要求，否則在說明書和權(quán)利要求中，詞語“包括”、“正包括”、“包含”、“正包含”等將被解釋為包含的意義，而不是排他性或詳盡的意義；也就是說，以“包括，但不限于”的意義。如通常在此使用的，詞語“耦合”或“連接到”指的是可以直接連接，或通過一個或更多個元件連接的兩個或多個中間元件。另外，當在本申請中使用時，單詞“本文中”、“以上”、“以下”和類似含義的詞應指本申請的整體而不是此申請的任何特定部分。只要情況允許，在使用單數(shù)或復數(shù)數(shù)量的詳細說明中的詞語也可以分別包括復數(shù)或單數(shù)。在提到的兩個或更多個項目的列表時，詞語“或”意在覆蓋所有的單詞的以下解釋:該列表中的任何項目、在列表中的所有項目和列表中的項目的任何組合。本文所提供的所有數(shù)值或距離也意圖包括測量誤差內(nèi)的相似值。
[0043]本文所提供的本發(fā)明的教導可以應用于其它系統(tǒng)，而不一定上述系統(tǒng)。上述的各種實施例的元件和操作可以被組合以提供進一步的實施例?？梢砸匀魏雾樞蜃们檫M行本文所討論的方法的操作。此外，當合適時，本文中所討論的方法的操作可以被串聯(lián)或并行地執(zhí)行。
[0044]雖然已描述本發(fā)明的某些實施例，這些實施例僅通過舉例的方式提出，而不是為了限制本公開的范圍。的確，這里所描述的新穎的方法和系統(tǒng)可以體現(xiàn)在其他各種形式。例如，應當理解，這里所討論的原理和優(yōu)點可以用在需要比例電平電路元件的任何合適的集成電路。此外，可以對本文中所描述的方法和系統(tǒng)的形式做出各種省略、替代和改變，而不脫離本公開的精神。所附權(quán)利要求及其等同物旨在覆蓋這些形式或修改為落入本公開的范圍和精神內(nèi)。因此，本發(fā)明的范圍通過參考權(quán)利要求書限定。
【主權(quán)項】
1.一種裝置，包括: 在圍繞中心點布置的集成電路上的第一組電路元件，所述第一組電路元件經(jīng)配置以用作具有第一區(qū)域的第一復合電路元件，所述第一組電路元件被排列在二維柵格上；和 在圍繞同一中心點布置的同一集成電路上的第二組電路元件，所述第二組電路元件經(jīng)配置以用作具有第二區(qū)域的第二復合電路元件，所述第二組電路元件包括與中心點間隔大約相同距離的四個電路元件，并且第二組電路元件的四個電路元件的每個在至少一個維度離開柵格； 其中包括所述第一組電路元件和所述第二組電路元件的上的相同集成電路上的電路經(jīng)配置以基于所述第一區(qū)域到所述第二區(qū)域的比率操作，以及其中所述第一區(qū)域比第二區(qū)域大至少2倍。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述集成電路被封裝在塑料中。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述電路是帶隙電路。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述電路是與絕對溫度成正比的電路。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第一組電路元件包括第一組晶體管，以及其中第二組電路元件包括第二組晶體管。
6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其中，第一組和第二組晶體管的每一個包括雙極晶體管，以及其中所述第一區(qū)域?qū)诘谝唤M晶體管的總發(fā)射極區(qū)域，以及所述第二區(qū)域?qū)诘诙M晶體管的總發(fā)射極區(qū)域。
7.如權(quán)利要求5所述的裝置，其中，所述第二組晶體管包括: 置于沿著通過中心點的第一軸線并在中心點的相對兩側(cè)的兩個晶體管；和 沿著通過中心點的第二軸線并在中心點的相對兩側(cè)的兩個晶體管，其中，所述第一軸線基本上垂直于所述第二軸線。
8.如權(quán)利要求7所述的裝置，進一步包括布置在沿所述第一軸線和所述第二軸線的交叉圖案的虛設晶體管，其中，每個所述虛設晶體管比第二組晶體管的每個晶體管更接近中心點。
9.如權(quán)利要求5所述的裝置，進一步包括:設置在所述中心點上的虛擬晶體管。
10.如權(quán)利要求9所述的裝置，進一步包括:附加的虛設晶體管，每個鄰接在相對兩側(cè)上的第一組晶體管的晶體管。
11.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，第二組電路元件包括: 在第一維度離開柵格并在第二維度在柵格上的兩個電路元件；和 在第二維度離開柵格并在第一維度在柵格上的兩個電路元件； 且其中所述第一維度基本垂直于第二維度。
12.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，第一組電路元件的多個電路元件比第二組電路元件的任何電路元件更接近中心點。
13.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域的比例是偶整數(shù)比。
14.一種裝置，包括: 在單個集成電路上的晶體管的排列，所述晶體管的布置包括: 第一組晶體管，布置成圍繞中心點并且被配置為作為具有第一區(qū)域的第一復合晶體管操作； 第二組晶體管，布置成圍繞同一中心點并且被配置為作為具有第二區(qū)域的第二復合晶體管操作；和 一個或多個虛設晶體管； 其中，所述第一組和第二組晶體管被布置成圍繞所述一個或多個虛設晶體管的整個周邊，和 其中，第一區(qū)域是第二區(qū)域的至少兩倍。
15.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述一個或多個虛設晶體管包括排列成交叉圖案的虛設晶體管。
16.如權(quán)利要求15所述的裝置，其中，交叉圖案的外虛設晶體管鄰接相對側(cè)面上的第一組的晶體管以及基本上垂直于相對兩側(cè)的另一側(cè)上的第二組的晶體管。
17.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述一個或多個虛設晶體管的一個晶體管設置在中心點上。
18.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述第二組晶體管包括從中心點間隔大約相同距離的四個晶體管。
19.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中，第一組晶體管被布置在柵格上，以及其中所述第二組的各晶體管在一個維度離開柵格。
20.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述第一組的每個晶體管和所述第二組的每個晶體管具有大致相同的總區(qū)域。
21.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述單個集成電路被封裝在塑料中。
22.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述第一區(qū)域是第二區(qū)域的至少4倍。
23.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述第一區(qū)域是第二區(qū)域的至少8倍。
24.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述裝置包括被配置為產(chǎn)生基本恒定的參考電壓的電壓參考電路，以及其中所述參考電壓電路包括第一復合晶體管和第二復合晶體管。
25.—種形成集成電路的方法，該方法包括: 在圍繞中心點布置的集成電路上形成第一組晶體管，所述第一組晶體管被配置為用作具有第一區(qū)域的第一復合晶體管； 在圍繞同一中心點電路布置的相同集成電路上形成第二組晶體管，其中第二組的四個晶體管與中心點近似距離相同，第二組晶體管被配置為用作具有第二區(qū)域的第二復合晶體管，其中，第一區(qū)域比第二區(qū)域大至少近似2倍；和 在相同的集成電路商的交叉圖案中形成虛設晶體管，其中第一和第二組晶體管圍繞所述虛設晶體管的周邊形成，以及其中所述虛設晶體管中的一個被布置在所述第一組和第二組晶體管的布置的中心點上。
【專利摘要】本發(fā)明涉及復合電路元件的布局。公開了比例電平電路元件(諸如，晶體管)的物理布局。這些布局可以在存在施加到集成電路(諸如，封裝在塑料中的集成電路)的機械應力的情況下保持比例電平電路元件相對于彼此的電氣特性。比例電平電路元件可以包括由第一組和第二組電路元件形成的第一和第二復合電路元件，所述第一組和第二組電路元件分別圍繞中心點設置。第一組電路元件可以布置在柵格上，以及第二組電路元件可以包括與中心點間隔距離近似相等的四個電路元件。第二組中的每個電路元件可在至少一個維度上是離開柵格的。在一些實施例中，第一和第二組電路元件可以被布置成圍繞虛擬電路元件的周邊。
【IPC分類】H01L27-02
【公開號】CN104835815
【申請?zhí)枴緾N201510062364
【發(fā)明人】F·普切爾, C·G·萊登
【申請人】亞德諾半導體集團
【公開日】2015年8月12日
【申請日】2015年2月6日
【公告號】US20150228636