0_6,有 機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為15,096hO70@1000cd/m2)。
[0099] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本 實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括IT0導(dǎo)電玻璃基板1、空穴注入層2、空穴傳輸層3、發(fā)光 層4、電子傳輸層5、電子注入層6、陰極層7和封裝層8,封裝層8包括依次層疊的第一無機(jī) 阻擋層81和第二無機(jī)阻擋層82,第一無機(jī)阻擋層81和第二無機(jī)阻擋層82形成一個(gè)結(jié)構(gòu)單 元，封裝層8為5個(gè)結(jié)構(gòu)單元層疊而成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。
[0100] 實(shí)施例2 :
[0101] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0102] (1)該步驟同實(shí)施例1的步驟（1);
[0103] ( 2 )在陰極層表面制備封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，封裝層包括依次層疊的第 一無機(jī)阻擋層和第二無機(jī)阻擋層，封裝層的制備方法如下：
[0104] (a)在陰極表面采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備第一無機(jī)阻擋層，第一無 機(jī)阻擋層的材質(zhì)為碳氮化硅，采用甲基硅烷和氨氣作為前驅(qū)物，在陰極層表面上制備第一 無機(jī)阻擋層，同時(shí)通入H2，甲基硅烷的流量為Ssccm，氨氣的流量是甲基硅烷流量的24倍，H2 的流量為205SCCm，工作壓強(qiáng)為10Pa，沉積溫度為40°C，射頻功率為0.lW/cm2,第一無機(jī)阻 擋層的厚度為140nm;
[0105] (b)在第一無機(jī)阻擋層上采用原子層沉積的方法制備第二無機(jī)阻擋層，第二無機(jī) 阻擋層的材質(zhì)為Mg3N2;金屬源為Mg(CpEt)2，氮源為氨氣，沉積室工作壓強(qiáng)為10Pa，沉積溫 度為40°C;
[0106] 制備第二無機(jī)阻擋層的一個(gè)制備周期為：
[0107] ①將氮?dú)庾⑷朐訉映练e系統(tǒng)的沉積室中并在第一無機(jī)阻擋層上沉 積，注入時(shí)間為20ms，Mg(CpEt)2和氮?dú)饬髁烤鶠?0sccm;
[0108] ②注入氮?dú)鉀_洗沉積室，注入時(shí)間為10s，氮?dú)饬髁繛?〇SCCm;
[0109] ③然后將氨氣隨氮?dú)庾⑷氤练e室中，與Mg(CpEt)2&生反應(yīng)，注入時(shí)間為20ms，氨 氣和氮?dú)饬髁烤鶠?0sccm;
[0110] ④注入氮?dú)鉀_洗沉積室，注入時(shí)間為l〇s，氮?dú)饬髁繛?〇SCCm;
[0111] 重復(fù)上述制備周期，得到厚度為19nm的第二無機(jī)阻擋層。
[0112] (3)再在無機(jī)阻擋層上采用步驟（a)的方法和材質(zhì)制備第一無機(jī)阻擋層，在該第一 無機(jī)阻擋層上采用步驟（b)的方法和材質(zhì)制備第二無機(jī)阻擋層，以此類推，最終使第一無機(jī) 阻擋層和第二無機(jī)阻擋層交替層疊4次，第一無機(jī)阻擋層和第二無機(jī)阻擋層形成一個(gè)結(jié)構(gòu) 單元，封裝層由4個(gè)結(jié)構(gòu)單元層疊而成。
[0113] 本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率（WVTR，g/m2 ?day)為4. 23X10_6,有 機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為15,070hO70@1000cd/m2)。
[0114] 實(shí)施例3:
[0115] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0116] (1)該步驟同實(shí)施例1步驟（1);
[0117] (2 )在陰極層表面制備封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，封裝層包括依次層疊的第 一無機(jī)阻擋層和第二無機(jī)阻擋層，封裝層的制備方法如下：
[0118] (a)在陰極表面采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備第一無機(jī)阻擋層，第一無 機(jī)阻擋層的材質(zhì)為碳氮化硅，采用甲基硅烷和氨氣作為前驅(qū)物，同時(shí)通入H2，甲基硅烷的流 量為6SCCm，氨氣的流量是甲基硅烷流量的21倍，H2的流量為21〇SCCm，工作壓強(qiáng)為lOOPa， 沉積溫度為60°C，射頻功率為lW/cm2,第一無機(jī)阻擋層的厚度為140nm;
[0119] (b)在第一無機(jī)阻擋層上采用原子層沉積的方法制備第二無機(jī)阻擋層，第二無機(jī) 阻擋層的材質(zhì)為Ca3N2 ;金屬源為Ca(CpEt)2，氮源為氨氣，制備時(shí)工作壓強(qiáng)為50Pa，沉積溫 度為60°C;
[0120] 制備第二無機(jī)阻擋層的一個(gè)制備周期為：
[0121] ①將Ca(CpEt)2隨氮?dú)庾⑷朐訉映练e系統(tǒng)的沉積室中并在第一無機(jī)阻擋層上沉 積，注入時(shí)間為l〇ms，Ca(CpEt)2和氮?dú)饬髁烤鶠閘Osccm;
[0122] ②注入氮?dú)鉀_洗沉積室，注入時(shí)間為5s，氮?dú)饬髁繛閘Osccm;
[0123] ③然后將氨氣隨氮?dú)庾⑷氤练e室中，與Ca(CpEt)2&生反應(yīng)，注入時(shí)間為10ms，氨 氣和氮?dú)饬髁烤鶠閘Osccm;
[0124] ④注入氮?dú)鉀_洗沉積室，注入時(shí)間為5s，氮?dú)饬髁繛閘Osccm;
[0125] 重復(fù)上述制備周期，得到厚度為18nm的第二無機(jī)阻擋層；
[0126] (3)再在第二無機(jī)阻擋層上采用步驟（a)的方法和材質(zhì)制備第一無機(jī)阻擋層，在第 一無機(jī)阻擋層上采用步驟（b)的方法和材質(zhì)制備第二無機(jī)阻擋層，以此類推，最終使第一無 機(jī)阻擋層和第二無機(jī)阻擋層交替層疊3次，第一無機(jī)阻擋層和第二無機(jī)阻擋層形成一個(gè)結(jié) 構(gòu)單元，封裝層由3個(gè)結(jié)構(gòu)單元層疊而成。
[0127] 本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率（WVTR，g/m2 ?day)為4. 26X10_6,有 機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為15,042hO70@1000cd/m2)。
[0128] 實(shí)施例4:
[0129] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0130] ( 1)該步驟同實(shí)施例1步驟（1);
[0131] ( 2 )在陰極層表面制備封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，封裝層包括依次層疊的第 一無機(jī)阻擋層和第二無機(jī)阻擋層，封裝層的制備方法如下：
[0132] (a)在陰極表面采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備第一無機(jī)阻擋層，第一無 機(jī)阻擋層的材質(zhì)為碳氮化硅，采用甲基硅烷和氨氣作為前驅(qū)物，同時(shí)通入H2，甲基硅烷的流 量為lOsccm，氨氣的流量是甲基硅烷流量的20倍，H2的流量為19〇SCCm，工作壓強(qiáng)為40Pa， 沉積溫度為60°C，射頻功率為0. 7W/cm2;第一無機(jī)阻擋層的厚度為130nm;
[0133] (b)在第一無機(jī)阻擋層上采用原子層沉積的方法制備第二無機(jī)阻擋層，第二無機(jī) 阻擋層的材質(zhì)為Sr3N2 ;金屬源為Sr(CpEt)2，氮源為氨氣，制備時(shí)工作壓強(qiáng)為30Pa，沉積溫 度為50V;
[0134] 制備第二無機(jī)阻擋層的一個(gè)制備周期為：
[0135] ①將Sr(CpEt)2隨氮?dú)庾⑷朐訉映练e系統(tǒng)的沉積室中并在第一無機(jī)阻擋層上沉 積，注入時(shí)間為15ms，Sr(CpEt)2和氮?dú)饬髁烤鶠?7sccm;
[0136] ②注入氮?dú)鉀_洗沉積室，注入時(shí)間為7s，流量為17sCCm;
[0137] ③然后將氨氣隨氮?dú)庾⑷氤练e室中，與Sr(CpEt)2&生反應(yīng)，注入時(shí)間為15ms，氨 氣和氮?dú)饬髁烤鶠?7sccm;
[0138] ④注入氮?dú)鉀_洗沉積室，注入時(shí)間為7s，流量為17sCCm;
[0139] 重復(fù)上述制備周期，得到厚度為16nm的第二無機(jī)阻擋層。
[0140] (3)再在第二無機(jī)阻擋層上采用步驟（a)的方法和材質(zhì)制備第一無機(jī)阻擋層，在第 一無機(jī)阻擋層上采用步驟（b)的方法和材質(zhì)制備第二無機(jī)阻擋層，以此類推，最終使第一無 機(jī)阻擋層和第二無機(jī)阻擋層交替層疊3次，第一無機(jī)阻擋層和第二無機(jī)阻擋層形成一個(gè)結(jié) 構(gòu)單元，封裝層由3個(gè)結(jié)構(gòu)單元層疊而成。
[0141] 本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率（WVTR，g/m2 ?day)為4. 27X10_6,有 機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為15,031hO70@1000cd/m2)。
[0142] 實(shí)施例5:
[0143] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0144] ( 1)該步驟同實(shí)施例1的步驟（1);
[0145] ( 2 )在陰極層表面制備封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，封裝層包括依次層疊的第 一無機(jī)阻擋層和第二無機(jī)阻擋層，封裝層的制備方法如下：
[0146] (a)在陰極表面采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備第一無機(jī)阻擋層，第一無 機(jī)阻擋層的材質(zhì)為碳氮化硅，采用甲基硅烷和氨氣作為前驅(qū)物，同時(shí)通入H2，甲基硅烷的流 量為4SCCm，氨氣的流量是甲基硅烷流量的30倍，H2的流量為19〇SCCm，工作壓強(qiáng)為20Pa， 沉積溫度為40°C，射頻功率為0. 8W/cm2,第一無機(jī)阻擋層的厚度為100nm;
[0147] (b)在第一無機(jī)阻擋層上采用原子層沉積的方法制備第二無機(jī)阻擋層，第二無機(jī) 阻擋層的材質(zhì)為Ba3N2 ;金屬源為Ba(CpEt)2，氮源為氨氣，制備時(shí)工作壓強(qiáng)為40Pa，沉積溫 度為50°C;
[0148] 制備第二無機(jī)阻擋層的一個(gè)制備周期為：
[0149] ①將Ba(CpEt)2隨氮?dú)庾⑷朐訉映练e系統(tǒng)的沉積室中并在第一無機(jī)阻擋層層上 沉積，注入時(shí)間為15ms，Ba(CpEt)2和氮?dú)饬髁烤鶠閘lsccm;
[0150] ②注入氮?dú)鉀_洗沉積室，注入時(shí)間為7s，氮?dú)饬髁繛閘lsccm;
[0151] ③然后將氨氣隨氮?dú)庾⑷氤练e室中，與Ba(CpEt)2&生反應(yīng)，注入時(shí)間為15ms，氨 氣和氮?dú)饬髁烤鶠閘lsccm;
[0152] ④注入氮?dú)鉀_洗沉積室，注入時(shí)間為7s，氮?dú)饬髁繛閘lsccm;
[0153] 重復(fù)上述制備周期，得到厚度為15nm的第二無機(jī)阻擋層；
[0154] (3)再在第二無機(jī)阻擋層上采用步驟（a)的方法和材質(zhì)制備第一無機(jī)阻擋層，在第 一無機(jī)阻擋層上采用步驟（b)的方法和材質(zhì)制備第二無機(jī)阻擋層，以此類推，最終使第一無 機(jī)阻擋層和第二無機(jī)阻擋層交替層疊3次，第一無機(jī)阻擋層和第二無機(jī)阻擋層形成一個(gè)結(jié) 構(gòu)單元，封裝層由3個(gè)結(jié)構(gòu)單元層疊而成。
[0155] 本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率（WVTR，g/m2 ?day)為4. 28X10_6,有 機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為15,014hO70@1000cd/m2)。
[0156] 實(shí)施例6:
[0157] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0158] (1)該步驟同實(shí)施例1的步驟（1);
[0159] (2 )在陰極層表面制備封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，封裝層包括依次層疊的第 一無機(jī)阻擋層和第二無機(jī)阻擋層，封裝層的制備方法如下：
[0160] (a)在陰極表面采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備第一無機(jī)阻擋層，第一無 機(jī)阻擋層的材質(zhì)為碳氮化硅，將采用甲基硅烷和氨氣作為前驅(qū)物，在陰極層表面上制備第 一無機(jī)阻擋層，同時(shí)通入H2，甲基硅烷的流量為5sCCm，氨氣的流量是甲基硅烷流量的20 倍，H2的流量為19〇SCCm，工作壓強(qiáng)為lOOPa，沉積溫度為50°C，射頻功率為0. 5W/cm2,第一 無機(jī)阻擋層的厚度為llOnm;
[0161] (b)在第一無機(jī)阻擋層上采用原子層沉積的方法制備第二無機(jī)阻擋層，第二無機(jī) 阻擋層的材質(zhì)為Ba3N2 ;金屬源為Ba(CpEt)2，氮源為氨氣，沉積室工作壓強(qiáng)為45Pa，沉積溫 度為45°C;
[0162] 制備第二無機(jī)阻擋層的一個(gè)制備周期為：
[0163] ①將Ba(CpEt)2隨氮?dú)庾⑷氤练e室中并在第一無機(jī)阻擋層上沉積，注入時(shí)間為 10ms，Ba(CpEt)2和氮?dú)饬髁烤鶠?5sccm;
[0164] ②注入氮?dú)鉀_洗沉積室，注入時(shí)間為10s，氮?dú)饬髁繛?5sCCm;
[0165] ③然后將氨氣隨氮?dú)庾⑷氤练e室中，與Ba(CpEt)2&生反應(yīng)，注入時(shí)間為10ms，