有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備是一種平板顯示器，具有高亮度和低驅(qū)動(dòng)電壓的優(yōu)點(diǎn)。此外，由于有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備是自發(fā)光類型的，因此它的對比度高、外形薄、視角不受限制、在低溫時(shí)保持穩(wěn)定、具有約幾微秒的響應(yīng)時(shí)間而易于顯示圖像，并且由于具有DC5V-15V的低驅(qū)動(dòng)電壓，因此，驅(qū)動(dòng)電路的制造和設(shè)計(jì)也很簡單。
[0003]因此，有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備被用于各種IT設(shè)備，例如TV、監(jiān)視器和手機(jī)。
[0004]圖1是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的像素區(qū)的示意性剖面圖，其中該像素區(qū)具有發(fā)出紅光(R)、綠光(G)和藍(lán)光(B)的三個(gè)子像素區(qū)。圖1中主要顯示的是有機(jī)發(fā)光二極管E。
[0005]參照圖1，有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備I包括具有有機(jī)發(fā)光二極管E的基板10,以及用于封裝的相對基板30。
[0006]在基板10上形成了相互交叉以限定子像素區(qū)SP1-SP3的柵線和數(shù)據(jù)線12，與柵線和數(shù)據(jù)線12之一平行的電源線，處于子像素區(qū)SP1-SP3中的陣列元件，與一部分陣列元件相連的有機(jī)發(fā)光二極管E。相對基板30的功能是防止水分或氧滲入有機(jī)發(fā)光二極管E。
[0007]雖然圖中沒有示出，但是陣列元件包括與柵線和數(shù)據(jù)線12相連的開關(guān)薄膜晶體管(TFT)，以及與有機(jī)發(fā)光二極管E相連的驅(qū)動(dòng)TFT。有機(jī)發(fā)光二極管E包括與驅(qū)動(dòng)TFT相連的第一電極15、有機(jī)發(fā)光層20以及第二電極25。
[0008]像素區(qū)P由三個(gè)子像素區(qū)SP1-SP3構(gòu)成，所述子像素區(qū)SP1-SP3包括發(fā)出紅光、綠光和藍(lán)光的相應(yīng)有機(jī)發(fā)光二極管20。
[0009]有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備I通過向第一電極15或第二電極25發(fā)光來顯示圖像?？紤]到孔徑比，制造出了向第二電極25 (即相對基板30)發(fā)光的頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備。
[0010]圖2是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的使用金屬掩模的熱沉積方法的示意圖。
[0011]將用于有機(jī)發(fā)光層(圖1的20)的粉末狀有機(jī)發(fā)光材料71放入熱沉積設(shè)備70,該設(shè)備70具有處于底面和側(cè)面并且完全加熱設(shè)備70的加熱裝置。
[0012]在維持真空狀態(tài)的腔室中，當(dāng)操作設(shè)備70的加熱裝置并加熱設(shè)備70時(shí)，熱量被傳遞到有機(jī)發(fā)光材料71。
[0013]因此，有機(jī)發(fā)光材料71升華。有機(jī)發(fā)光材料氣體72通過設(shè)備70的出口釋放。
[0014]通過金屬掩模60，有機(jī)發(fā)光材料氣體72被選擇性地沉積在基板50的子像素區(qū)SP1-SP3中，從而在基板50上形成有機(jī)發(fā)光層，其中該金屬掩模60具有在設(shè)備70的出口上方的開口部分OAl和0A2。
[0015]至于金屬掩模60，在掩模工藝中，圖案化金屬板的頂面和底面，作為示例，該工藝包括沉積光致抗蝕劑，執(zhí)行曝光，顯影并蝕刻以形成開口部分OAl和0A2，以及位于相鄰開口部分OAl與0A2之間的遮蔽部分SA。位于頂面的開口部分OAl與位于底面的開口部分0A2具有不同的面積。
[0016]形成金屬掩模60的圖案化工藝與金屬掩模60的金屬材料蝕刻速率及金屬掩模30的厚度t有關(guān)。如果單方向蝕刻陰影掩模，那么開口部分OAl和0A2每個(gè)的尺寸會(huì)有很大差異，對于每一個(gè)位置，由于開口部分OAl與0A2之間的面積差別所導(dǎo)致的誤差將會(huì)大量出現(xiàn)。為了防止這一點(diǎn)，對于頂面和底面的蝕刻是同時(shí)進(jìn)行的。
[0017]因此，對于開口部分OAl和0A2的面積，更詳細(xì)地說是寬度(該寬度是面朝基板50的表面上的開口部分的寬度)而言，為使該寬度在制造過程中處于許可的誤差范圍以內(nèi)，所述寬度需要至少是32 μ m。
[0018]如果面朝基板50的開口部分的寬度A小于32 μ m,那么，在金屬掩模60的厚度t恒定的情況下，處于金屬掩模60的底面的開口部分0A2應(yīng)該具有較大面積。
[0019]在這種情況下，介于相鄰開口部分0A2之間的部分(即肋狀部分的寬度)將會(huì)很小，而這會(huì)降低金屬掩模60的硬度，因此，在金屬掩模70下陷時(shí)，開口部分將會(huì)變形。
[0020]該問題可以通過減小金屬掩模760的厚度t來解決。然而，用金屬材料制成的陰影掩模的厚度通常被限制在40 μ m,并且無法生產(chǎn)不足40 μ m的金屬板，由此無法制造具有該厚度的金屬掩模。
[0021]即便允許這種厚度，開口部分OAl和0A2中的每一個(gè)之間的承載能力也會(huì)變?nèi)?，并且由此將?huì)更為下陷。
[0022]此外，在形成10英寸或更大的大尺寸的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備時(shí)，需要增大金屬掩模60的面積，在這種情況下，金屬掩模60，尤其是金屬掩模的中心部分會(huì)因?yàn)橹亓吭黾佣孪輫?yán)重，并且有機(jī)發(fā)光層的形成誤差將會(huì)更加嚴(yán)重。因此，使用金屬掩模60很難制造具有至少10英寸的大尺寸以及至少250ppi (像素每英寸)的高分辨率的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備。
[0023]由此，需要一種可應(yīng)用使用金屬掩模的熱沉積方法并且具有至少10英寸的大尺寸及高分辨率的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備和制造該設(shè)備的方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0024]一種有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備包括:第一基板，包括多個(gè)像素區(qū)，每一個(gè)像素區(qū)都具有三個(gè)子像素區(qū)；處于第一基板上的每一個(gè)子像素區(qū)中的第一電極；處于第一電極上的每一個(gè)像素區(qū)中的有機(jī)發(fā)光層；處于有機(jī)發(fā)光層上的第二電極；朝著第一基板的第二基板；以及處于第二基板的內(nèi)表面且分別與三個(gè)子像素區(qū)中的兩個(gè)相對應(yīng)的量子點(diǎn)層。
[0025]在另一個(gè)方面中，一種制造有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的方法包括:在第一基板上的每一個(gè)子像素區(qū)中形成第一電極，其中所述第一基板包括多個(gè)像素區(qū)，并且每一個(gè)像素區(qū)具有三個(gè)子像素區(qū)；在第一基板上的每一個(gè)像素區(qū)中形成一個(gè)有機(jī)發(fā)光層；在有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極；在第二基板的內(nèi)表面上形成朝著第一基板并且分別與三個(gè)子像素區(qū)中的兩個(gè)相對應(yīng)的量子點(diǎn)層；以及結(jié)合第一與第二基板。
[0026]應(yīng)該理解的是，以上的概括性描述和后續(xù)的詳細(xì)描述都是例示性和說明性的，并且都是用于提供對所要求保護(hù)的發(fā)明的更進(jìn)一步說明。
【附圖說明】
[0027]附圖提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解并且并入說明書而組成說明書的一部分。所述附圖示出本發(fā)明的示范性的實(shí)施方式，并且與說明書文字一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0028]圖1是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的具有三個(gè)發(fā)出紅光(R)、綠光(G)和藍(lán)光(B)的子像素區(qū)的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的像素區(qū)的示意性剖面圖；
[0029]圖2是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的使用金屬掩模的熱沉積方法的示意圖；
[0030]圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的電路圖；
[0031]圖4是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的剖面圖；
[0032]圖5A-?是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光層的不同層壓結(jié)構(gòu)示例的示意性剖面圖；
[0033]圖6是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電致發(fā)光設(shè)備的量子點(diǎn)層的量子點(diǎn)的剖面圖；和
[0034]圖7A-7I是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的方法的剖面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]現(xiàn)在詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，附圖中圖解了這些實(shí)施方式的一些實(shí)例。
[0036]圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的電路圖。
[0037]參照圖3，有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的子像素區(qū)SP包括開關(guān)TFT STrJgaTFT DTr，存儲(chǔ)電容器StgC，以及有機(jī)發(fā)光二極管E。
[0038]沿著第一方向形成柵線GL，并且沿著與第一方向交叉的第二方向形成數(shù)據(jù)線DL，由此限定子像素區(qū)SP。提供電源電壓的電源線PL與數(shù)據(jù)線DL間隔開。
[0039]開關(guān)TFT STr形成在柵線與數(shù)據(jù)線GL和DL的交叉部分，并且驅(qū)動(dòng)TFT DTr與開關(guān)TFT STr相連。
[0040]有機(jī)發(fā)光二極管E的第一電極與驅(qū)動(dòng)TFT DTr的漏極電極相連,并且有機(jī)發(fā)光二極管E的第二電極接地。驅(qū)動(dòng)TFT