00與第二芯片200之間的連接部分，即，第一芯片100的第一連接構(gòu)件170與第二芯片200的第二連接構(gòu)件240之間的連接部分。
[0143]第一密封構(gòu)件330可以形成為圍繞第二芯片200的兩個側(cè)表面。因此，形成在第二芯片200的兩個側(cè)表面上的第一密封構(gòu)件330和形成在第一芯片100與第二芯片200之間的連接部分上的第一密封構(gòu)件330可以由相同的材料形成。
[0144]第三芯片200-1可設(shè)置在第二芯片200的下面。第三芯片200_1可包括第三主體層210a、鈍化層224a、第二 TSV 230-1和第四連接構(gòu)件240a。第三芯片200-1具有第三前表面F3和與第三前表面F3背對的第三后表面B3。第四連接構(gòu)件240a設(shè)置在第二后表面B2與第三前表面F3之間并且電連接到第三連接構(gòu)件274和第二 TSV 230-1。
[0145]保護(hù)層260和第五連接構(gòu)件274a可以形成在第三芯片200_1的下面。第五連接構(gòu)件274a可以包括凸塊焊盤270和凸塊272。第二密封構(gòu)件330a填充第二芯片200與第三芯片200-1之間的連接部分，即，第二芯片200的第三連接構(gòu)件274與第三芯片200-1的第四連接構(gòu)件240a之間的連接部分。第二密封構(gòu)件330a可以形成為圍繞第三芯片200-1的兩個側(cè)表面。因此，形成在第三芯片200-1的兩個側(cè)表面上的第二密封構(gòu)件330a和形成在第二芯片200與第三芯片200-1之間的連接部分上的第二密封構(gòu)件330a可以由相同的材料形成。
[0146]第一密封構(gòu)件330不形成在第一芯片100的第一后表面BI上，因此第一芯片100的第一后表面BI被暴露。第一密封構(gòu)件330不形成在第一芯片100的兩個側(cè)表面上，因此第一芯片100的兩個側(cè)表面被暴露。因此，當(dāng)將芯片堆疊半導(dǎo)體封裝件1000-2安裝在主芯片或板基底上(如下所述)并再次成型時，附加的密封構(gòu)件可以很好地結(jié)合并附著到第一芯片100的頂表面或第一芯片100的側(cè)表面。
[0147]形成為圍繞第二芯片200和第三芯片200-1的兩個側(cè)表面的第一密封構(gòu)件330和第二密封構(gòu)件330a的兩個端部與第一芯片100的邊緣垂直對準(zhǔn)。換言之，第二芯片200和第三芯片200-1中的每個的分別包括第一密封構(gòu)件330和第二密封構(gòu)件330a的尺寸CS2’可以等于第一芯片100的尺寸CS1。
[0148]圖24和圖25是用來說明根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一示例性實施例的制造芯片堆疊半導(dǎo)體封裝件的方法和通過利用該方法制造的芯片堆疊半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。
[0149]具體地，當(dāng)將圖24和圖25的實施例與圖18至圖23的實施例對比時，除了切割基體晶圓10與第一密封構(gòu)件330和第二密封構(gòu)件330a的工藝之外，圖24和圖25的實施例與圖18至圖23的實施例相同。
[0150]首先，執(zhí)行圖18至圖21的制造工藝。在這種情況下，在包括第一芯片100的基體晶圓10上設(shè)置通過第一密封構(gòu)件330和第二密封構(gòu)件330a密封的第二芯片200和第三芯片 200-1。
[0151]參照圖24，基于第二芯片200和第三芯片200-1中的每個的寬度CS2來切割晶圓10與第一密封構(gòu)件330和第二密封構(gòu)件330a。尺寸S2可以是如上所述的刀片的寬度，基于作為刀片的寬度的尺寸S2可以容易地切割基體晶圓10。在這種情況下，第一芯片100的尺寸從CSl稍微地減小為CS1’。
[0152]參照圖25，一旦通過利用上述切割工藝形成每個芯片堆疊半導(dǎo)體封裝件1000-3，則暴露出第一芯片100、第二芯片200和第三芯片200-1的兩個側(cè)表面。根據(jù)圖24和圖25的制造芯片堆疊半導(dǎo)體封裝件的方法，像圖18至圖23中一樣，當(dāng)切割包括第二芯片200的晶圓并制備第二芯片200時，通過增加作為刀片的寬度的尺寸S2，使第二芯片200和第三芯片200-1中的每個的尺寸小于第一芯片100的尺寸。因此，可以通過更容易地切割基體晶圓10與第一密封構(gòu)件330和第二密封構(gòu)件330a來制造芯片堆疊半導(dǎo)體封裝件1000-3。
[0153]根據(jù)圖24和圖25的制造芯片堆疊半導(dǎo)體封裝件的方法，暴露出第一芯片100的頂表面和兩個側(cè)表面。另外，還暴露出第二芯片200和第三芯片200-1的兩個側(cè)表面。在這種情況下，當(dāng)在板基底上安裝芯片堆疊半導(dǎo)體封裝件1000-3并使其再次成型時，附加的密封構(gòu)件可以很好地結(jié)合并附著到第一芯片100、第二芯片200和第三芯片200-1的側(cè)表面。
[0154]現(xiàn)在將參照圖25簡要地說明通過利用制造芯片堆疊半導(dǎo)體封裝件的方法制造的芯片堆疊半導(dǎo)體封裝件1000-3的結(jié)構(gòu)和特性。
[0155]具體地，除了第二芯片200和第三芯片200-1的兩個側(cè)表面被暴露之外，圖25的芯片堆疊半導(dǎo)體封裝件1000-3與圖23的芯片堆疊半導(dǎo)體封裝件1000-2相同。
[0156]第一密封構(gòu)件330和第二密封構(gòu)件330a不形成在第二芯片200和第三芯片200_1的兩個側(cè)表面上。第一密封構(gòu)件330不形成在第一芯片100的兩個側(cè)表面上，因此第一芯片100的兩個側(cè)表面被暴露。
[0157]因此，當(dāng)將芯片堆疊半導(dǎo)體封裝件1000-3安裝在板基底上并再次成型時，附加的成型構(gòu)件可以很好地結(jié)合并附著到第一芯片100的后表面和側(cè)表面或者第二芯片200和第三芯片200-1的側(cè)表面。第二芯片200和第三芯片200-1的兩個端部與第一芯片100的邊緣垂直對準(zhǔn)。換言之，第二芯片200和第三芯片200-1中的每個的尺寸CS2’等于第一芯片100的尺寸CSl。
[0158]圖26是用來說明根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一示例實施例的制造芯片堆疊半導(dǎo)體封裝件的方法和通過利用該方法制造的芯片堆疊半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。
[0159]具體地，將圖26與圖5相比時，除了形成粘附構(gòu)件312來代替底部填充件310之夕卜，圖26與圖5相同。在圖26的工藝之后，可以執(zhí)行圖6至圖13的制造工藝。
[0160]在圖26中，在基體晶圓10的其上形成有第一連接構(gòu)件170的前表面上形成粘附構(gòu)件312，然后在第一芯片100上堆疊第二芯片200。即，由于粘附構(gòu)件312，可以僅通過將第二芯片200的第二連接構(gòu)件240壓緊到第一芯片100的第一連接構(gòu)件170來執(zhí)行所述堆疊。
[0161]因此，第一芯片100與第二芯片200之間的連接部分填充有粘附構(gòu)件312。粘附構(gòu)件312填充第一芯片100與第二芯片200之間的空間，并沒有如圖5中所示形成為圍繞第二芯片200的側(cè)壁。粘附構(gòu)件312可以是例如NCF、ACF、紫外(UV)膜、臨時粘附劑、熱硬化粘附劑、激光硬化粘附劑、超聲波硬化粘附劑或NCP。
[0162]NCF是通常使用的具有絕緣特性的粘附膜。當(dāng)使用NCF時，可以通過將第二芯片200壓緊而將第二芯片200堆疊在第一芯片100上。因此，可以避免當(dāng)在第一芯片100上通過加熱和加壓來堆疊第二芯片200時會發(fā)生的芯片翹曲，即，芯片變形，因此可以容易地堆疊多個芯片。
[0163]ACF具有導(dǎo)電顆粒分散在絕緣粘附膜中的結(jié)構(gòu)。ACF具有各向異性的電特性，因此僅允許電流沿形成有第一連接構(gòu)件170和第二連接構(gòu)件240的豎直方向流動，而不允許電流沿水平方向(即，第一連接構(gòu)件170和第二連接構(gòu)件240之間的方向)流動。此外，當(dāng)粘附劑由于施加到粘附劑的熱和壓力而熔化時，導(dǎo)電顆粒布置在電極之間以產(chǎn)生電導(dǎo)率，并且粘附劑填充在相鄰電極之間以使相鄰電極彼此絕緣。
[0164]粘附構(gòu)件312不限于上述材料，可以由可穩(wěn)固地粘附第一芯片100和第二芯片200并且可將連接部分的凸塊和焊盤密封的其它粘附劑材料中的任意一種形成。
[0165]在示例實施例中，NCF可以用作粘附構(gòu)件312以堆疊多層芯片。在示例實施例中，由于僅在第一芯片100與第二芯片200之間的連接部分上形成粘附構(gòu)件312，因此第一密封構(gòu)件330可以直接地接觸第二芯片200的側(cè)表面，并可以在后續(xù)工藝中密封第二芯片200的側(cè)表面。
[0166]圖27是用來說明根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一示例實施例的制造芯片堆疊半導(dǎo)體封裝件的方法和通過利用該方法制造的芯片堆疊半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。
[0167]具體地，當(dāng)將圖27與圖5相比時，除了在第一芯片100與第二芯片200之間形成底部填充件310b之外，圖27與圖5相同。在圖27的工藝之后，可以執(zhí)行圖6至圖13的制造工藝。
[0168]在圖27中，在第一芯片100的第一連接構(gòu)件170上堆疊第二芯片200，如圖3所示?？梢酝ㄟ^利用熱壓將第二芯片200的第二連接構(gòu)件240附著到第一芯片100的第一連接構(gòu)件170來執(zhí)行所述堆疊。
[0169]接下來，在第一芯片100與第二芯片200之間的連接部分上形成底部填充件310b。即，底部填充件310b沒有部分地密封第二芯片200的側(cè)表面或第二芯片200的第二后表面B2，而是僅填充第一芯片100與第二芯片200之間的連接部分。如上所述，底部填充件310b可以由諸如環(huán)氧樹脂的底部填充樹脂形成，并可包括二氧化硅填充劑或焊劑。底部填充件310b和隨后將要形成的成型構(gòu)件可以由不同的材料或相同的材料形成。
[0170]在示例實施例中，由于僅在第一芯片100與第二芯片200之間的連接部分上形成底部填充件310b，因此第一密封構(gòu)件330可以直接地接觸第二芯片200的側(cè)表面，并可以在后續(xù)工藝中密封第二芯片200的側(cè)表面。
[0171]圖28是用來說明根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一示例實施例的制造芯片堆疊半導(dǎo)體封裝件的方法和通過利用該方法制造的芯片堆疊半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。
[0172]具體地，當(dāng)將圖28與圖5和圖6對比時，除了不形成底部填充件310而是通過利用成型構(gòu)件320a形成第一密封構(gòu)件330之外，圖28與圖5和圖6相同。在圖26的工藝之后，可以執(zhí)行圖7至圖13的制造工藝。
[0173]在圖28中，在第一芯片100的第一連接構(gòu)件170上堆疊第二芯片200，如圖3所示。可以通過利用熱壓將第二芯片200的第二連接構(gòu)件240附著到第一芯片100的第一連接構(gòu)件170來執(zhí)行所述堆疊。
[0174]接下來，通過形成填充第一芯片100與第二芯片200之間的連接部分并且密封第二芯片200的兩個側(cè)表面和頂表面的成型構(gòu)件320a來形成第一密封構(gòu)件330。成型構(gòu)件320a可以填充第一芯片100與第二芯片200之間的連接部分，即，第一芯片100的第一連接構(gòu)件170與第二芯片200的第二連接構(gòu)件240之間的連接部分。
[0175]如上所述，可以由諸如樹脂的聚合物形成成型構(gòu)件320a。例如，可以由EMC形成成型構(gòu)件320a。成型構(gòu)件320a可以密封第二芯片200的側(cè)表面和頂表面。
[0176]圖29至圖32C是用來說明根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一示例實施例的制造芯片堆疊半導(dǎo)體封裝件的方法和通過利用該方法制造的芯片堆疊半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。
[0177]具體地，當(dāng)將圖29至圖32C與圖1至圖13對比時，除了在第二芯片200a中形成第一 TSV 230之外，圖29至圖32C與圖1至圖13相同。
[0178]參照圖29，制備其中形成有第一 TSV 230的多個第二芯片200a。即，第二芯片200a中的每個可包括第一 TSV 230、第二主體層210、第二連接構(gòu)件240以及包括金屬間絕緣層222和鈍化層224的絕緣層220。
[0179]第一 TSV 230可以電連接到第二連接構(gòu)件240。第一 TSV 230可以不形成為從第二主體層210的第二前表面F2延伸到第二主體層210的第二后表面B2。因此，可以在第二主體層210中形成第一 TSV 230?？梢杂肅S2表示第二芯片200a的尺寸。第二芯片200a的尺寸CS2可以是寬度或長度。以下將詳細(xì)地說明制造第二芯片200a的工藝。
[0180]接下來，如參照圖3所描述的，在第一芯片100中的每個上堆疊包括第一 TSV 230的第二芯片200a。S卩，在第一芯片100上堆疊第二芯片200a使得第二芯片200a的第二前表面F2面對第一芯片100的第一前表面Fl。第二連接構(gòu)件240電連接到位于第一前表面Fl與第二前表面F2之間的第一連接構(gòu)件170。可以通過利用熱壓將第二芯片200a的第二連接構(gòu)件240附著到第一芯片100的第一連接構(gòu)件170來執(zhí)行所述堆疊。
[0181]參照圖30，如圖5至圖7所示，形成密封第二芯片200a的第一密封構(gòu)件330。第一密封構(gòu)件330可以包括底部填充件310和成型構(gòu)件320。底部填充件310可以填充第一芯片100與第二芯片200a之間的連接部分，并可密封第二芯片200a的兩個側(cè)表面。可以在底部填充件310的外部形成成型構(gòu)件320，并且成型構(gòu)件320可以密封第二芯片200a的側(cè)表面和第二后表面B2。
[0182]參照圖31至圖32C，如參照圖9至圖1OD所描述的，形成構(gòu)成第三連接構(gòu)件274 (見圖11)的凸塊焊盤270和暴露在第二芯片200a的第二后表面B2( S卩，第二主體層210的第二后表面B2)上的第一 TSV 230。
[0183]現(xiàn)在將參照圖32A至圖32C詳細(xì)地說明形成第一TSV 230和凸塊焊盤270的工藝。形成第一 TSV 230和凸塊焊盤270的工藝可以與圖1OA至圖1OD的方法相似?？梢酝ㄟ^利用各種方法中的任意一種來形成第一 TSV 230和凸塊焊盤270。
[0184]如圖32A所示，在第二主體層210中形成未暴露在第二后表面B2上并通過間隔絕緣層235a絕緣的第一 TSV 230’。接下來，如圖32B中所示，蝕刻第二主體層210的第二后表面B2以使其凹陷。因此，可以暴露出第一 TSV 230的后表面并且間隔絕緣層235a可以變成圖案化的間隔絕緣層235。
[0185]如圖32C所示，在第二主體層210的凹陷的第二后表面B2和第一 TSV230的兩個側(cè)壁上形成保護(hù)層260。保護(hù)層260起到保護(hù)第二主體層210的作用。保護(hù)層260起到使第一 TSV 230彼此絕緣的作用。
[0186]在示例實施例中，當(dāng)使第一主體層210的第二后表面B2凹陷時，可以保留形成在第一 TSV 230上的圖案化的間隔絕緣層235。當(dāng)絕緣材料層在第二主體層210上形成為足夠的厚度，然后被蝕刻以形成保護(hù)層260時，可以暴露出第一 TSV 230。
[0187]在第一 TSV 230上形成構(gòu)成第三連接構(gòu)件274(見圖11)的凸塊焊盤270。接下來，通過執(zhí)行圖11至圖13的制造工藝，可以完成圖39A的芯片堆疊半導(dǎo)體封裝件。
[0188]圖33和圖34是用來說明根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一示例實施例的制造芯片堆疊半導(dǎo)體封裝件的方法和通過利用該方法制造的芯片堆疊半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。
[0189]具體地，當(dāng)將圖33和圖34與圖1至圖13對比時，除了在第二芯片200b上形成金屬間絕緣層222和第一 TSV 230a之外，圖33和圖34與圖1至圖13相同。當(dāng)將圖33和圖34與圖29至圖32C對比時，除了第一 TSV 230a沒有形成為從第二主體層210的第二后表面B2延伸到第二前表面F2之外，圖33和圖34與圖29至圖32相同。
[0190]參照圖33，制備其中均形成有第一TSV 230a的多個第二芯片200b。第二芯片200b中的每個可包括第一 TSV 230a、第二主體層210、第二連接構(gòu)件240以及包括金屬間絕緣層222和鈍化層224的絕緣層220。
[0191]第一 TSV 230a可以通過金屬間絕緣層222中的導(dǎo)線電連接到第二連接構(gòu)件240。第一 TSV 230a可以不形成為