基材部16具有第一表面19a與第二表面1%，且具有貫穿第一表面19a及第二表面19b的一開口 18。在本實施例中，絕緣基材部16包括BT樹酯、陶瓷、FR-4玻璃纖維材或上述的組合。接著，將具有粗化側壁14的金屬柱體10置放于絕緣基材部16的開口 18內(nèi)，并實施一電鍍工藝以在絕緣基材部16與金屬柱體10之間形成電鍍物17，使得金屬柱體10抵塞于開口 18內(nèi)，以形成復合基板19。
[0037]請參照圖1D，在一實施例中，可于復合基板19的第二表面19b上選擇性地形成一散熱體20。舉例來說,可在散熱體20與復合基板19之間置入一壓合膠21,并實施一熱壓合工藝23以使散熱體20貼附至復合基板19的第二表面19b上，并使散熱體20與金屬柱體10接觸。在此實施例中，散熱體20包括任何具有高導熱率的金屬，例如鋁或銅。散熱體20的設置有助于使發(fā)光二極管集成封裝結構更均勻地散出熱量。
[0038]請參照圖1E，于復合基板19的第一表面19a上形成多個發(fā)光二極管24，發(fā)光二極管24形成于復合基板19的金屬柱體10上。在本實施例中，更包括于復合基板19的第一表面19a上形成多個電極22,電極22形成于復合基板19的絕緣基材部16上。在一實施例中，可利用打線接合(wire bond)方式分別電性連接電極22與發(fā)光二極管24。在一實施例中，發(fā)光二極管集成封裝結構包括2個發(fā)光二極管24，但本發(fā)明不以此為限。在其他實施例中，其他數(shù)量的發(fā)光二極管24亦可形成于發(fā)光二極管集成封裝結構中。在一實施例中，發(fā)光二極管集成封裝結構包括2個電極22，但本發(fā)明不以此為限且取決于發(fā)光二極管24的數(shù)量。因此，更少或更多的電極22皆可設置于發(fā)光二極管集成封裝結構中。
[0039]請繼續(xù)參照圖1E。接著，于復合基板19的第一表面19a上形成一擋墻28。在本實施例中，擋墻28具有一開口 30，以使電極22及發(fā)光二極管24位于開口 30內(nèi)。之后，可選擇性地在擋墻28的開口 30內(nèi)形成一熒光膠體26以覆蓋電極22與發(fā)光二極管，完成發(fā)光二極管集成封裝結構的制造。熒光膠體26可為具有熒光粉的膠體材質(zhì)，其可用以封裝發(fā)光二極管24，并可將發(fā)光二極管24發(fā)出的光線轉(zhuǎn)變?yōu)榘坠狻?br>[0040]在上述實施例的發(fā)光二極管集成封裝結構的制造中，不同于公知技術中采用整塊金屬材料作為發(fā)光二極管的封裝基板，復合基板19僅在發(fā)光二極管24的固晶區(qū)采用金屬材料(即，金屬柱體10)，而其他區(qū)域則以較低成本的絕緣基材部16取代，故整體制造成本可大幅降低。此外，由于金屬柱體10與絕緣基材部16接觸的側壁14經(jīng)過粗化并經(jīng)由電鍍填孔工藝，相對公知技術的金屬基板(MCPCB)，其系為線路層結合金屬層，而本申請直接以非金屬基板結合散熱用的金屬注體，不但解決了絕緣基材部16剝落的問題，并且維持LED芯片良好的散熱性，而有效提升制造良率與可靠度。
[0041]雖然本發(fā)明已以數(shù)個較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明。任何所屬技術領域中普通技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作任意的更動與潤飾。因此本發(fā)明的保護范圍當視所附的權利要求所界定的范圍為準。
【主權項】
1.一種發(fā)光二極管集成封裝結構，包括: 一復合基板，具有相互對應的一第一表面及一第二表面，該復合基板包括: 一絕緣基材部，具有貫穿該第一表面及該第二表面的一開口 '及 一金屬柱體，抵塞于該開口內(nèi)；以及 多個發(fā)光二極管，設置于該第一表面的該金屬柱體上。
2.如權利要求1所述的發(fā)光二極管集成封裝結構，其中該金屬柱體包括鋁、銅、合金鋁或合金銅。
3.如權利要求1所述的發(fā)光二極管集成封裝結構，其中該金屬柱體對于波長440-470nm的光源具有大于80%的光反射率。
4.如權利要求1所述的發(fā)光二極管集成封裝結構，其中該絕緣基材部包括BT樹酯、陶瓷、FR-4玻璃纖維材或上述的組合。
5.如權利要求1至4中任一項所述的發(fā)光二極管集成封裝結構，還包括: 二電極，分別設置于該絕緣基材部的該第一表面上，并分別電性連接所述多個發(fā)光二極管。
6.如權利要求5所述的發(fā)光二極管集成封裝結構，還包括一散熱體，設置于該復合基板的該第二表面上，并與該金屬柱體互相接觸。
7.如權利要求6所述的發(fā)光二極管集成封裝結構，其中該散熱體由銅或鋁所構成。
8.一種發(fā)光二極管集成封裝結構的制造方法，包括: 提供一絕緣基材部，其具有一第一表面及一第二表面，且該絕緣基材部具有貫穿的一開口 ； 將一具有一粗化側壁的金屬柱體置放于該開口內(nèi)； 實施一電鍍工藝，使該金屬柱體抵接于該開口，以形成一復合基板；以及 形成多個發(fā)光二極管于該第一表面的該金屬柱體上。
9.如權利要求8所述的發(fā)光二極管集成封裝結構的制造方法，其中該金屬柱體的粗化側壁是通過噴砂或表面蝕刻達成的。
10.如權利要求8所述的發(fā)光二極管集成封裝結構的制造方法，其中該金屬柱體包括鋁、銅、合金鋁或合金銅。
11.如權利要求8所述的發(fā)光二極管集成封裝結構的制造方法，其中該金屬柱體對于波長440-470nm的光源具有大于80%的光反射率。
12.如權利要求8所述的發(fā)光二極管集成封裝結構的制造方法，其中該絕緣基材部包括BT樹酯、陶瓷、FR-4玻璃纖維材或上述的組合。
13.如權利要求8至12中任一項所述的發(fā)光二極管集成封裝結構的制造方法，還包括一步驟，于該絕緣基材部的該第一表面上分別形成二電極，并使該二電極分別電性連接所述多個發(fā)光二極管。
14.如權利要求13所述的發(fā)光二極管集成封裝結構的制造方法，其中還包括一步驟，形成一散熱體，設置于該復合基板的該第二表面上，并與該金屬柱體互相接觸。
15.如權利要求14所述的發(fā)光二極管集成封裝結構的制造方法，其中該散熱體是由銅或招所構成。
【專利摘要】本發(fā)明揭示一種發(fā)光二極管集成封裝結構，其包括一復合基板及多個發(fā)光二極管。復合基板具有相互對應的一第一表面及一第二表面，且包括一絕緣基材部，其具有貫穿第一表面及第二表面的一開口，及抵塞于開口內(nèi)的一金屬柱體。發(fā)光二極管設置于第一表面的金屬柱體上。本發(fā)明亦揭示一種發(fā)光二極管集成封裝結構的制造方法。本發(fā)明以非金屬基板結合供LED芯片散熱用的金屬柱體，解決了公知采用金屬基板有線路層和金屬板剝離的問題。
【IPC分類】H01L33-64, H01L33-48, H01L25-075
【公開號】CN104576630
【申請?zhí)枴緾N201410039624
【發(fā)明人】林蘇宏
【申請人】隆達電子股份有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2014年1月27日