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發(fā)光二極管裝置及其發(fā)光二極管燈具的制作方法_2

文檔序號:8262399閱讀:來源:國知局
[0028]下述實(shí)施例是提供一種發(fā)光二極管裝置以及應(yīng)用此發(fā)光二極管裝置的發(fā)光二極管燈具,其中發(fā)光二極管裝置只需將波長轉(zhuǎn)換層設(shè)置在具有發(fā)光二極管的一面,而不需要在發(fā)光二極管裝置的雙面皆設(shè)置波長轉(zhuǎn)換層,即可達(dá)到防止藍(lán)光漏光的效果。
[0029]請參考圖1A與圖1B,圖1A是繪示本發(fā)明的第一實(shí)施例的發(fā)光二極管裝置。圖1B是繪示圖1A沿著D_D'的剖面圖。如圖所示,發(fā)光二極管裝置10包含透明基板100、N個第一反射層120、N個第二反射層160、N個第一發(fā)光二極管芯片141、N個第二發(fā)光二極管芯片142、正電極131、負(fù)電極132以及波長轉(zhuǎn)換層150,其中,N為大于I的自然數(shù)。
[0030]透明基板100包含相對的第一表面101與第二表面102,其中第一表面101分布有N個第一反射區(qū)111、N個第二反射區(qū)113與透明區(qū)121。且,N個第一反射區(qū)111依序排列成第一列A,N個第二反射區(qū)113依序排列成第二列B,而透明區(qū)121則是位于第一、第二列A、B以外的區(qū)域。
[0031]在本實(shí)施例中,各個第一反射區(qū)111可為矩形的區(qū)域,且各矩形區(qū)域間相互連接,各個第二反射區(qū)113同樣可為矩形區(qū)域,且各矩形區(qū)域間相互連接,但不以此為限。在其他實(shí)施例中,各個第一反射區(qū)111可彼此分離,各個第二反射區(qū)113可彼此分離。需注意的是,本實(shí)施例的第一反射區(qū)111與第二反射區(qū)113彼此并不相連。
[0032]在一實(shí)施例中,透明基板100的材質(zhì)為可透光的玻璃、陶瓷、塑膠、樹脂、硅膠材料。在一實(shí)施例中,在透明基板上設(shè)有一可透光的圖案化導(dǎo)電線路(圖中未示)位于透明基板100的第一表面101上。
[0033]N個第一反射層120分別一對一設(shè)置于N個第一反射區(qū)111上,N個第二反射層160分別一對一設(shè)置于N個第二反射區(qū)113上,且由于N個第一反射區(qū)111與N個第二反射區(qū)113彼此互不相連,所以N個第一反射層120與N個第二反射層160彼此電性隔離。在本實(shí)施例中,N個第一反射層120與N個第二反射層160的材質(zhì)可為高反射率且具導(dǎo)電性的金屬,但不以此為限。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中,N個第一反射層120與N個第二反射層160可為具有反射率的但不具導(dǎo)電性的材質(zhì)。
[0034]N個第一發(fā)光二極管芯片141分別對應(yīng)設(shè)置于每一個第一反射層120上,且各個第一發(fā)光二極管芯片141彼此電性連接。每一個第一發(fā)光二極管芯片141在透明基板100上的正投影是位于其所在的第一反射區(qū)111內(nèi)且小于第一反射區(qū)111。
[0035]同理,N個第二發(fā)光二極管芯片142分別對應(yīng)設(shè)置于第二反射層160上,且各個第二發(fā)光二極管芯片142彼此電性連接,且每一個第二發(fā)光二極管芯片142在透明基板100上的正投影是位于其所在第二反射區(qū)113內(nèi)且小于第二反射區(qū)113。
[0036]接著,請參考圖1C,其為圖1B的發(fā)光二極管芯片的局部放大圖。如圖所示,本實(shí)施例的各個第一發(fā)光二極管芯片141可通過粘貼的方式直接設(shè)置在第一反射層120上。同理,各個第二發(fā)光二極管芯片142 (繪示于圖1A)也可通過粘貼的方式直接設(shè)置在第二反射層160上,但不以此為限。
[0037]在第一、第二發(fā)光二極管芯片141、142設(shè)置于第一、第二反射層120、160后,需覆蓋波長轉(zhuǎn)換層150在第一、第二反射層120、160以及第一、第二發(fā)光二極管芯片141、142上。波長轉(zhuǎn)換層150的作用在于轉(zhuǎn)換第一、第二發(fā)光二極管芯片141、142所發(fā)出的光。
[0038]舉例而言,若本實(shí)施例的第一、第二發(fā)光二極管芯片141、142為藍(lán)光發(fā)光二極管芯片,則波長轉(zhuǎn)換層150內(nèi)含有黃色突光粉151。如此一來,黃色突光粉151可將藍(lán)光發(fā)光二極管芯片發(fā)出的部分藍(lán)光轉(zhuǎn)換成黃光。接著,再將被轉(zhuǎn)換的黃光與剩余的藍(lán)光混合,即可混合出白色光線。
[0039]請繼續(xù)參考圖1C。如圖所示,本實(shí)施例的發(fā)光二極管裝置10在實(shí)際制造時(shí),因?yàn)榈谝话l(fā)光二極管芯片141本身具有高度,所以可能會出現(xiàn)波長轉(zhuǎn)換層150無法百分的百的將第一發(fā)光二極管芯片141的邊緣以及透明基板100包覆住的情形。亦即,第一發(fā)光二極管芯片141的邊緣與透明基板100之間可具有空隙S存在。因此,本實(shí)施例的第一反射層120的面積需略大于第一發(fā)光二極管芯片141的面積,以避免第一發(fā)光二極管芯片141側(cè)面所發(fā)出來的光線,未經(jīng)由波長轉(zhuǎn)換層150轉(zhuǎn)換,即傳導(dǎo)至透明基板100的第二表面102。需說明的是,圖1C雖只繪示第一發(fā)光二極管芯片141,但第二發(fā)光二極管芯片142與透明基板100之間也可具有空隙S存在。
[0040]換言之,本實(shí)施例需通過設(shè)置面積略大于第一、第二發(fā)光二極管芯片141、142的第一反射層120與第二反射層160,使得可能經(jīng)由空隙S直接傳導(dǎo)至透明基板100的光線,可通過第一、第二反射層120、160反射回波長轉(zhuǎn)換層150中。
[0041]請參考圖1C,為了更清楚說明第一反射層120、160與第一發(fā)光二極管芯片141之間的關(guān)系,若第一發(fā)光二極管芯片141的側(cè)面中間所發(fā)出的光線LI與水平方向的夾角為角度Q1,則本實(shí)施例的角度Q1約為38度。換言之,圖1C中的第一發(fā)光二極管芯片141發(fā)出的光線LI與第一反射層120相夾的最小角度02也應(yīng)約為38度,但不以此為限。在本發(fā)明的其他實(shí)施中,角度9 i可介于17度到50度之間,角度Θ 2同樣可介于17度到50度之間。需注意的是,此處的光線LI是指尚未經(jīng)由波長轉(zhuǎn)換層150轉(zhuǎn)換,且直接由第一發(fā)光二極管芯片141的側(cè)面中間部分發(fā)射入空隙S的光線。此外,第二發(fā)光二極管芯片142以及第二反射層160之間的關(guān)系與第一發(fā)光二極管芯片141以及第一反射層120類似,在此便不贅述。
[0042]接著,請同時(shí)參考圖1B與圖1C,如圖所示,第一發(fā)光二極管芯片141的側(cè)面實(shí)質(zhì)上可為面光源,因此除了光線LI外,還可發(fā)出多條不同路徑的光線,例如光線L2以及L3。其中,光線LI會通過第一反射層120反射回波長轉(zhuǎn)換層150中并且被轉(zhuǎn)換。光線L2往透明基板100的反方向前進(jìn),因而直接進(jìn)入波長轉(zhuǎn)換層150中而被轉(zhuǎn)換。光線L3與水平方向的夾角則小于光線LI,因此也會直接進(jìn)入波長轉(zhuǎn)換層150中而被轉(zhuǎn)換。
[0043]由此可知,本實(shí)施例的發(fā)光二極管裝置10可雙面出光,且所有經(jīng)由透明區(qū)121到達(dá)透明基板100的第二表面102上的光線,皆已經(jīng)由波長轉(zhuǎn)換層150轉(zhuǎn)換,的后混合成為白光,使發(fā)光二極管裝置10可防止藍(lán)光漏光。且,本實(shí)施例通過第一、第二反射層120、160的設(shè)置,使得發(fā)光二極管裝置10只要在其透明基板100的第一表面101設(shè)置波長轉(zhuǎn)換層150,而不需要同時(shí)在第一表面101與第二表面102上皆設(shè)置波長轉(zhuǎn)換層150,相較于已知技術(shù)可節(jié)省波長轉(zhuǎn)換層150的制造成本。
[0044]接著,請繼續(xù)參考圖1A與圖1B。發(fā)光二極管裝置10還包含正電極131、負(fù)電極132以及電連接線138、139(繪示于圖1B),正電極131與負(fù)電極132設(shè)置于透明基板100的一端部,其中正電極131透過電連接線138電性連接第一列A中的第一個第一發(fā)光二極管芯片141、負(fù)電極132透過電連接線138電性連接第二列B中的第一個第二發(fā)光二極管芯片142。電連接線139則連接各個第一、第二發(fā)光二極管芯片141、142的正負(fù)極,以將各個第一、第二發(fā)光二極管芯片141、142以及第一列A中的第N個第一發(fā)光二極管芯片141與第二列B中的第N個第二發(fā)光二極管芯片142串連在一起。本實(shí)施例的正電極131與負(fù)電極132的材質(zhì)可與第一、第二反射層120、160相同且在同一道制程形成于透明基板100上,電連接線138、139則可利用打線的方式連接各個第一、第二發(fā)光二極管芯片141、142。
[0045]需說明的是,本實(shí)施
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