二甲酸 乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯乙烯中的一種或多種的組合。
[0064] S4、將所述高粗糙區(qū)域11中的所述柔性聚合物基板1與之所承載的所述光電器 件進行裁切，并將所述柔性聚合物基板與之所承載的所述光電器件從所述玻璃載板1上剝 離。由于所述高粗糙區(qū)域11中所述柔性聚合物基板2與所述玻璃載板1間氫鍵的數量少， 所述柔性聚合物基板2在所述玻璃載板1上的附著力小，在器件的裁切工藝后，由于切口處 空氣的滲入，可輕易將該區(qū)域的所述柔性聚合物基板2與之所承載的光電器件從玻璃載板 1上剝離出來。
[0065] 步驟S4之后還包括：
[0066] S5、所述柔性聚合物基板2與之所承載的光電器件從玻璃載板1上剝離后，所述玻 璃載板1的結構示意圖如圖5A和5B所示；在所述玻璃載板1存留的所述柔性聚合物基板 2上制備掩膜層10,所述掩膜層10為Ni基合金制成的帶有微孔的金屬掩膜層，金屬掩膜層 的厚度為〇. 2_，孔徑為50ym，如圖6所示；并通過掩膜層10對所述柔性聚合物基板2進 行灰化處理，在所述柔性聚合物基板2上形成貫通通道13,如圖7所示。
[0067] 作為被發(fā)明的可變換實施例，所述掩膜層10可以為帶有微孔的金屬掩膜層，厚度 為0. 1?0. 5mm，孔徑為40?100ilm，均可以實現本發(fā)明的目的，屬于本發(fā)明的保護范圍。
[0068] S6、如圖8所示，將步驟S5制得的部分存留所述柔性聚合物基板2的所述玻璃載 板1置于含有H20氣體的腔室內進行加熱處理，溫度為200°C，處理時間為30分鐘，腔室內 H20氣體的體積密度為10?30g/L，優(yōu)選為20g/L。在此條件下，所述貫通通道13邊緣的聚 合物分子容易與H20分子形成氫鍵而逐漸取代與所述玻璃載板表面的一0H間的氫鍵，使得 可輕易將剩余所述柔性聚合物基板2從所述玻璃載板1上剝離，所述玻璃載板1可以重復 利用，有效降低了工藝成本；而且工藝簡單，易于實施。
[0069] 作為本發(fā)明的其他實施例，步驟S6中所述腔室內的溫度為180?220°C，處理時間 為20?60分鐘，均能實現本發(fā)明的目的，屬于本發(fā)明的保護范圍。
[0070] 實施例2
[0071] 本實施例提供一種柔性光電器件的制備方法，具體步驟同實施例1，唯一不同的 是，步驟S2中所述高溫、高壓步驟中溫度為200°C，壓力為0. 3MPa，所述高溫、高壓步驟處理 時間為30分鐘；步驟S6中所述加熱步驟的溫度為180°C，加熱時間為20分鐘。
[0072] 實施例3
[0073] 本實施例提供一種柔性光電器件的制備方法，具體步驟同實施例1，唯一不同的 是，步驟S2中所述高溫、高壓步驟中溫度為250°C，壓力為0. 5MPa，所述高溫、高壓步驟處理 時間為90分鐘；步驟S6中所述加熱步驟的溫度為220°C，加熱時間為60分鐘。
[0074] 使用百格測試法，將上述實施例中步驟2中所制得的所述器件制備單元區(qū)域中貼 合好的柔性聚合物基板2在不同溫度下進行附著力測試。測試方法為：將柔性聚合物基 板2和玻璃載板1按本發(fā)明所述的方法進行貼合，使用百格刀在柔性基板表面制作出邊寬 為3mm的小方格，然后使用膠帶粘附柔性基板表面并按壓，之后將膠帶揭開，參考玻璃載板 表面的柔性基板方塊脫落情況來判斷柔性基板和玻璃載板之間的粘附性，粘附性指標參考ASTMD3359標準。測試結果如下表所示：
【主權項】
1. 一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： 51、 在玻璃載板上制備若干高粗趟區(qū)域和若干圍繞所述高粗趟區(qū)域的低粗趟區(qū)域，每 一高粗趟區(qū)域和圍繞所述高粗趟區(qū)域的低粗趟區(qū)域形成一器件制備單元區(qū)域； 52、 在所述器件制備單元區(qū)域上直接設置柔性聚合物基板，再置于腔室內進行高溫、高 壓處理； 53、 在所述高粗趟區(qū)域所對應的所述柔性聚合物基板表面進行光電器件的制備與封 裝； 54、 將所述高粗趟區(qū)域中所述柔性聚合物基板與之所承載的所述光電器件進行裁切， 并將所述柔性聚合物基板與之所承載的所述光電器件從所述玻璃載板上剝離。
2. 根據權利要求1所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，步驟S4之后還 包括如下步驟： 55、 在所述器件制備單元區(qū)域中存留的所述柔性聚合物基板上制備掩膜層，并通過掩 膜層對所述柔性聚合物基板進行灰化處理，在柔性聚合物基板上形成貫通通道； 56、 將步驟S5制得的部分存留所述柔性聚合物基板的所述玻璃載板置于含有&0氣體 的腔室內進行加熱處理，再將剩余所述柔性聚合物基板從所述玻璃載板上剝離。
3. 根據權利要求1或2所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，步驟S1中 所述低粗趟區(qū)域的粗趟度為Ra<〇. 1，所述高粗趟區(qū)域的粗趟度為0. 3<Ra<0. 5。
4. 根據權利要求1或2所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，步驟S2中 所述高溫、高壓步驟中溫度為200?25(TC，壓力為0. 3?0. 5MPa。
5. 根據權利要求4所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，步驟S2中所述 高溫、高壓步驟的處理時間為30?90分鐘。
6. 根據權利要求2所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，步驟S5中所述 掩膜層為設置有微孔的金屬遮蔽層。
7. 根據權利要求6所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，所述金屬遮蔽 層的厚度為0. 1?0. 5mm，所述微孔的孔徑為40?100 y m。
8. 根據權利要求2所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，步驟S6中所述 加熱步驟的加熱溫度為180?22(TC。
9. 根據權利要求2所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，步驟S6中所述 加熱步驟的處理時間為20?60分鐘。
10. 根據權利要求1或2所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，步驟S2中 所述柔性聚合物基板直接放置或通過旋轉涂布、化學氣相沉積、真空蒸鍛的方法設置在所 述玻璃載板上。
11. 根據權利要求1或2所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，步驟S2中 所述柔性聚合物基板直接放置在所述玻璃載板上。
12. 根據權利要求1或2所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，步驟S2中 所述高溫、高壓步驟前還包括抽真空處理，真空度為1(T 4?1(T中a。
13. 根據權利要求1或2所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，步驟S1中 所述高粗趟區(qū)域和所述低粗趟區(qū)域通過酸法刻蝕工藝制備。
14. 根據權利要求1或2所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，步驟S3中 所述光電器件的制備步驟之前，還包括在所述柔性聚合物基板上制備包括至少2層阻隔單 元層和至少1層平坦化單元層交替設置的水氧阻隔層，所述阻隔單元層包括呈陣列分布的 若干阻隔單元，所述平坦化單元層包括呈陣列分布的若干平坦化單元，所述平坦化單元設 置在相鄰所述阻隔單元的間隙中并延伸至所述阻隔單元上。
15. 根據權利要求14所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，所述阻隔單 元的材料相同或者不同，選自氧化鉛、氧化娃、氮化娃、氧化鐵、氧化鉛、氮氧化鉛、氮氧化 娃、非晶碳中的一種或多種的組合。
16. 根據權利要求15所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，所述平坦化 單元的材料選自聚丙帰酸醋、聚對二甲苯、聚脈、聚對苯二甲酸己二醇醋、聚蔡二甲酸己二 醇醋、聚苯己帰中的一種或多種的組合。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種柔性光電器件的制備方法，在玻璃載板制作有粗糙區(qū)域的一面上設置柔性聚合物基板，再置于腔室內進行高溫、高壓處理使得聚合物分子逐漸與玻璃表面的—OH形成氫鍵，使得柔性聚合物基板貼合于玻璃載板表面。低粗糙區(qū)域增強柔性聚合物基板在玻璃載板上的附著力；高粗糙區(qū)域與柔性聚合物基板在玻璃載板上的附著力小，在器件的裁切工藝后可輕易將該區(qū)域的柔性聚合物基板與之所承載的光電器件從玻璃載板上剝離出來。在柔性聚合物基板的固定過程中未使用粘合劑、也未設置犧牲層，工藝步驟更加簡單；而且，基板表面平整度高，有利于后續(xù)光電器件的制備過程。
【IPC分類】H01L51-48, H01L51-00, H01L51-56
【公開號】CN104576969
【申請?zhí)枴緾N201310472546
【發(fā)明人】葛泳, 邱勇, 平山秀雄, 黃秀頎
【申請人】昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司, 昆山國顯光電有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2013年10月11日