有機發(fā)光器件及其制造方法
【專利說明】有機發(fā)光器件及其制造方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2013年10月29日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10_2013_0129559號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國專利申請的公開通過引用全部包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明的一個或更多個實施例涉及一種有機發(fā)光器件和一種制造該有機發(fā)光器件的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]有機發(fā)光顯示設(shè)備是用低電壓驅(qū)動的，輕薄并且具有廣視角、良好的對比度和快速的響應(yīng)時間，從而作為下一代顯示設(shè)備而備受關(guān)注。
[0005]這種有機發(fā)光顯示設(shè)備的發(fā)射波長廣，出于這個原因，發(fā)射效率和顏色純度降低。另外，因為從有機發(fā)射層發(fā)射的光沒有方向性，所以由于有機發(fā)光器件的全內(nèi)反射，導(dǎo)致在任意方向上發(fā)射的光子中的大部分不能抵達(dá)實際的觀眾，從而造成有機發(fā)光器件的光提取效率降低。為了解決這種問題，正在使用調(diào)節(jié)有機發(fā)射層厚度以形成諧振結(jié)構(gòu)并因此提高光提取效率的方法。然而，難以將該諧振結(jié)構(gòu)應(yīng)用于其有機發(fā)射層是通過印刷法形成的有機發(fā)光顯示設(shè)備。另外，在使用印刷法的有機發(fā)光顯示設(shè)備中，當(dāng)被涂覆液態(tài)發(fā)光材料變干時，有機發(fā)射層的厚度不均勻地形成在發(fā)射單元的邊緣區(qū)域中，從而造成光的不均勻發(fā)射。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]根據(jù)本發(fā)明的一個或更多個實施例的一方面涉及一種改進(jìn)了有機發(fā)射層的均勻性的有機發(fā)光器件和一種制造該有機發(fā)光器件的方法。根據(jù)本發(fā)明的一個或更多個實施例的一方面涉及一種有機發(fā)光器件和一種制造該有機發(fā)光器件的方法，在該方法中(在使用(利用)印刷法制造有機發(fā)光器件的方法中)，薄薄地形成像素限定層的厚度，因此，防止光從發(fā)射單元的邊緣區(qū)域發(fā)射，從而提高所提取光的質(zhì)量。
[0007]額外的方面將在隨后的描述中部分地闡述，并且部分地將通過描述清楚，或者可以通過所提出的實施例的實踐來獲知。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的一個或更多個實施例，一種有機發(fā)光器件包括:第一像素電極，在基板上；第一導(dǎo)電膜，在基板上并且被構(gòu)造成覆蓋第一像素電極；第二導(dǎo)電圖案和絕緣層，順序地形成在第一導(dǎo)電膜上，第二導(dǎo)電圖案和絕緣層具有暴露第一導(dǎo)電膜的頂部的一部分的開口 ；空穴注入層，在開口和絕緣層上，以覆蓋第一導(dǎo)電膜的被暴露的部分；空穴傳輸層，形成在開口和空穴注入層的部分區(qū)域上；發(fā)射層，在空穴傳輸層上。
[0009]第一導(dǎo)電膜的導(dǎo)電率可以為大約105S/cm至大約103S/cm,第一導(dǎo)電膜的逸出功可以為大約5.0eV至大約5.7eV。
[0010]空穴注入層可以被形成為圍繞絕緣層的被暴露的側(cè)表面和第二導(dǎo)電圖案的被暴露的側(cè)表面。
[0011]第二導(dǎo)電圖案的厚度可以為大約Inm至大約10nm，絕緣層的厚度可以為大約1nm至大約90nm。
[0012]均具有開口的第二導(dǎo)電圖案和絕緣層形成像素限定層。
[0013]空穴傳輸層可以包括其中形成有發(fā)射層的空白區(qū)域。
[0014]可以通過凹版涂覆法、狹縫涂覆法、棒涂覆法、噴涂法、真空過濾法、旋涂法、電泳沉積法、鑄造法、噴墨印刷法和/或膠版印刷法來形成絕緣層。
[0015]可以通過噴墨印刷法、噴嘴印刷法、凹版印刷法、絲網(wǎng)印刷法、噴射印刷法和/或靜電噴射印刷法來形成發(fā)射層。
[0016]有機發(fā)光器件還可以包括:電子傳輸層，在發(fā)射層上；電子注入層，在電子傳輸層上。
[0017]所述空穴注入層可以由酞菁化合物、DNTro(N，N' - 二苯基-N，N'-雙-[4_(苯基-間甲苯基-氨基)-苯基-聯(lián)苯基-4,4' - 二胺])、m-MTDATA(4，4 '，4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺)、TDATA(4，4'，4"-三(N，N-二苯基氨基)三苯胺)、2T-NATA (4,4/，4 "-三{N，- (2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺)、PEDOT/PSS (聚(3，4-乙撐二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽))、Pani/DBSA(聚苯胺/十二燒基苯磺酸)、Pani/CSA(聚苯胺/樟腦磺酸)和/或PANI/PSS(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)形成。
[0018]有機發(fā)光器件還可以包括:第二像素電極，在發(fā)射層上；包封單元，包括交替地形成以覆蓋第二像素電極的一個或更多個無機層和一個或更多個有機層。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的一個或更多個實施例，一種制造有機發(fā)光器件的方法包括:在基板上形成第一像素電極；形成第一導(dǎo)電膜以覆蓋第一像素電極；順序地形成第二導(dǎo)電圖案和絕緣層，以具有暴露第一導(dǎo)電膜的頂部的一部分的開口 ；在開口和絕緣層上形成空穴注入層；在開口和空穴注入層的部分區(qū)域上形成空穴傳輸層；在空穴傳輸層上形成發(fā)射層。
[0020]形成第二導(dǎo)電圖案的步驟可以包括:在第一導(dǎo)電膜上形成第二導(dǎo)電材料；通過利用應(yīng)用于第二導(dǎo)電材料的掩模，形成第二導(dǎo)電圖案，以暴露第一導(dǎo)電膜的頂部的所述部分。
[0021]順序地形成第二導(dǎo)電圖案和絕緣層的步驟可以包括通過利用凹版涂覆法、狹縫涂覆法、棒涂覆法、噴涂法、真空過濾法、旋涂法、電泳沉積法、鑄造法、噴墨印刷法和/或膠版印刷法在第二導(dǎo)電圖案上形成絕緣層。
[0022]第二導(dǎo)電圖案的厚度可以為大約Inm至大約10nm，絕緣層的厚度可以為大約1nm至大約90nm。
[0023]形成空穴注入層的步驟可以包括形成空穴注入層，以圍繞絕緣層的被暴露的側(cè)表面和第二導(dǎo)電圖案的被暴露的側(cè)表面。
[0024]形成空穴傳輸層的步驟可以包括:在空穴注入層上形成空穴傳輸材料；通過利用應(yīng)用于空穴傳輸材料的掩模，在開口中形成包括空白區(qū)域的空穴傳輸層，發(fā)射層形成在空白區(qū)域中。
[0025]形成發(fā)射層的步驟可以包括:通過利用噴墨印刷法、噴嘴印刷法、凹版印刷法、絲網(wǎng)印刷法、噴射印刷法和/或靜電噴射印刷法在空白區(qū)域中形成發(fā)光材料；對發(fā)光材料進(jìn)行干燥以形成發(fā)射層。
[0026]形成發(fā)射層的步驟可以包括:在形成發(fā)射層之后，在發(fā)射層上形成電子傳輸層；在電子傳輸層上形成電子注入層。
[0027]所述方法還可以包括:在形成發(fā)射層之后，在發(fā)射層上形成第二像素電極；形成包封單元以覆蓋第二像素電極。
【附圖說明】
[0028]通過下面結(jié)合附圖對實施例的描述，這些和/或其它方面將變得清楚且更容易理解，在附圖中:
[0029]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的有機發(fā)光器件的示意性剖視圖；
[0030]圖2至圖11是順序地示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的制造有機發(fā)光器件的方法的示意性剖視圖。
【具體實施方式】
[0031 ] 現(xiàn)在，將更詳細(xì)地參照實施例，在附圖中示出這些實施例的示例，其中，類似的參考標(biāo)號始終表示類似的元件。在這點上，本實施例可以具有不同的形式并且不應(yīng)該被理解為局限于這里闡明的描述。因此，以下僅僅通過參照附圖來描述這些實施例，以解釋本說明書的多個方面。如這里所使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或更多個相關(guān)所列項的任意組合和全部組合。諸如“…中的至少一個”的措辭與一系列元件一起使用時，修飾的是整個系列元件，而不是修飾該系列元件中的單個元件。另外，當(dāng)使用“可”描述本發(fā)明的實施例時是指“本發(fā)明的一個或更多個實施例”。
[0032]由于本實施例可以具有經(jīng)過各式各樣修改的實施例，因此在附圖中示出并且在【具體實施方式】中描述示例實施例。然而，這并沒有將本實施例限于特定實施例內(nèi)，并且應(yīng)該理解，本發(fā)明構(gòu)思涵蓋在本實施例的思路和技術(shù)范圍內(nèi)的所有修改、等同物和替代。此外，將不提供與已知的功能或構(gòu)造相關(guān)的詳細(xì)描述，以避免不必要地混淆本實施例的主題。
[0033]可以使用諸如“第一”和“第二”的術(shù)語描述各種元件，但這些元件不應(yīng)該受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語可以僅用于將一個元件與另一個元件區(qū)分開。
[0034]在本申請中用于描述某些實施例的術(shù)語不意圖限制本實施例。在下面的描述中，技術(shù)術(shù)語僅用于說明特定的示例實施例，而不限制本實施例。除非做相反表示，否則單數(shù)形式的術(shù)語可以包括復(fù)數(shù)形式。諸如“包括”或“包含”的術(shù)語是指包括性質(zhì)、區(qū)域、固定數(shù)量、步驟、過程、元件和/或組件，但不排除其它性質(zhì)、區(qū)域、固定數(shù)量、步驟、過程、元件和/組件。
[0035]在下文中，將參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的實施例。
[0036]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的有機發(fā)光器件I的示意性剖視圖。
[0037]參照圖1，根據(jù)本發(fā)明的實施例的有機發(fā)光器件I包括基板10、驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)單元20、發(fā)射單元30、覆蓋發(fā)射單元30的包封單元60。
[0038]基板10可以是以S12作為主要成分的透明玻璃基板，或者可以使用諸如塑料基板或金屬基板等的各種合適材料的基板。另外，基板10可以由具有能夠?qū)崿F(xiàn)彎曲表面的特性的、具有優(yōu)異的耐熱性和耐久性的合適塑料材料(諸如，聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚醚酰亞胺、聚醚砜或聚酰亞胺)形成。然而，本實施例不限于此，可以使用具有合適柔性的各種材料。
[0039]在圖1中，頂部發(fā)射型有機發(fā)光器件被示出為有機發(fā)光器件I的示例，但本實施例不限于此。有機發(fā)光器件I可以是底部發(fā)射型有機發(fā)光器件或與圖1的有機發(fā)光器件I不同的其它合適種類的有機發(fā)光器件。
[0040]此外，緩沖層12可以形成在基板10的頂部上。緩沖層12防止雜質(zhì)離子散布，防止?jié)駳饣蛲獠靠諝獾臐B入，使表面平面化。
[0041]作為驅(qū)動電路并且包括驅(qū)動TFT NI的驅(qū)動TFT單元20形成在緩沖層12上。在本實施例中，作為TFT的示例，示出其中有機發(fā)光器件I包括底部柵極TFT的情況。然而，有機發(fā)光器件I可以包括具有另一種類的TFT的TFT，諸如，頂部柵極TFT。
[0042]驅(qū)動TFT NI可以包括柵電極21、有源層23、源電極25s和漏電極25d。
[0043]用于將柵電極21與有源層23絕緣的柵極絕緣層22形成在柵電極21和有源層23之間。
[0044]柵電極21可以由各種合適的導(dǎo)電材料形成。例如，柵電極21可以由諸如鎂(Mg)、鋁(Al)、鎳(