，而如圖29所示，將金屬帶20的另一端接合于引腳4LS的條帶連接部4B的上表面4a。此時，通過將金屬帶20按壓于引腳4LS的條帶連接面4Ba，從而金屬帶20緊貼條帶連接面4Ba而按鍵合工具23變形。另外，通過對鍵合工具23施加超聲波，從而能夠在金屬帶20與條帶連接部4B的條帶連接面4Ba的接觸界面形成金屬鍵，將金屬帶20與條帶連接部4B的條帶連接面4Ba電連接。
[0242]在引腳4LS不搭載半導(dǎo)體芯片，所以不發(fā)生條帶鍵合時鍵合工具23與半導(dǎo)體芯片接觸的問題。但是，如使用圖6說明地那樣，從使引腳4LS難以從封固體5脫落的角度來看，優(yōu)選是將引腳4LS的條帶連接部4B的條帶連接面4Ba配置于比端子部4T的上表面4a高的位置。
[0243]因此，本工序中，條帶連接部4B的位于上表面4a的相反側(cè)(正下方)的下表面與支撐臺25的條帶連接部保持面25b緊貼并被保持于支撐臺25。圖29所示的例子中，在支撐臺25的局部設(shè)置有突出部25c，突出部的上表面成為條帶連接部保持面25b。通過在這樣作為被接合部的條帶連接部4B的條帶連接面4Ba由支撐臺25的條帶連接部保持面25b支撐的狀態(tài)下進行鍵合，從而對鍵合工具23施加的超聲波有效地傳遞到金屬帶20的接合面。其結(jié)果，能夠使金屬帶20與條帶連接部4B的接合強度提高。
[0244]接下來，使鍵合工具23沿著條帶連接面4Ba向半導(dǎo)體芯片2L側(cè)進一步移動。而且，通過將切斷刀24朝向金屬帶20按壓，從而將金屬帶20切斷。金屬帶20的切斷方法與使用圖27說明的方法相同，所以省略圖示以及重復(fù)的說明。
[0245]通過以上的工序，如圖23以及圖24所示，半導(dǎo)體芯片2H的源電極焊盤2HSP與接片3L的條帶連接部3B的條帶連接面3Ba，經(jīng)由金屬條帶7HSR而電連接。另外，半導(dǎo)體芯片2L的源電極焊盤2LSP與引腳4LS的條帶連接部4B的條帶連接面4Ba，經(jīng)由金屬條帶7LSR而電連接。
[0246]<引線鍵合工序>
[0247]另外，在圖17所示的引線鍵合工序中，如圖30?圖32所示，將半導(dǎo)體芯片2H的柵電極焊盤2HGP與引腳4HG的條帶連接部4B的條帶連接面4Ba經(jīng)由導(dǎo)線(金屬導(dǎo)線)7GW而電連接。另外，本工序中，將半導(dǎo)體芯片2L的柵電極焊盤2LGP與引腳4LG的條帶連接部4B的條帶連接面4Ba經(jīng)由導(dǎo)線(金屬導(dǎo)線)7GW而電連接。
[0248]圖30是表示將圖23所示的多個半導(dǎo)體芯片與多個引腳分別經(jīng)由導(dǎo)線而電連接的狀態(tài)的放大平面圖。另外，圖31是沿圖30的A-A線的放大剖視圖。另外，圖32是沿圖30的B-B線的放大剖視圖。
[0249]如圖31或圖32所示，本工序中，通過對鍵合工具26施加超聲波，從而通過使導(dǎo)線7GW的一部分與被接合部金屬鍵合而進行接合。例如、在圖31以及圖32所示的例子中，首先，在形成于柵電極焊盤2HGP、2LGP的最外表面的金屬膜(例如鋁膜、或金膜)接合例如由金(Au)形成的導(dǎo)線7GW的一端。此時，對接合工具26施加超聲波以在接合界面形成金屬鍵。
[0250]接下來，一邊從鍵合工具26送出導(dǎo)線27 —邊使鍵合工具26在條帶連接部4B上移動。在引腳4HG、4LG的條帶連接部4B的條帶連接面4Ba，形成有能夠使導(dǎo)線7GW與引腳4HG、4LG的基材(例如銅)的連接強度提高的金屬膜4BM。引腳4HG、4LG的基材例如由銅(Cu)形成，金屬膜4BM例如由銀(Ag)形成。而且，通過對鍵合工具26施加超聲波，從而在導(dǎo)線27的一部(第2鍵合部)與金屬膜4B的接合界面形成金屬鍵，將兩者電連接。接下來，如果將導(dǎo)線27切斷，則形成圖31以及圖32所示的導(dǎo)線7GW。
[0251]本工序中，從使超聲波有效地傳遞到被接合部并使接合強度提高的角度來看，優(yōu)選是在由支撐臺28支撐被接合部的狀態(tài)下對鍵合工具26施加超聲波。
[0252]另外，圖17中示出在條帶鍵合工序后進行引線鍵合工序，但是作為變形例，也可以在進行條帶鍵合工序后進行引線鍵合工序。只是，條帶鍵合工序中使用的鍵合工具23 (參照圖25?圖29)比引線鍵合工序中使用的鍵合工具26 (參照圖31、圖32)大。因此，從防止在條帶鍵合時鍵合工具23與導(dǎo)線7GW接觸的角度來看，優(yōu)選是如圖17所示在條帶鍵合工序后進行引線鍵合工序。進一步，條帶鍵合工序中施加的超聲波的功率(能量)比引線鍵合中施加的超聲波的功率(能量)大的情況多。這是因為:雖然與上述的鍵合工具的大小差異也有關(guān)系，但是條帶鍵合工序中鍵合工具23施加超聲波的面積比引線鍵合工序中鍵合工具26施加超聲波的面積大。因此，若在先形成導(dǎo)線7GW后進行條帶鍵合，則由于超聲波的功率的影響，導(dǎo)線7GW從電極焊盤脫落的危險性升高。為了避免這樣的危險性，也優(yōu)選在條帶鍵合工序后進行引線鍵合工序。
[0253]<密封工序>
[0254]接下來，圖17所示的密封工序中，如圖34所示，用絕緣樹脂將半導(dǎo)體芯片2H、2L、接片3H、3L的一部分、引腳LS4的條帶連接部4B、以及金屬條帶7HSR、7LSR密封，形成封固體5。圖33是表示形成將圖30所示的多個半導(dǎo)體芯片以及多個金屬條帶密封的封固體時的安裝面?zhèn)鹊臓顟B(tài)的放大平面圖。另外，圖34是沿圖33的A-A線的放大斷面中、表示在成形模具內(nèi)配置有引線框架的狀態(tài)的放大剖視圖。
[0255]本工序中，例如如圖34所示使用具備上模(第I模具)32和下模(第2模具)33的成形模具31，按照所謂傳遞模塑方式形成封固體5。
[0256]圖33所示的例子中，以器件區(qū)域30a的多個接片3以及在接片3的周圍配置的多個引腳4位于形成于上模32的型腔34內(nèi)的方式配置引線框架30，并用上模32和下模33夾緊(夾入)。在該狀態(tài)下，若將軟化(可塑化)的熱固性樹脂(絕緣樹脂)壓入成形模具31的型腔34，則絕緣樹脂被供給到型腔34和在下模33形成的空間內(nèi)，按照型腔34的形狀而成形。
[0257]此時，如果使接片3H、3L的下表面3b、3Cb以及引腳4LS的端子部4T的下表面4b緊貼下模33，貝Ij下表面3b、3Cb、4b在封固體5的下表面5b從封固體5露出。另一方面，使接片3L的條帶連接部3B的下表面以及引腳4LS的條帶連接部4B的下表面不緊貼下模33。因此，條帶連接部3B、4B被絕緣樹脂覆蓋，并由封固體5密封。另外，關(guān)于使用圖31以及圖32說明了的引腳4HG、4LG，端子部4T的下表面4b分別從圖33所示的封固體5露出，條帶連接部4B分別被封固體5密封，但省略了圖示。這樣，接片3以及引腳4的各自的一部分被封固體5密封，從而難以從封固體5脫落。
[0258]此外，圖33中，關(guān)于在一個型腔34內(nèi)收置一個器件區(qū)域30a的所謂單片模塑方式的實施方式進行了說明。但是，作為變形例，也可以應(yīng)用例如圖18所示那樣的具有集中覆蓋多個器件區(qū)域30a的型腔34的成形模具，集中密封多個器件區(qū)域30a的方式。這樣的密封方式，被稱為集中密封(Block Molding)方式或MAP (Mold Array Process，鑄造陣列處理)方式，I張引線框架30中的有效面積變大。
[0259]另外，封固體5以絕緣性的樹脂為主體而構(gòu)成，但是通過將例如硅石(二氧化硅；S12)微粒等填充微?；旌嫌跓峁绦詷渲?，從而能夠使封固體5的功能(例如、針對翻翹變形的耐性)提尚。
[0260]<鍍敷工序>
[0261]接下來，圖17所示的鍍敷工序中，如圖35所示，將引線框架30浸入未圖示的鍍敷溶液，從封固體5露出的金屬部分的表面形成金屬膜SD。圖35是表示圖34所示的接片以及引腳的從封固體露出的露出面形成有金屬膜的狀態(tài)的放大剖視圖。
[0262]圖35所示的例子中，例如、在軟釬料溶液中浸入引線框架30，利用電鍍方式形成作為軟釬料膜的金屬膜SD0金屬膜SD具有在將完成的半導(dǎo)體器件I (參照圖6)安裝于未圖示的安裝基板時使接合材料的潤濕性提高的功能。作為軟釬料膜的種類，可以舉出例如、錫-鉛鍍、作為無Pb鍍的純錫鍍、錫-鉍鍍等。
[0263]此外，也可以使用預(yù)先在引線框架形成有導(dǎo)體膜的先鍍敷的引線框架。此時的導(dǎo)體膜，例如由鎳膜、在鎳膜上形成的鈀膜和在鈀膜上形成的金膜形成的情況居多。使用先鍍敷的引線框架的情況下，將本鍍敷工序省略。
[0264]只是，如上所述，金屬條帶7R的接合區(qū)域，優(yōu)選是使作為基材的銅(Cu)露出以使接合強度提高。另外，在作為焊盤材料使用導(dǎo)電性粘接材料的情況下，芯片搭載區(qū)域，優(yōu)選是作為基材的銅(Cu)露出以使接合強度提高。因此，即使在使用先鍍敷的引線框架的情況下，也優(yōu)選，在金屬條帶7R的接合區(qū)域以及芯片搭載區(qū)域不形成導(dǎo)體膜。
[0265]<單片化工序>
[0266]接下來，在圖17所示的單片化工序中，如圖36所示，按每個器件區(qū)域30a分割引線框架30。圖36使表示將圖33所示的引線框架單片化了的狀態(tài)的放大平面圖。
[0267]本工序中，如圖36所示，將引腳4LS的一部分切斷，并將引腳4LS從框部30c切下。另外，本工序中，將支撐接片3L的多個懸掛引腳TL的一部分切斷，將接片3L從框部30c切下。另外，將支撐接片3H的多個懸掛引腳TL以及引腳4HD的一部分切斷，將接片3H從框部30c切下。另外，將引腳4HG、4LG的一部分分別切斷，將引腳4HG、4LG分別從框部30c切下。切斷方法不特別限定，能夠通過沖壓加工、或使用旋轉(zhuǎn)刀的切削加工進行切斷。
[0268]通過以上的各工序，得到使用圖1?圖14說明了的半導(dǎo)體器件I。之后，進行外觀檢查和/或電氣試驗等必要的檢查、試驗，出廠、或者將其安裝于未圖示的安裝基板。
[0269]〈變形例〉
[0270]接下來，關(guān)于對于在上述實施方式說明了的實施方式的各種變形例進行說明。
[0271]首先，上述實施方式中，關(guān)于作為用于將半導(dǎo)體芯片2H、2L粘接固定且將其與接片3H、3L電連接的導(dǎo)電性部件6，使用導(dǎo)電性粘接材料6H、6L的實施方式進行了說明。但是，如圖37所示的變形例的半導(dǎo)體器件Ia那樣，作為導(dǎo)電性部件6可以使用軟釬料6S。圖37是作為對于圖6的變形例的半導(dǎo)體器件的剖視圖。
[0272]圖37所示的半導(dǎo)體器件la，在作為將半導(dǎo)體芯片2H、2L粘接固定于接片3H、3L且與其電連接的導(dǎo)電性部件6使用軟釬料6S這一點上，不同于圖6所示的半導(dǎo)體器件I。為了在半導(dǎo)體器件I的安裝時抑制再熔融，優(yōu)選，軟釬料6S設(shè)為熔點比金屬膜SD和/或在安裝時使用的接合材料高的材料。高熔點化的方法不特別限定，例如能夠通過使錫(SN)中混合的鉛(Pb)等的含有率增加而使熔點提高。作為一例，可以使用鉛的含有率為90重量％以上的軟釬料。
[0273]另外，圖6所示的導(dǎo)電性粘接材料6H、6L，通過樹脂中所含的導(dǎo)電性微粒接觸而形成導(dǎo)通路徑，相對于此，軟釬料6S整體由導(dǎo)體構(gòu)成。因此，在導(dǎo)電性部件6使用軟釬料6S的情況下，因與使用導(dǎo)電性粘接材料的情況相比能夠使電連接可靠性提高這一點而優(yōu)選。
[0274]另外，在使用軟釬料6S的情況下，從使與接片3H、3L的芯片搭載面的連接強度提高的角度來看，在接片3H、3L的基材例如由銅(Cu)形成的情況下，優(yōu)選是作為芯片搭載面的芯片搭載面3a、3Ca用能夠使其與軟釬料6S的連接強度提高的金屬膜3BM覆蓋。金屬膜3BM使具有使軟釬料6S對于芯片搭載面3a、3Ca的潤濕性提高的功能的鍍敷導(dǎo)體膜，例如能夠例示镲(Ni)膜、或銀(Ag)膜等。
[0275]此外，作為對于圖37的進一步的變形例，也有在接片3以及引腳4的整個露出面形成金屬膜3BM的方法。只是，如上所述，接合金屬條帶7R的區(qū)域，能夠使作為基材的銅(Cu)露出而使連接強度提高。因此，從金屬條帶7R的連接強度提高的角度來看，優(yōu)選是如圖37所示，在搭載半導(dǎo)體芯片2H、2L的芯片搭載區(qū)域局部形成金屬膜3BM。
[0276]另外，在使用軟釬料6S作為焊盤材料的情況下，必需用于使軟釬料熔融的加熱處理工序(回流焊工序)。該回流焊工序中，需要以高于上述硬化工序的高溫進行加熱，所以對半導(dǎo)體芯片2H、2L施加負載。因此，從降低被付與半導(dǎo)體芯片的負載的角度來看，優(yōu)選是加熱軟釬料6S的工序設(shè)為I次。也就是，優(yōu)選是在I次回流焊工序中使接合半導(dǎo)體芯片2H的軟釬料6S和接合半導(dǎo)體芯片2L的軟釬料6S集中熔融、固化。
[0277]另外，在使用軟釬料6S的情況下，如果軟釬料6S漏出到條帶連接部3B的條帶連接面3Ba，則條帶連接面會受到污染。因此，條帶連接面3Ba的高度位于與作為芯片搭載面的芯片搭載面3Ca相同的高度或比其低的高度的情況下，與使用上述的導(dǎo)電性粘接材料6H、6L的情況同樣地，需要將條帶連接面與芯片搭載面的距離拉開。其結(jié)果，在使用軟釬料6S的情況下，也存在難以小型化這樣的課題。因此，此前說明了的幾個特征的主要特征，能夠解決該課題。
[0278]圖37所示的半導(dǎo)體器件la，在上述不同點以外的方面與上述實施方式中說明了的半導(dǎo)體器件I相同，所以省略重復(fù)的說明。
[0279]接下來，上述實施方式中，作為使接片3L的條帶連接部3B的條帶連接面3Ba的高度高于作為芯片搭載面的芯片搭載面3Ca的高度的方法，關(guān)于對接片3L實施彎曲加工以形成折彎部3W的方法進行說明。但是，如圖38所示的變形例的半導(dǎo)體器件Ib那樣，通過使條帶連接部3B的板厚比芯片搭載區(qū)域的厚度厚，從而能夠使條帶連接面3Ba的高度比芯片搭載面3Ca高。圖37是作為對于圖6的其他變形例的半導(dǎo)體器件的剖視圖。
[0280]圖38所示的半導(dǎo)體器件lb，在與接片3L形成為一體的條帶連接部3B的厚度比半導(dǎo)體芯片2L的搭載區(qū)域的厚度厚這一點上不同于圖6所示的半導(dǎo)體器件I。如果換言之，則在接片3L的厚度方向上，從條帶連接面3Ba到其正下方的下表面3Bb的厚度(距離)比從作為芯片搭載面的芯片搭載面3Ca到其正下方的下表面3Bb的(距離)厚(大)。
[0281]另外，半導(dǎo)體器件lb，在接片3L的條帶連接部3B的下表面3Bb與芯片搭載區(qū)域的下表面3Cb相連并從封固體5露出這一點上，不同于圖6所示的半導(dǎo)體器件I。
[0282]通過這樣設(shè)置，能夠根據(jù)條帶連接部3B的厚度控制條帶連接面3Ba的高度，所以與半導(dǎo)體器件I那樣通過例如沖壓加工形成折彎部3W的情況相比，能夠高精度地控制條帶連接面3Ba的高度。圖38所示那樣具備階梯部3DS的條帶連接部3B，例如能夠通過實施蝕刻加工來形成?；蛘?，能夠在形成引線框架30(參照圖19)的階段，通過對條帶連接部3B的金屬板實施彎曲加工以及塑性變形加工來形成。在上述任一情況下，都能夠高精度地加工條帶連接面3Ba的位置(高度)。
[0283]條帶連接面3Ba的高度，如上所述，優(yōu)選是高到能夠避免條帶鍵合工序中鍵合工具23與半導(dǎo)體芯片2L接觸的程度。另一方面，若條帶連接面3Ba的高度變得過高，則金屬條帶7HSR的高度變高，所以封裝體高度變高。因此，如果高精度地控制條帶連接面3Ba的高度，則能夠控制封裝體高度變高，因此優(yōu)選。
[0284]另外，半導(dǎo)體器件Ib與圖6所示的半導(dǎo)體器件I的不同點在于:在接片3L的條帶連接部3B的條帶連接面3Ba與作為芯片搭載面的芯片搭載面3Ca之間不形成折彎部3W (參照圖6)，而在條帶連接面3Ba與作為芯片搭載面的芯片搭載面3Ca之間配置有階梯部(傾斜面)3DS。
[0285]上述實施方式中，說明了:通過形成折彎部3W，能夠抑制在封固體5與條帶連接部3B的空白區(qū)域產(chǎn)生的剝離發(fā)展。在如圖38所示的半導(dǎo)體器件Ib那樣在條帶連接面3Ba與芯片搭載面3Ca之間具有階梯部3DS的情況下，能夠通過階梯部3DS來抑制剝離發(fā)展。特別是，在條帶連接面3Ba與階梯部3DS的邊界、以及芯片搭載面3Ca與階梯部3DS的邊界，容易阻礙剝離的發(fā)展。也就是，根據(jù)圖38所示的變形例，能夠通過階梯部3DS抑制剝離的發(fā)展，所以能夠抑制由導(dǎo)電性粘接材料6L的剝離導(dǎo)致的電特性的降低。如果換言之，能夠使半導(dǎo)體器件Ib的可靠性提高。另外，圖38所示的變形例，制造工序中在以下方面很優(yōu)異。即，半導(dǎo)體器件Ib在接片3沒有折彎部，所以在上述的條帶鍵合工序中，能夠取代圖25所示的支撐臺25，而是用未設(shè)置有突出部25c的平坦的支撐臺(省略圖示)。由此，能夠簡化條帶鍵合工序中使用的支撐臺的構(gòu)造。另外，能夠用平坦的保持面牢固地保持條帶連接面3Ba的正下方的下表面3Bb，所以能夠穩(wěn)定地進行條帶鍵合。
[0286]圖38所示的半導(dǎo)體器件lb，在除上述不同點以外的方面，與上述實施方式中說明了的半導(dǎo)體器件I同樣，所以省略重復(fù)的說明。
[0287]接下來，上述實施方式中，為了易于理解，對內(nèi)置有2個半導(dǎo)體芯片2的半導(dǎo)體器件I進行了說明。但是，內(nèi)置于一個封裝體的半導(dǎo)體芯片2的數(shù)量為2個以上也可以，例如能夠應(yīng)用于如圖39所示內(nèi)置有3個半導(dǎo)體芯片2的半導(dǎo)體器件lc。圖39是表示作為對于圖5的變形例的半導(dǎo)體器件的內(nèi)部構(gòu)造的平面圖。另外，圖40是對于圖1的變形例，是表示組裝入有圖39所示的半導(dǎo)體器件的電源電路的結(jié)構(gòu)例的說明圖。另外，圖41是沿圖39的A-A線的放大剖視圖。另外，圖42是沿圖39的B-B線的放大剖視圖。
[0288]圖39所示的半導(dǎo)體器件lc，在除半導(dǎo)體芯片2H、2L外還具有作為第3半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片2S這一點上，不同于圖5所示的半導(dǎo)體器件I。如圖40所示，半導(dǎo)體芯片2S具有驅(qū)動半導(dǎo)體芯片2H具有的高邊用的MOSFET2HQ、以及半導(dǎo)體芯片2L具有的低邊用的MOSFET2LQ的驅(qū)動器電路DR1、DR2。另外，半導(dǎo)體芯片2S具有經(jīng)由驅(qū)動器電路DR1、DR2控制MOSFET2HQ、2LQ的驅(qū)動的控制電路CT。也就是，圖40所示的半導(dǎo)體器件Ic是將圖1所示的半導(dǎo)體器件I以及半導(dǎo)體器件11內(nèi)置于一個封裝體內(nèi)的半導(dǎo)體封裝體。半導(dǎo)體器件Ic在一個封裝體內(nèi)具有高邊用的MOSFET2HQ、低邊用的MOSFET2LQ、驅(qū)動器電路DRl、DR2、以及控制電路CT，所以能夠降低整個電力轉(zhuǎn)換電路的安裝面積。
[0289]另外，如圖41所示，半導(dǎo)體芯片2S具有表面2Sa和位于表面2Sa的相反側(cè)的背面2Sb。另外，如圖39所示在半導(dǎo)體芯片2S的表面2Sa形成有多個電極焊盤(第5電極焊盤、第6電極焊盤)PD。多個電極焊盤H)中的一部分經(jīng)由導(dǎo)線7GW與在半導(dǎo)體芯片2H的表面2Ha形成的柵電極焊盤2HGP電連接。另外，多個電極焊盤H)中的另一部分經(jīng)由導(dǎo)線7GW與在半導(dǎo)體芯片2L的表面2La形成的柵電極焊盤2LGP電連接。另外，在半導(dǎo)體芯片2S周圍配置有多個引腳4，多個電極焊盤H)中的另一部分經(jīng)由多個導(dǎo)線7W與多個引腳4電連接。
[0290]另外，如圖41所示，半導(dǎo)體芯片2S搭載于有別于接片3H、3L(分離地)形成的接片3S上。接片3S具有作為芯片搭載面的芯片搭載面3a以及位于芯片搭載面3a的相反側(cè)的下表面3b，下表面3b從封固體5露出。半導(dǎo)體芯片2S以背面2Sb與接片3S的芯片搭載面3a相對的方式，隔著焊盤材料6D搭載在接片3S上。
[0291]另外，在半導(dǎo)體芯片2S的背面2Sb未形成有電極。因此，焊盤材料6D并不是必需設(shè)為導(dǎo)電性部件，但是如果與圖33所示的導(dǎo)電性粘接材料6H、6L同樣使用導(dǎo)電性粘接材料，則因制造工序變得簡單這一點而優(yōu)選。
[0292]另外，在從圖39到圖42所示的半導(dǎo)體器件Ic的制造工序中，將半導(dǎo)體芯片2S搭載在接片3S上的時刻，優(yōu)選是在使用圖17說明了的半導(dǎo)體芯片搭載工序中進行。另外，焊盤材料6D優(yōu)選是使導(dǎo)電性粘接材料6H、6L集中固化。另外，接合導(dǎo)線7GW、7W的工序，能夠在使用圖17說明了的引線鍵合工序中進行。另外，半導(dǎo)體器件Ic的制造工序中，在圖17所示的密封工序中半導(dǎo)體芯片2S也由絕緣樹脂密封。
[0293]另外，圖39所示的半導(dǎo)體器件lc，在金屬條帶7HSR延伸的方向與金屬條帶7LSR延伸的方向不同這一點上不同于圖5所示的半導(dǎo)體器件I。圖39所示的例子中，金屬條帶7HSR沿從半導(dǎo)體芯片2H的源電極焊盤2HSP朝向接片3L的條帶連接部3B的條帶連接面3Ba的Y方向延伸。另一方面，金屬條帶7LSR沿從半導(dǎo)體芯片2L的源電極焊盤2LSP朝向引腳4LS的條帶連接部4B的條帶連接面4Ba的X方向延伸。Y方向與X方向垂直。
[0294]平面視圖中，半導(dǎo)體器件Ic形成為四邊形，接片3H與引腳4LS沿同一邊(沿Y方向延伸的一邊)。因此，如上所述，成為金屬條帶7HSR延伸的方向與金屬條帶7LSR延伸的方向?qū)嵸|(zhì)上垂直的布局。
[0295]如圖40所示，連接輸入電容器13的情況下，通過縮短高邊用的MOSFET2HQ的漏極HD與低邊用的MOSFET2LQ的源極LS的距離，從而能夠減小連接于輸入電容器13的電路的環(huán)形距離。由此，難以發(fā)生振鈴(ringing)等。另外，在圖39所示的例子中，通過將引腳4LS沿著在Y方向上延伸的一邊配置，從而能夠增大低邊用的半導(dǎo)體芯片2L的平面大小。
[0296]只是，金屬條帶7HSR延伸的方向與金屬條帶7LSR延伸的方向的最佳關(guān)系，因半導(dǎo)體芯片2S的平面大小和