DTr的源極電極與電源線PL相連。
[0041]存儲(chǔ)電容器StgC連接在驅(qū)動(dòng)TFT DTr的柵極電極與源極電極之間。
[0042]在向柵線GL施加?xùn)艠O信號(hào)時(shí)，開關(guān)TFT STr將導(dǎo)通，并且從數(shù)據(jù)線DL向驅(qū)動(dòng)TFTDTr供應(yīng)數(shù)據(jù)信號(hào)。因此，驅(qū)動(dòng)TFT DTr導(dǎo)通，并且有機(jī)發(fā)光二極管E發(fā)光。
[0043]流到有機(jī)發(fā)光二極管E的電流量是依照提供給驅(qū)動(dòng)TFT DTr的數(shù)據(jù)電壓確定的，并且由此實(shí)現(xiàn)了灰度級(jí)。由于存儲(chǔ)電容器StgC保持了驅(qū)動(dòng)TFTDTr的柵極電極的電壓，因此，即使開關(guān)TFT DTr截止，也會(huì)保持流入有機(jī)發(fā)光二極管E的電流量。
[0044]圖4是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的剖面圖。在圖4中，示出了一個(gè)具有三個(gè)子像素區(qū)SP1-SP3的像素區(qū)P。出于說明目的，將形成開關(guān)TFT或驅(qū)動(dòng)TFT DTr的區(qū)域稱為元件區(qū)域，并且示出了出自三個(gè)子像素區(qū)SP1-SP3中的一個(gè)子像素區(qū)SPl的驅(qū)動(dòng) TFT DTr。
[0045]參照?qǐng)D4，有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備101包括具有開關(guān)TFT、驅(qū)動(dòng)TFT DTr以及有機(jī)發(fā)光二極管E的第一基板110，以及用于封裝的具有量子點(diǎn)層175的第二基板170。
[0046]在第一基板110上的元件區(qū)域中形成半導(dǎo)體層113。所述半導(dǎo)體層113可以包括由本征多晶硅制成且在中心部分充當(dāng)通道的有源區(qū)113a，以及處于有源區(qū)113a的兩側(cè)并由高摻雜多晶硅制成的歐姆區(qū)113b。
[0047]可以在第一基板110與半導(dǎo)體層113之間形成緩沖層，并且該緩沖層可以是由無機(jī)絕緣材料制成的，例如S12或SiNx。
[0048]該緩沖層的作用是防止半導(dǎo)體層113的性質(zhì)因?yàn)榈谝换?10釋放出的用于結(jié)晶化半導(dǎo)體層113的堿離子而變差。
[0049]可以在第一基板110上整個(gè)覆蓋半導(dǎo)體層113形成柵極絕緣層116。在柵極絕緣層116上與有源區(qū)113a相對(duì)應(yīng)的元件區(qū)域中形成柵極電極120。
[0050]在柵極絕緣層116上形成與開關(guān)TFT的柵極電極相連的柵線。
[0051]在柵極電極120和柵線上形成層間絕緣膜123，并且該層間絕緣膜123可以是由諸如S12或SiNx之類的無機(jī)絕緣材料制成的。
[0052]在層間絕緣膜123以及柵極絕緣層116中形成半導(dǎo)體接觸孔125，并且半導(dǎo)體接觸孔125暴露出相應(yīng)的歐姆接觸區(qū)113b。
[0053]在層間絕緣膜123上形成數(shù)據(jù)線和電源線。
[0054]在層間絕緣膜123上的元件區(qū)域中形成源極和漏極電極133和136，并且源極和漏極電極133和136通過相應(yīng)的半導(dǎo)體接觸孔125與相應(yīng)的歐姆接觸區(qū)113b相接觸。
[0055]半導(dǎo)體層113、柵極絕緣層116、柵極電極120、層間絕緣膜123以及源極和漏極電極133和136形成各開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT DTr0開關(guān)TFT與相應(yīng)的柵線和數(shù)據(jù)線相連，并且連接到驅(qū)動(dòng)TFT DTr。
[0056]在附圖中，示出了頂部柵極型TFT。作為替換，同樣可以使用具有由非晶硅或氧化物半導(dǎo)體制成的半導(dǎo)體層的底部柵極型TFT。底部柵極型TFT可以包括按順序在基板上形成的柵極電極，柵極絕緣層，由本征非晶硅制成的有源層，由摻雜非晶硅制成的歐姆接觸層，以及源極和漏極電極，或者可以包括按順序在基板上形成的柵極電極，柵極絕緣層，氧化物半導(dǎo)體層，蝕刻停止層，以及源極和漏極電極。
[0057]對(duì)于底部柵極類型而言，柵線與TFT的柵極電極形成在相同的層上，數(shù)據(jù)線形成在TFT的源極電極上。
[0058]在開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT DTr上形成鈍化層140，并且該鈍化層140包括暴露出驅(qū)動(dòng)TFT DTr的漏極電極136的漏極接觸孔143。
[0059]鈍化層140可以由諸如光丙烯基類的有機(jī)絕緣材料制成，以便具有大致平坦的平面。
[0060]第一電極150形成在鈍化層140上，并且通過漏極接觸孔143接觸漏極電極136。
[0061]第一電極150可以具有單層結(jié)構(gòu)，其中該單層結(jié)構(gòu)具有由諸如ITO制成的高功函的透明導(dǎo)電材料層，或者所述第一電極也可以具有雙層結(jié)構(gòu)，并且所述雙層結(jié)構(gòu)具有由Al或Al合金(例如AlNd)之類的高反射材料制成以提高將光發(fā)射到正面的效率的底層150a，以及由透明導(dǎo)電材料制成的頂層150b。
[0062]當(dāng)?shù)谝浑姌O150具有雙層結(jié)構(gòu)時(shí),從第一基板150上的有機(jī)發(fā)光層160發(fā)出的光會(huì)被底層150b反射到正面，由此提高發(fā)光效率并且最終提升亮度。
[0063]在鈍化層140上沿著子像素區(qū)SP1-SP3的邊界部分形成緩沖圖案152，并且該緩沖圖案152與第一電極150的邊緣部分重疊。
[0064]緩沖圖案152的作用是防止在第一電極150與第二電極165之間發(fā)生短路，其中所述第一電極與第二電極之間具有有機(jī)發(fā)光層160。
[0065]發(fā)出預(yù)定顏色的有機(jī)發(fā)光層160是形成在緩沖圖案152以及第一電極150上。該有機(jī)發(fā)光層160是單獨(dú)被圖案化的，其中每一個(gè)像素區(qū)P都充當(dāng)了一個(gè)圖案單元。
[0066]有機(jī)發(fā)光層160是由發(fā)出紅光(R)、綠光(G)和藍(lán)光(B)中的一種顏色的光的材料制成的，并且優(yōu)選是藍(lán)光(B)。
[0067]與紅光和綠光相比，藍(lán)光具有較短的波長，并且量子點(diǎn)層175對(duì)于短波長光而言具有較高的熒光效率。更進(jìn)一步，在壽命及其他方面，相比于長波長的紅光和綠光的熒光性，量子點(diǎn)層175在短波長的藍(lán)光的熒光性方面具有更好的效果。
[0068]然而，有機(jī)發(fā)光層160也可以被配置成發(fā)出紅光和藍(lán)光。
[0069]由于子像素區(qū)具有處于第二基板170上的相應(yīng)量子點(diǎn)層175，因此，即便在相應(yīng)的像素區(qū)P中圖案化了有機(jī)發(fā)光層160，也還是可以顯示全部顏色。
[0070]當(dāng)在每個(gè)像素區(qū)P而不是在每個(gè)子像素區(qū)中單獨(dú)形成有機(jī)發(fā)光層160時(shí)，用于熱沉積的金屬掩模(圖7D的190)的開口部分(圖7D的0A)的大小是現(xiàn)有技術(shù)中用于在每一個(gè)子像素區(qū)中形成有機(jī)發(fā)光層的開口部分的三倍。
[0071]因此，由于本實(shí)施例的開口部分OA的大小是現(xiàn)有技術(shù)中的開口部分的三倍，因此，即便為了實(shí)現(xiàn)250PPI或更高的高分辨率而減小子像素區(qū)SP1-SP3的面積，開口部分OA也還是大于金屬掩模的許可限度(即開口部分的最小面積)，由此可以實(shí)施使用金屬掩模的熱沉積處理，而不會(huì)出現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中的問題。
[0072]有機(jī)發(fā)光層160可以具有不同的層壓結(jié)構(gòu)，實(shí)例不出于圖5A-5D。
[0073]參照?qǐng)D5A,有機(jī)發(fā)光層160可以具有五層結(jié)構(gòu),其中在第一電極150上按順序具有空穴注入層HIL，空穴傳輸層HTL，有機(jī)發(fā)光材料層EML，電子傳輸層ETL以及電子注入層EIL。
[0074]作為替換，參照?qǐng)D5B，有機(jī)發(fā)光層160可以具有四層結(jié)構(gòu)，其中在第一電極150上按順序具有空穴傳輸層HTL，有機(jī)發(fā)光材料層EML，電子傳輸層ETL以及電子注入層EIL。作為替換，參照?qǐng)D5C，有機(jī)發(fā)光層160可以具有三層結(jié)構(gòu)，其中在第一電極150上按順序具有空穴傳輸層HTL，有機(jī)發(fā)光材料層EML以及電子傳輸層ETL。
[0075]作為替換，參照?qǐng)D5D，為了提高發(fā)光效率，在有機(jī)發(fā)光層160中可以進(jìn)一步包括介于有機(jī)發(fā)光材料層EML與空穴傳輸層HTL之間的電子阻擋層EBL,以及介于有機(jī)發(fā)光材料層EML與電子傳輸層ETL之間的空穴阻擋層HBL。更進(jìn)一步，在圖5B或圖5C的有機(jī)發(fā)光層160中還可以包括空穴阻擋層HBL和電子阻擋層EBL。
[0076]第二電極165在顯示區(qū)域中形成在整個(gè)有機(jī)發(fā)光層160上。
[0077]第二電極165可以由具有低功函的金屬材料制成，例如Al、鋁合金(例如AINd)、Ag、Mg、Au或AlMg,并且可以充當(dāng)陰極。
[0078]第一電極150、有機(jī)發(fā)光層160以及第二電極165形成有機(jī)發(fā)光二極管E。
[0079]雖然在圖中沒有示出，但可以在第二電極165上形成覆蓋