專(zhuān)利名稱(chēng):等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板(PDP)，更具體地講，涉及一種防止相鄰的放電室之間的發(fā)光干擾的PDP。
背景技術(shù)：
已經(jīng)取代傳統(tǒng)的陰極射線(xiàn)管(CRT)顯示裝置的PDP利用可見(jiàn)光線(xiàn)來(lái)顯示期望的圖像，其中，通過(guò)密封放電氣體，在其上形成有多個(gè)電極的兩個(gè)基底之間施加放電電壓以產(chǎn)生真空紫外線(xiàn)，并用真空紫外線(xiàn)激發(fā)以預(yù)定圖案形成的熒光體來(lái)產(chǎn)生可見(jiàn)光線(xiàn)。
圖1是傳統(tǒng)PDP的分解透視圖。
參照?qǐng)D1，典型的交流(AC)型PDP 10包括上板50，在其上顯示圖像；下板60，與上板50平行地連接。在上板50的前基底11上形成成對(duì)的維持電極12(各對(duì)包括X電極31和Y電極32)。與前基底11的X電極31和Y電極32交叉的尋址電極22設(shè)置在的下板60的后基底21上，其中，后基底21面對(duì)前基底11的設(shè)置有成對(duì)的維持電極12的表面。
掩埋成對(duì)的維持電極12的第一介電層15和掩埋尋址電極22的第二介電層25分別形成在前基底11和后基底21上。通常由MgO形成的保護(hù)層16位于第一介電層15的后表面上。障肋30能夠保持放電距離并防止放電室之間的光電串?dāng)_，并形成在第二介電層25的前表面上。
將紅色、綠色和藍(lán)色熒光體層26涂覆在障肋30的兩側(cè)上和第二介電層25的沒(méi)有形成障肋30的前表面上。
X電極31包括透明電極31a和匯流電極31b，Y電極32包括透明電極32a和匯流電極32b。由一對(duì)X電極31、Y電極32和尋址電極22形成的空間是形成放電單元的單元放電室70，其中，尋址電極22與X電極31、Y電極32交叉。透明電極31a、32a由透明導(dǎo)電材料制成，這種透明導(dǎo)電材料可產(chǎn)生放電并不干擾從熒光體層26向著前基底11發(fā)出的光。透明材料可以是氧化銦錫(ITO)。
各放電室70中產(chǎn)生的放電和由熒光體層26發(fā)出的光會(huì)影響相鄰放電室70的發(fā)光，這會(huì)造成相鄰放電室70之間的發(fā)光干擾。在發(fā)光室內(nèi)產(chǎn)生的放電會(huì)影響非發(fā)光室。
此外，相鄰放電室70之間的發(fā)光干擾會(huì)使通過(guò)各放電室70產(chǎn)生的放電顯示的圖像的清晰度下降。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供了一種在放電室間形成屏蔽膜，以防止相鄰放電室之間的發(fā)光干擾的PDP。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，PDP包括彼此面對(duì)的第一基底和第二基底。障肋設(shè)置在第一基底和第二基底之間限定多個(gè)放電室。成對(duì)的維持電極在第一基底上沿著一個(gè)方向延伸，并橫穿放電室。尋址電極與成對(duì)的維持電極交叉。第一介電層覆蓋成對(duì)的維持電極。第二介電層覆蓋尋址電極。熒光體層形成在所述放電室中。最后，屏蔽墻設(shè)置在第一基底和第二基底之間，以環(huán)繞每個(gè)放電室。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，PDP包括彼此面對(duì)的第一基底和第二基底。障肋設(shè)置在第一基底和第二基底之間限定多個(gè)放電室。成對(duì)的維持電極在第一基底上沿著一個(gè)方向延伸，并橫穿放電室。尋址電極與成對(duì)的維持電極交叉。第一介電層覆蓋成對(duì)的維持電極。第二介電層覆蓋尋址電極。熒光體層形成在所述放電室中以提供像素，每個(gè)像素具有彼此相鄰的紅色放電室、綠色放電室和藍(lán)色放電室。最后，屏蔽墻設(shè)置在第一基底和第二基底之間以環(huán)繞各像素。
在一個(gè)實(shí)施例中，屏蔽墻可以設(shè)置在第一基底和障肋之間。
在另一個(gè)實(shí)施例中，屏蔽墻可與第一介電層形成在相同層上。
在另一個(gè)實(shí)施例中，PDP還可包括覆蓋第一介電層表面的保護(hù)層，以用面對(duì)第二基底的保護(hù)層來(lái)保護(hù)第一介電層。此外，屏蔽墻形成在包括第一介電層和保護(hù)層的層中。
在另一實(shí)施例中，屏蔽墻可以是黑色的。
在另一實(shí)施例中，可以通過(guò)添加黑色顏料的第一介電層材料來(lái)形成屏蔽墻。
在另一實(shí)施例中，屏蔽墻可具有小于60％的反射率。
圖1是傳統(tǒng)PDP的局部分解透視圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP的局部分解透視圖。
圖3是沿圖2中的線(xiàn)III-III截取的圖2中的PDP的剖視圖。
圖4是示出了位于圖2中的PDP的第二基底上的一對(duì)維持電極和屏蔽墻的俯視圖。
圖5是根據(jù)更改的圖3中的實(shí)施例的PDP的剖視圖。
圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的PDP的局部分解透視圖。
圖7是沿著圖6中的線(xiàn)VI-VI截取的圖6中的PDP的剖視圖。
圖8是示出了位于圖6中的PDP中的第二基底上的一對(duì)維持電極和屏蔽墻的俯視圖。
圖9是根據(jù)更改的圖7中的實(shí)施例的PDP的剖視圖。
具體實(shí)施方式現(xiàn)在將參照附圖來(lái)更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。
圖2是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP 100的局部分解透視圖。圖3是沿圖2中的線(xiàn)III-III截取的圖2中的PDP的剖視圖。圖4是示出了位于圖2中的PDP的第二基底121上的一對(duì)維持電極131、132和屏蔽墻180的俯視圖。
參照?qǐng)D2至圖4，交流型PDP 100包括第一基底111、第二基底121、一對(duì)維持電極131、132、尋址電極122、障肋130(包括障肋構(gòu)件130a、130b)、保護(hù)層116、熒光體層123、第一介電層115、第二介電層125、放電氣體(未示出)和屏蔽墻180。熒光體層123包括熒光體層123R、123G、123B。
第一基底111和第二基底121彼此分隔預(yù)定間隙，并限定了在第一基底111和第二基底121之間產(chǎn)生放電的放電室。第一基底111和第二基底121可以由對(duì)可見(jiàn)光線(xiàn)有優(yōu)良透射性的玻璃制成。然而，為了提高明室對(duì)比度，可以將第一基底111和/或第二基底121著色。
障肋130位于第一基底111和第二基底121之間。根據(jù)傳統(tǒng)的制造工藝，障肋130可以設(shè)置在第二介電層125上。障肋130將放電空間劃分為包括紅色放電室170R、綠色放電室170G和藍(lán)色放電室170B的多個(gè)放電室170，并防止放電室170R、170G、170B之間的光電串?dāng)_。參照?qǐng)D2，障肋130限定了以矩陣形狀排列、截面為矩形的放電室170R、170G、170B，但是本發(fā)明不限于此。即，障肋130可以限定截面為多邊形(比如截面為三角形、五邊形、圓形、橢圓形)或者開(kāi)放式(比如帶形等)的放電室170R、170G、170B。此外，障肋130可以以網(wǎng)格形或三角形來(lái)限定放電室170R、170G、170B。
成對(duì)的維持電極131、132設(shè)置在面對(duì)第二基底121的第一基底111上。成對(duì)的維持電極131、132的各對(duì)是形成在第一基底111的后表面上的用于產(chǎn)生維持放電的一對(duì)維持電極131、132。成對(duì)的維持電極131、132以預(yù)定的距離彼此平行地布置在第一基底111上。
在維持電極131、132的對(duì)中，X電極131用作共電極，Y電極用作掃描電極。在本實(shí)施例中，維持電極131、132的對(duì)位于第一基底111上，但是本發(fā)明不限于此。例如，維持電極131、132的對(duì)可以在從第一基底111到第二基底121的方向上彼此分隔預(yù)定間隙。
維持電極131包括透明電極131a和匯流電極131b，維持電極132包括透明電極132a和匯流嗲你132b。透明電極131a、132a由透明且導(dǎo)電的材料形成，這種材料可產(chǎn)生放電并不中斷從熒光體層123(123R、123G、123B)向著第一基底111發(fā)射的光。透明且導(dǎo)電的材料是ITO。
然而，由ITO形成的透明電極131a、132a的電阻大，并且由于在長(zhǎng)度方向的壓降大導(dǎo)致透明電極131a、132a的響應(yīng)速度滿(mǎn)且驅(qū)動(dòng)功耗的量大。為了解決這些問(wèn)題，在透明電極131a、132a上設(shè)置由金屬材料形成且寬度窄的匯流電極131b、132b。匯流電極131b、132b可具有單層結(jié)構(gòu)(比如Ag、Al或Cu)，或具有多層結(jié)構(gòu)(比如Cr/Al/Cr等)?？衫帽热绻馕g刻、光刻等技術(shù)來(lái)形成透明電極131a、132a和匯流電極131b、132b。
至于維持電極131、132的形狀和布置，匯流電極131b、132b在放電室170R、170G、170B中以預(yù)定間隙彼此分隔，并延伸成與放電室170R、170G、170B交叉。如上所述，透明電極131a、132a與各自的匯流電極131b、132b電連接。在放電室170R、170G、170B的每個(gè)中，四邊形的透明電極131a、132a不連續(xù)地布置。透明電極131a、132a的一對(duì)端部與匯流電極131b、132b連接，透明電極131a、132a的另一對(duì)端部被設(shè)置成面對(duì)各放電室170R、170G、170B中的中心。
第一介電層115形成在第一基底111上，以掩埋成對(duì)的維持電極131、132。第一介電層115防止相鄰的維持電極131、132之間的直接導(dǎo)電，并防止由于放電粒子或電子與維持電極131、132直接碰撞而造成的維持電極131、132的損壞。此外，第一介電層115感應(yīng)電荷。第一介電層115可以由PbO、B2O3、SiO2等形成。
此外，PDP 100還可包括覆蓋第一介電層115的保護(hù)層116。保護(hù)層116防止在放電期間由于放電粒子或電子與第一介電層115直接碰撞而導(dǎo)致第一介電層115損壞。
此外，保護(hù)層116在放電期間發(fā)射大量的二次電子，從而有利于等離子體放電。保護(hù)層116由二次電子發(fā)射系數(shù)高且對(duì)可見(jiàn)光線(xiàn)的透射率高的材料形成。在形成了第一介電層115之后，利用比如濺射、電子束沉積等技術(shù)來(lái)形成保護(hù)層116。
尋址電極122位于面對(duì)第一基底111的第二基底121上。尋址電極122橫穿放電室170R、170G、170B延伸以與維持電極131、132交叉。
尋址電極122產(chǎn)生尋址放電，尋址放電有助于維持電極131、132之間的維持放電。更具體地講，尋址電極122使用于產(chǎn)生維持放電的電壓降低。尋址放電在Y電極132和尋址電極122之間產(chǎn)生。當(dāng)尋址放電完成時(shí)，在維持電極131、132上積累壁電荷，這有助于X電極131和Y電極132之間的維持放電。
由一對(duì)維持電極131、132和與維持電極131、132交叉的尋址電極形成的空間形成了單元放電室170R、170G、170B。
在第二基底121上形成第二介電層125以掩埋尋址電極122。第二介電層125由介電物質(zhì)形成，該介電物質(zhì)能夠防止帶電粒子或電子與尋址電極122碰撞而導(dǎo)致尋址電極122損壞并能夠感應(yīng)電荷。該介電物質(zhì)可以由比如PbO、B2O3、SiO2等材料形成。
在形成在第二介電層125上的障肋130的兩側(cè)和第二介電層125的沒(méi)有形成障肋130的整個(gè)表面上設(shè)置熒光體層123R、123G、123B。熒光體層123R、123G、123B具有用紫外線(xiàn)產(chǎn)生可見(jiàn)光的組分。即，形成在紅色發(fā)光放電室170R中的熒光體層具有比如Y(V，P)O4:Eu的熒光體，形成在綠色發(fā)光放電室170G中的熒光體層具有比如Zn2SiO4:Mn的熒光體，形成在藍(lán)色發(fā)光放電室170B中的熒光體層具有比如BAM:Eu的熒光體。
混合有Ne氣和Xe氣的放電氣體填充在放電室170R、170G、170B中。當(dāng)填充放電氣體時(shí)，第一基底111和第二基底121利用密封構(gòu)件彼此連接，其中，密封構(gòu)件比如形成在第一基底111和第二基底121的邊緣上的玻璃料(frit glass)。
由維持放電激發(fā)的放電氣體的能級(jí)降低，從而發(fā)出紫外線(xiàn)。紫外線(xiàn)激發(fā)涂覆在放電室170R、170G、170B中的熒光體層123，使得受激發(fā)的熒光體層123的能級(jí)降低以發(fā)出可見(jiàn)光，可見(jiàn)光透射過(guò)第一介電層115和第一基底111，從而形成用戶(hù)識(shí)別的圖像。
為了防止相鄰的放電室170R、170G、170B之間的發(fā)光干擾，屏蔽墻180設(shè)置在第一基底111和第二基底121之間，以環(huán)繞放電室170R、170G、170B中的每個(gè)。屏蔽墻180可以設(shè)置在第一基底111和障肋130之間，可與第一介電層115形成在同一層上。
雖然沒(méi)有在圖2中示出，但是屏蔽墻180可以形成在與由第一介電層115和保護(hù)層116形成的層相同的層上，從而更有效地防止相鄰放電室170R、170G、170B之間的發(fā)光干擾。
屏蔽墻180有效地防止相鄰的放電室170R、170G、170B之間的發(fā)光干擾，并且為了提高明室對(duì)比度屏蔽墻180可以是黑色的，。就此，可通過(guò)將黑色顏料添加到與第一介電層115相同的材料來(lái)形成屏蔽墻180。在這種情況下，屏蔽墻180可具有小于60％的反射率。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，屏蔽墻180有效地防止相鄰的放電室170R、170G、170B之間的發(fā)光干擾，并為了提高明室對(duì)比度，屏蔽墻180可具有亮色，。就此，屏蔽墻180可以由反射率高的材料形成。
具有屏蔽墻180的PDP 100劃分發(fā)光室和非發(fā)光室，以防止發(fā)光室和非發(fā)光室之間的干擾，并漫射發(fā)光室的可見(jiàn)光以防止可見(jiàn)光移向相鄰的室。就此，屏蔽墻180可以屏蔽發(fā)光室周?chē)?br> 參照?qǐng)D2至圖4，將放電室170R、170G、170B設(shè)置成彼此相鄰，以形成利用熒光體層123R、123G、123B中的每個(gè)發(fā)射的可見(jiàn)光的像素。將屏蔽墻180按像素設(shè)置成環(huán)繞放電室170R、170G、170B中的每個(gè)。
即，按像素來(lái)劃分發(fā)光像素和非發(fā)光像素，以防止發(fā)光像素和非發(fā)光像素之間的干擾，將發(fā)光像素的可見(jiàn)光線(xiàn)漫射以防止可見(jiàn)光線(xiàn)移向相鄰的非發(fā)光像素。就此，屏蔽墻180可以屏蔽一起形成像素的放電室170R、170G、170B的周?chē)?br> 環(huán)繞各像素來(lái)形成屏蔽墻180。各像素包括放電室170R、170G、170B。因此，屏蔽墻180環(huán)繞各組放電室170R、170G、170B。將屏蔽墻180形成為環(huán)繞各像素而不是環(huán)繞各放電室，這樣減少了所需的屏蔽墻180的數(shù)目。
圖5是根據(jù)更改圖3的實(shí)施例的PDP的剖視圖。如圖5中所示，屏蔽墻180′可以形成在包括第一介電層115和保護(hù)層116的層中。
圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的PDP 200的局部分解透視圖。圖7是沿著圖6中的線(xiàn)VI-VI截取的圖6中的PDP的剖視圖。圖8是示出了位于圖6中的PDP中的第二基底上的一對(duì)維持電極231、232和屏蔽墻280的俯視圖。
參照?qǐng)D6至圖8，交流型PDP 200包括第一基底211、第二基底221、成對(duì)的維持電機(jī)231、232、尋址電極222、包括障肋構(gòu)件230a和230b的障肋230、保護(hù)層216、熒光體層223、第一介電層215、第二介電層225、放電氣體(未示出)和屏蔽墻280。障肋230將放電空間劃分為多個(gè)放電室(270R、270G、270B)，并防止放電室270R、270G、270B之間的光電串?dāng)_。維持電極231包括透明電極231a和匯流電極231b，維持電極232包括透明電極232a和匯流電極232b。熒光體層223包括熒光體層223R、223G、223B。
在實(shí)施例中，按圖2至圖4中示出的PDP 100中的放電室的每個(gè)來(lái)形成屏蔽墻180。在另一實(shí)施例中，按圖5中示出的PDP中的放電室的每個(gè)來(lái)形成屏蔽墻180′。圖6至圖9中的相似的標(biāo)號(hào)用于與圖2至圖5中的元件執(zhí)行相同功能的相同元件，并且省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
參照?qǐng)D6至圖8，環(huán)繞根據(jù)本實(shí)施例的PDP 200中的每個(gè)放電室來(lái)設(shè)置屏蔽墻280，從而更有效地防止相鄰放電室之間的發(fā)光干擾。
圖9是根據(jù)更改圖7中的實(shí)施例的PDP的剖視圖。如圖9中所示，屏蔽墻280′可以形成在包括第一介電層215和保護(hù)層216的層中。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP包括各放電室之間的屏蔽墻，從而防止相鄰放電室之間的發(fā)光干擾。
PDP還清楚地劃分發(fā)光室和非發(fā)光室，從而提高了顯示圖像的清晰度。
雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例示出和描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離由權(quán)利要求
及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)的改變。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括第一基底和第二基底，彼此面對(duì)；障肋，設(shè)置在所述第一基底和所述第二基底之間，所述障肋限定多個(gè)放電室；成對(duì)的維持電極，在所述第一基底上沿著一個(gè)方向延伸并橫穿所述放電室；尋址電極，與所述成對(duì)的維持電極交叉；第一介電層，覆蓋所述成對(duì)的維持電極；第二介電層，覆蓋所述尋址電極；熒光體層，形成在所述放電室中；屏蔽墻，設(shè)置在所述第一基底和所述第二基底之間，所述屏蔽墻環(huán)繞每個(gè)所述放電室。
2.如權(quán)利要求
1所述的等離子體顯示面板，其中，所述屏蔽墻設(shè)置在所述第一基底和所述障肋之間。
3.如權(quán)利要求
2所述的等離子體顯示面板，其中，所述屏蔽墻與所述第一介電層形成在相同層上。
4.如權(quán)利要求
1所述的等離子體顯示面板，還包括保護(hù)層，所述保護(hù)層覆蓋所述第一介電層以保護(hù)所述第一介電層，所述保護(hù)層面對(duì)所述第二基底，其中，所述屏蔽墻形成在包括所述第一介電層和所述保護(hù)層的層中。
5.如權(quán)利要求
1所述的等離子體顯示面板，其中，所述屏蔽墻是黑色的。
6.如權(quán)利要求
1所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一介電層由第一介電層材料形成，所述屏蔽墻由添加了黑色顏料的第一介電層材料形成。
7.如權(quán)利要求
1所述的等離子體顯示面板，其中，所述屏蔽墻具有小于60％的反射率。
8.一種等離子體顯示面板，包括第一基底和第二基底，彼此面對(duì)；障肋，在所述第一基底和所述第二基底之間，所述障肋限定多個(gè)放電室；成對(duì)的維持電極，在所述第一基底上沿著一個(gè)方向延伸，并橫穿所述放電室；尋址電極，與所述成對(duì)的維持電極交叉；第一介電層，覆蓋所述成對(duì)的維持電極；第二介電層，覆蓋所述尋址電極；熒光體層，形成在所述放電室中以提供像素，每個(gè)所述像素具有彼此相鄰的紅色放電室、綠色放電室和藍(lán)色放電室；屏蔽墻，設(shè)置在所述第一基底和所述第二基底之間，以環(huán)繞每個(gè)所述像素。
9.如權(quán)利要求
8所述的等離子體顯示面板，其中，所述屏蔽墻設(shè)置在所述第一基底和所述障肋之間。
10.如權(quán)利要求
9所述的等離子體顯示面板，其中，所述屏蔽墻與所述第一介電層形成在相同層上。
11.如權(quán)利要求
8所述的等離子體顯示面板，還包括保護(hù)層，所述保護(hù)層覆蓋所述第一介電層的表面以保護(hù)所述第一介電層，所述保護(hù)層面對(duì)所述第二基底，其中，所述屏蔽墻形成在包括所述第一介電層和所述保護(hù)層的層中。
12.如權(quán)利要求
8所述的等離子體顯示面板，其中，所述屏蔽墻是黑色的。
13.如權(quán)利要求
8所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一介電層由第一介電層材料形成，所述屏蔽墻由添加了黑色顏料的第一介電層材料形成。
14.如權(quán)利要求
8所述的等離子體顯示面板，其中，所述屏蔽墻具有小于60％的反射率。
15.一種防止等離子體顯示面板中發(fā)光干擾的方法，所述等離子體顯示面板具有第一基底和第二基底，彼此面對(duì)；障肋，在所述第一基底和所述第二基底之間，所述障肋限定多個(gè)放電室；成對(duì)的維持電極，在所述第一基底上沿著一個(gè)方向延伸，并橫穿所述放電室；尋址電極，與所述成對(duì)的維持電極交叉；第一介電層，覆蓋所述成對(duì)的維持電極；第二介電層，覆蓋所述尋址電極；熒光體層，形成在所述放電室中，所述方法包括在所述第一基底和所述第二基底之間形成屏蔽墻來(lái)環(huán)繞一個(gè)或多個(gè)放電室，以防止被所述屏蔽墻環(huán)繞的所述一個(gè)或多個(gè)放電室中產(chǎn)生的光造成與所述屏蔽墻外部的放電室的發(fā)光干擾。
16.如權(quán)利要求
15所述的方法，其中，所述屏蔽墻形成在所述第一基底和所述障肋之間。
17.如權(quán)利要求
16所述的方法，其中，所述屏蔽墻與所述第一介電層形成在相同層上。
18.如權(quán)利要求
16所述的方法，所述方法還包括形成覆蓋所述第一介電層表面的保護(hù)層以保護(hù)所述第一介電層，所述保護(hù)層面對(duì)所述第二基底，其中，所述屏蔽墻形成在包括所述第一介電層和所述保護(hù)層的層中。
19.如權(quán)利要求
17所述的方法，其中，所述屏蔽墻環(huán)繞每個(gè)所述放電室，以防止每個(gè)所述放電室中產(chǎn)生的光造成與相鄰的放電室的發(fā)光干擾。
20.如權(quán)利要求
17所述的方法，其中，所述屏蔽墻是黑色的。
專(zhuān)利摘要
本發(fā)明提供了一種等離子體顯示面板。該等離子體顯示面板具有在放電室之間的屏蔽墻，以防止相鄰放電室之間的發(fā)光串?dāng)_。該等離子體顯示面板具有彼此面對(duì)的第一基底和第二基底。障肋設(shè)置在第一基底和第二基底之間限定多個(gè)放電室。成對(duì)的維持電極在第一基底上沿著一個(gè)方向延伸，并橫穿放電室。尋址電極與成對(duì)的維持電極交叉。第一介電層覆蓋成對(duì)的維持電極。第二介電層覆蓋尋址電極。熒光體層形成在所述放電室中。屏蔽墻設(shè)置在第一基底和第二基底之間以環(huán)繞每個(gè)放電室。
文檔編號(hào)H01J11/34GK1992129SQ200610169473
公開(kāi)日2007年7月4日 申請(qǐng)日期2006年12月15日
發(fā)明者樸正泰 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan