專利名稱:在集成電路上執(zhí)行電功能的方法及集成電路結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體涉及集成電路，尤其涉及在集成電路中執(zhí)行例如熔斷操作的電功能，及其制造方法。
背景技術(shù)：
熔斷器和抗熔斷器是在多種電路應(yīng)用中使用的可編程電子器件。熔斷器通常是閉合的，當(dāng)熔斷或者程控時(shí)導(dǎo)致“斷路”或者電阻增大?？谷蹟嗥黝愃朴谌蹟嗥魇强删幊痰?。然而，抗熔斷器通常是斷開(kāi)的，具有電容器狀結(jié)構(gòu)。當(dāng)抗熔斷器熔斷時(shí)或者程控時(shí)，這導(dǎo)致了短路或者減小的電阻。
對(duì)于熔斷器和抗熔斷器有很多應(yīng)用。在集成電路中的一個(gè)特殊應(yīng)用是使用冗余提高產(chǎn)量。例如，通過(guò)在存儲(chǔ)芯片上提供冗余存儲(chǔ)器單元，故障的或者不需要的電路或者模塊可以和電路操作脫離，由此提高了產(chǎn)量。這可以通過(guò)對(duì)熔斷器或者抗熔斷器編程實(shí)現(xiàn)，以改變、斷開(kāi)或者旁路有源電池或者電路，并允許使用冗余存儲(chǔ)器單元代替不起作用的電池。類似地，可以使用熔斷器和/或抗熔斷器重新傳送信息。
對(duì)于熔斷器和抗熔斷器的另一個(gè)典型應(yīng)用是定制制造好的集成電路(IC)。通過(guò)編程熔斷器和/或抗熔斷器(例如通過(guò)熔斷或者斷裂所選擇的熔斷器和抗熔斷器)可以將一個(gè)IC結(jié)構(gòu)用于多個(gè)應(yīng)用，以停用和選擇電路路徑。因此，可以經(jīng)濟(jì)地制造單個(gè)集成電路設(shè)計(jì)并適用于多種常規(guī)用途。
在制造出集成電路之后，還可以使用熔斷器和抗熔斷器編程芯片識(shí)別(ID)。例如，可以對(duì)一組1和0編程，以識(shí)別IC，使得用戶例如將知道它的程序設(shè)計(jì)和器件特性。
通常，將熔斷器或者可熔斷的連接組合在集成電路設(shè)計(jì)中，然后可選擇地對(duì)這些熔斷器或者可熔斷的連接編程，例如，通過(guò)使足夠大的電流流過(guò)所選擇的熔斷器使得它們?nèi)蹟嗪蛿嚅_(kāi)連接導(dǎo)致的熔斷或者斷裂。
因此所期望的是，通過(guò)在制造之后的測(cè)試之后包括冗余元件來(lái)提高集成芯片的產(chǎn)量，這些冗余元件可以代替芯片上的一些特殊的故障電路或者部件。還同樣重要的是，具有這樣的方法，通過(guò)替換具有冗余元件的芯片的一些故障部分，在正常領(lǐng)域運(yùn)行過(guò)程中修補(bǔ)故障芯片，由此有效地改善整體可靠性和可用性。
在應(yīng)用光成像傳感器的技術(shù)中，通過(guò)組合關(guān)于光檢測(cè)的技術(shù)的特征可以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)量和可靠性的提高。涉及光成像技術(shù)的一個(gè)特定實(shí)例是用于電荷累計(jì)的電容器的廣泛使用。大量的這些電容器可以對(duì)產(chǎn)量和可靠性產(chǎn)生影響，以及由此具有在運(yùn)送給顧客之前可以實(shí)現(xiàn)為硬件的冗余電容器電路，并且在使用的過(guò)程中提供修補(bǔ)將是非常有益的。用于產(chǎn)量和可靠性的冗余元件的實(shí)施在封裝級(jí)處通常需要額外的銷釘，其中可以在封裝級(jí)處實(shí)施編程從而完成修補(bǔ)的實(shí)施。在很多應(yīng)用和設(shè)計(jì)中，在用于這種實(shí)施的封裝級(jí)處具有額外的銷釘是不方便或者不可能的。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是改善集成電路中使用的可執(zhí)行電功能，例如熔斷操作。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是，為獲得使用光傳感器技術(shù)的集成電路中的產(chǎn)量/特性或者可靠性，通過(guò)簡(jiǎn)單的指令執(zhí)行功能。
本發(fā)明的再一個(gè)目的是，通過(guò)光譜選擇的外部光啟動(dòng)，而由嵌入芯片的光電二極管啟動(dòng)，從而在集成電路中執(zhí)行電功能，例如熔斷操作。
本發(fā)明的另一目的是，提供一種集成電路和制造集成電路的方法，該集成電路包括嵌入芯片的光電二極管，用于通過(guò)由光譜選擇外部光啟動(dòng)所述光電二極管來(lái)執(zhí)行電功能。
本發(fā)明的這些和其它目的通過(guò)如下的方法、相應(yīng)的結(jié)構(gòu)和電路實(shí)現(xiàn)，所述方法為，通過(guò)光譜選擇的外部光啟動(dòng)，而由嵌入芯片的光電二極管啟動(dòng)，從而執(zhí)行例如熔斷操作的電功能。本發(fā)明基于結(jié)合特定強(qiáng)度/波長(zhǎng)特性的入射光與集成電路的附加電路元件，進(jìn)行修補(bǔ)的實(shí)現(xiàn)，也就是用冗余元件代替故障電路元件來(lái)提高產(chǎn)量和/或可靠性。在封裝時(shí)不需要額外的銷釘。
參考附圖考慮下述的具體描述，本發(fā)明的其它益處和優(yōu)點(diǎn)將變得明顯，它們列舉并示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
圖1是具有光傳感器掩模級(jí)的集成電路的截面圖；圖2是示出了光啟動(dòng)電子熔斷器的電路圖；圖3是示出在圖2的電路運(yùn)行中多個(gè)電壓隨時(shí)間變化的時(shí)序圖；圖4是示出光電二極管電壓隨時(shí)間變化的曲線圖；圖5是示出光電二極管到達(dá)檢測(cè)電平或者閾值電平的時(shí)間量隨光電二極管的照明級(jí)變化的曲線；圖6是表示本發(fā)明用于多熔斷器應(yīng)用的電路圖；圖7是具有二極管基ESD保護(hù)的I/O電路示意圖。通過(guò)熔斷操作可以將該ESD保護(hù)器件和輸入焊盤斷開(kāi)。
具體實(shí)施方式現(xiàn)在參考附圖描述本發(fā)明。在這些圖中，已經(jīng)以簡(jiǎn)化的方式示出和示意性地表示了該結(jié)構(gòu)的多個(gè)方案，以更清楚地描述和解釋本發(fā)明。例如，附圖不意味著按照比例。而且，該結(jié)構(gòu)的多個(gè)方案表示成具有特殊的形狀；然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將可以理解的是，本發(fā)明不局限于任何特殊形狀的結(jié)構(gòu)。
如上所述，本發(fā)明通常涉及集成電路或者半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，以及圖1示出了和執(zhí)行本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例功能相關(guān)的集成電路10的處理級(jí)的截面。通常，集成電路10可以包括常規(guī)的處理級(jí)，其具有由P+襯底14的p-epi區(qū)域12中N+雜質(zhì)形成的光電二極管N1。下面的處理級(jí)通常具有包括PSG(磷硅酸鹽玻璃)16、中間級(jí)介電層(ILD)20、22、24和金屬級(jí)M1、M2和M3的集成電路處理。上處理層包括氧和氮的最終鈍化層26、30、然后是色彩過(guò)濾級(jí)32、然后是平面層34和微型透鏡36。為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的功能，選擇紅色過(guò)濾器，使得它只對(duì)用于執(zhí)行熔斷器操作的紅色敏感，在下面更具體地解釋。因此，當(dāng)沒(méi)有執(zhí)行熔斷器操作時(shí)，在本發(fā)明中使用的優(yōu)選電路將不對(duì)通常呈現(xiàn)的光敏感。
可以以任何適當(dāng)?shù)姆绞綐?gòu)成結(jié)構(gòu)10。下襯底14可以由任何適當(dāng)?shù)牟牧蠘?gòu)成，例如該襯底可以是體硅襯底。如上所述，層26優(yōu)選由氧化物材料構(gòu)成，并以任何適當(dāng)?shù)姆绞匠练e?？梢酝ㄟ^(guò)提供適當(dāng)?shù)囊r底，并然后注入P型摻雜劑形成P-epi層和注入N型摻雜劑形成半導(dǎo)體區(qū)域12以形成光電二極管N1?？梢允褂萌魏芜m當(dāng)?shù)膿诫s劑形成N區(qū)和P區(qū)；例如，N型摻雜劑可以是磷或者砷離子，以及P型摻雜劑可以是硼離子。而且，可以使用任何適當(dāng)?shù)难谀＜夹g(shù)或者其它適當(dāng)?shù)哪繕?biāo)離子注入工藝，將N和P型摻雜劑注入在區(qū)域12的所需區(qū)域中。
圖2示出了光電二極管擴(kuò)散區(qū)N1，其具有和執(zhí)行本發(fā)明的功能相關(guān)的優(yōu)選電路。例如，光電二極管N1將它上面的入射光設(shè)計(jì)成執(zhí)行熔斷器的操作。晶體管NFET1為光電二極管完成復(fù)位功能。當(dāng)復(fù)位輸入(RST)高時(shí)，NFET1“導(dǎo)通”，以及N1被充電到電壓Vdd。當(dāng)RST變?yōu)榈蜁r(shí)，根據(jù)N1附近的產(chǎn)生-復(fù)合工藝以及入射光的量，擴(kuò)散區(qū)N1上的電壓開(kāi)始隨時(shí)間降低。當(dāng)N1(VPD)兩端的電壓到達(dá)檢測(cè)電平時(shí)，該值是低于Vd2的閾值電壓，晶體管PFET1“導(dǎo)通”，以及晶體管NFET2(Vg)的柵極變?yōu)閂d2，其高于晶體管NFET2的閾值電壓，因此NFET2將“導(dǎo)通”，以及在e-熔斷器進(jìn)行熔斷操作。應(yīng)當(dāng)注意的是，為了清楚，圖2沒(méi)有示出熔斷操作怎樣用好的元件代替壞的電路元件的細(xì)節(jié)，或者一旦封裝芯片被放置在系統(tǒng)中時(shí)ESD保護(hù)器件怎樣和輸入焊盤斷開(kāi)的細(xì)節(jié)。這些細(xì)節(jié)是公知的并且是本領(lǐng)域容易理解的。
圖3中示出了用于熔斷操作的時(shí)序圖的細(xì)節(jié)。用于光電二極管N1、RST的復(fù)位信號(hào)具有WRST的寬度和TRS的周期?？梢砸匀魏芜m當(dāng)?shù)姆绞疆a(chǎn)生RST。例如，可以從像素時(shí)鐘產(chǎn)生RST，其是這樣的時(shí)鐘類型，其中的很多集成芯片用于執(zhí)行芯片的正常像素功能，并且通常具有比RST高的頻率。
參考圖2和3，當(dāng)施加RST時(shí)，通過(guò)NFET1將N1充電到電壓Vdd，以及當(dāng)RST變?yōu)榱銜r(shí)，N1根據(jù)下述的公式開(kāi)始下降C(V)×dV(t)/dt＝-(lgr+IP) (1)其中C(V)是N1的節(jié)點(diǎn)電容，V(t)＝VPD是跨接N1的電壓，lgr是和N1的耗盡層相關(guān)的產(chǎn)生復(fù)合電流，以及IP是光電流。當(dāng)電壓VPD達(dá)到低于Vd2的閾值電壓的檢測(cè)極限時(shí)，PFET1“導(dǎo)通”。PFET1從VPD下降開(kāi)始到導(dǎo)通需要的時(shí)間是TDT。連接到PFET1一側(cè)的電壓Vd2是具有和RST相同頻率的信號(hào)，但是具有Td2的脈寬，并在RST下降時(shí)啟動(dòng)。在PFET1的另一擴(kuò)散端的電壓Vg具有和Vd2相同的頻率，但是從Vd2偏移時(shí)間TDT，并具有TP的脈寬。優(yōu)選，脈寬TP足以通過(guò)晶體管NFET2執(zhí)行熔斷操作，其中通過(guò)Vd1(可編程的偏置)提供的電流IF應(yīng)當(dāng)流動(dòng)TP的持續(xù)時(shí)間。
將使用分級(jí)的節(jié)點(diǎn)討論本發(fā)明的優(yōu)選操作，其中用下述的公式給出節(jié)點(diǎn)電容C(V)C(V)＝APD×(Q×a×εSI2/12)1/3×V(t)-1/3(2)APD是光電二極管N1的面積，Q是1.6021×10-19庫(kù)侖的電子電荷，a是節(jié)點(diǎn)N1處的凈摻雜梯度，以及εSI是1.0448×10-10法拉/m的硅的介電常數(shù)。通過(guò)下述公式給出電流IgrIgr＝[APD×Q×N1/(2×τ)]×W (3)其中N1是在27℃的室溫下等于1.6×1016/m3的本征載流子濃度，τ是在空間放電區(qū)域中的有效壽命，以及W是空間放電寬度，其通過(guò)下述公式給出W＝[12×εSI/(Q×a)]1/3×V(t)1/3(4)通過(guò)下述公式給出光電流IPIP＝I×APD×H (5)
其中I是p-n結(jié)構(gòu)的感光性，以及H是ft.cd.中的照明級(jí)。例如下述的值被賦值為T＝1.6μsec.，a＝3×1029m-4，I＝0.05A/m2·fc，以及APD＝10mil2＝6.25×10-10m2。
將方程(2)、(3)、(4)和(5)代入方程(1)產(chǎn)生下述微分方程{V(t)-2/3×[dV(t)/dt]}+{I×H×[12/(Q×a×εSI)1/3]×V(t)-1/3}+{[NI/(2×τ)]×[144×Q/(a2×εSI)1/3]}＝0(6)對(duì)于方程(6)顯解不存在，但是最好通過(guò)數(shù)字技術(shù)解出方程，其中逐步地增加電壓V(t)，并計(jì)算出相應(yīng)的d(t)。圖4示出了對(duì)于跨接N1的初始電壓Vdd是2.5V的情況，跨接光電二極管N1的電壓V(t)隨時(shí)間變化的方程(6)的解，其中照明級(jí)H作為參數(shù)。圖5示出了檢測(cè)電平VDT是0.5V的情況時(shí)TDT相對(duì)于照明級(jí)的變化，其中初始電壓作為參數(shù)。如上面所給出的，TDT是VPD達(dá)到檢測(cè)電平VDT的時(shí)間，所述檢測(cè)電平VDT是PFET1的一個(gè)閾值電壓、并低于電壓Vd2。
圖5示出了對(duì)于非常低的照明級(jí)，檢測(cè)時(shí)間TDT可以延伸到靠近1秒或更高。并且如所期望的，TDT隨著初始電壓Vdd降低而降低。
和圖2中的晶體管NFET2相關(guān)的e熔斷器可以是任何適當(dāng)?shù)幕蛘叱Ｒ?guī)的e熔斷器，例如，可以具有下述的運(yùn)行條件可編程的電壓Vd13.3V可編程的NFET2的最大電流ION10mA＜ION＜15mA可編程的時(shí)間TP0.2毫秒＝＜TP＜1.5ms本發(fā)明的操作可以是說(shuō)明性的，例如用TP＝0.3ms的值作為操作點(diǎn)。對(duì)于操作點(diǎn)，NFET1的柵極(RST)的輸入電壓VRST高于NFET1的閾值電壓，并設(shè)置為3.3V。初始電壓Vdd可以具有從0.7到3.3V的電壓，以及操作點(diǎn)在2.5V。VPD需要達(dá)到導(dǎo)通PFET1的檢測(cè)電平VDT是0.5V。將Vd2設(shè)置為1.0V(V2)，其是高于VDT的閾值電壓(對(duì)于PFET1＝-0.5V的Vt)。而且，在Vd2＝1.0V時(shí)，在NFET2(V1)柵極的電壓Vg為1.0V，其高于NFET2(0.5V)的Vt。從圖5可知，在0.5V的檢測(cè)電平以及2.5V的初始電壓下，在10ft.cd的照明級(jí)(H)下TDT大約是1.4×10-3秒，以及在100ft.cd.的照明級(jí)時(shí)大約是10-4秒。10ft.cd的照明級(jí)(HM)被認(rèn)為是可以顯示的最強(qiáng)的背景照明，也就是，入射在沒(méi)有啟動(dòng)(執(zhí)行)本發(fā)明所提供的熔斷操作的光電二極管N1上。100ft.cd的入射照明級(jí)(H0)是執(zhí)行本領(lǐng)域所提供的熔斷器操作所需的級(jí)別。還選擇圖1中40所示的過(guò)濾器放置在上述光電二極管N1上，以最小化由于背景光而可能引起的偶然執(zhí)行熔斷器操作的可能性，使得N1只對(duì)紅光具有選擇性。
可以使用在光電二極管N1上施加2秒鐘具有下述公式給出的照明級(jí)(HE)的紅光，來(lái)執(zhí)行用于增大產(chǎn)量(晶片級(jí))或者可靠性(封裝級(jí))的熔斷器操作的實(shí)施，也就是，用良好的冗余元件代替壞的元件HE＝H0×QE (7)其中QE是系統(tǒng)的量子效率，通常大約是0.35。參考圖3，在信號(hào)Vd2的寬度Td2為1.6×10-3秒的情況下，上述的操作條件得到滿足。將信號(hào)RST的周期TRS設(shè)置為1.8毫秒，以及信號(hào)RST的寬度WRST設(shè)置為0.01毫秒。使用圖4和5可以利用不同的操作條件。
圖6示出了本發(fā)明在下述情況中的應(yīng)用，其中為了產(chǎn)量和可靠性，很多熔斷器62、64、66可以替換幾個(gè)故障元件。使用多路輸出選擇器68選擇熔斷器，一次使用一個(gè)來(lái)用冗余元件替換壞的元件。
圖7示出了本發(fā)明的第二個(gè)應(yīng)用。對(duì)于高速I/O，該應(yīng)用使用上述的光學(xué)裝置斷開(kāi)靜電放電裝置(ESD)。例如，高速I/O可以是高性能電路的一部分，例如ASIC，它們置于與光傳感器相同的芯片上。根據(jù)獲得低電阻和低故障電流決定ESD二極管的尺寸，以安全地對(duì)ESD脈沖放電。ESD保護(hù)裝置的目標(biāo)是保持I/O焊盤電壓(Vpad)低于NFET驅(qū)動(dòng)器/PFET驅(qū)動(dòng)器的啟動(dòng)電壓(Vt1)；以及保持柵極節(jié)點(diǎn)的電壓(Vgate)低于接收器的柵極氧化物故障的故障電壓(Vox，bv)。
但是ESD二極管對(duì)I/O焊盤增加了足夠的電容，這反過(guò)來(lái)影響了高速I/O的性能。本發(fā)明的解決方案是在封裝之后斷開(kāi)ESD二極管和I/O焊盤，以消除對(duì)高速I/O的影響。這可以通過(guò)使用ESD放電路徑中適當(dāng)數(shù)量的e熔斷器并在封裝之后使用光學(xué)裝置熔斷它們來(lái)實(shí)現(xiàn)。
本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例具有很多重要的優(yōu)點(diǎn)。例如，可以使用本發(fā)明有效地提供冗余和/或電功能的實(shí)地編程，而在集成電路封裝上不需要額外的銷釘。而且，很多現(xiàn)有的集成電路設(shè)計(jì)包括光傳感器技術(shù)，并且本發(fā)明非常適合組合到這些電路設(shè)計(jì)中。
盡管可以理解的是，可以很好地考慮這里公開(kāi)的本發(fā)明，以實(shí)現(xiàn)上述的目的，但是將可以理解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)出很多變形和實(shí)施例，附帶的權(quán)利要求
將會(huì)覆蓋所有落在本發(fā)明的實(shí)際精神和范圍內(nèi)的變形和實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種在集成電路芯片上執(zhí)行電功能的方法，包括以下步驟通過(guò)光譜選擇外部光啟動(dòng)來(lái)啟動(dòng)芯片中的光電二極管；以及使用所述啟動(dòng)的光電二極管啟動(dòng)所述芯片上的電功能。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1的方法，還包括以下步驟以給定的頻率向所述光電二極管施加復(fù)位信號(hào)，以將所述光電二極管充電到給定的電平，以及其中所述啟動(dòng)步驟包括向所述光電二極管施加所述外部光的步驟，以將跨接所述光電二極管的電壓減小到低于閾值電平。
3.根據(jù)權(quán)利要求
1的方法，其中所述電功能是熔斷操作。
4.根據(jù)權(quán)利要求
1的方法，其中所述電功能是從輸入焊盤斷開(kāi)ESD保護(hù)裝置。
5.根據(jù)權(quán)利要求
1的方法，還包括以下步驟向所述光電二極管施加限定的偏置電壓，以及其中所述啟動(dòng)步驟包括向所述光電二極管施加所述外部光的步驟以克服所述偏置電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求
1的方法，還包括以下步驟過(guò)濾傳導(dǎo)到所述光電二極管上的光，以避免環(huán)境光啟動(dòng)所述光電二極管。
7.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括一組半導(dǎo)體層，其中一個(gè)所述層包括光電二極管；電裝置，用于執(zhí)行所述集成電路中的電功能；以及啟動(dòng)電路，其連接所述光電二極管與所述電裝置；其中使用所述光電二極管的啟動(dòng)，以使得所述電裝置完成所述電功能。
8.根據(jù)權(quán)利要求
7的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述電路包括以給定的頻率將復(fù)位信號(hào)施加給所述光電二極管以將光電二極管充電到給定電平的裝置；以及其中當(dāng)跨接所述光電二極管的電壓降到低于閾值電平時(shí)，啟動(dòng)所述光電二極管以使得所述電裝置完成所述電功能。
9.根據(jù)權(quán)利要求
8的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述啟動(dòng)電路包括位于與所述電裝置串聯(lián)并具有導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)的程序晶體管；以及使用所述光電二極管的啟動(dòng)，以使得所述程序晶體管從關(guān)斷狀態(tài)切換到導(dǎo)通狀態(tài)，以允許電流穿過(guò)所述電裝置，并由此使得所述電裝置完成所述電功能。
10.根據(jù)權(quán)利要求
9的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述電路包括位于串聯(lián)在所述光電二極管和所述程序晶體管之間的閾值晶體管，用于確定所述程序晶體管從關(guān)斷狀態(tài)切換到導(dǎo)通狀態(tài)的電壓電平。
11.根據(jù)權(quán)利要求
7的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述電裝置是熔斷器器件，其結(jié)合用好的電路元件替換不好的電路元件而使用。
12.根據(jù)權(quán)利要求
7的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述電裝置是靜電放電器件，其結(jié)合從輸入焊盤斷開(kāi)ESD保護(hù)器件而使用。
13.一種制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括以下步驟形成一組層以形成集成電路；在所述層的一個(gè)中嵌入光電二極管；以及提供具有電裝置的集成電路，用于實(shí)現(xiàn)電功能；其中使用所述光電二極管的啟動(dòng)，以使得所述電裝置完成所述功能。
14.根據(jù)權(quán)利要求
1的方法，其中所述提供步驟包括在連接所述光電二極管與所述電裝置的集成電路中形成啟動(dòng)電路的步驟。
15.根據(jù)權(quán)利要求
14的方法，其中所述啟動(dòng)電路包括連接到所述光電二極管的復(fù)位裝置，以向所述光電二極管施加限定的電壓。
16.根據(jù)權(quán)利要求
13的方法，其中所述層的另一個(gè)是濾光器，以避免環(huán)境光啟動(dòng)所述光電二極管。
17.根據(jù)權(quán)利要求
13的方法，還包括提供具有透鏡的集成電路的步驟，用于將所選擇的光聚焦到所述光電二極管上，以啟動(dòng)所述光電二極管。
18.根據(jù)權(quán)利要求
13的方法，其中所述層中的一個(gè)是p-epi層；以及所述嵌入步驟包括在所述p-epi層中形成N+阱的步驟，以形成所述光電二極管。
專利摘要
一種實(shí)現(xiàn)例如熔斷操作的電功能的方法、以及相應(yīng)的結(jié)構(gòu)和電路，所述電功能通過(guò)嵌入芯片的光電二極管啟動(dòng)，所述光電二極管通過(guò)光譜選擇的外部光啟動(dòng)。本發(fā)明基于結(jié)合特定強(qiáng)度/波長(zhǎng)特性的入射光與集成電路的附加電路元件，進(jìn)行修補(bǔ)的實(shí)現(xiàn)，也就是用冗余元件代替故障電路元件來(lái)提高產(chǎn)量和/或可靠性。當(dāng)封裝芯片置于系統(tǒng)中時(shí)，還完成將ESD保護(hù)裝置從輸入焊盤斷開(kāi)。在封裝時(shí)不需要額外的銷釘。
文檔編號(hào)H01L23/52GK1992297SQ200610168920
公開(kāi)日2007年7月4日 申請(qǐng)日期2006年11月14日
發(fā)明者W·W·阿巴德?tīng)? R·J·小戈捷, M·J·奧塞爾, K·V·查蒂, J·W·阿基森, J·S·布朗, J·H·蘭基, W·R·通蒂 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan