15ms，Ba(CpEt)2和氮?dú)饬髁烤鶠閘lsccm;
[0234] ②注入氮?dú)鉀_洗沉積室，注入時(shí)間為7s，氮?dú)饬髁繛閘lsccm;
[0235] ③然后將氨氣隨氮?dú)庾⑷氤练e室中，與Ba(CpEt)2&生反應(yīng)，注入時(shí)間為15ms，氨 氣和氮?dú)饬髁烤鶠閘lsccm;
[0236] ④注入氮?dú)鉀_洗沉積室，注入時(shí)間為7s，氮?dú)饬髁繛閘lsccm;
[0237] 重復(fù)上述制備周期，得到厚度為15nm的第二無(wú)機(jī)阻擋層；
[0238] (3)再在第二無(wú)機(jī)阻擋層上采用步驟（a)的方法和材質(zhì)制備第一無(wú)機(jī)阻擋層，在第 一無(wú)機(jī)阻擋層上采用步驟（b)的方法和材質(zhì)制備第二無(wú)機(jī)阻擋層，以此類推，最終使第一無(wú) 機(jī)阻擋層和第二無(wú)機(jī)阻擋層交替層疊3次，第一無(wú)機(jī)阻擋層和第二無(wú)機(jī)阻擋層形成一個(gè)結(jié) 構(gòu)單元，封裝層由3個(gè)結(jié)構(gòu)單元層疊而成。
[0239] 本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率（WVTR，g/m2?day)為3. 89X10_6,有 機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為15,511hO70@1000cd/m2)。
[0240] 實(shí)施例12:
[0241] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0242] (1)該步驟同實(shí)施例1步驟（1);
[0243] ( 2 )在陰極層表面制備封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，封裝層包括依次層疊的第 一無(wú)機(jī)阻擋層和第二無(wú)機(jī)阻擋層，封裝層的制備方法如下：
[0244] (a)在陰極表面采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備第一無(wú)機(jī)阻擋層，第一無(wú) 機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氧氮化硅，采用六甲基二硅胺、氨氣和氧氣作為前驅(qū)物，同時(shí)通入氬氣， 六甲基二娃胺的流量為7sccm，Ar流量為77sccm，NH3流量為lOsccm，02流量為lOsccm，工 作壓強(qiáng)為30Pa，射頻功率為0.lW/cm2,沉積溫度為40°C，第一無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為150nm;
[0245] (b)在第一無(wú)機(jī)阻擋層上采用原子層沉積的方法制備第二無(wú)機(jī)阻擋層，第二無(wú) 機(jī)阻擋層的材質(zhì)為Ba3N2 ;金屬源為Ba(CpEt)2，氮源為氨氣，工作壓強(qiáng)為15Pa，沉積溫度為 40。。；
[0246] 制備第二無(wú)機(jī)阻擋層的一個(gè)制備周期為：
[0247] ①將Ba(CpEt)2隨氮?dú)庾⑷氤练e室中并在第一無(wú)機(jī)阻擋層上沉積，注入時(shí)間為 10ms，Ba(CpEt)2和氮?dú)饬髁烤鶠?5sccm;
[0248] ②注入氮?dú)鉀_洗沉積室，注入時(shí)間為10s，氮?dú)饬髁繛?5sCCm;
[0249] ③然后將氨氣隨氮?dú)庾⑷氤练e室中，與Ba(CpEt)2&生反應(yīng)，注入時(shí)間為10ms，氨 氣和氮?dú)饬髁烤鶠?5sccm;，
[0250] ④注入氮?dú)鉀_洗沉積室，注入時(shí)間為10s，氮?dú)饬髁繛?5sCCm;
[0251] 重復(fù)上述制備周期，得到厚度為15nm的第二無(wú)機(jī)阻擋層；
[0252] (3)再在第二無(wú)機(jī)阻擋層上采用步驟（a)的方法和材質(zhì)制備第一無(wú)機(jī)阻擋層，在第 一無(wú)機(jī)阻擋層上采用步驟（b)的方法和材質(zhì)制備第二無(wú)機(jī)阻擋層，以此類推，最終使第一無(wú) 機(jī)阻擋層和第二無(wú)機(jī)阻擋層交替層疊3次，第一無(wú)機(jī)阻擋層和第二無(wú)機(jī)阻擋層形成一個(gè)結(jié) 構(gòu)單元，封裝層由3個(gè)結(jié)構(gòu)單元層疊而成。
[0253] 本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率（WVTR，g/m2?day)為3. 91X10_6,有 機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為15,500hO70@1000cd/m2)。
[0254] 實(shí)施例13 :
[0255] -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0256] (1)該步驟同實(shí)施例1步驟（1);
[0257] ( 2 )在陰極層表面制備封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，封裝層包括依次層疊的第 一無(wú)機(jī)阻擋層和第二無(wú)機(jī)阻擋層，封裝層的制備方法如下：
[0258](a)在陰極表面采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備第一無(wú)機(jī)阻擋層，第一 無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氧碳化硅，采用六甲基二硅氧烷和一氧化二氮作為前驅(qū)物；同時(shí)通入 Ar，六甲基二硅氧烷的流量為22sccm，N20和Ar的流量均為30sccm，N20的流量是N20和Ar 混合氣體流量的50%，沉積室工作壓強(qiáng)為80Pa，射頻功率為0. 7W/cm2,沉積溫度為50°C，第 一無(wú)機(jī)阻擋層厚度為300nm;
[0259] (b)在第一無(wú)機(jī)阻擋層上采用原子層沉積的方法制備第二無(wú)機(jī)阻擋層，第二無(wú)機(jī) 阻擋層的材質(zhì)為Be3N2;金屬源為Be(CpEt)2，氮源為氨氣，制備時(shí)工作壓強(qiáng)為40Pa，沉積溫 度為50°C ;
[0260] 制備第二無(wú)機(jī)阻擋層的一個(gè)制備周期為：
[0261] ①將氮?dú)庾⑷朐訉映练e系統(tǒng)的沉積室中并在第一無(wú)機(jī)阻擋層上沉 積，注入時(shí)間為15ms，Be(CpEt)2和氮?dú)饬髁繛?5sccm;
[0262] ②注入氮?dú)鉀_洗沉積室，注入時(shí)間為7s，流量為15sCCm;
[0263] ③然后將氨氣隨氮?dú)庾⑷氤练e室中，與Be(CpEt)2&生反應(yīng)，注入時(shí)間為15ms，氨 氣和氮?dú)饬髁繛?5sccm;
[0264] ④注入氮?dú)鉀_洗沉積室，注入時(shí)間為7s，流量為15sCCm;
[0265] 重復(fù)上述制備周期，得到厚度為20nm的第二無(wú)機(jī)阻擋層；
[0266] (3)再在第二無(wú)機(jī)阻擋層上采用步驟（a)的方法和材質(zhì)制備第一無(wú)機(jī)阻擋層，在第 一無(wú)機(jī)阻擋層上采用步驟（b)的方法和材質(zhì)制備第二無(wú)機(jī)阻擋層，以此類推，最終使第一無(wú) 機(jī)阻擋層和第二無(wú)機(jī)阻擋層交替層疊5次，第一無(wú)機(jī)阻擋層和第二無(wú)機(jī)阻擋層形成一個(gè)結(jié) 構(gòu)單元，封裝層由5個(gè)結(jié)構(gòu)單元層疊而成。
[0267] 本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率(WVTR，g/m2 ?day)為3. 61X1(T6,有 機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為16,098hO70@1000cd/m2)。
[0268] 實(shí)施例14:
[0269] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0270] (1)該步驟同實(shí)施例1步驟（1);
[0271] (2)在陰極層表面制備封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，封裝層包括依次層疊的第 一無(wú)機(jī)阻擋層和第二無(wú)機(jī)阻擋層，封裝層的制備方法如下：
[0272] (a)在陰極表面采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備第一無(wú)機(jī)阻擋層，第一無(wú) 機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氧碳化硅，采用四甲基硅烷和一氧化二氮作為前驅(qū)物，同時(shí)通入Ar，四甲 基硅烷的流量為25SCCm，N20與Ar流量均為5〇SCCm，N20的流量是N20和Ar的混合氣體流 量的60%，沉積室工作壓強(qiáng)為50Pa，射頻功率為0. 5W/cm2,沉積溫度為40°C，第一無(wú)機(jī)阻擋 層厚度為280nm;
[0273](b)在第一無(wú)機(jī)阻擋層上采用原子層沉積的方法制備第二無(wú)機(jī)阻擋層，第二無(wú)機(jī) 阻擋層的材質(zhì)為Mg3N2;金屬源為Mg(CpEt)2，氮源為氨氣，制備時(shí)工作壓強(qiáng)為10Pa，沉積溫 度為40°C ;
[0274] 制備第二無(wú)機(jī)阻擋層的一個(gè)制備周期為：
[0275] ①將氮?dú)庾⑷朐訉映练e系統(tǒng)的沉積室中并在第一無(wú)機(jī)阻擋層上沉 積，注入時(shí)間為20ms，Mg(CpEt)2和氮?dú)饬髁繛?0sccm;
[0276] ②注入氮?dú)鉀_洗沉積室，注入時(shí)間為10s，流量為2〇SCCm;
[0277] ③然后將氨氣隨氮?dú)庾⑷氤练e室中，與Mg(CpEt)2&生反應(yīng)，注入時(shí)間為20ms，氨 氣和氮?dú)饬髁繛?0sccm;
[0278] ④注入氮?dú)鉀_洗沉積室，注入時(shí)間為10s，流量為2〇SCCm;
[0279]重復(fù)上述制備周期，得到厚度為19nm的第二無(wú)機(jī)阻擋層；
[0280] (3)再在第二無(wú)機(jī)阻擋層上采用步驟（a)的方法和材質(zhì)制備第一無(wú)機(jī)阻擋層，在第 一無(wú)機(jī)阻擋層上采用步驟（b)的方法和材質(zhì)制備第二無(wú)機(jī)阻擋層，以此類推，最終使第一無(wú) 機(jī)阻擋層和第二無(wú)機(jī)阻擋層交替層疊4次，第一無(wú)機(jī)阻擋層和第二無(wú)機(jī)阻擋層形成一個(gè)結(jié) 構(gòu)單元，封裝層由4個(gè)結(jié)構(gòu)單元層疊而成。
[0281] 本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率（WVTR，g/m2?day)為3. 63X10_6,有 機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為16,070hO70@1000cd/m2)。
[0282] 實(shí)施例15 :
[0283] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0284] (1)該步驟同實(shí)施例1步驟（1);
[0285] ( 2 )在陰極層表面制備封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，封裝層包括依次層疊的第 一無(wú)機(jī)阻擋層和第二無(wú)機(jī)阻擋層，封裝層的制備方法如下：
[0286] (a)在陰極表面采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備第一無(wú)機(jī)阻擋層，第一無(wú) 機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氧碳化硅，采用四乙氧基硅烷和一氧化二氮作為前驅(qū)物，同時(shí)通入Ar，四 乙氧基硅烷的流量為20sccm，N20和Ar的流量均為20sccm，N20的流量是N20和Ar混合氣 體流量的40%，沉積室工作壓強(qiáng)為lOOPa，射頻功率為lW/cm2,沉積溫度為60°C，第一無(wú)機(jī)阻 擋層厚度為250nm;
[0287] (b)在第一無(wú)機(jī)阻擋層上采用原子層沉積的方法制備第二無(wú)機(jī)阻擋層，第二無(wú)機(jī) 阻擋層的材質(zhì)為Ca3N2 ;金屬源為Ca(CpEt)2，氮源為氨氣，制備時(shí)工作壓強(qiáng)為50Pa，沉積溫 度為60°C;
[0288] 制備第二無(wú)機(jī)阻擋層的一個(gè)制備周期為：
[0289] ①將Ca(CpEt)2隨氮?dú)庾⑷朐訉映练e系統(tǒng)的沉積室中并在第一無(wú)機(jī)阻擋層上沉 積，注入時(shí)間為l〇ms，Ca(CpEt)2和氮?dú)饬髁繛閘Osccm;
[0290] ②注入氮?dú)鉀_洗沉積室，注入時(shí)間為5s，流量為lOsccm;
[0291] ③然后將氨氣隨氮?dú)庾⑷氤练e室中，與Ca(CpEt)2&生反應(yīng)，注入時(shí)間為10ms，氨 氣和氮?dú)饬髁繛閘Osccm;
[0292] ④注入氮?dú)鉀_洗沉積室，注入時(shí)間為5s，流量為lOsccm;
[0293] 重復(fù)上述制備周期，得到厚度為18nm的第二無(wú)機(jī)阻擋層；
[0294] (3)再在第二無(wú)機(jī)阻擋層上采用步驟（a)的方法和材質(zhì)制備第一無(wú)機(jī)阻擋層，在第 一無(wú)機(jī)阻擋層上采用步驟（b)的方法和材質(zhì)制備第二無(wú)機(jī)阻擋層，以此類推，最終使第一無(wú) 機(jī)阻擋層和第二無(wú)機(jī)阻擋層交替層疊3次，第一無(wú)機(jī)阻擋層和第二無(wú)機(jī)阻擋層形成一個(gè)結(jié) 構(gòu)單元，封裝層由3個(gè)結(jié)構(gòu)單元層疊而成。
[0295] 本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率（WVTR，g/m2?day)為3. 65X10_6,有 機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為16,048hO70@1000cd/m2)。
[0296] 實(shí)施例16:
[0297] -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0298] (1)該步驟同實(shí)施例1步驟（1);
[0299] ( 2 )在陰極層表面制備封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，封裝層包括依次層疊的氧 碳化硅層和無(wú)機(jī)阻擋層，封裝層的制備方法如下：
[0300](a)在陰極表面采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備第一無(wú)機(jī)阻擋層，第一無(wú) 機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氧碳化硅，采用六甲基二硅氧烷和一氧化二氮作為前驅(qū)物，同時(shí)通入Ar， 六甲基二硅氧烷的流量為23SCCm，N20和Ar的流量為4〇SCCm，N20的流量是N20和Ar混合 氣體流量的55%，沉積室工作壓強(qiáng)為90Pa，射頻功率為0. 9W/cm2,沉積溫度為40°C，第一無(wú) 機(jī)阻擋層厚度為260nm;
[0301] (b)在第一無(wú)機(jī)阻擋層上采用原子層沉積的方法制備第二無(wú)機(jī)阻擋層，第二無(wú)機(jī) 阻擋層的材質(zhì)為Sr3N2