發(fā)光二極管集成封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種封裝技術(shù)，且尤其涉及一種發(fā)光二極管集成封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的發(fā)展與進(jìn)步，各式各樣的發(fā)光裝置也與時(shí)俱進(jìn)，以符合現(xiàn)代人的需求。在眾多的發(fā)光裝置中，發(fā)光二極管因具有發(fā)熱量低、耗電量小、壽命長(zhǎng)以及體積小等優(yōu)點(diǎn)，已有逐漸替代傳統(tǒng)發(fā)光裝置(如日光燈、白熾燈泡)，成為市場(chǎng)主流的趨勢(shì)。
[0003]一般而言，發(fā)光二極管的集成封裝結(jié)構(gòu)包括基板、絕緣層以及電極。為了滿足發(fā)光二極管的散熱需求與提高對(duì)發(fā)光二極管光線的反射率，常選用金屬基板作為發(fā)光二極管的封裝基板。
[0004]然而，金屬基板(MCPCB)的材料成本高，且有60%的金屬部分幾乎無法對(duì)發(fā)光二極管的散熱與反射光線有所貢獻(xiàn)。此外，金屬基板一般具有光滑的表面，而造成線路層與金屬基板之間無法形成良好的貼附，使絕緣層在使用時(shí)容易因高溫而產(chǎn)生剝離(peeling)的問題。
[0005]因此，業(yè)界亟需新穎的發(fā)光二極管集成封裝結(jié)構(gòu)，以期能解決或減輕上述問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的實(shí)施例揭不一種發(fā)光二極管集成封裝結(jié)構(gòu)，包括:一復(fù)合基板，具有相互對(duì)應(yīng)的一第一表面及一第二表面，復(fù)合基板包括:一絕緣基材部，具有貫穿第一表面及第二表面的一開口 ；及一金屬柱體，抵塞于開口內(nèi)；以及多個(gè)發(fā)光二極管，設(shè)置于第一表面的金屬柱體上。
[0007]本發(fā)明的另一實(shí)施例揭示一種發(fā)光二極管集成封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括:提供一絕緣基材部，其具有一第一表面及一第二表面，且絕緣基材部具有貫穿的一開口 ；將一具有一粗化側(cè)壁的金屬柱體置放于開口內(nèi)；實(shí)施一電鍍工藝，使金屬柱體抵接于開口，以形成一復(fù)合基板；以及形成多個(gè)發(fā)光二極管于第一表面的金屬柱體上。
[0008]本發(fā)明以非金屬基板(例如FR4、陶瓷基板)，結(jié)合供LED芯片散熱用的金屬柱體，解決了公知采用金屬基板(MCPCB)有線路層和金屬板剝離的問題。
[0009]為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0010]圖1A至圖1E為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管集成封裝結(jié)構(gòu)的制造方法剖面示意圖。
[0011]上述附圖中的附圖標(biāo)記說明如下:
[0012]10金屬柱體
[0013]12粗化工藝
[0014]14粗化側(cè)壁
[0015]16絕緣基材部
[0016]17電鍍物
[0017]18,30 開口
[0018]19復(fù)合基板
[0019]19a 第一表面
[0020]19b 第二表面
[0021]20散熱體
[0022]21壓合膠
[0023]22 電極
[0024]23熱壓合工藝
[0025]24發(fā)光二極管
[0026]26熒光膠體
[0027]28 擋墻(Dam)
【具體實(shí)施方式】
[0028]以下說明本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光二極管集成封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。然而，可輕易了解本發(fā)明所提供的實(shí)施例僅用于說明以特定方法制作及使用本發(fā)明，并非用以局限本發(fā)明的范圍。再者，在本發(fā)明實(shí)施例的附圖及說明內(nèi)容中使用相同的標(biāo)號(hào)來表示相同或相似的部件。
[0029]圖1E為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光二極管集成封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1E，在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管集成封裝結(jié)構(gòu)是為COB (Chip On Board)的封裝結(jié)構(gòu)，包括一復(fù)合基板19及多個(gè)發(fā)光二極管24。復(fù)合基板19包含了線路，具有相互對(duì)應(yīng)的一第一表面19a (例如，上表面)及一第二表面19b (例如,下表面)，且復(fù)合基板19包括一絕緣基材部16及一金屬柱體10。絕緣基材部16具有貫穿第一表面19a及第二表面19b的開口 18,而金屬柱體10具有一粗化側(cè)壁14再藉由一電鍍工藝在金屬柱體10與絕緣基材部16的開口18之間形成電鍍物17以填滿該開口，以增加金屬柱體18與復(fù)合基板的附著力。
[0030]在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管24位于復(fù)合基板19的第一表面19a,且設(shè)置于金屬柱體10上。在一實(shí)施例中，發(fā)光二極管集成封裝結(jié)構(gòu)包括2個(gè)發(fā)光二極管24，但本發(fā)明不以此為限。在其他實(shí)施例中，其他數(shù)量的發(fā)光二極管24亦可形成于發(fā)光二極管集成封裝結(jié)構(gòu)中。
[0031]在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管集成封裝結(jié)構(gòu)亦包括多個(gè)電極22，其位于復(fù)合基板19的第一表面19a,且設(shè)置于絕緣基材部16上。在一實(shí)施例中，可利用打線接合(wire bond)方式分別電性連接電極22與發(fā)光二極管24，以電性連接復(fù)合基板的線路(圖示未標(biāo))。在一實(shí)施例中，發(fā)光二極管集成封裝結(jié)構(gòu)包括2個(gè)電極22，但本發(fā)明不以此為限且取決于發(fā)光二極管24的數(shù)量。因此，更少或更多的電極22皆可形成于發(fā)光二極管集成封裝結(jié)構(gòu)中。
[0032]在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管集成封裝結(jié)構(gòu)更包括一散熱體(heat sink)20，其位于復(fù)合基板19的第二表面19b上,且與金屬柱體10互相接觸。散熱體20有助于使發(fā)光二極管集成封裝結(jié)構(gòu)更均勻地散出熱量。
[0033]在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管集成封裝結(jié)構(gòu)更包括一擋墻(dam)結(jié)構(gòu)28，其位于復(fù)合基板19的第一表面19a上。擋墻28具有一開口 30,以使電極22及發(fā)光二極管24位于開口 30內(nèi)。在一實(shí)施例中，發(fā)光二極管集成封裝結(jié)構(gòu)更包括一熒光膠體26，其設(shè)置于擋墻28的開口 30內(nèi)并覆蓋電極22與發(fā)光二極管24。熒光膠體26可用以封裝發(fā)光二極管24，并可將發(fā)光二極管24發(fā)出的光線轉(zhuǎn)變?yōu)榘坠狻?br>[0034]圖1A至圖1E為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管集成封裝結(jié)構(gòu)的制造方法剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1A，提供一金屬柱體10。在一實(shí)施例中，金屬柱體10包括任何具有高導(dǎo)熱率的金屬，例如鋁、銅、合金鋁或合金銅，其有助于發(fā)光二極管24(見圖1E)的散熱。在一實(shí)施例中，金屬柱體10對(duì)于波長(zhǎng)440-470nm的光源具有大于80%的光反射率,其有利于將發(fā)光二極管24(見圖1E)的光線反射至封裝體外部。在本實(shí)施例中，金屬柱體10為作為后續(xù)工藝中發(fā)光二極管24(見圖1E)的固晶區(qū)。
[0035]接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1B，于金屬柱體10的側(cè)表面實(shí)施一粗化工藝12，以使金屬柱體10具有一粗化側(cè)壁14。金屬柱體10側(cè)表面的粗化可通過例如噴砂或表面蝕刻的方式達(dá)成。金屬柱體10的粗化側(cè)壁14有利于減低后續(xù)形成的絕緣基材部16(見圖1C-圖1E)與金屬柱體10之間貼附不佳的問題。
[0036]請(qǐng)參照?qǐng)D1C，提供一絕緣基材部16。絕緣