夠?qū)⑵矫娲笮⌒⌒突?0.91mm的量。
[0188]另外，關(guān)于接片3L與接片3H的離開距離，圖15所示的情況稍微(0.025mm的量)變大。這是因?yàn)樾枰糜谛纬烧蹚澆?W(參照圖6)的加工余量。但是，可知，即使在考慮了該加工余量的情況下，與圖15所示的實(shí)施例的情況、圖45所示的實(shí)施例相比較也能夠?qū)⑵矫娲笮⌒⌒突?0.885mm的量。
[0189]另外，作為變形例，如圖16所示，能夠使半導(dǎo)體芯片2L的平面尺寸變大。例如在圖16所示的例子中，從接片3H的接片3L側(cè)的端部到接片3L的與接片3H相反側(cè)的端部為止的距離為2.7mm。該距離與圖45所示的實(shí)施例相同。但是，在圖16所示的實(shí)施例中，能夠?qū)雽?dǎo)體芯片2L的一邊的長度設(shè)為1.535mm。
[0190]通過如上述那樣使半導(dǎo)體芯片2L的平面大小變大，從而能夠使低邊用的場效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電阻變小。因此，圖16所示的實(shí)施例，即使在使半導(dǎo)體芯片2L的平面大小變大以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通電阻的降低的情況下，也能夠抑制半導(dǎo)體器件的平面大小的增大，因這一點(diǎn)而優(yōu)選。
[0191]進(jìn)一步，在半導(dǎo)體器件的制造方面也發(fā)揮效果。也就是，在半導(dǎo)體器件的制造工序中，能夠集中搭載多個半導(dǎo)體芯片2，所以能夠簡化制造工序。其結(jié)果，能夠使制造效率提高。關(guān)于其詳細(xì)情況將后述。
[0192]從將半導(dǎo)體器件小型化且易于避免條帶鍵合時鍵合工具23與半導(dǎo)體芯片2的接觸的觀點(diǎn)來看，如圖14所示，在條帶鍵合時，優(yōu)選是鍵合工具23的下表面23b配置成與半導(dǎo)體芯片2的表面2a相對。如果在條帶鍵合時鍵合工具23的下表面23b配置于比半導(dǎo)體芯片2的表面2a高的位置，則能夠避免鍵合工具23與半導(dǎo)體芯片2的接觸。因此，如果考慮金屬條帶7R的厚度，則在圖14所示的條帶連接面3Ba的高度處于芯片搭載面3Ca與半導(dǎo)體芯片2的表面2a之間的高度的情況下，也能夠使得下表面23b不會與表面2a接觸。
[0193]只是，金屬條帶7R的厚度如上所述為50μπι?ΙΟΟμπι左右，所以從避免鍵合工具23與半導(dǎo)體芯片2的接觸的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選是條帶連接面3Ba的高度設(shè)為半導(dǎo)體芯片2的表面2a的高度以上。另外，從確實(shí)避免鍵合工具23與半導(dǎo)體芯片2的接觸的觀點(diǎn)來看，特別優(yōu)選是條帶連接面3Ba配置于高度比半導(dǎo)體芯片2的表面2a的高度高的位置。
[0194]另外，圖6所示的例子中，接片3H的厚度與接片3L的厚度(例如從芯片搭載面3Ca從其下表面3Cb的距離)，例如分別為200 μπι?250 μπι左右、為同一厚度。另外，圖6所示的例子中，半導(dǎo)體芯片2Η的厚度與半導(dǎo)體芯片2L的厚度分別為50 μ m左右?160 μ m左右、為同一厚度。另外，圖6所示例子中，導(dǎo)電性粘接材料6H、6L的厚度為20 ym?50 ym左右為同一厚度。因此，在使條帶連接面3Ba的高度比低邊用的半導(dǎo)體芯片2L的表面2La的高度高的情況下，成為條帶連接面3Ba的高度比高邊用的半導(dǎo)體芯片2H的表面2Ha的高度高的狀態(tài)。
[0195]另外，在條帶連接面3Ba的高度比高邊用的半導(dǎo)體芯片2H的表面2Ha的高度高的情況下，成為條帶連接面3Ba的高度比高邊用的源電極焊盤2HSP的高度高的狀態(tài)。也就是，在將金屬條帶7HSR依次連接于源電極焊盤2HSP、條帶連接面3Ba的情況下，成為與作為第I接合側(cè)的連接點(diǎn)相比作為第2接合側(cè)的連接點(diǎn)的位置較高的、所謂上坡型構(gòu)造。
[0196]在進(jìn)行條帶鍵合的情況下，在例如圖45所示的實(shí)施例那樣與第I接合側(cè)的連接點(diǎn)的位置相比第2接合側(cè)的連接點(diǎn)的位置低的、所謂下坡型構(gòu)造的情況下，為了避免配置于第I接合側(cè)的半導(dǎo)體芯片2與金屬條帶7R的接觸，優(yōu)選是增大金屬條帶7R的環(huán)形形狀(增大環(huán)形距離)。但是，如果金屬條帶7R的環(huán)形形狀增大，則金屬條帶7R的電阻分量增大。
[0197]另一方面，如圖6所示，用與第I接合側(cè)的連接點(diǎn)的位置相比位于第2接合側(cè)的連接點(diǎn)的位置高的所謂下坡型構(gòu)造進(jìn)行條帶鍵合的情況下，即使減小金屬條帶7HSR的環(huán)形形狀(縮短環(huán)形距離)，也能夠防止半導(dǎo)體芯片2H與金屬條帶7HSR的接觸。其結(jié)果，能夠縮短金屬條帶7HSR的環(huán)形距離以減低電阻分量。另外，如果縮短金屬條帶7HSR的環(huán)形距離，則易于使接片3H與接片3L的距離接近，所以能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體器件I的進(jìn)一步小型化。
[0198]另外，圖6所示的例子中，接片3L的條帶連接面3Ba的高度與引腳4LS的條帶連接面4Ba的高度為相同高度。另外，圖6所示的接片3L的條帶連接面3Ba的高度與圖7以及圖8所示的引腳4HG、4LG的導(dǎo)線連接部4Bw的導(dǎo)線連接面4Bwa的高度(嚴(yán)密而言是金屬膜4BwM與引腳4HG、4LG的基材的接合面的高度)為相同高度。
[0199]通過這樣將條帶連接面4Ba的高度與條帶連接面4Ba以及導(dǎo)線連接面4Bwa的高度對齊，從而在對接片3L以及引腳4LS、4HG、4LG實(shí)施彎曲加工時，能夠容易地進(jìn)行彎曲角度的管理。因此，能夠集中形成圖5所示的接片3L的折彎部3W、引腳4LS、4HG、4LG的折彎部4W。
[0200]<半導(dǎo)體器件的制造方法>
[0201]接下來，關(guān)于使用圖1?圖14說明的半導(dǎo)體器件I的制造工序進(jìn)行說明。半導(dǎo)體器件I按圖17所示的流程制造。圖17是表示使用圖1?圖14說明的半導(dǎo)體器件的制造工序的概要的說明圖。關(guān)于各工序的詳情以下使用圖18?圖36進(jìn)行說明。
[0202]<引線框架準(zhǔn)備工序>
[0203]首先，圖17所示的引線框架準(zhǔn)備工序中，準(zhǔn)備圖18?圖20所示的引線框架30。圖18是表示圖17所示的引線框架準(zhǔn)備工序中準(zhǔn)備的引線框架的整體構(gòu)造的平面圖。另外，圖19是I個圖18所示的器件區(qū)域量的放大平面圖。另外，圖20是沿圖19的A-A線的放大剖視圖。
[0204]如圖18所示，本工序中準(zhǔn)備的引線框架30在外框30b的內(nèi)側(cè)具備多個(圖18中為32個)器件區(qū)域30a。多個器件區(qū)域30a分別與I個圖5所示的半導(dǎo)體器件I的量相當(dāng)。引線框架30是多個器件區(qū)域30a按矩陣狀配置的所謂多腔(Mult1-cavity)基材。這樣，通過使用具有多個器件區(qū)域30a的引線框架30，從而能夠集中制造多個半導(dǎo)體器件1，所以能夠使制造效率提尚。
[0205]另外，如圖19所示，各器件區(qū)域30a的周圍被框部30c包圍?？虿?0c是在圖17所示的單片化工序之前支撐在器件區(qū)域30a內(nèi)形成的各部件的支撐部。
[0206]另外，如圖19以及圖20在各器件區(qū)域30a已經(jīng)形成有使用圖5以及圖6說明的多個接片3(接片3H、接片3L)以及多個引腳4。多個接片3經(jīng)由懸掛引腳TL與在器件區(qū)域30a的周圍配置的框部30c連結(jié)、被支撐于框部30c。另外，多個引腳4分別連結(jié)于框部30c、被支撐于框部30c。
[0207]圖19所示的例子中，從平面視圖下形成為四邊形的器件區(qū)域30a的一邊側(cè)朝向相對邊，依次排列有接片3H、接片3L、引腳4LS。另外，在與接片3H—體形成的引腳4HD的附近配置有引腳4HG。另外，在引腳4LS附近配置有引腳4LG。
[0208]另外，在接片3L以及引腳4HG、4LS、4LG，預(yù)先實(shí)施彎曲加工，形成有折彎部3W、4W。如果換言之，則接片3L的條帶連接部3B的條帶連接面3Ba配置于比接片3L的芯片連接部3C的芯片搭載面3Ca高的位置。折彎部3W、4W能夠通過例如沖壓加工來形成。
[0209]在通過彎曲加工(沖壓加工)形成折彎部3W的情況下，如圖20所示條帶連接部3B的厚度為與接片3L的芯片搭載區(qū)域的厚度相同的厚度。如果換言之，則在接片3L的厚度方向上，從條帶連接面3Ba到條帶連接面3Ba的正下方的下表面的厚度，與從作為芯片搭載面的芯片搭載面3Ca到芯片搭載面3Ca的正下方的下表面3Cb的厚度相等。
[0210]同樣的，在通過彎曲加工(沖壓加工)形成折彎部4W的情況下，如圖20所示條帶連接部4B的厚度為與引腳4LS的端子部4T的厚度相同的厚度。如果換言之，則在引腳4LS的厚度方向上，從條帶連接面4Ba到條帶連接面4Ba的正下方的下表面的厚度，與從作為芯片搭載面的上表面4a到作為六出面的下表面4b的厚度相同。這樣，對接片3L和/或引腳4LS實(shí)施彎曲加工的方法，因能夠容易加工這一點(diǎn)而優(yōu)選。
[0211]引線框架30含例如以銅(Cu)為主體的金屬部件。此外，在圖19所示的引腳HG以及引腳LG的導(dǎo)線連接部4Bw的導(dǎo)線連接面4Bwa，預(yù)先形成有使用圖7或圖8說明了的金屬膜4BwM，但省略了圖示。另一方面，在圖20所示的接片3L的芯片連接部3C的芯片搭載面3Ca，未形成金屬膜4BwM(參照圖7、圖8)，基材(例如銅)露出。在條帶鍵合的情況下，通過對圖13以及圖14所示的鍵合工具23施加超聲波，而形成金屬鍵，所以與金屬膜4BM相比使基材的金屬材料露出，能夠使接合強(qiáng)度提高。
[0212]另外，在后述的半導(dǎo)體芯片搭載工序中作為焊盤材料而使用軟釬料的情況下，從使軟釬料的潤濕性提高的觀點(diǎn)來看，優(yōu)先，在芯片搭載面3Ca上形成鎳(Ni)和/或銀(Ag)等的金屬膜(圖示省略)。只是，本實(shí)施方式中，如上所述，使用在樹脂材料中混合有多個導(dǎo)電性微粒(例如銀微粒)的導(dǎo)電性粘接材料，所以從使導(dǎo)電性粘接材料與接片3L的潤濕性以及粘接性的觀點(diǎn)看來，不形成上述金屬膜，基材(例如銅)露出。
[0213]本工序中準(zhǔn)備的引線框架30的上述以外的特征，如使用圖5?圖14說明的那樣，所以省略重讀的說明。
[0214]<半導(dǎo)體芯片搭載工序>
[0215]接下來，在圖17所示的半導(dǎo)體芯片搭載工序中，如圖21以及圖22所示，在引線框架30的接片3H、3L搭載半導(dǎo)體芯片2H、2L。圖21是表示在圖19所示的多個芯片搭載部上分別搭載有半導(dǎo)體芯片的狀態(tài)的放大平面圖。另外，圖22的沿圖21的A-A線的放大剖視圖。
[0216]本工序中，在兼作引腳4HD即高邊用的漏極端子的接片3H上，搭載具有高邊用的MOSFET的半導(dǎo)體芯片2H。如圖22所示，半導(dǎo)體芯片2H以形成有漏電極2HDP的背面2Hb與接片3H的芯片搭載面3Ca相對的方式隔著導(dǎo)電性粘接材料6H而粘接固定。
[0217]另外，本工序中，在兼作引腳4LD即高邊用的源極端子以及低邊用的漏極端子的接片3L上，搭載具備低邊用的MOSFET的半導(dǎo)體芯片2L。如圖22所示，半導(dǎo)體芯片2L以形成有漏電極2LDP的背面2Lb與接片3L的芯片搭載面3Ca相對的方式，隔著導(dǎo)電性粘接材料6L而粘接固定。
[0218]導(dǎo)電性粘接材料6H、6L為在例如含環(huán)氧樹脂等熱固性樹脂的樹脂材料中混合有多個導(dǎo)電性微粒(例如銀微粒)的導(dǎo)電性部件6。這樣的導(dǎo)電性粘接材料，固化前的性狀形成為糊狀。因此，在預(yù)先在接片3H、3L的芯片搭載面涂敷糊狀的導(dǎo)電性粘接材料6H、6L后，將半導(dǎo)體芯片2H、2L朝向芯片搭載面按壓。由此，能夠在半導(dǎo)體芯片2H、2L與接片3H、3L的芯片搭載面3Ca之間擴(kuò)展導(dǎo)電性粘接材料6H、6L。
[0219]此時，圖17所示的條帶鍵合工序中，作為接合金屬條帶7HSR(參照圖6)的一端的預(yù)定區(qū)域的、圖22所示的條帶連接部3B的條帶連接面3Ba，配置于比接片3L的芯片連接部3C的芯片搭載面3Ca高的位置。因此，例如在將導(dǎo)電性粘接材料6L按壓擴(kuò)展時，能夠防止或抑制導(dǎo)電性粘接材料6L到達(dá)條帶連接部3B的條帶連接面3Ba。
[0220]因此，在將半導(dǎo)體芯片2L搭載于條帶連接部3B的條帶連接面3Ba附近的情況下，能夠抑制條帶連接面3Ba受導(dǎo)電性粘接材料6L污染。其結(jié)果，圖17所示的條帶鍵合工序中，能夠穩(wěn)定地將金屬條帶7HSR(參照圖6)的一端接合。如果換言之，則根據(jù)本實(shí)施方式，通過使條帶連接面3Ba的高度比芯片連接部3C的芯片搭載面3Ca高，從而能夠限制導(dǎo)電性粘接材料6L的變寬，所以能夠使半導(dǎo)體芯片2L與條帶連接部3B的位置靠近。其結(jié)果，能夠使整個接片3L的平面大小減小，所以使半導(dǎo)體器件I (參照圖5)的小型化實(shí)現(xiàn)。
[0221]接下來，本工序中，在將半導(dǎo)體芯片2H、2L分別搭載于接片3H、3L上后，使導(dǎo)電性粘接材料6H、6L集中固化(硬化(cure)工序)。如上所述導(dǎo)電性粘接材料6H、6L含有熱固性樹脂，因此通過實(shí)施加熱處理(烘烤處理)，從而使導(dǎo)電性粘接材料6H、6L所含的熱固性樹脂成分固化。作為烘烤條件的一例，舉出在180?250°C的溫度范圍中60?120分鐘左右。通過本工序，半導(dǎo)體芯片2H的漏電極2HDP隔著導(dǎo)電性粘接材料6H(詳細(xì)而言為導(dǎo)電性粘接材料6H中的多個導(dǎo)電性微粒)與接片3H(引腳4HD)電連接。另外，半導(dǎo)體芯片2L的漏電極2LDP隔著導(dǎo)電性粘接材料6L (詳細(xì)而言為導(dǎo)電性粘接材料6L中的多個導(dǎo)電性微粒)與接片3L(引腳4LD)電連接。
[0222]該硬化工序中，導(dǎo)電性粘接材料6H、6L所含的粘合樹脂等有機(jī)成分，容易作為氣體(排氣)或液體(排出液體)從導(dǎo)電性粘接材料6H、6L產(chǎn)生。若該有機(jī)成分附著于條帶連接面3Ba，則在圖17所示的條帶鍵合工序中，成為接合金屬條帶7HSR(參照圖6)的一端時的阻礙要因。但是，根據(jù)本實(shí)施方式，通過使條帶連接面3Ba的高度高于芯片搭載面3Ca (將條帶連接面3Ba從芯片搭載面3Ca離開而配置)，從而排氣和/或排出液體難以附著于條帶連接面3Ba。其結(jié)果，在圖17所示的條帶鍵合工序中，能夠穩(wěn)定地將金屬條帶7HSR(參照圖6)的一端接合。如果換言之，則根據(jù)本實(shí)施方式，通過使條帶連接面3Ba的高度高于芯片搭載面3Ca，從而能夠抑制由于排氣和/或排出液體所致的條帶連接面3Ba的污染，所以能夠使半導(dǎo)體芯片2L與條帶連接部3B的位置接近。其結(jié)果，能夠減小整個接片3L的平面大小，所以使半導(dǎo)體器件I (參照圖5)的小型化實(shí)現(xiàn)。
[0223]另外，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠使導(dǎo)電性粘接材料6H、6L集中固化。如果換言之，則不需要分開設(shè)置使導(dǎo)電性粘接材料6H固化的工序和使導(dǎo)電性粘接材料6L固化的工序。因此，作為封裝體的整個組裝工序，能夠簡化制造工序。
[0224]此外，本工序中，為了使導(dǎo)電性粘接材料6H、6L集中固化，硬化工序必需在分別搭載半導(dǎo)體芯片2H、2L后進(jìn)行，但是半導(dǎo)體芯片2H、2L的搭載順序不受限制。也就是，先搭載半導(dǎo)體芯片2H、2L中的任一方、后搭載另一方即可。
[0225]另外，半導(dǎo)體芯片2H、2L的構(gòu)造，已使用圖1以及圖2作了說明，所以省略重復(fù)的說明。
[0226]<條帶鍵合工序>
[0227]另外，在圖17所示的條帶鍵合工序中，如圖23以及圖24所示，將半導(dǎo)體芯片2H的源電極焊盤2HSP與接片3L的條帶連接部3B的條帶連接面3Ba經(jīng)由金屬條帶7HSR而電連接。另外，本工序中，將半導(dǎo)體芯片2L的源電極焊盤2LSP與引腳4LS的條帶連接部4B的條帶連接面4Ba經(jīng)由金屬條帶7LSR而電連接。
[0228]圖23是表示圖21所示的多個半導(dǎo)體芯片與多個引腳分別經(jīng)由金屬條帶電連接的狀態(tài)的放大平面圖。另外，圖24是沿圖23的A-A線的放大剖視圖。另外，圖25?圖29是依次表示接合圖2所示的金屬條帶的工序的放大剖視圖。
[0229]本工序中，通過使用圖13以及圖14說明了的條帶鍵合方式，從而依次形成金屬條帶7HSR、7LSR。先形成金屬條帶7HSR、7LSR中的哪一個，能夠根據(jù)條帶連接部的布局來決定，但是在將圖24所示的接片3L的條帶連接部3B設(shè)為金屬條帶7HSR的第2接合側(cè)的情況下，優(yōu)選先形成(鍵合)金屬條帶7HSR。該情況下，在半導(dǎo)體芯片2L的表面2La上，在未形成金屬條帶7LSR的狀態(tài)下將金屬條帶7HSR接合于條帶連接部3B，所以能夠使鍵合工具23易于移動。
[0230]本工序中，首先，如圖25所示，在高邊用的半導(dǎo)體芯片2H的源電極焊盤2HSP接合金屬帶20的一端(圖24所示的金屬條帶7HSR的一端)。此時，通過將金屬帶20按壓于源電極焊盤2HSP，從而金屬帶20的形狀按照鍵合工具23而變形。另外，通過對鍵合工具23施加超聲波，從而能夠在金屬帶20與源電極焊盤2HSP的接觸界面形成金屬鍵，將金屬帶20與源電極焊盤2HSP電連接。
[0231]另外，接片3H的位于芯片搭載面的相反側(cè)的下表面3b，緊貼支撐臺25的接片保持面25a并被保持于支撐臺25。這樣，作為被接合部的源電極焊盤2HSP，在由支撐臺25支撐的狀態(tài)下進(jìn)行鍵合，從而施加于鍵合工具23的超聲波高效地傳遞到金屬帶20的接合面。其結(jié)果，能夠使金屬帶20與源電極焊盤2HSP的接合強(qiáng)度提高。支撐臺25優(yōu)選使用例如金屬制的工作臺(金屬工作臺)，使得施加于鍵合工具23的超聲波集中地傳遞到接合界面。
[0232]接下來，一邊從保持金屬帶20的輥21依次送出金屬帶20 —邊使鍵合工具23移動，如圖26所示，將金屬帶20的另一端接合于接片3L的條帶連接部3B的芯片搭載面3Ca。此時，通過將金屬帶20按壓到接片3L的條帶連接面3Ba，從而金屬帶20緊貼接片3L的條帶連接面3Ba而按鍵合工具23變形。另外，通過對鍵合工具23施加超聲波，從而能夠在金屬帶20與條帶連接部3B的條帶連接面3Ba的接觸界面形成金屬鍵，將金屬帶20與條帶連接部3B的條帶連接面3Ba電連接。
[0233]另外，條帶連接部3B的位于條帶連接面3Ba的相反側(cè)(正下方)的下表面，緊貼支撐臺25的條帶連接部保持面25b并被保持于支撐臺25。圖26所示的例子中，接片3L如上述那樣被實(shí)施了彎曲加工，所以條帶連接部保持面25b配置于比接片保持面25a高的位置。通過在這樣作為被接合部的條帶連接部3B的條帶連接面3Ba由支撐臺25的條帶連接部保持面25b支撐的狀態(tài)下進(jìn)行接合，從而對鍵合工具23施加的超聲波有效地傳遞到金屬帶20的接合面。其結(jié)果，能夠使金屬帶20與條帶連接部3B的接合強(qiáng)度提高。
[0234]另外，圖26所示的例子中，半導(dǎo)體芯片2L配置于條帶連接部3B的附近，所以鍵合工具23的一部分與半導(dǎo)體芯片2L在厚度方向上重疊。如果換言之，則鍵合工具23的下表面23b的一部分與半導(dǎo)體芯片2L的表面2La相對。但是，根據(jù)本實(shí)施方式，在條帶鍵合時，以鍵合工具23的下表面23b配置于比半導(dǎo)體芯片2L的表面2La高的位置的方式，將條帶連接部3B的條帶連接面3Ba的位置配置為比作為接片3L的芯片搭載面的芯片搭載面3Ca尚O
[0235]因此，如圖26所示，在將金屬帶20接合于條帶連接部3B時，即使在將半導(dǎo)體芯片2L接近條帶連接部3B側(cè)而配置到鍵合工具23的一部與半導(dǎo)體芯片2L在厚度方向上重疊的程度的情況下，也能夠防止或抑制鍵合工具23與半導(dǎo)體芯片2L接觸。
[0236]接下來，如圖27所示，使鍵合工具23沿條帶連接面3Ba向半導(dǎo)體芯片2L側(cè)進(jìn)一步移動。接著，通過將切斷刀24朝向金屬帶20按壓，從而將金屬帶20切斷。由此，將半導(dǎo)體芯片2H的源電極焊盤2HSP和與接片3L形成為一體的條帶連接部3B電連接的金屬條帶7HSR，從金屬帶20分離而形成。此時，切斷刀24的切斷位置，優(yōu)選是設(shè)在條帶連接部3B的條帶連接面3Ba上。將金屬帶20在被夾在切斷刀24與條帶連接面3Ba之間的狀態(tài)下切斷，能夠穩(wěn)定地將金屬帶20切斷。
[0237]另外，根據(jù)本實(shí)施方式，在條帶鍵合時，以鍵合工具23的下表面23b配置于比半導(dǎo)體芯片2L的表面2La高的位置的方式，將條帶連接部3B的條帶連接面3Ba的位置配置成比接片3L的芯片搭載面即芯片搭載面3Ca高。因此，如圖27所示，在將金屬帶20切斷時，在將半導(dǎo)體芯片2L接近條帶連接部3B側(cè)而配置到鍵合工具23的一部與半導(dǎo)體芯片2L在厚度方向上重疊的程度的情況下，也能夠防止或抑制鍵合工具23與半導(dǎo)體芯片2L接觸。
[0238]接下來，如圖28所示，將金屬帶20的一端(圖24所示的金屬條帶7LSR的一端)接合于低邊用的半導(dǎo)體芯片2L的源電極焊盤2LSP。圖23所示的金屬條帶7HSR與金屬條帶7LSR的寬度不同。因此，使用與在接合金屬條帶7HSR時使用的鍵合工具23相比，供給的金屬帶20的寬度不同的鍵合工具23來接合金屬條帶7LSR(參照圖24)。只是，除供給的金屬帶20的寬度不同這一點(diǎn)外，是與圖25?圖27所示的鍵合工具23同樣的構(gòu)造，所以示為鍵合工具23并省略重讀的說明。
[0239]本工序中，通過對鍵合工具23施加超聲波，從而能夠在金屬帶20與源電極焊盤2LSP的接觸界面形成金屬鍵，將金屬帶20與源電極焊盤2HSP電連接。另外，接片3L的位于芯片搭載面3Ca的相反側(cè)的下表面3Cb與支撐臺25的接片保持面25a緊貼并被保持于支撐臺25。因此，對鍵合工具23施加的超聲波有效地傳遞到金屬帶20的接合面。其結(jié)果，能夠使金屬帶20與源電極焊盤2LSP的接合強(qiáng)度提高。
[0240]另外，圖24所示的例子中，將低邊用的源電極焊盤2LSP分割為2處而形成，所以本工序中，使鍵合工具23依次在2處源電極焊盤2LSP上移動而依次接合金屬帶20。此外，接合方法是同樣的，所以省略圖示。
[0241]接下來，一邊從保持金屬帶20的輥21依次送出金屬帶20 —邊使鍵合工具23移動