第一同軸線(xiàn)I的第一外絕緣層10和第二同軸線(xiàn)2的第二外絕緣層20，其中，激光切割機(jī)的工藝參數(shù)可