)2HSP和與圖1所示的柵電極HG相對(duì)應(yīng)的柵電極焊盤(pán)(第3電極焊盤(pán))2HGP。另一方面，如圖6所示，在半導(dǎo)體芯片2H的背面2Hb，形成有與圖1所示的源極HS相對(duì)應(yīng)的漏電極2HDP。圖6所示的例子中，半導(dǎo)體芯片2H的整個(gè)背面2Hb成為漏電極2HDP。
[0097]另外，多個(gè)半導(dǎo)體芯片2包括半導(dǎo)體芯片2L，該半導(dǎo)體芯片2L中形成有作為使用圖1說(shuō)明了的電源電路10的低邊用的開(kāi)關(guān)元件的MOSFET2LQ。如圖6所示，半導(dǎo)體芯片2L具有表面2La和位于與表面2La相反側(cè)的背面2Lb。另外，如圖5所示在半導(dǎo)體芯片2L的表面2La形成有與圖1所示的源極LS相對(duì)應(yīng)的源電極焊盤(pán)2LSP(第2電極焊盤(pán))和與圖1所示的柵電極LG相對(duì)應(yīng)的柵電極焊盤(pán)2LGP (第4電極焊盤(pán))。另一方面，如圖6所示，在半導(dǎo)體芯片2L的背面2Lb形成有與圖1所示的源極LS相對(duì)應(yīng)的漏電極2LDP。圖6所示的例子中，半導(dǎo)體芯片2L的整個(gè)背面2Lb成為漏電極2LDP。
[0098]另外，圖5所示的例子中，半導(dǎo)體芯片2L的平面大小(表面2La的面積)比半導(dǎo)體芯片2H的平面大小(表面2Ha的面積)大。如使用圖1以及圖2說(shuō)明那樣，通過(guò)增大形成有低邊用的MOSFET2LQ的半導(dǎo)體芯片2L的平面大小，從而能夠減小低邊用的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電阻。其結(jié)果，因即使圖1所示的電源電路10中流動(dòng)的電流增大也能夠使電壓轉(zhuǎn)換效率提尚這一點(diǎn)而優(yōu)選。
[0099]另外，如圖5以及圖6所示，半導(dǎo)體器件I具有搭載半導(dǎo)體芯片2H的接片(芯片搭載部)3H。接片3H具有經(jīng)由導(dǎo)電性粘接材料(導(dǎo)電性部件)6H而搭載半導(dǎo)體芯片2H的芯片搭載面(上表面)3a、和與芯片搭載面3a相反側(cè)的下表面(安裝面)3b。
[0100]如圖5所示，接片3H與和圖1所示的端子ETl電連接的端子所對(duì)應(yīng)的引腳4HD形成為一體。另外，如圖6所示在半導(dǎo)體芯片2H的背面2Hb所形成的漏電極2HDP，經(jīng)由導(dǎo)電性粘接材料6H與接片3H電連接。也就是，接片3H兼?zhèn)渥鳛榇钶d半導(dǎo)體芯片2H的芯片搭載部的功能和作為圖1所示的高邊用的MOSFET2HQ的漏極HD的端子的引腳4HD的功能。
[0101]另外，如圖4以及圖6所示，接片3H的下表面3b (引腳4HD的下表面4b)在封固體5的下表面5b從封固體5露出。另外，在接片3H的露出面形成有金屬膜(外裝鍍膜)SD，其用于在將半導(dǎo)體器件I安裝于未圖示的安裝基板時(shí)提高成為接合材料的軟釬料的潤(rùn)濕性。通過(guò)使作為搭載半導(dǎo)體芯片2H的芯片搭載部的接片3H的下表面3b從封固體5露出，從而能夠提高在半導(dǎo)體芯片2H產(chǎn)生的熱的散熱效率。另外，通過(guò)使作為外部端子即引腳4HD的接片3H的下表面3b從封固體5露出，從而能夠增大電流流動(dòng)的導(dǎo)通路徑的截面面積。因此，能夠降低導(dǎo)通路徑中的阻抗分量。
[0102]另外，如圖5以及圖6所示，半導(dǎo)體器件I具有搭載半導(dǎo)體芯片2L的接片(芯片搭載部)3L。接片3L包括以下3個(gè)部分。首先，接片3L具備芯片連接部3C，其是固定半導(dǎo)體芯片2L且與半導(dǎo)體芯片2L電連接的部分。如圖6所示，接片3L的芯片連接部3C具有經(jīng)由導(dǎo)電性粘接材料(導(dǎo)電性部件)6L搭載半導(dǎo)體芯片2L的芯片搭載面(上表面)3Ca;和與芯片搭載面3Ca相反側(cè)的下表面(安裝面)3Cb。
[0103]另外，接片3L具備條帶連接部3B，該條帶連接部3B是接合金屬條帶(導(dǎo)電性部件、帶狀金屬部件)7HSR的一端且與其電連接的部分。如圖6所示，條帶連接部3B具有供金屬條帶7HSR連接的條帶連接面(連接面、上表面)3Ba和與條帶連接面3Ba相反側(cè)的下表面3Bb。
[0104]另外，接片3L具備折彎部(傾斜部)3W，該折彎部(傾斜部)3W是條帶連接部3B的條帶連接面3Ba的高度比芯片連接部3C的芯片搭載面3Ca的高度高的部分。折彎部3W配置在芯片連接部3C與條帶連接部3B之間。另外，如圖6所示，折彎部3W具有與條帶連接部3B的條帶連接面3Ba、以及芯片連接部3C的芯片搭載面3Ca相連的上表面3Wa。另外，折彎部3W具有與條帶連接部3B的下表面3Bb、以及芯片連接部3C的下表面3Ca相連的下表面3Wb。
[0105]折彎部3W是通過(guò)對(duì)金屬板實(shí)施彎曲加工而形成的，折彎部3W的上表面3Wa以及下表面3Wb分別成為傾斜面。另外，折彎部3W以條帶連接部3B的條帶連接面3Ba的高度變得比芯片連接部3C的芯片搭載面3Ca的高度高的方式傾斜。因此，平面視圖中，芯片連接部3C的下表面3Cb的面積比芯片搭載面3Ca的面積大。另一方面，條帶連接部3B的條帶連接面3Ba的面積比條帶連接部3B的下表面3Bb的面積大。
[0106]如圖6所示在半導(dǎo)體芯片2L的背面2Lb所形成的漏電極2LDP，經(jīng)由導(dǎo)電性粘接材料6L與接片3L電連接。也就是，接片3L兼?zhèn)渥鳛榇钶d半導(dǎo)體芯片2L的芯片搭載部的功能和作為引腳4LD的功能，該引腳4LD為與圖1所示的低邊用的MOSFET2LQ的漏極LD與高邊用的MOSFET2HQ的源極HS之間的輸出節(jié)點(diǎn)N相對(duì)應(yīng)的外部端子。
[0107]另外，如圖4以及圖6所示，接片3L的下表面3Cb(與引腳4LD的下表面4b相當(dāng)?shù)牟糠?，在封固體5的下表面5b從封固體5露出。另外，在接片3L的露出面形成有金屬膜(外裝鍍膜)SD，該金屬膜SD用于在將半導(dǎo)體器件I安裝到未圖示的安裝基板時(shí)、使成為接合材料的軟釬料的潤(rùn)濕性提高。通過(guò)使作為搭載半導(dǎo)體芯片2L的芯片搭載部的接片3L的下表面3Cb從封固體5露出，從而能夠使在半導(dǎo)體芯片2L產(chǎn)生的熱的散熱效率提高。尤其是如上述那樣，低邊用的半導(dǎo)體芯片2L的工作時(shí)的導(dǎo)通時(shí)間(施加電壓期間的時(shí)間)比高邊用的半導(dǎo)體芯片2H的導(dǎo)通時(shí)間長(zhǎng)。也就是，半導(dǎo)體芯片2L的發(fā)熱量比半導(dǎo)體芯片2H大。因此，如圖4所示，優(yōu)選是接片3L的露出面的面積比接片3H的露出面的面積大。
[0108]另外，通過(guò)使作為外部端子即引腳4LD的接片3L的下表面3Cb從封固體5露出，從而能夠增大電流流過(guò)的導(dǎo)通路徑的截面面積。因此，能夠降低導(dǎo)通路徑中的阻抗分量。尤其是，引腳4LD是與使用圖1說(shuō)明了的輸出節(jié)點(diǎn)N相對(duì)應(yīng)的外部端子。因此，通過(guò)降低連接于引腳4LD的導(dǎo)通路徑的阻抗分量，從而能夠直接降低輸出布線的電力損失，因?yàn)檫@一點(diǎn)而優(yōu)選。
[0109]另外，圖5以及圖6所示的導(dǎo)電性粘接材料6H、6L分別是用于將半導(dǎo)體芯片2H、2L固定于接片3H、3L上且將半導(dǎo)體芯片2H、2L與接片3H、3L電連接的導(dǎo)電性部件(焊盤(pán)材料)6。作為導(dǎo)電性粘接材料6H、6L，例如能夠使用熱固性樹(shù)脂中含有多個(gè)(許多)銀(Ag)微粒等導(dǎo)電性微粒、所謂被稱為銀(Ag)糊的導(dǎo)電性樹(shù)脂材料、或軟釬料。
[0110]作為在將半導(dǎo)體器件I安裝于未圖示的安裝基板(母板)時(shí)將半導(dǎo)體器件I的多個(gè)引腳4與安裝基板側(cè)的未圖示的端子電連接的接合材料，使用例如軟釬料等。圖5以及圖6所示的、例如由軟釬料形成的外裝鍍膜即金屬膜SD，從提高作為接合材料的軟釬料的潤(rùn)濕性的角度出發(fā)，分別形成于半導(dǎo)體器件I的端子的接合面。
[0111]安裝半導(dǎo)體器件I的工序中，為了使未圖示的軟釬料熔融而分別接合于引腳4與未圖示的安裝基板側(cè)的端子，而實(shí)施被稱為回流焊(reflow)處理的加熱處理。在作為導(dǎo)電性部件6，使用樹(shù)脂中混合有導(dǎo)電性微粒的導(dǎo)電性粘接材料6H、6L的情況下，即使任意設(shè)定上述回流焊處理的處理溫度，導(dǎo)電性粘接材料6H、6L也不熔融。因此，半導(dǎo)體芯片2H、2L與接片3H、3L的接合部的導(dǎo)電性部件6，因能夠防止在半導(dǎo)體器件I的安裝時(shí)由于再熔融所導(dǎo)致的不良情況這一點(diǎn)而優(yōu)選。
[0112]另一方面，在作為將半導(dǎo)體芯片2H、2L與接片3H、3L接合的導(dǎo)電性部件6使用軟釬料的情況下，為了抑制在半導(dǎo)體器件I的安裝時(shí)再熔融，優(yōu)選使用熔點(diǎn)比安裝時(shí)使用的接合材料的熔點(diǎn)高的材料。這樣，在作為焊盤(pán)材料的導(dǎo)電性部件6使用軟釬料的情況下，材料選擇受限制，但是因與使用導(dǎo)電性粘接材料的情況相比能夠提高電連接可靠性這一點(diǎn)而優(yōu)選。
[0113]另外，如圖4以及圖5所示，接片3H以及接片3L分別由包括懸掛引腳TL的多個(gè)引腳4支撐。該懸掛引腳TL是用于在半導(dǎo)體器件I的制造工序中將接片3H、3L固定于引線框架的框部的支撐部件。
[0114]另外，如圖5以及圖6所示，半導(dǎo)體芯片2H的源電極焊盤(pán)2HSP與引腳4LD經(jīng)由金屬條帶(導(dǎo)電性部件、帶狀金屬部件)7HSR而電連接。金屬條帶7HSR是與連接圖1所示的高邊用的M0SFET2HQ的源極HS與輸出節(jié)點(diǎn)N的布線相當(dāng)?shù)膶?dǎo)電性部件，例如由鋁(Al)形成。
[0115]詳細(xì)而言，如圖6所示，金屬條帶7HSR的一端接合于半導(dǎo)體芯片2H的源電極焊盤(pán)2HSP。另一方面，金屬條帶7HSR的與上述一端相反側(cè)的另一端，接合于在兼?zhèn)湟_4LD功能的接片3L的一部分所形成的條帶連接部3B的條帶連接面(連接面、上表面)3Ba。
[0116]在金屬條帶7HSR與源電極焊盤(pán)2HSP的接合部，在源電極焊盤(pán)2HSP的最外表面露出的金屬部件(例如鋁)與構(gòu)成金屬條帶7HSR的例如鋁條，形成金屬鍵而接合。另一方面，在金屬條帶7HSR與條帶連接部3B的條帶連接面3Ba的接合部，例如構(gòu)成基材的銅(Cu)露出，銅(Cu)的露出面與構(gòu)成金屬條帶7HSR的例如鋁條，形成金屬鍵而接合。詳情后述，但通過(guò)在接合金屬條帶7HSR時(shí)利用接合工具施加超聲波，從而能夠形成上述那樣的接合部。
[0117]這里，如圖5所示，平面視圖中，條帶連接部3B的條帶連接面3Ba位于半導(dǎo)體芯片2H與半導(dǎo)體芯片2L之間。另外，如圖6所示，條帶連接部3B的條帶連接面3Ba配置于高度比接片3L的芯片連接部3C的芯片搭載面3Ca高的位置。在圖5以及圖6所示的例子中，在條帶連接部3B的條帶連接面3Ba與芯片連接部3C的芯片搭載面3Ca之間，設(shè)置有以條帶連接面3Ba的高度比芯片搭載面3Ca的高度高的方式設(shè)置的折彎部(或傾斜部)3W。因此，條帶連接部3B的下表面(條帶連接面3Ba的正下方的下表面)3Bb被封固體5覆蓋。如果換言之，則接片3L的條帶連接部3B由封固體5密封。通過(guò)這樣用封固體5密封接片3L的一部分，從而接片3L難以從封固體5脫落。
[0118]另外，關(guān)于使得條帶連接部3B的下表面(條帶連接面3Ba的正下方的下表面)3Bb被封固體5覆蓋的形狀，有對(duì)接片3L實(shí)施彎曲加工的方法和實(shí)施蝕刻處理的方法等、各種變形例。圖5以及圖6所示的例子中，采用對(duì)接片3L的局部實(shí)施彎曲加工的方法。因此，條帶連接部3B的厚度成為與接片3L的芯片連接部3C的厚度相同的厚度。如果換言之，則在接片3L的厚度方向上，從條帶連接面3Ba到條帶連接面3Ba的正下方的下表面的厚度，與從芯片連接部3C的芯片搭載面3Ca到芯片搭載面3Ca的正下方的下表面3Cb的厚度相等。圖6所示的例子中，條帶連接部3B的厚度以及接片3L的芯片連接部3C的厚度分別為200 μ m?250 μ m左右。這樣，對(duì)接片3L實(shí)施彎曲加工的方法，因在制造引線框架的階段能夠容易地加工這一點(diǎn)而優(yōu)選。
[0119]另外，如圖5以及圖6所示，半導(dǎo)體器件I具有作為與半導(dǎo)體芯片2L電連接的外部端子的引腳(板狀引腳部件)4LS。引腳4LS具有連接金屬條帶7LSR的條帶連接部(連接部)4B、以及成為將半導(dǎo)體器件I安裝于未圖示的安裝基板時(shí)的外部端子的端子部4T。另夕卜，端子部4T具有作為安裝面的下表面4b、以及位于與下表面4b相反側(cè)的上表面4a。
[0120]另外，如圖5以及圖6所示，半導(dǎo)體芯片2L的源電極焊盤(pán)2LSP和引腳4LS，經(jīng)由金屬條帶(導(dǎo)電性部件、帶狀金屬部件)7LSR而電連接。金屬條帶7LSR是與連接圖1所示的低邊用的MOSFET2LQ的源極LS與端子ET2的布線相當(dāng)?shù)膶?dǎo)電性部件，例如與上述金屬條帶7HSR同樣由鋁(Al)形成。
[0121]詳細(xì)而言，如圖6所示，金屬條帶7LSR的一端接合于半導(dǎo)體芯片2L的源電極焊盤(pán)2LSP。另一方面，金屬條帶7LSR的與上述一端相反側(cè)的另一端，接合于在引腳4LS的局部所形成的條帶連接部4B的條帶連接面(連接面、上表面)4Ba。此外，圖6所示的例子中，半導(dǎo)體芯片2L的源電極焊盤(pán)2LSP分為多處(例如2處)而形成。因此，在多個(gè)源電極焊盤(pán)2LSP中、配置在半導(dǎo)體芯片2H側(cè)的源電極焊盤(pán)2LSP，接合有金屬條帶7LSR的一端，在另一源電極焊盤(pán)2LSP接合有金屬條帶7LSR的兩端之間的一部分。
[0122]在金屬條帶7LSR與源電極焊盤(pán)2LSP的接合部，分別在源電極焊盤(pán)2HSP的最外表面露出的金屬部件(例如鋁)與構(gòu)成金屬條帶7HSR的例如鋁條，形成金屬鍵并接合。另一方面，在金屬條帶7LSR與條帶連接部3B的條帶連接面3Ba的接合部，例如構(gòu)成基材的銅(Cu)露出，銅(Cu)的露出面與構(gòu)成金屬條帶7LSR的例如鋁條形成金屬鍵而接合。詳情后述，通過(guò)在接合金屬條帶7LSR時(shí)利用接合工具施加超聲波，從而能夠形成上述那樣的接合部。
[0123]另外，在圖5以及圖6所示的例子中，半導(dǎo)體芯片2L配置在引腳4LS的條帶連接部4B與接片3L的條帶連接部3B之間。另外，如圖6所示，條帶連接部4B的條帶連接面4Ba配置于高度比引腳4LS的位于安裝面即下表面4b的相反側(cè)的上表面4a高的位置。詳細(xì)而言，在條帶連接部4B的條帶連接面4Ba與端子部4T的上表面4a之間，設(shè)置有以條帶連接面4Ba的高度比端子部4T的上表面4a的高度高的方式設(shè)置的折彎部(或傾斜部)4W。因此，條帶連接部4B的下表面4Bb被封固體5覆蓋。如果換言之，引腳4LS的條帶連接部4B由封固體5密封。通過(guò)這樣引腳4LS的局部用封固體5密封，從而引腳4LS難以從封固體5脫落。其結(jié)果，能夠使導(dǎo)體裝置I的電連接可靠性提高。
[0124]另外，如圖5以及圖7所示，在接片3H附近，配置有作為與半導(dǎo)體芯片2H的柵電極焊盤(pán)2HGP電連接的外部端子的引腳4HG。引腳4HG與接片3H分離設(shè)置。另外，如圖5以及圖8所示，在接片3L附近，配置有作為與半導(dǎo)體芯片2L的柵電極焊盤(pán)2LGP電連接的外部端子的引腳4LG。引腳4LG與接片3L分離設(shè)置。
[0125]另外，如圖7以及圖8所示，引腳4HG、4LG具有作為供導(dǎo)線(wire) 7GW接合的鍵合區(qū)域的導(dǎo)線連接部4Bw、以及成為將半導(dǎo)體器件I安裝于未圖示的安裝基板時(shí)的外部端子的端子部4T。另外，如圖7或圖8所示，導(dǎo)線連接部4Bw的導(dǎo)線連接面4Bwa配置于高度比引腳4HG、4LG的位于安裝面即下表面4b的相反側(cè)的上表面4a高的位置。詳細(xì)而言，在導(dǎo)線連接部4Bw的導(dǎo)線連接面4Bwa與端子部4T的上表面4a之間，設(shè)置有以導(dǎo)線連接面4Bwa的高度比端子部4T的上表面4a的高度的方式設(shè)置的折彎部(或傾斜部)4W。因此，與上述引腳4LS同樣，引腳4HG、4LG的導(dǎo)線連接部4Bw由封固體5密封。通過(guò)這樣將引腳4HG、4LG的局部用封固體5密封，從而引腳4HG、4LG難以從封固體5脫落。其結(jié)果，能夠使半導(dǎo)體器件I的電連接可靠性提高。
[0126]但是，在引腳4HG、4LG以及柵電極焊盤(pán)2HGP、2LGP，分別與圖1所示的驅(qū)動(dòng)器電路DRU DR2的每個(gè)輸出端子電連接。另外，對(duì)引腳4HG、4LG以及柵電極焊盤(pán)2HGP、2LGP，供給控制圖2所示的MOSFET2HQ、2LQ的柵電極HG、LG的電位的信號(hào)。因此，若與其他引腳4(圖5所示的引腳4HD、4LD、4LS)相比較，則流動(dòng)的電流相對(duì)較小。因此，引腳4HG、4LG與柵電極焊盤(pán)2HGP、2LGP，經(jīng)由作為金屬細(xì)線的導(dǎo)線(導(dǎo)電性部件)7GW而電連接。
[0127]例如、圖7以及圖8所示的例子中，在柵電極焊盤(pán)2HGP、2LGP的最外表面所形成的金屬膜(例如鋁膜、或金膜)，接合有例如由金(Au)形成的導(dǎo)線7GW的一端(例如第I鍵合(band)部)。另外，在引腳4HG、4LG的導(dǎo)線連接部4Bw的導(dǎo)線連接面4Bwa，形成能夠使導(dǎo)線7GW與引腳4HG、4LG的基材的連接強(qiáng)度提高的金屬膜4BwM。而且，導(dǎo)線7GW的與上述一端相反側(cè)的另一端(例如第2鍵合部)經(jīng)由金屬膜4BwM與引腳4HG、4LG的基材電連接。引腳4HG、4LG的基材例如由銅(Cu)形成，金屬膜4BwM例如由銀(Ag)形成。
[0128]另外，如圖6所示，半導(dǎo)體芯片2H、2L、接片3H、3L的一部分(芯片連接部3C的芯片搭載面?zhèn)扰c條帶連接部3B)、引腳4LS的條帶連接部4B以及金屬條帶7HSR、7LSR由封固體5密封。另外，如圖7以及圖8所示，引腳4HG、4LG的一部分(上表面4a側(cè)以及導(dǎo)線連接部4Bw)、以及多個(gè)導(dǎo)線7GW，由封固體5密封。
[0129]封固體5是將多個(gè)半導(dǎo)體芯片2、以及多個(gè)半導(dǎo)體芯片2、多個(gè)金屬條帶7HSR、7LSR、以及多個(gè)導(dǎo)線7GW密封的樹(shù)脂體，具有上表面5a (參照?qǐng)D3、圖6)以及位于上表面5a的相反側(cè)的下表面(安裝面)5b (參照?qǐng)D4、圖6)。另外，如圖3、圖4以及圖5所不，封固體5在平面視圖中形成為四邊形，具有4個(gè)側(cè)面5c。
[0130]封固體5例如主要由環(huán)氧系樹(shù)脂等熱固性樹(shù)脂構(gòu)成。另外，為了使封固體5的特性(例如由熱影響所致的膨脹特性)提高，有時(shí)例如硅石(二氧化硅；Si02)微粒等的填充微粒也混合在樹(shù)脂材料中。
[0131]<關(guān)于接片與封固體的緊貼性>
[0132]但是，在本實(shí)施方式那樣為將在半導(dǎo)體芯片2的背面形成的電極與接片3電連接的半導(dǎo)體器件的情況下，從提高可靠性的角度出發(fā)，優(yōu)選是使封固體5與接片3的緊貼性提高以防止或抑制剝離的發(fā)生。以下，使用圖9?圖12關(guān)于剝離發(fā)生的機(jī)理對(duì)本申請(qǐng)發(fā)明者的研宄結(jié)果進(jìn)行說(shuō)明。
[0133]圖9是構(gòu)成為與圖5所示的低邊側(cè)的接片同樣地、條帶連接面的高度比芯片搭載面高的半導(dǎo)體器件的要部平面圖，圖10是作為對(duì)于圖9的研宄例的半導(dǎo)體器件的要部平面圖。另外，圖11是在沿圖9的A-A線的截面中、示意性地表示伴隨半導(dǎo)體器件的溫度降低而產(chǎn)生的應(yīng)力的說(shuō)明圖。另外，圖12是在沿圖10的A-A線的截面中、示意性地表示伴隨半導(dǎo)體器件的溫度降低而產(chǎn)生的應(yīng)力的說(shuō)明圖。此外，圖9以及圖10中，為了使空白區(qū)域YRC、YRB的邊界容易看到，而在空白區(qū)域YRC、YRB標(biāo)注陰影線而示。
[0134]圖9所示半導(dǎo)體器件60，在連接金屬條帶7R的條帶連接部3B與芯片連接部3C之間設(shè)置有折彎部3W、條帶連接面3Ba的高度比芯片搭載面3Ca的高度高，這一點(diǎn)不同于圖10所示的半導(dǎo)體器件61。如果換言之，則圖10所示的半導(dǎo)體器件61，接片3的芯片搭載面3Ca與條帶連接面配置于同一高度，這一點(diǎn)不同于圖9所示的半導(dǎo)體器件I。
[0135]在此，為了在隔著導(dǎo)電性部件6將半導(dǎo)體芯片2搭載于芯片連接部3C時(shí)、使半導(dǎo)體芯片2的整個(gè)背面2b(參照?qǐng)D11)確實(shí)地緊貼于導(dǎo)電性部件6，優(yōu)選是使芯片搭載面3Ca的平面大小(平面面積)比半導(dǎo)體芯片2的背面2b的平面大小(平面面積)大。如果芯片搭載面3Ca的平面大小(平面面積)比半導(dǎo)體芯片2的背面2b的平面大小(平面面積)大，則即便考慮到搭載時(shí)的微小錯(cuò)位，也能夠?qū)雽?dǎo)體芯片2的整個(gè)背面2b收到芯片搭載面3Ca上。
[0136]這樣，在芯片搭載面3Ca的平面大小(平面面積)比半導(dǎo)體芯片2的背面2b的平面大小(平面面積)大的情況下，如圖9、圖10所示，在實(shí)際固定半導(dǎo)體芯片2的區(qū)域的周圍存在有空白區(qū)域YRC。
[0137]所謂接片3的空白區(qū)域YRC，是與搭載半導(dǎo)體芯片2的接片3的芯片搭載面3Ca在同一高度相連的平面中、未與固定半導(dǎo)體芯片2的導(dǎo)電性部件6和/或金屬條帶7R接觸的區(qū)域。如果換言之，則接片3的空白區(qū)域YRC是與接片3的芯片搭載面3Ca在同一高度相連的平面中、未被固定半導(dǎo)體芯片2的導(dǎo)電性部件6和/或金屬條帶7R覆蓋而露出的接片3的上表面(例如、基材的銅面)的區(qū)域。
[0138]因此，在圖9所示的半導(dǎo)體器件60的情況下，條帶連接面3Ba和/或折彎部3W的上表面3Wa不包含于空白區(qū)域YRC。圖9所示的、條帶連接面3Ba中未與金屬條帶7R接觸的空白區(qū)域YRB，配置于不同于芯片搭載面3Ca的高度，所以有別于空白區(qū)域YRC。
[0139]另一方面，圖10所示的半導(dǎo)體器件61中，條帶連接部3B的上表面(條帶連接面)與芯片搭載面3Ca在同一高度相連，所以接片3的上表面中，未被固定半導(dǎo)體芯片2的導(dǎo)電性部件6和/或金屬條帶7R覆蓋的整個(gè)區(qū)域成為空白區(qū)域YRC。
[0140]另外，如將圖9與圖10相比較進(jìn)行判斷那樣，在半導(dǎo)體器件60設(shè)置的芯片搭載面3Ca的空白區(qū)域YRC的面積，比在半導(dǎo)體器件61設(shè)置的芯片搭載面3Ca的空白區(qū)域YRC的面積小。詳細(xì)而言，在圖9所示的半導(dǎo)體器件60中與導(dǎo)電性部件6相比設(shè)置在金屬條帶7R側(cè)的空白區(qū)域YRC的長(zhǎng)度LI，比圖10所示的半導(dǎo)體器件61中與導(dǎo)電性部件6相比設(shè)置在金屬條帶7R側(cè)的空白區(qū)域YRC的長(zhǎng)度L2短。因此，半導(dǎo)體器件60中設(shè)置在金屬條帶7R側(cè)的空白區(qū)域YRC的面積，比半導(dǎo)體器件61中設(shè)置在金屬條帶7R側(cè)的空白區(qū)域YRC的面積小。
[0141]在此，對(duì)于在半導(dǎo)體器件60和/或半導(dǎo)體器件61發(fā)生溫度變化的情況下，因構(gòu)成部件的線膨脹系數(shù)的不同而產(chǎn)生的應(yīng)力進(jìn)行說(shuō)明。以下，舉出在利用傳遞