層，并且該覆蓋層可以具有使用無機絕緣材料(例如S12或二氧化硅)、用于絕緣的金屬硅酸鹽(例如Hf硅酸鹽或Zr硅酸鹽)以及用于絕緣的金屬氮化物(例如Si鋁酸鹽、Hf鋁酸鹽或Zr鋁酸鹽)中的至少一種的單層或多層結(jié)構(gòu)。
[0080]第二基板170可以由透明的絕緣材料制成，例如玻璃或塑料。在第二基板170的內(nèi)表面上形成與三個子像素區(qū)SP1-SP3中的兩個子像素區(qū)SPl和SP2相對應(yīng)的量子點層175。
[0081]該量子點層175可以包括多個量子點。圖6是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的電致發(fā)光設(shè)備的量子點層的量子點的剖面圖。
[0082]參照圖6，量子點177具有由I1-VI族半導(dǎo)體材料、II1-V族半導(dǎo)體材料以及IV-1V族半導(dǎo)體材料中的至少一種制成的球形核心177a,以及用于封裝核心177a的外殼177b。在受到激發(fā)的電子從導(dǎo)帶移動到價帶時，量子點發(fā)光。所述核心177a可以由ZnSe、InGaP、PbS, ZnS, CdSe以及PbSe中的至少一種制成。
[0083]外殼177b可以由ZnS或CdS來制造。
[0084]量子點177還可以包括圍繞外殼177b的配體。
[0085]所述量子點具有與常規(guī)熒光染料不同的屬性。在由相同材料制造核心177a時，熒光波長會依照核心177a的尺寸而改變。
[0086]熒光波長隨著核心177a的直徑dl的減小而減小，由此，通過調(diào)整核心177a的直徑dl，可以發(fā)出預(yù)期波長的光。
[0087]更進一步，量子點177發(fā)出的光具有相對小的半寬度，由此其色純度高并且可以實現(xiàn)高的色彩重現(xiàn)性。
[0088]核心177a的直徑dl可約為Inm至約1nm,夕卜殼177b的直徑可以是大約0.5nm至大約2nm。因此,量子點177的直徑可以是大約1.5nm至大約12nm。
[0089]這樣的量子點177還具有高的量子產(chǎn)率，由此可以產(chǎn)生很強的熒光。
[0090]參照圖4，量子點層175分別形成在兩個子像素區(qū)SPl和SP2中，并且在另一個子像素區(qū)SP3中被省略。
[0091]第一和第二子像素區(qū)SPl和SP2中的第一和第二量子點層175a和175b具有采用不同直徑d2的量子點177a，由此發(fā)出不同顏色的熒光。
[0092]換句話說，在第一子像素區(qū)SPl中形成第一量子點層175a，該量子點層具有第一直徑的量子點，以便接收來自有機發(fā)光二極管E的藍光并產(chǎn)生紅色熒光，而在第二子像素區(qū)SP2中形成第二量子點層175b，該量子點層具有第二直徑的量子點，以便接收來自有機發(fā)光二極管E的藍光并產(chǎn)生綠色熒光。所述第一直徑大于第二直徑。
[0093]在第二基板170的內(nèi)表面上，還可以在第一到第三子像素區(qū)SP1-SP3的邊界部分形成黑矩陣172。
[0094]黑矩陣172的作用是防止藍光通過量子點層175a與175b之間的分離區(qū)泄漏。
[0095]雖然在圖中沒有示出，但是為了保護量子點層175，可以在第二基板170的內(nèi)表面上形成覆蓋量子點層175的保護層，該保護層可以由S12或SiNx之類的無機絕緣材料制成。
[0096]第一和第二基板110和170可以通過使用密封劑而在真空條件或是惰性氣體條件下相互結(jié)合，其中所述密封劑介于第一與第二基板110和170之間并且沿著第一和第二基板110和170的周邊部分，所述有機發(fā)光二極管E與量子點層175彼此相對，或者第一和第二基板110和170通過使用插入第一與第二基板110和170之間的面密封相互結(jié)合，其中所述面密封是透明的，并且具有粘合屬性。
[0097]第一子像素區(qū)SPl的第一量子點層175a接收來自有機發(fā)光層160的藍(B)光并產(chǎn)生紅色(R)熒光，而第一子像素區(qū)SP2的第二量子點層175b接收來自有機發(fā)光層160的藍(B)光并產(chǎn)生綠色(G)熒光。來自有機發(fā)光層160的藍(B)光原樣穿過第三子像素區(qū)SP3。因此，第一至第三子像素區(qū)SP1-SP3分別發(fā)出紅光、綠光和藍光，由此，有機電致發(fā)光設(shè)備101可以通過每個像素區(qū)P來顯示全部顏色。
[0098]如上所述，由于有機發(fā)光層160是在每個像素區(qū)P單獨形成的，因此，可以增大用于熱沉積有機層的金屬掩模的開口部分的尺寸。這樣，在不對金屬掩模的使用加以限制的情況下，可以有效地實現(xiàn)高分辨率和大尺寸的有機電致發(fā)光設(shè)備。
[0099]參照圖7A-7I說明制造有機電致發(fā)光設(shè)備的方法。為了進行說明，在這里將會略去用于形成開關(guān)TFT、驅(qū)動TFT、柵線、數(shù)據(jù)線、電源線等陣列元件的詳細(xì)工藝。
[0100]參照圖7A，在第一基板110上形成彼此交叉以限定子像素區(qū)SP1-SP3的柵線和數(shù)據(jù)線130，電源線，與柵線和數(shù)據(jù)線130相連的開關(guān)TFT，以及與電源線和開關(guān)TFT相連的驅(qū)動 TFT DTr。
[0101]然后，在開關(guān)TFT和驅(qū)動TFT DTr上形成具有暴露出漏極電極136的漏極接觸孔143的鈍化層140。
[0102]然后，參照圖7B，在鈍化層140上沉積具有相對高功函的透明導(dǎo)電材料，例如ITO或ΙΖ0，以及在掩模工藝中圖案化所述透明導(dǎo)電材料，以便形成通過漏極接觸孔143與漏極電極136接觸的第一電極150。該掩模工藝可以包括:形成光致刻蝕層，使用光掩模進行曝光，顯影被曝光的光致刻蝕層，對顯影的光致刻蝕層進行蝕刻，以及剝?nèi)ニ龉庵驴涛g層。
[0103]作為替換，為了提高發(fā)光效率，首先沉積高反射材料，例如Al或Al合金(例如AINd)，然后沉積透明導(dǎo)電材料。之后，在掩模工藝中圖案化所沉積的材料層，以便形成具有雙層結(jié)構(gòu)的第一電極150，其中該雙層結(jié)構(gòu)包括高反射材料的底層150a以及透明導(dǎo)電材料的頂層150b。
[0104]然后，參照圖7C，在第一電極150上形成絕緣層，該絕緣層既可以由無機絕緣材料例如S12或SiNx制成，也可以由有機絕緣材料例如聚酰亞胺，苯乙烯、并丁烯酸甲酯或聚四氟乙烯制成。在掩模工藝中，圖案化該絕緣層，從而在子像素區(qū)SP1-SP3的邊界部分形成覆蓋第一電極150的邊緣部分的緩沖圖案152。
[0105]該緩沖圖案152的作用是防止第一電極150與第二電極165之間發(fā)生短路。
[0106]然后，參照圖7D，放置金屬掩模，該金屬掩模包含面積與像素區(qū)P對應(yīng)的開口部分0A,以及使用包含裝有固態(tài)有機發(fā)光材料的坩堝的熱沉積設(shè)備來執(zhí)行熱沉積工藝。因此，在每個像素區(qū)P中單獨形成有機發(fā)光層160。該有機發(fā)光層160發(fā)出相同顏色的光，例如藍光。
[0107]除了現(xiàn)有技術(shù)中與每個像素區(qū)相對應(yīng)的開口部分之外，金屬掩模190還具有與每個像素區(qū)P對應(yīng)的開口部分0A。因此，即使為了實現(xiàn)高分辨率而減小子像素區(qū)面積，與像素區(qū)P對應(yīng)的開口部分OA也還是大于現(xiàn)有技術(shù)中的開口部分。
[0108]因此，可被避免開口部分減小所導(dǎo)致的缺陷。
[0109]有機發(fā)光層160可以具有單層或多層結(jié)構(gòu)。在上文中已經(jīng)參照圖5A到對多層結(jié)構(gòu)進行了說明。
[0110]然后，參照圖7E，在整個顯示區(qū)域中，與有機發(fā)光層160上形成第二電極165，所述第二電極可以用具有相對低功函的金屬材料制成，例如Al、Al合金(例如AINd)、Ag、Mg、Au和AlMg中的至少一種。
[0111]通過以上工藝，制造出陣列基板110。
[0112]雖然在圖中沒有示出，但可以在第二電極165上形成覆蓋層，該覆蓋層可以具有使用了無機絕緣材料(例如S12或二氧化硅)、用于絕緣的金屬硅酸鹽(例如Hf硅酸鹽或Zr硅酸鹽)以及用于絕緣的金屬氮化物(例如Si鋁酸鹽、Hf鋁酸鹽或Zr鋁酸鹽)中的至少一種的單層或多層結(jié)構(gòu)。
[0113]然后，參照圖7F，準(zhǔn)備第二基板170，在第二基板170上形成黑樹脂之類的具有吸光特性的材料，并且在掩模工藝中圖案化所述材料，以便在子像素區(qū)SP1-SP3之間形成黑矩陣172。
[0114]作為替換，可以不形成黑矩陣172。
[0115]然后，參照圖7G，將量子點完全