一種有機發(fā)光顯示裝置及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，具體涉及一種有機發(fā)光顯示裝置及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有源矩陣有機發(fā)光器件(英文全稱Active Matrix Organic Lighting EmittingDisplay,簡稱AMOLED),利用薄膜晶體管(英文全稱Thin Film Transistor,簡稱TFT),搭配電容存儲信號，來控制有機發(fā)光二極管(英文全稱Organic Lighting Emitting D1de,簡稱OLED)的亮度和灰階表現(xiàn)。每個單獨的AMOLED具有完整的第二電極、有機功能層和第一電極，第一電極覆蓋一個薄膜晶體管陣列，形成一個矩陣。薄膜晶體管陣列形成電路，決定像素的發(fā)光情況，進(jìn)而決定圖像的構(gòu)成。AMOLED可大尺寸化，較省電，高解析度，面板壽命較長，因此在顯示技術(shù)領(lǐng)域得到了高度的重視。
[0003]如附圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中有機發(fā)光顯示裝置包括基板00，設(shè)置在基板00上的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管通常包括設(shè)置在基板00上的柵極10、第一絕緣層20、半導(dǎo)體層30、第二絕緣層40，以及設(shè)置在半導(dǎo)體層30兩端的漏極501和源極502。薄膜晶體管上還設(shè)置有鈍化層36，所述平坦化層60上設(shè)置包括第一電極層70、有機層90以及第二電極層100的有機發(fā)光二極管，其中，所述平坦化層60中設(shè)置有導(dǎo)通所述源極502和所述第一電極層70的通孔。所述平坦化層60上還設(shè)置有像素限定層80，用于各像素間的隔離。
[0004]光照會使半導(dǎo)體層30產(chǎn)生光生載流子，繼而影響薄膜晶體管特性，比如電阻率、閾值電壓、漏電流等，在所述有機發(fā)光顯示裝置的制備過程中可以通過封裝工藝對所述顯示裝置外部光線進(jìn)行阻擋，例如，設(shè)置防紫外線涂層、黑矩陣等。然而，從顯示裝置自身發(fā)射的光，例如從第一電極層70透射出來的光線，特別是藍(lán)光之類短波長的光線會對半導(dǎo)體層30產(chǎn)生嚴(yán)重影響，從而影響薄膜晶體管性能，造成所述有機發(fā)光顯示裝置的性能劣化、壽命減少的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為此，本發(fā)明所要解決的是現(xiàn)有技術(shù)中有機發(fā)光顯示裝置自身發(fā)光影響薄膜晶體管性能的問題，提供一種有效避免有機發(fā)光顯示裝置自發(fā)光入射薄膜晶體管半導(dǎo)體層的有機發(fā)光顯示裝置及其制備方法。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
[0007]本發(fā)明所述的一種有機發(fā)光顯示裝置，包括:
[0008]基板；
[0009]薄膜晶體管，包括半導(dǎo)體層、設(shè)置在半導(dǎo)體層兩端的漏極和源極，沿垂直方向設(shè)置于半導(dǎo)體層上方或下方的柵極層；
[0010]平坦化層，設(shè)置薄膜晶體管上；
[0011]有機發(fā)光二極管，設(shè)置在平坦化層上，包括第一電極層、有機層以及第二電極層；
[0012]平坦化層中設(shè)置有導(dǎo)通第一電極層與源極或漏極的第一通孔；
[0013]所述有機發(fā)光顯示裝置還包括與所述柵極層和/或所述半導(dǎo)體層同層以同種材料形成的光阻擋層，沿平行于所述基板方向，所述光阻擋層設(shè)置在所述有機發(fā)光二極管和所述薄膜晶體管之間。
[0014]所述有機發(fā)光二極管的發(fā)光區(qū)域在所述基板上的投影與所述光阻擋層在所述基板上的投影無重疊。
[0015]所述柵極層設(shè)置在所述半導(dǎo)體層下方。
[0016]所述薄膜晶體管還包括直接設(shè)置在所述柵極層上的第一絕緣層。
[0017]所述薄膜晶體管還包括直接設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上的第二絕緣層。
[0018]所述第一絕緣層或所述第二絕緣層覆蓋所述光阻擋層。
[0019]所述有機層包括發(fā)光層。
[0020]本發(fā)明所述的有機發(fā)光顯示裝置的制備方法，包括如下步驟:
[0021]S1、在基板上形成第一金屬層，并圖案化在基板的非開口區(qū)域形成光阻擋層和柵極層；
[0022]S2、在基板上直接形成覆蓋光阻擋層和柵極層的第一絕緣層；
[0023]S3、在第一絕緣層上直接形成半導(dǎo)體層材料層，并圖案化，在柵極層上方形成半導(dǎo)體層；
[0024]S4、在第一絕緣層上形成第二金屬層，并圖案化形成覆蓋半導(dǎo)體層兩端的源極和漏極；
[0025]S5、在第一絕緣層上形成平坦化層，并圖案化，形成暴露源極或漏極部分區(qū)域的第一通孔；
[0026]S6、在平坦化層上直接形成第一電極層，并通過第一通孔與漏極接觸連接；
[0027]S7、在平坦化層上形成覆蓋第一電極層的像素限定層，并圖案化，在基板的開口區(qū)域形成暴露第一電極層的第二通孔；
[0028]S8、在第二通孔內(nèi)的第一電極層上形成有機層和第二電極層。
[0029]本發(fā)明所述的有機發(fā)光顯示裝置的制備方法，包括如下步驟:
[0030]S1、在基板上形成第一金屬層，并圖案化形成柵極層；
[0031]S2、在基板上直接形成覆蓋柵極層的第一絕緣層；
[0032]S3、在第一絕緣層上直接形成半導(dǎo)體層材料層，并圖案化，在基板的非開口區(qū)域形成光阻擋層和半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層形成在柵極層上方；
[0033]S4、在第一絕緣層上形成覆蓋光阻擋層和半導(dǎo)體層的第二絕緣層，并圖案化形成暴露半導(dǎo)體層兩端的第三通孔，在第二絕緣層上形成第二金屬層，并圖案化形成獨立的并通過第三通孔與半導(dǎo)體層兩端接觸連接的源極和漏極；
[0034]S5、在第二絕緣層上形成平坦化層，并圖案化，形成暴露源極或漏極部分區(qū)域的第一通孔；
[0035]S6、在平坦化層上直接形成第一電極層，并通過第一通孔與源極或漏極接觸連接;
[0036]S7、在平坦化層上形成覆蓋第一電極層的像素限定層，并圖案化，在基板的開口區(qū)域形成暴露第一電極層的第二通孔；
[0037]S8、在第二通孔內(nèi)的第一電極層上形成有機層和第二電極層。
[0038]步驟S8中所述有機層和所述第二電極層通過所述第二通孔延伸至所述第二通孔的側(cè)壁和所述平坦化層上。
[0039]步驟SI中所述第一金屬層圖案化時還包括在基板的非開口區(qū)域形成第二光阻擋層的步驟，所述第二光阻擋層與步驟S3中所述的光阻擋層在所述基板上的投影部分或全部重合。
[0040]步驟S4還包括在所述第一絕緣層上形成覆蓋所述半導(dǎo)體層的第二絕緣層，并圖案化，形成暴露所述半導(dǎo)體層兩端的第三通孔的步驟。
[0041]本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點:
[0042]本發(fā)明所述的一種有機發(fā)光顯示裝置，包括與所述柵極層和/或所述半導(dǎo)體層同層以同種材料形成的光阻擋層，沿平行于所述基板方向，所述光阻擋層設(shè)置在所述有機發(fā)光二極管和所述薄膜晶體管之間；所述光阻擋層能有效避免有機發(fā)光顯示裝置中有機發(fā)光二極管的自發(fā)光入射至所述半導(dǎo)體層，從而影響薄膜晶體管性能，造成所述有機發(fā)光顯示裝置的性能劣化、壽命減少的問題，有效提高了所述薄膜晶體管的性能，從而改善了有機發(fā)光顯示裝置的使用效果和壽命。
[0043]本發(fā)明所述的一種有機發(fā)光顯示裝置的制備方法，所述光阻擋層與所述柵極層和/或所述半導(dǎo)體層同層以同種材料形成，在不增加工藝步驟的情況下即可實現(xiàn)薄膜晶體管性能的優(yōu)化，工藝簡單、制備成本低，具有極大的應(yīng)用價值。
【附圖說明】
[0044]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實施例并結(jié)合附圖，對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中
[0045]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖；
[0046]圖2-1?圖2-9是本發(fā)明實施例1中所述有機發(fā)光顯示裝置在制備過程中的剖視圖；
[0047]圖3-1?圖3-9是本發(fā)明實施例2中所述有機發(fā)光顯示裝置在制備過程中的剖視圖；
[0048]圖中附圖標(biāo)記表示為:00_基板，10、101_柵極層，20-第一絕緣層，30、301