半導體器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導體器件，例如涉及適用于包含從封固半導體芯片的封固體的側(cè)面突出的引線在內(nèi)的半導體器件的有效的技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]在樹脂封固型的半導體器件(封裝)中，近年來，要求封裝的安裝面積縮小。
[0003]這里，在具有封固半導體芯片的封固樹脂層的半導體器件中，例如日本特開平5-36863號公報(專利文獻1)公開了從封固樹脂層的側(cè)面突出的外引線彎折的構(gòu)造、及向基板的焊料安裝構(gòu)造。
[0004]另外，在具有封固體的半導體元件中，例如日本特開平5-21683號公報(專利文獻2)公開了從封固體突出的引線彎折的構(gòu)造、及向基板的焊料焊接構(gòu)造。
[0005]另外，在樹脂封固型的半導體器件中，例如日本特開2013-183054號公報(專利文獻3)公開了在封固體的四邊上分別配置有引線的QFP(Quad Flat Package:方型扁平式封裝)構(gòu)造。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0007]專利文獻
[0008]專利文獻1:日本特開平5-36863號公報
[0009]專利文獻2:日本特開平5-21683號公報
[0010]專利文獻3:日本特開2013-183054號公報
[0011]在上述半導體器件中，為應(yīng)對窄節(jié)距化和安裝面積的縮小化，考慮縮短引線長度，但若縮短引線長度，則引線向安裝基板的焊料焊接面積減小，因此擔心導致安裝強度降低。
[0012]也就是說，若引線長度變短，則難以確保安裝強度。
【實用新型內(nèi)容】
[0013]因此，本發(fā)明人研究的是能夠利用縮短了引線長度的半導體器件構(gòu)造來確保安裝強度的技術(shù)。
[0014]其他的課題和新的特征從本說明書的說明及附圖而變明確。
[0015]—實施方式的半導體器件具有芯片搭載部、半導體芯片、引線和封固體，上述芯片搭載部的其他部分從上述封固體的第一側(cè)面突出。而且，上述引線的外引線部具有從上述封固體的第二側(cè)面沿第一方向突出的第一部分、沿與上述第一方向交叉的第二方向延伸的第二部分、和沿與上述第二方向交叉的第三方向延伸的第三部分，沿著上述第三方向的上述第三部分的長度比沿著上述第一方向的上述第一部分的長度短。
[0016]另外，一實施方式的半導體器件具有芯片搭載部、半導體芯片、引線和封固體，上述芯片搭載部的其他部分從上述封固體的第一側(cè)面突出，上述引線的外引線部具有第一部分、第二部分和第三部分。而且，上述外引線部的上述第一部分具有與上述封固體的第二側(cè)面相連的第一前端面，上述外引線部的上述第二部分位于上述第一部分和上述第三部分之間，上述第三部分具有位于上述第一前端面相反側(cè)的第二前端面。另外，從第一交叉部到第二交叉部為止的長度比從第三交叉部到第四交叉部為止的長度更長，上述第一交叉部是上述第一部分的第一假想線與上述第一前端面的交叉部，上述第二交叉部是上述第一部分的上述第一假想線的延長線與上述第二部分的第二假想線的延長線的交叉部，上述第三交叉部是上述第三部分的第三假想線的延長線與上述第二部分的上述第二假想線的延長線的交叉部，上述第四交叉部是上述第三部分的上述第三假想線與上述第二前端面的交叉部。而且，上述第一假想線是穿過上述第一部分的厚度方向上的中心、且與上述第一部分的表面平行地延伸的線，上述第二假想線是穿過上述第二部分的厚度方向上的中心、且沿與上述第二部分的表面平行地延伸的線，上述第三假想線是穿過上述第三部分的厚度方向上的中心、且與上述第三部分的表面平行地延伸的線。
[0017]實用新型的效果
[0018]根據(jù)上述一實施方式，能夠確保半導體器件的安裝強度，并且實現(xiàn)安裝面積的縮小化。
【附圖說明】
[0019]圖1是表示實施方式的半導體器件的構(gòu)造的一例的俯視圖。
[0020]圖2是從圖1所示的A方向觀察的向視圖。
[0021]圖3是表示圖1所示的半導體器件的背面?zhèn)鹊臉?gòu)造的一例的后視圖。
[0022]圖4是透視地表示圖1所示的半導體器件的內(nèi)部構(gòu)造的透視俯視圖。
[0023]圖5是表示沿圖4的A-A線截斷的構(gòu)造的一例的剖視圖。
[0024]圖6是表示沿圖4的B-B線截斷的構(gòu)造的一例的剖視圖及局部放大剖視圖。
[0025]圖7是表示實施方式的半導體器件的引線形狀的定義的示意圖。
[0026]圖8是表示實施方式的半導體器件的引線形狀的另一種定義的示意圖。
[0027]圖9是表示安裝實施方式的半導體器件的安裝基板中的焊區(qū)(land)圖案的一例的俯視圖。
[0028]圖10是表示將實施方式的半導體器件搭載在圖9所示的焊區(qū)圖案上的構(gòu)造的一例的俯視圖。
[0029]圖11是表示圖10的安裝構(gòu)造的一例的側(cè)視圖。
[0030]圖12是表示實施方式的半導體器件的引線形狀與比較例的半導體器件的引線形狀的比較圖。
[0031]圖13是在實施方式的半導體器件和比較例的半導體器件中表示各尺寸的一例的外觀比較圖。
[0032]圖14是表示圖13所示的各尺寸的一例的數(shù)據(jù)圖。
[0033]圖15是實施方式的半導體器件和比較例的半導體器件中的引線的長高比的比較圖。
[0034]圖16是表示基于實施方式的半導體器件與比較例的比較的效果的比較圖。
[0035]圖17是表示實施方式的半導體器件中的安裝強度的測試方法的一例的測試條件圖。
[0036]圖18是表示實施方式的半導體器件和比較例的半導體器件中的安裝強度的測試結(jié)果的數(shù)據(jù)圖。
[0037]圖19是表示實施方式的半導體器件的組裝順序的一例的流程圖。
[0038]圖20是表示實施方式的半導體器件的組裝中的主要工序的一例的俯視圖。
[0039]圖21是表示實施方式的半導體器件的組裝中的主要工序的一例的俯視圖。
[0040]圖22是表示實施方式的半導體器件的組裝中的主要工序的一例的俯視圖及側(cè)視圖。
[0041]圖23是表示實施方式的半導體器件的組裝中的主要工序的一例的俯視圖。
[0042]圖24是表示實施方式的半導體器件的組裝中的主要工序的一例的俯視圖。
[0043]圖25是表示實施方式的半導體器件的組裝中的主要工序的一例的俯視圖及剖視圖。
[0044]圖26是表示實施方式的半導體器件的組裝的引線切斷中第一次進行引線切斷后的構(gòu)造的局部剖視圖。
[0045]圖27是表示實施方式的半導體器件的組裝的引線切斷中第二次進行引線切斷后的構(gòu)造的局部剖視圖。
[0046]圖28是表示實施方式的機電一體模塊的構(gòu)造的一例的立體圖。
[0047]圖29是表示圖28的機電一體模塊中的變頻器部的內(nèi)部構(gòu)造的一例的俯視圖。
[0048]圖30是表示圖28的機電一體模塊的電路結(jié)構(gòu)的一例的電路塊圖。
[0049]圖31是表示實施方式的變形例的半導體器件的構(gòu)造的俯視圖。
[0050]圖32是表示沿圖31的A-A線截斷的構(gòu)造的剖視圖。
[0051]附圖標記說明
[0052]1 引線
[0053]la內(nèi)引線部
[0054]lb外引線部
[0055]lbc第一彎曲部
[0056]lbd第二彎曲部
[0057]lbe 第一部分
[0058]lbf 第二部分
[0059]lbg第三部分
[0060]lbh 第一方向
[0061]lbi 第二方向
[0062]lbj第三方向
[0063]2半導體芯片(pellet)
[0064]3封固體
[0065]3a上表面(第三面)
[0066]3b下表面(第四面)
[0067]3d第二側(cè)面
[0068]4 導線
[0069]5功率晶體管(半導體器件)
【具體實施方式】
[0070]在以下的實施方式中，除了特別需要以外，原則上不重復(fù)同一或同樣部分的說明。
[0071]而且，在以下的實施方式中，為了方便，必要時分成多個章節(jié)段落或?qū)嵤┓绞竭M行說明，但除了特別明示的情況以外，它們并不是相互毫無關(guān)系的，而是一方為另一方的一部分或全部的變形例、詳細情況、補充說明等的關(guān)系。
[0072]另外，在以下的實施方式中，在提到要素的數(shù)等(包含個數(shù)、數(shù)值、量、范圍等)的情況下，除了特別明示的情況及從原理上明確地被限定于特定數(shù)的情況等以外，不限于該特定數(shù)，既可以是特定數(shù)以上也可以是特定數(shù)以下。
[0073]另外，在以下的實施方式中，除了特別明示的情況及從原理上明確是必須的情況等以外，其結(jié)構(gòu)要素(還包含要素步驟等)不一定是必須的。
[0074]另外，在以下的實施方式中，關(guān)于結(jié)構(gòu)要素等，當提到“由A形成”、“通過A形成”、“具有A”、“包含A”時，除了特別明示了只是該要素的情況等以外，當然不排除除此以外的要素。同樣地，在以下的實施方式中，當提到結(jié)構(gòu)要素等的形狀、位置關(guān)系等時，除了特別明示的情況及從原理上明確不成立的情況等以外，實質(zhì)上包含與其形狀等近似或類似的形狀等。關(guān)于上述數(shù)值及范圍也是同樣的。
[0075]以下，基于附圖詳細說明本實用新型的實施方式。此外，在用于說明實施方式的所有附圖中，對于具有同一功能的部件標注同一附圖標記，并省略其重復(fù)說明。另外，有時為了容易理解附圖，在俯視圖中也標注了剖面線。
[0076](實施方式)
[0077]圖1是表示實施方式的半導體器件的構(gòu)造的一例的俯視圖，圖2是從圖1所示的A方向觀察的向視圖，圖3是表示圖1所示的半導體器件的背面?zhèn)鹊臉?gòu)造的一例的后視圖，圖4是透視地表示圖1所示的半導體器件的內(nèi)部的構(gòu)造的透視俯視圖。另外，圖5是表示沿圖4的A-A線截斷的構(gòu)造的一例的剖視圖，圖6是表示沿圖4的B-B線截斷的構(gòu)造的一例的剖視圖及局部放大剖視圖。
[0078]<半導體器件>
[0079]圖1?圖6所示的本實施方式的半導體器件是如下的半導體封裝:具有封固半導體芯片(也被稱為片狀器件(pellet))2且由絕緣性的樹脂形成的封固體3，還具有位于封固體3的內(nèi)部和外部的多個引線1。此外，多個引線1分別具有被封固體3覆蓋的內(nèi)引線部la和從封固體3向外部露出(突出)的外引線部lb，多個外引線部lb分別是半導體器件的外部連接用端子(外部端子)。
[0080]而且，如圖1及圖2所示，在本實施方式的半導體器件中，多個外引線部lb從封固體3的多個側(cè)面中的一個側(cè)面(第二側(cè)面3d)