專利名稱:層壓系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種對(duì)薄膜集成電路進(jìn)行密封的層壓系統(tǒng)。本發(fā)明還涉及一種包括大量密封起來的薄膜集成電路的IC片材。本發(fā)明還涉及一種由大量密封并且卷繞起來的薄膜集成電路形成的卷材。此外，本發(fā)明還涉及一種用于制造其中密封有薄膜集成電路的IC芯片的方法。
背景技術(shù)：
近年來，一種使用形成于玻璃基底上的薄膜集成電路的IC芯片技術(shù)(也被稱作IC標(biāo)簽、ID標(biāo)簽、RF(射頻)標(biāo)簽、無線標(biāo)簽或者電子標(biāo)簽)得到研發(fā)。在這些技術(shù)中，需要在制造完畢之后將形成于玻璃基底上的薄膜集成電路與玻璃基底分離開，其中所述玻璃基底為支撐基底。因此，作為一種用于將已經(jīng)形成于支撐基底上的薄膜集成電路與支撐基底分離開的技術(shù)；例如，存在這樣一種技術(shù)，其中在薄膜集成電路與支撐基底之間設(shè)置一個(gè)含有硅的釋放層，并且該釋放層利用一種含有鹵素氟化物的氣體去除，由此將所述薄膜集成電路與支撐基底分離開(參考文獻(xiàn)1日本專利公告No.8-254686)。
大量的薄膜集成電路被形成在一塊玻璃基底上，并且這些薄膜集成電路在將所述釋放層去除的同時(shí)被單獨(dú)地分離下來。但是，在對(duì)分離下來的薄膜集成電路進(jìn)行單獨(dú)密封的情況下生產(chǎn)效率較低。還有，薄膜集成電路薄而輕，因此難以在沒有損傷或者破壞的條件下對(duì)薄膜集成電路進(jìn)行密封。
發(fā)明概述鑒于前述問題，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提高在對(duì)薄膜集成電路進(jìn)行密封過程中的生產(chǎn)效率，并且防止損失和破壞。
還有，如前所述，薄膜集成電路非常易于被破壞，因此即使在密封步驟之后也需要小心地對(duì)它們進(jìn)行搬運(yùn)，從而使得非常難以在沒有損傷和破壞的條件下對(duì)它們進(jìn)行運(yùn)輸。
因此，本發(fā)明的另外一個(gè)目的在于防止薄膜集成電路在運(yùn)輸過程中遭受損傷，并且使得薄膜集成電路易于搬運(yùn)。
本發(fā)明提供了一種層壓系統(tǒng)，其中使用輥來供給密封用基底、接收IC芯片、分離以及密封。對(duì)形成于一個(gè)基底上的大量薄膜集成電路進(jìn)行分離、密封和接收操作可以通過旋轉(zhuǎn)所述輥來連續(xù)地進(jìn)行；因此，可以極大地提高生產(chǎn)效率。還有，由于使用了相互對(duì)置的輥對(duì)，因此可以輕易地密封所述薄膜集成電路。
一種根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)包括一個(gè)用于傳送帶有至少一個(gè)薄膜集成電路的第一基底的傳送裝置；一個(gè)其上卷繞有第二基底的第一供料輥；一個(gè)通過將所述薄膜集成電路的第一表面附著在第二基底上而將所述薄膜集成電路與第一基底分離開的剝離輥；一個(gè)其上卷繞有待附著在所述薄膜集成電路的第二表面上的第三基底的第二供料輥；一個(gè)將所述薄膜集成電路密封在第二基底與第三基底之間的層壓裝置；以及一個(gè)其上卷繞有密封起來的薄膜集成電路的接收輥，其中所述薄膜集成電路的第一表面與第二表面相對(duì)設(shè)置。
一種根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)包括一個(gè)其上卷繞有第二基底的第一供料輥；一個(gè)通過將形成于第一基底上的至少一個(gè)薄膜集成電路的第一表面附著在第二基底上而將這些薄膜集成電路與第一基底分離開的剝離輥；一個(gè)其上卷繞有待附著在所述薄膜集成電路的第二表面上的第三基底的第二供料輥；一個(gè)將所述薄膜集成電路密封在第二基底與第三基底之間的層壓裝置；以及一個(gè)其上卷繞有密封起來的薄膜集成電路的接收輥，其中所述薄膜集成電路的第一表面與第二表面相對(duì)設(shè)置。
一種根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)包括一個(gè)用于傳送帶有至少一個(gè)薄膜集成電路的第一基底的傳送裝置；一個(gè)其上卷繞有第二基底的第一供料輥；一個(gè)其上卷繞有第三基底的第二供料輥；一個(gè)層壓裝置，通過將所述薄膜集成電路的第一表面附著在第二基底上而將所述薄膜集成電路與第一基底分離開，并且將所述薄膜集成電路密封在第二基底與第三基底之間；以及一個(gè)其上卷繞有密封起來的薄膜集成電路的接收輥，其中所述薄膜集成電路的第一表面與第二表面相對(duì)設(shè)置。
一種根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)包括一個(gè)表面帶有至少一個(gè)薄膜集成電路的第一基底；一個(gè)其上卷繞有第二基底的第一供料輥；一個(gè)固定/移動(dòng)裝置(也被稱作第一基底控制裝置)，用于固定住第一基底從而使得第一基底與第二基底的表面相互對(duì)置，并且移動(dòng)第一基底從而使得所述薄膜集成電路的第一表面附著在第二基底上；一個(gè)通過將所述薄膜集成電路的第一表面附著在第二基底上而將所述薄膜集成電路與第一基底分離開的剝離輥；一個(gè)其上卷繞有待附著在所述薄膜集成電路的第二表面上的第三基底的第二供料輥；一個(gè)將所述薄膜集成電路密封在第二基底與第三基底之間的層壓裝置；以及一個(gè)其上卷繞有密封起來的薄膜集成電路的接收輥，其中所述薄膜集成電路的第一表面與第二表面相對(duì)設(shè)置。
在具有任一種前述結(jié)構(gòu)的層壓結(jié)構(gòu)中，層壓裝置均包括相互對(duì)置的第一輥和第二輥。第一輥和第二輥中的至少一個(gè)具有加熱裝置。所述層壓裝置通過在所述薄膜集成電路經(jīng)過相互對(duì)置的第一輥與第二輥之間的同時(shí)執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種，密封所述薄膜集成電路。
還有，第二基底和第三基底包括層壓薄膜。第二基底的表面包括粘結(jié)表面。第三基底的表面也包括粘結(jié)表面。
還有，本發(fā)明提供了一種IC片材，包括至少一個(gè)密封起來的薄膜集成電路，被制成片材狀以易于搬運(yùn)。一種根據(jù)本發(fā)明的IC片材具有大量密封在第二基底與第三基底之間的薄膜集成電路。
此外，本發(fā)明提供了一種卷材，包括至少一個(gè)密封起來的薄膜集成電路，被卷繞起來以易于搬運(yùn)。一種根據(jù)本發(fā)明的卷材包括卷繞起來的大量密封在第二基底與第三基底之間的薄膜集成電路。
對(duì)于包括前述結(jié)構(gòu)的IC片材或者卷材來說，所述大量薄膜集成電路均具有一個(gè)薄膜晶體管和一個(gè)用作天線的導(dǎo)電薄膜。這些薄膜集成電路規(guī)則排列。還有，第二基底和第三基底均包括層壓薄膜。
一種根據(jù)本發(fā)明用于制造IC芯片的方法，包括下述步驟在具有絕緣表面的第一基底上形成一個(gè)釋放層；在第一基底上形成至少一個(gè)薄膜集成電路；在所述薄膜集成電路的邊界處形成一個(gè)開口，以顯露出所述釋放層的一部分；將一種含有鹵素氟化物的氣體或者液體導(dǎo)入所述開口內(nèi)，來去除所述釋放層；將所述薄膜集成電路的第一表面附著在第二基底上，來將所述薄膜集成電路與第一基底分離開；將所述薄膜集成電路的第二表面附著在第三基底上，從而使得所述薄膜集成電路被密封在第二基底與第三基底之間；其中，所述薄膜集成電路的第一表面和第二表面相對(duì)設(shè)置。
在一種根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)中，其中一個(gè)輥用于供給密封用基底，一個(gè)輥用于卷繞薄膜集成電路，多個(gè)輥用于分離和密封薄膜集成電路，對(duì)大量形成于一個(gè)基底上的薄膜集成電路進(jìn)行分離、密封和接收操作可以連續(xù)執(zhí)行；因此，可以提高生產(chǎn)效率并且可以縮短制造時(shí)間。
還有，一種根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)，其利用相互對(duì)置的輥對(duì)作為層壓裝置(也被稱作密封裝置)來密封薄膜集成電路，可以輕易地密封所述薄膜集成電路。
對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的IC片材和卷材來說，由于薄膜集成電路已經(jīng)被密封起來，因此可以輕易地搬運(yùn)它們，并且防止了所述薄膜集成電路遭受損失和破壞。還有，可以輕易地運(yùn)輸大量的薄膜集成電路。
附圖簡述圖1示出了一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)。
圖2示出了一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)。
圖3示出了一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)。
圖4示出了一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)。
圖5A和5B示出了一種用于制造IC芯片的方法。
圖6A和6B示出了一種用于制造IC芯片的方法。
圖7A和7B示出了一種用于制造IC芯片的方法。
圖8示出了一種用于制造IC芯片的方法。
圖9示出了一個(gè)IC芯片。
圖10A至10E示出了IC芯片的使用模式。
圖11A和11B示出了IC芯片的使用模式。
圖12A和12B示出了一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的輥。
圖13示出了一條根據(jù)本發(fā)明的IC片材。
優(yōu)選實(shí)施方式下面將參照附圖詳細(xì)地對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式和實(shí)施例進(jìn)行描述。但是，本技術(shù)領(lǐng)域：
那些熟練人員顯然明白，本發(fā)明并不局限于下面的描述，而是可以在不脫離本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍的條件下在形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行多種變化。因此，本發(fā)明并不局限于下面對(duì)實(shí)施方式和實(shí)施例的描述。在說明本發(fā)明的過程中，相同的附圖標(biāo)記通常指代相同的組成部件，這些組成部件將在下面給予描述。
實(shí)施方式1本發(fā)明提供了一種層壓系統(tǒng)，其中使用輥來供給密封用基底、接收IC芯片、分離以及密封。下面將參照附圖對(duì)這種層壓系統(tǒng)的主要模式進(jìn)行描述。
一種根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)包括一個(gè)用于傳送帶有大量薄膜集成電路13的第一基底12的傳送裝置11；一個(gè)其上卷繞有第二基底18的第一供料輥14；一個(gè)將薄膜集成電路13與第一基底12分離開的剝離輥16；一個(gè)其上卷繞有第三基底19的第二供料輥15；一個(gè)將薄膜集成電路13密封在第二基底18與第三基底19之間的層壓裝置17；以及一個(gè)其上卷繞有密封起來的薄膜集成電路13的接收輥20(圖1)。
在圖1所示的設(shè)備中，位于由傳送裝置11傳送的第一基底12上的薄膜集成電路13被附著在第二基底18上，以便將薄膜集成電路13與第一基底12分離開，其中第二基底18從第一供料輥14朝向剝離輥16行進(jìn)，。其上附著有薄膜集成電路13的第二基底18沿著層壓裝置17所在方向行進(jìn)。第三基底19從第二供料輥15朝向?qū)訅貉b置17行進(jìn)。在層壓裝置17處，在薄膜集成電路13附著在第三基底19上的同時(shí)執(zhí)行壓力處理和/或加熱處理。最后，被密封在第二基底18與第三基底19之間的薄膜集成電路13沿著接收輥20所在的方向行進(jìn)，以便卷繞在接收輥20上。
按照前述操作，在根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)中，剝離輥16、層壓裝置17以及接收輥20被設(shè)置成使得附著在第二基底18和第三基底19上的薄膜集成電路13依次經(jīng)過它們。剝離輥16和接收輥20沿著相反的方向旋轉(zhuǎn)。第一供料輥14、剝離輥16以及包括于層壓裝置17中的輥21被設(shè)置成使得第二基底18依次經(jīng)過它們。還有，第一供料輥14、剝離輥16以及輥21沿著相同的方向旋轉(zhuǎn)。第二供料輥15和包括于層壓裝置17中的輥22被設(shè)置成使得第三基底19依次經(jīng)過它們。第二供料輥15和輥22沿著相同的方向旋轉(zhuǎn)。
傳送裝置11用于傳送帶有大量薄膜集成電路13的第一基底12。例如，該傳送裝置包括一根傳送帶、大量的輥以及一個(gè)機(jī)械手。機(jī)械手傳送第一基底12本身或者傳送一個(gè)帶有第一基底1的臺(tái)架。傳送裝置11按照第一供料輥13的旋轉(zhuǎn)速度以一個(gè)預(yù)定的速度傳送第一基底12。
第二基底18被卷繞在第一供料輥14上，而第三基底19被卷繞在第二供料輥15上。通過以預(yù)定的速度旋轉(zhuǎn)第一供料輥14而使得第二基底18朝向剝離輥16行進(jìn)。通過以預(yù)定的速度旋轉(zhuǎn)第二供料輥15而使得第三基底19朝向?qū)訅貉b置17行進(jìn)。第一供料輥14和第二供料輥15均呈圓筒形狀，并且由樹脂材料、金屬材料等等制成。
第二基底18和第三基底19均對(duì)應(yīng)于一個(gè)層壓薄膜、一張纖維材料紙張等等。層壓薄膜可以由一種諸如聚丙烯、聚酯、聚乙烯、聚氟乙烯、聚氯乙烯這樣的材料制成，并且可以對(duì)表面進(jìn)行處理，例如壓紋。
對(duì)應(yīng)于第二基底18和第三基底19的層壓薄膜可以由一種諸如聚乙烯和乙烯基-醋酸乙烯酯(ethylene vinyl acetate)這樣的材料制成。表面可以涂敷二氧化硅(石英)粉末。所述涂層即使在高溫高濕氛圍中也保持防水。
第二基底18的表面和/或第三基底19的表面可以具有粘結(jié)表面。該粘結(jié)表面涂敷有一種粘結(jié)劑，比如熱固性樹脂、紫外線固化樹脂、環(huán)氧基粘結(jié)劑或者樹脂添加劑。
第二基底18和/或第三基底19可以具有透光性能。還有，第二基底18和/或第三基底19可以在表面上涂敷一種導(dǎo)電材料，以便防止在第二基底18和/或第三基底19中待密封的薄膜集成電路帶上靜電。
第二基底18和/或第三基底19可以涂敷一種導(dǎo)電材料，比如涂敷含有碳的薄膜作為主要組成部件(金剛石狀碳膜)或者涂敷氧化銦錫(ITO)作為防護(hù)膜。
剝離輥16用于將薄膜集成電路13的第一表面附著在第二基底18的表面上，以便將薄膜集成電路13與第一基底12分離開。當(dāng)剝離輥16旋轉(zhuǎn)時(shí)，薄膜集成電路13被附著在第二基底18上；由此，薄膜集成電路13與第一基底12分離開。因此，剝離輥16與第一基底12上設(shè)置有薄膜集成電路13的側(cè)面對(duì)置。
根據(jù)前述結(jié)構(gòu)，第一基底12在傳送裝置11的作用下移動(dòng)，而剝離輥16固定不動(dòng)；但是，本發(fā)明并不局限于此。第一基底12可以固定不動(dòng)，而剝離輥16可以移動(dòng)，從而使得薄膜集成電路13與第一基底12分離開。剝離輥16呈圓筒形狀，并且由一種樹脂材料、金屬材料等等制成。優(yōu)選的是，剝離輥16由一種柔軟材料制成。
當(dāng)?shù)谝槐砻娓街诘诙?8上的薄膜集成電路13抵達(dá)層壓裝置17時(shí)，該層壓裝置17在使得第三基底19附著在薄膜集成電路13的第二表面上的同時(shí)，將薄膜集成電路13密封在第二基底18與第三基底19之間。
層壓裝置17包括相互對(duì)置的輥21和輥22。薄膜集成電路13的第二表面被附著在從第二供料輥15朝向輥22行進(jìn)的第三基底19上，并且在第三基底19經(jīng)過輥21與輥22之間的同時(shí)利用輥21和輥22執(zhí)行壓力處理和/或加熱處理。通過前述步驟，薄膜集成電路13被密封在第二基底18與第三基底19之間。
構(gòu)成層壓裝置17的輥21和/或輥22包括加熱裝置。這種加熱裝置例如對(duì)應(yīng)于一種諸如電熱絲或者油這樣的加熱介質(zhì)。在不利用輥21和輥22執(zhí)行加熱處理的情況下，輥21和輥22不必具有加熱裝置。
輥21和輥22按照剝離輥16和第二供料輥15的旋轉(zhuǎn)速度以一個(gè)預(yù)定的速度旋轉(zhuǎn)。輥21和輥22均呈圓筒形狀，并且由一種樹脂材料、金屬材料等等制成，優(yōu)選的是由一種柔軟材料制成。
接收輥20是一個(gè)用于通過卷繞由第二基底18和第三基底19密封起來的薄膜集成電路13來接收這些薄膜集成電路13的輥。接收輥20按照輥21和輥22的旋轉(zhuǎn)速度以一個(gè)預(yù)定的速度旋轉(zhuǎn)。接收輥20呈圓筒形狀，并且由一種樹脂材料、金屬材料等等制成，優(yōu)選的是由一種柔軟材料制成。
利用根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)，第一供料輥14、第二供料輥15、剝離輥16、輥21和22、以及接收輥20發(fā)生旋轉(zhuǎn)；由此，可以依次剝離、密封以及接收第一基底12上的大量薄膜集成電路13。因此，根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)可以提供較高的生產(chǎn)率和制造效率。
接下來，將參照?qǐng)D2對(duì)一種具有與前述層壓系統(tǒng)不同結(jié)構(gòu)的層壓系統(tǒng)進(jìn)行描述。
一種根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)包括一個(gè)用于傳送帶有大量薄膜集成電路13的第一基底12的傳送裝置11；一個(gè)其上卷繞有第二基底18的第一供料輥14；一個(gè)其上卷繞有第三基底19的第二供料輥15；一個(gè)層壓裝置17，用于使得薄膜集成電路13與第一基底12分離開，并且利用第二基底18和第三基底19密封薄膜集成電路13；以及一個(gè)其上卷繞有大量密封起來的薄膜集成電路13的接收輥20(圖2)。
這種結(jié)構(gòu)具有這樣一個(gè)特征，即設(shè)置一個(gè)與剝離輥16對(duì)置的輥32，并且層壓裝置37由剝離輥16和輥32構(gòu)成。換句話說，剝離輥16也用作層壓裝置37。剝離輥16和/或輥32具有加熱裝置。
在圖2所示的系統(tǒng)中，薄膜集成電路13的第一表面在剝離輥16的作用下附著在第二基底18上，以便將薄膜集成電路13與第一基底12分離開，同時(shí)薄膜集成電路13在輥32的作用下附著在第三基底19上。還有，在薄膜集成電路13經(jīng)過剝離輥16與輥32之間的同時(shí)，通過執(zhí)行壓力處理和/或加熱處理將薄膜集成電路13密封在第二基底18與第三基底19之間。
因此，在根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)中，包括剝離輥16的層壓裝置37和接收輥20被設(shè)置成使得附著在第二基底18和第三基底19上的薄膜集成電路13依次經(jīng)過它們。剝離輥16和接收輥20沿著相反的方向旋轉(zhuǎn)。第一供料輥14和包括于層壓裝置37中的剝離輥16被設(shè)置成使得第二基底18依次經(jīng)過它們。第一供料輥14和剝離輥16沿著相同的方向旋轉(zhuǎn)。第二供料輥15和包括于層壓裝置37中的輥32被設(shè)置成使得第三基底19依次經(jīng)過它們。第二供料輥15和輥32沿著相同的方向旋轉(zhuǎn)。
例如根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)，第一供料輥14、第二供料輥15、剝離輥16、輥32以及接收輥20發(fā)生旋轉(zhuǎn)；由此，可以依次剝離、密封以及接收第一基底12上的大量薄膜集成電路13。因此，根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)可以提供較高的生產(chǎn)率和制造效率。
接下來，將參照?qǐng)D3對(duì)一種具有與前述層壓系統(tǒng)不同結(jié)構(gòu)的層壓系統(tǒng)進(jìn)行描述。
一種根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)包括一個(gè)用于固定和移動(dòng)第一基底12的固定/移動(dòng)裝置33(也被稱作第一基底控制裝置)；一個(gè)將薄膜集成電路13與第一基底12的表面分離開的剝離輥36；一個(gè)其上卷繞有第二基底18的第一供料輥14；一個(gè)其上卷繞有第三基底19的第二供料輥15；一個(gè)利用第二基底18和第三基底19密封薄膜集成電路13的層壓裝置17；以及一個(gè)其上卷繞有密封起來的薄膜集成電路13的接收輥20(圖3)。還有，除了前述組成部件之外，還包括有傳送裝置34和35。在圖3中示出的結(jié)構(gòu)具有在圖1中所示結(jié)構(gòu)的倒置結(jié)構(gòu)，并且還新穎地帶有一個(gè)固定/移動(dòng)裝置33以及傳送裝置34和35。
在這種系統(tǒng)中，由固定/移動(dòng)裝置33移動(dòng)的第一基底12上的薄膜集成電路13被附著在從第一供料輥14朝向傳送裝置34行進(jìn)的第二基底18上。利用包括于傳送裝置34中的剝離裝置36，薄膜集成電路13與第一基底12分離開。還有，其上附著有薄膜集成電路13的第二基底18朝向?qū)訅貉b置17行進(jìn)。第三基底19從第二供料輥15朝向?qū)訅貉b置17行進(jìn)。在層壓裝置17處，在薄膜集成電路13被附著在第三基底19上的同時(shí)，執(zhí)行壓力處理和/或加熱處理。最后，密封在第二基底18與第三基底19之間的薄膜集成電路13朝向接收輥20行進(jìn)，以便卷繞在接收輥20上。
因此，在根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)中，剝離裝置36、包括于層壓裝置17中的輥21、接收輥20被設(shè)置成使得附著在第二基底18和第三基底19上的薄膜集成電路13依次經(jīng)過它們。剝離裝置36和接收輥20沿著相反的方向旋轉(zhuǎn)。第一供料輥14、傳送裝置34以及包括于層壓裝置17中的輥21被設(shè)置成使得第二基底18依次經(jīng)過它們。第一供料輥14和輥21沿著相同的方向旋轉(zhuǎn)。第二供料輥14和包括于層壓裝置17中的輥22被設(shè)置成使得第三基底19依次經(jīng)過它們。第二供料輥15和輥22沿著相同的方向旋轉(zhuǎn)。
固定/移動(dòng)裝置33具有一種將第一基底20固定住的功能，以便使得第一基底12上設(shè)置有薄膜集成電路13的表面(在下文中稱作第一基底12的第一表面)與第二基底18對(duì)置，以及一種使得第一基底12移動(dòng)的功能，以便使得位于第一基底12第一表面上的薄膜集成電路13附著在第二基底18上。第一基底12利用一種真空吸附方式或者類似方式移動(dòng)。第一基底12通過移動(dòng)固定/移動(dòng)裝置33得以移動(dòng)。
固定/移動(dòng)裝置33可以如附圖中所示一個(gè)接一個(gè)地對(duì)第一基底12進(jìn)行處理，并且可以呈諸如圓筒或者棱柱這樣的多面體形狀。在利用呈圓筒或者棱柱形狀的固定/移動(dòng)裝置的情況下，第一基底12被固定在其側(cè)表面上，并且第一基底12通過旋轉(zhuǎn)所述圓筒或者棱柱得以移動(dòng)。
傳送裝置34對(duì)第二基底18以及帶有大量薄膜集成電路13的第一基底12進(jìn)行傳送。設(shè)置在傳送裝置34端部上的剝離裝置36將薄膜集成電路13的第一表面附著在第二基底18上，來將薄膜集成電路13與第一基底12的第一表面分離開。在附圖所示的結(jié)構(gòu)中，剝離裝置36對(duì)應(yīng)于一個(gè)輥。傳送裝置35對(duì)剝除了薄膜集成電路13的第一基底12進(jìn)行傳送。
在薄膜集成電路13與第一基底12分離開之后，第三基底19在層壓裝置17的作用下附著在薄膜集成電路13的第二表面上，同時(shí)薄膜集成電路13如同利用圖1中所示層壓系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)那樣密封在第二基底18與第三基底19之間，其中所述第二表面與薄膜集成電路13的第一表面相對(duì)。接著，薄膜集成電路13被接收輥20接收。
利用根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)，傳送裝置34和35、第一供料輥14、第二供料輥15、輥21和22、以及接收輥20發(fā)生旋轉(zhuǎn)；由此，可以依次剝離、密封以及接收第一基底12上的大量薄膜集成電路13。因此，根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)可以提供較高的生產(chǎn)率和制造效率。
接下來，將參照?qǐng)D4對(duì)層壓系統(tǒng)的通用結(jié)構(gòu)進(jìn)行描述。在這里，將描述一種具有圖1中所示結(jié)構(gòu)的層壓系統(tǒng)的通用結(jié)構(gòu)。
箱子23是一個(gè)用于供給基底的箱子，并且一種帶有大量薄膜集成電路13的第一基底12被設(shè)置于其中。箱子24是一個(gè)用于接收基底的箱子，并且第一基底12將被置于其中。在箱子23與箱子24之間，設(shè)置有多個(gè)輥25至27作為傳送裝置。當(dāng)輥25至27發(fā)生旋轉(zhuǎn)時(shí)，第一基底12得以傳送。此后，薄膜集成電路13被剝離和密封起來，并且利用切割裝置28對(duì)密封起來的薄膜集成電路13進(jìn)行切割。切割裝置28可以使用一種切割成片系統(tǒng)、劃線系統(tǒng)、激光輻射設(shè)備(尤其是一種CO2激光輻射設(shè)備)或者類似設(shè)備。密封起來的薄膜集成電路13通過前述步驟得以制造完畢。
在圖1至4所示的結(jié)構(gòu)中，設(shè)置在第一基底12上的薄膜集成電路13包括一個(gè)由大量元件形成的元件組(an element group)和一個(gè)用作天線的導(dǎo)電層。但是，本發(fā)明并不局限于此。
設(shè)置在第一基底12上的薄膜集成電路13可以僅包括一個(gè)元件組。一個(gè)用作天線的導(dǎo)電層被附著在第二基底18或者第三基底19上，并且在將薄膜集成電路13附著到第二基底18或者第三基底19上的過程中，包括于薄膜集成電路13中的大量元件可以被連接在所述導(dǎo)電層上。
實(shí)施方式2
下面將對(duì)一種根據(jù)本發(fā)明的IC片材結(jié)構(gòu)(也稱作IC薄膜、片狀元件以及膜狀元件)進(jìn)行描述。根據(jù)本發(fā)明的IC片材是指從兩個(gè)表面附著在大量薄膜集成電路13中每一個(gè)上的第二基底18和第三基底19，它們被卷繞成輥狀(參見圖13中的IC片材橫剖視圖)。大量薄膜集成電路13中的每一個(gè)均具有大量的元件和一個(gè)用作天線的導(dǎo)電層。各個(gè)薄膜集成電路13均規(guī)則排列。
如前所述，包括大量利用一對(duì)密封用基底密封起來的薄膜集成電路13的薄片狀I(lǐng)C片材，易于運(yùn)輸。尤其是，在運(yùn)輸大批量的薄膜集成電路13時(shí)更為有益。還有，當(dāng)相互被切開時(shí)，大量的薄膜集成電路13將難以搬運(yùn)；但是由本發(fā)明形成的IC片材呈薄片形狀，從而使得易于搬運(yùn)，并且可以防止薄膜集成電路13遭受破壞和損傷。
實(shí)施方式3下面將對(duì)一種根據(jù)本發(fā)明的卷材結(jié)構(gòu)(也稱作卷繞元件、卷體或者類似名稱)進(jìn)行描述。根據(jù)本發(fā)明的卷材由基底卷繞而成，更具體地說，由密封大量薄膜集成電路13中每一個(gè)的第二基底18和第三基底19卷繞成卷狀(參見圖12A中所示卷材的橫剖視圖和圖12B中所示卷材的透視圖)。大量薄膜集成電路13中的每一個(gè)均具有大量的元件和一個(gè)用作天線的導(dǎo)電薄膜。這些薄膜集成電路13均規(guī)則排列。
如前所述，由大量利用一對(duì)基底密封起來的薄膜集成電路13卷繞而成的卷材，可以輕易運(yùn)輸。尤其是，在運(yùn)輸大批量的薄膜集成電路13時(shí)更為有益。還有，當(dāng)相互被切開時(shí)，大量的薄膜集成電路13將難以搬運(yùn)；但是由本發(fā)明提供的卷材被卷繞起來，從而使得易于搬運(yùn)，并且可以防止薄膜集成電路13遭受破壞和損傷。
實(shí)施方式4下面將參照附圖對(duì)一種根據(jù)本發(fā)明用于制造IC芯片的方法進(jìn)行描述。
首先，在具有絕緣表面的第一基底100上形成釋放層101至103(圖5A)。具有絕緣表面的第一基底100對(duì)應(yīng)于剝離基底、石英基底、塑料基底、由諸如丙烯酸樹脂這樣的柔性合成材料制成的樹脂基底、金屬基底或者硅基底。需要注意的是，在使用硅基底的情況下，無需設(shè)置釋放層。
釋放層101至103是含硅層，它們利用濺射、等離子體CVD或者類似技術(shù)形成。含硅層對(duì)應(yīng)于非晶形半導(dǎo)體層、其中混雜有非晶狀態(tài)和結(jié)晶狀態(tài)的半非晶形半導(dǎo)體層或者結(jié)晶半導(dǎo)體層。
釋放層101至103均由一個(gè)選自于下述元素的元素層制成鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、鋅(Zn)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)、硅(Si)、合金材料或者含有元素作為主要成分的合成材料，它們利用已知方法(比如濺射或者等離子體CVD技術(shù))制成。所述釋放層均可以具有單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)。
釋放層101至103被選擇性地形成于第一基底100上。其俯視圖在圖8中示出。圖5A和5B均示出了沿著圖8中的線A-B的橫剖視圖。這種選擇性形成依次實(shí)施，以防止在將釋放層101至103去除之后大量設(shè)置于釋放層101至103上的薄膜集成電路112、118和119發(fā)生彌散。
接下來，在釋放層101至103上形成一個(gè)絕緣底膜104。接下來，在絕緣層104上形成一個(gè)元件組105。元件組105包括一個(gè)薄膜晶體管、一個(gè)電容、一個(gè)電阻、一個(gè)二極管或者大量的對(duì)應(yīng)元件。接下來，形成一個(gè)絕緣膜108來覆蓋住元件組105，并且在絕緣膜108上形成一個(gè)絕緣膜109。在絕緣膜109上形成一個(gè)用作天線的導(dǎo)電層110。還有，在導(dǎo)電層110上形成一個(gè)用作防護(hù)膜的絕緣膜111。通過前述步驟，包括元件組105和導(dǎo)電層110的薄膜集成電路112、118和119得以制造完畢。
絕緣膜108、109和111均由一種有機(jī)材料或者無機(jī)材料制成。聚酰亞胺、丙烯酸樹脂、聚酰胺、硅氧烷、環(huán)氧樹脂或者類似材料可以被用作有機(jī)材料。包括由硅(Si)-氧(O)鍵形成的骨架的硅氧烷和包含氫的有機(jī)基團(tuán)(例如烷基團(tuán)或者芳香烴)、含氟基團(tuán)或者含有氫和氟基團(tuán)的有機(jī)基團(tuán)用作替代物。氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅(silicon nitride oxide)或者類似材料被用作無機(jī)材料。
取代選擇性地形成釋放層101至103，絕緣膜111可以具有較大的厚度，用于防止薄膜集成電路112、118和119發(fā)生分散。當(dāng)絕緣膜111的厚度超過正常值時(shí)，由于絕緣膜111的重量，可以防止薄膜集成電路112、118和119發(fā)生分散。
接下來，分別在薄膜集成電路112、118和119之間形成開口114至117，以便顯露出釋放層101至103(圖5B)。開口114至117通過利用掩模進(jìn)行蝕刻、切割成片等等工藝形成。
接著，將一種用于去除釋放層101至103的蝕刻劑導(dǎo)入開口114至117內(nèi)，來使得它們逐步縮減，由此將釋放層101至103去除(圖6A)。一種含有鹵素氟化物的氣體或者液體被用作蝕刻劑。例如，三氟化氯(ClF3)被用作一種鹵素氟化物。
替代性地，三氟化氮(NF3)、三氟化溴(BrF3)或者氟化氫(HF)可以被用作一種鹵素氟化物。需要注意的是，在形成一個(gè)含硅層作為釋放層的情況下使用氟化氫。
還有，如前所述，由于釋放層101至103在這里選擇地形成；因此，在將釋放層101至103去除之后，絕緣膜104的一部分與第一基底100接觸。因此，可以防止薄膜集成電路112、118和119發(fā)生分散。
接下來，將薄膜集成電路112、118和119中每一個(gè)的第一表面附著在一個(gè)第二基底121。相應(yīng)地，薄膜集成電路112、118和119與第一基底100分離開。
在前述步驟中，一部分絕緣膜104殘留在第一基底100上；但是，本發(fā)明并不局限于此。在第一基底100與絕緣膜104之間粘結(jié)力較低的情況下，絕緣膜104將通過實(shí)施前述步驟完全與第一基底100分離開。
接下來，薄膜集成電路112、118和119的第二表面被附著在一個(gè)第三基底122上，并且薄膜集成電路112、118和119被密封在第二基底121與第三基底122之間(圖6B)。由此，利用第二基底121和第三基底122將薄膜集成電路112、118和119密封起來。
在相應(yīng)薄膜集成電路112、118和119之間，利用切割成片、劃線或者激光切割工藝對(duì)第二基底121和第三基底122中每一個(gè)的一部分進(jìn)行切割。由此，一種密封起來的IC芯片得以制造完畢(圖7A和7B)。
通過前述步驟密封起來的IC芯片的尺寸為5毫米×5毫米(25mm2)或者更小，優(yōu)選的是0.3毫米×0.3毫米(0.09mm2)至4毫米×4毫米(16mm2)。
由于根據(jù)本發(fā)明在無需使用硅基底的條件下將形成于絕緣基底上的薄膜集成電路用于IC芯片，因此與由圓形硅晶片制取的芯片相比，這種IC芯片對(duì)母基底形狀的限制較少。這樣就提高了IC芯片的生產(chǎn)率，并且能夠大批量生產(chǎn)這種IC芯片。因此，可以降低IC芯片的成本。還有，根據(jù)本發(fā)明，厚度為0.2微米或者更薄的半導(dǎo)體膜被用于IC芯片，一般為40納米至170納米，優(yōu)選的是50納米至150納米，因此與由硅基底制取的芯片相比，這種IC芯片非常薄。由此，即使當(dāng)施用在物品上時(shí)，也難以注意到薄膜集成電路的存在，這樣能夠防止偽造。還有，與由硅基底制取的IC芯片相比，根據(jù)本發(fā)明的IC芯片可以在沒有電磁波吸收的條件下以較高敏感度接收信號(hào)。在不使用硅基底的情況下，薄膜集成電路可以具有透光性能。因此，根據(jù)本發(fā)明的IC芯片可以施用在各種物品上，例如可以在不損壞圖案的條件下安置于印刷表面上。本實(shí)施方式可以自由地與任一前述實(shí)施方式自由組合。
實(shí)施例1利用根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)制成的IC芯片包括大量的元件，和一個(gè)用作天線的導(dǎo)電層。所述大量元件例如對(duì)應(yīng)于薄膜晶體管、電容、電阻和二極管。
IC芯片210具有一種在不發(fā)生接觸的條件下傳送數(shù)據(jù)的功能，并且構(gòu)成了各種電路。例如，設(shè)置有電源電路211、時(shí)鐘脈沖發(fā)生電路212、數(shù)據(jù)解調(diào)/調(diào)制電路213、控制電路214(例如對(duì)應(yīng)于CPU或者M(jìn)PU)、接口電路215、存儲(chǔ)器216、數(shù)據(jù)總線217、天線(也被稱作天線線圈)218以及類似電路(圖9)。
電源電路211是一個(gè)基于從天線218輸入的AC信號(hào)產(chǎn)生出即將供給前述相應(yīng)電路的各種能源的電路。時(shí)鐘脈沖發(fā)生電路212是一個(gè)用來基于從天線218輸入的AC信號(hào)產(chǎn)生出各種即將供給前述相應(yīng)電路的時(shí)鐘脈沖的電路。解調(diào)/調(diào)制電路213具有一種對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行解調(diào)/調(diào)制來與讀取器/記錄器219交互數(shù)據(jù)的功能。控制電路214例如對(duì)應(yīng)于中央處理器(CPU)、微處理器(MPU)或者類似器件，并且具有一種對(duì)其它電路進(jìn)行控制的功能。天線218具有一種發(fā)射和接收電磁波的功能。讀取器/記錄器219對(duì)處理過程進(jìn)行控制，這些處理涉及與薄膜集成電路進(jìn)行通訊、對(duì)薄膜集成電路進(jìn)行控制以及薄膜集成電路中的數(shù)據(jù)。
由薄膜集成電路構(gòu)成的電路的結(jié)構(gòu)并不局限于前述結(jié)構(gòu)。例如，可以使用一種帶有其它組成部件的結(jié)構(gòu)，比如用于源電壓的限幅電路或者專用于進(jìn)行加密處理的硬件。
實(shí)施例2利用根據(jù)本發(fā)明的層壓系統(tǒng)制得的IC芯片得以廣泛使用。例如，IC芯片210可以被應(yīng)用在紙幣、硬幣、有價(jià)證券、不記名債券、證書(比如駕駛員執(zhí)照、居民身份證(圖10A)、外包裝(比如包裹材料或者瓶子(圖10B))、存儲(chǔ)介質(zhì)(比如DVD、錄像帶(圖10C))、車輛(比如自行車(圖10D))、財(cái)物(比如包、眼鏡(圖10E))、食品、衣物、商品、以及電子產(chǎn)品。電子產(chǎn)品包括液晶顯示設(shè)備、EL顯示設(shè)備、電視設(shè)備(也稱作電視機(jī)(TV)或者電視接收機(jī))、以及蜂窩電話。
IC芯片通過將其附著在物品的表面上、包埋在物品中或者類似處理而固定在物品上。例如，IC芯片可以被包埋在書本的紙張中，或者包埋在由有機(jī)樹脂制成的包裝件的有機(jī)樹脂中。紙幣、硬幣、有價(jià)證券、不記名債券、證書或者類似物品可以帶有一個(gè)IC芯片，從而防止偽造。還有，外包裝、存儲(chǔ)介質(zhì)、財(cái)物、食品、商品以及電子設(shè)備可以帶有IC芯片，從而可以提高檢查系統(tǒng)、用于出租商店的系統(tǒng)以及類似系統(tǒng)的效率。車輛可以帶有IC芯片，從而可以防止偽造或者盜搶。
還有，IC芯片可以被應(yīng)用于商品管理和商品銷售系統(tǒng)，從而可以改善系統(tǒng)的功能性。例如，包括顯示區(qū)域294的便攜式終端的側(cè)表面帶有一個(gè)讀取器/記錄器295，并且物品297的側(cè)表面帶有一個(gè)IC芯片296(圖11A)。在這種情況下，當(dāng)IC芯片296被讀取器/記錄器295感知到時(shí)，物品297的信息，比如原材料、原產(chǎn)地、銷售歷史或者類似信息，會(huì)顯示在顯示區(qū)域294上。替代性地，可以在傳送帶的側(cè)面上設(shè)置一個(gè)讀取器/記錄器305(圖11B)。在這種情況下，可以利用設(shè)置在物品297側(cè)表面上的IC芯片306輕易地對(duì)物品397進(jìn)行檢查。
權(quán)利要求
1.一種層壓系統(tǒng)，包括帶有至少一個(gè)薄膜集成電路的第一基底；其上卷繞有第二基底的第一供料輥；剝離輥；其上卷繞有第三基底的第二供料輥；以及包括第一輥和第二輥的密封裝置，其中，所述第一輥與第二輥相互對(duì)置；通過旋轉(zhuǎn)所述第一供料輥，第二基底被供送至剝離輥；通過旋轉(zhuǎn)所述剝離輥，第一基底上的薄膜集成電路的第一表面被附著在第二基底上；通過旋轉(zhuǎn)所述第二供料輥，第三基底被供送至第二輥；通過旋轉(zhuǎn)所述第一輥和第二輥，與所述第一表面相反的薄膜集成電路的第二表面被附著在第三基底上；并且通過在所述薄膜集成電路經(jīng)過第一輥與第二輥之間的同時(shí)執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種，所述薄膜集成電路被密封在第二基底與第三基底之間。
2.一種層壓系統(tǒng)，包括用于傳送帶有至少一個(gè)薄膜集成電路的第一基底的傳送裝置；其上卷繞有第二基底的第一供料輥；剝離輥；其上卷繞有第三基底的第二供料輥；包括第一輥和第二輥的密封裝置；以及接收輥，其中，所述傳送裝置與剝離輥相互對(duì)置；所述第一輥與第二輥相互對(duì)置；通過旋轉(zhuǎn)所述第一供料輥，第二基底被供送至剝離輥；通過在利用所述傳送裝置傳送第一基底的同時(shí)旋轉(zhuǎn)所述剝離輥，第一基底上的薄膜集成電路的第一表面被附著在第二基底上；通過旋轉(zhuǎn)所述第二供料輥，第三基底被供送至第二輥；通過旋轉(zhuǎn)所述第一輥和第二輥，與所述第一表面相反的薄膜集成電路的第二表面被附著在第三基底上；通過在所述薄膜集成電路經(jīng)過第一輥與第二輥之間的同時(shí)執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種，所述薄膜集成電路被密封在第二基底與第三基底之間；并且通過旋轉(zhuǎn)所述接收輥，被密封在第二基底與第三基底之間的薄膜集成電路被卷繞起來。
3.一種層壓系統(tǒng)，包括帶有至少一個(gè)薄膜集成電路的第一基底；其上卷繞有第二基底的第一供料輥；其上卷繞有第三基底的第二供料輥；以及包括第一輥和第二輥的密封裝置，其中，所述第一輥與第二輥相互對(duì)置；通過旋轉(zhuǎn)所述第一供料輥，第二基底被供送至第一輥；通過旋轉(zhuǎn)所述第二供料輥，第三基底被供送至第二輥；旋轉(zhuǎn)所述第一輥和第二輥，以便將第一基底上的薄膜集成電路的第一表面附著在第二基底，和將與所述第一表面相反的薄膜集成電路的第二表面附著在第三基底上；并且通過在所述薄膜集成電路經(jīng)過第一輥與第二輥之間的同時(shí)執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種，所述薄膜集成電路被密封在第二基底與第三基底之間。
4.一種層壓系統(tǒng)，包括用于傳送帶有至少一個(gè)薄膜集成電路的第一基底的傳送裝置；其上卷繞有第二基底的第一供料輥；其上卷繞有第三基底的第二供料輥；包括第一輥和第二輥的密封裝置；以及接收輥，其中，所述傳送裝置與密封裝置相互對(duì)置；所述第一輥與第二輥相互對(duì)置；通過旋轉(zhuǎn)所述第一供料輥，第二基底被供送至第一輥；通過旋轉(zhuǎn)所述第二供料輥，第三基底被供送至第二輥；通過在利用所述傳送裝置傳送第一基底的同時(shí)旋轉(zhuǎn)所述第一輥，第一基底上的薄膜集成電路的第一表面被附著在第二基底上；旋轉(zhuǎn)所述第一輥和第二輥，與所述第一表面相反的薄膜集成電路的第二表面被附著在第三基底上；并且通過在所述薄膜集成電路經(jīng)過第一輥與第二輥之間的同時(shí)執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種，所述薄膜集成電路被密封在第二基底與第三基底之間；并且通過旋轉(zhuǎn)所述接收輥，被密封在第二基底與第三基底之間的薄膜集成電路被卷繞起來。
5.一種層壓系統(tǒng)，包括第一基底，包括一個(gè)帶有至少一個(gè)薄膜集成電路的第一表面；用以固定和移動(dòng)所述第一基底的第一基底控制裝置；用以傳送所述第一基底的傳送裝置；其上卷繞有第二基底的第一供料輥；其上卷繞有第三基底的第二供料輥；包括第一輥和第二輥的密封裝置；以及接收輥，其中，所述第一輥和第二輥相互對(duì)置；利用所述第一基底控制裝置，第一基底被固定成與第二基底對(duì)置，并且發(fā)生移動(dòng)使得所述薄膜集成電路的第一表面附著在第二基底上；其中具有所述傳送裝置的剝離輥在利用所述傳送裝置傳送第一基底的同時(shí)發(fā)生旋轉(zhuǎn)，以便使得所述薄膜集成電路與第一基底的第一表面分離開，和將其上附著有所述薄膜集成電路的第一表面的第二基底供送至密封裝置；通過旋轉(zhuǎn)所述第二供料輥，第三基底被供送至第二輥；通過旋轉(zhuǎn)所述第一輥和第二輥，與所述第一表面相反的薄膜集成電路的第二表面被附著在第三基底上；通過在所述薄膜集成電路經(jīng)過第一輥與第二輥之間的同時(shí)執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種，所述薄膜集成電路被密封在第二基底與第三基底之間；并且通過旋轉(zhuǎn)所述接收輥，被密封在第二基底與第三基底之間的薄膜集成電路被卷繞起來。
6.一種層壓系統(tǒng)，包括帶有至少一個(gè)薄膜集成電路的第一基底；其上卷繞有第二基底的第一供料輥；剝離輥，通過將所述第一基底上的薄膜集成電路的第一表面附著在第二基底上而使得所述薄膜集成電路與第一基底分離開；第二供料輥，其上卷繞有即將附著在所述薄膜集成電路的第二表面上的第三基底；以及密封裝置，通過執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種將所述薄膜集成電路密封在第二基底與第三基底之間，其中，所述密封裝置包括相互對(duì)置的第一輥和第二輥；并且所述薄膜集成電路的第一表面和第二表面相對(duì)設(shè)置。
7.一種層壓系統(tǒng)，包括帶有至少一個(gè)薄膜集成電路的第一基底；用于傳送所述第一基底的傳送裝置；其上卷繞有第二基底的第一供料輥；剝離輥，通過將所述第一基底上的薄膜集成電路的第一表面附著在第二基底上而使得所述薄膜集成電路與第一基底分離開；第二供料輥，其上卷繞有即將附著在所述薄膜集成電路的第二表面上的第三基底；密封裝置，通過執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種將所述薄膜集成電路密封在第二基底與第三基底之間，以及接收輥，其上卷繞有被連在所述第二基底與第三基底之間的薄膜集成電路，其中，所述傳送裝置與剝離輥相互對(duì)置；所述密封裝置包括相互對(duì)置的第一輥和第二輥；并且所述薄膜集成電路的第一表面和第二表面相對(duì)設(shè)置。
8.一種層壓系統(tǒng)，包括帶有至少一個(gè)薄膜集成電路的第一基底；第一供料輥，其上卷繞有即將附著在所述薄膜集成電路的第一表面上的第二基底；第二供料輥，其上卷繞有即將附著在所述薄膜集成電路的第二表面上的第三基底；以及密封裝置，通過執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種將所述薄膜集成電路密封在第二基底與第三基底之間，其中，所述密封裝置包括相互對(duì)置的第一輥和第二輥；并且所述薄膜集成電路的第一表面和第二表面相對(duì)設(shè)置。
9.一種層壓系統(tǒng)，包括帶有至少一個(gè)薄膜集成電路的第一基底；用于傳送所述第一基底的傳送裝置；第一供料輥，其上卷繞有即將附著在所述薄膜集成電路的第一表面上的第二基底；第二供料輥，其上卷繞有即將附著在所述薄膜集成電路的第二表面上的第三基底；密封裝置，通過執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種將所述薄膜集成電路密封在第二基底與第三基底之間，以及接收輥，其上卷繞有被密封在所述第二基底與第三基底之間的薄膜集成電路，其中，所述傳送裝置與密封裝置相互對(duì)置；所述密封裝置包括相互對(duì)置的第一輥和第二輥；并且所述薄膜集成電路的第一表面和第二表面相對(duì)設(shè)置。
10.一種層壓系統(tǒng)，包括第一基底，包括一個(gè)帶有至少一個(gè)薄膜集成電路的第一表面；用以固定和移動(dòng)所述第一基底的第一基底控制裝置；傳送裝置，用以傳送所述第一基底，并且利用一個(gè)剝離輥使得所述薄膜集成電路與第一基底分離開；第一供料輥，其上卷繞有即將附著在所述薄膜集成電路的第一表面上的第二基底；第二供料輥，其上卷繞有即將附著在所述薄膜集成電路的第二表面上的第三基底；密封裝置，通過執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種將所述薄膜集成電路密封在第二基底與第三基底之間，以及接收輥，其上卷繞有被密封在所述第二基底與第三基底之間的薄膜集成電路，其中，所述密封裝置包括相互對(duì)置的第一輥和第二輥；并且所述薄膜集成電路的第一表面和第二表面相對(duì)設(shè)置。
11.一種用于制造IC芯片的方法，包括在包括絕緣表面的第一基底上形成釋放層；在所述釋放層上形成至少一個(gè)薄膜集成電路；在所述薄膜集成電路的邊界處形成開口，由此顯露出所述釋放層；將一種蝕刻劑導(dǎo)入所述開口內(nèi)，由此去除所述釋放層；旋轉(zhuǎn)剝離輥，以便將所述薄膜集成電路的第一表面附著到第二基底上，由此使得所述薄膜集成電路與第一基底分離開；旋轉(zhuǎn)第一輥和第二輥，以便將所述薄膜集成電路的第二表面附著在第三基底上；以及通過在所述薄膜集成電路經(jīng)過第一輥與第二輥的同時(shí)執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種，將所述薄膜集成電路密封在第二基底與第三基底之間，其中，所述薄膜集成電路的第一表面和第二表面相對(duì)設(shè)置。
12.一種用于制造IC芯片的方法，包括在包括絕緣表面的第一基底上形成釋放層；在所述釋放層上形成至少一個(gè)薄膜集成電路；在所述薄膜集成電路的邊界處形成開口，由此顯露出所述釋放層；將一種蝕刻劑導(dǎo)入所述開口內(nèi)，由此去除所述釋放層；旋轉(zhuǎn)剝離輥，以便將所述薄膜集成電路的第一表面附著到第二基底上，由此使得所述薄膜集成電路與第一基底分離開；旋轉(zhuǎn)第一輥和第二輥，以便將所述薄膜集成電路的第二表面附著在第三基底上；通過在所述薄膜集成電路經(jīng)過第一輥與第二輥的同時(shí)執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種，將所述薄膜集成電路密封在第二基底與第三基底之間，以及通過旋轉(zhuǎn)接收輥將被密封在所述第二基底與第三基底之間的薄膜集成電路卷繞起來，其中，所述薄膜集成電路的第一表面和第二表面相對(duì)設(shè)置。
13.一種用于制造IC芯片的方法，包括在包括絕緣表面的第一基底上形成釋放層；在所述釋放層上形成至少一個(gè)薄膜集成電路；在所述薄膜集成電路的邊界處形成開口，由此顯露出所述釋放層；將一種蝕刻劑導(dǎo)入所述開口內(nèi)，由此去除所述釋放層；旋轉(zhuǎn)第一輥和第二輥，以便將所述薄膜集成電路的第一表面附著到第二基底上，并且將所述薄膜集成電路的第二表面附著在第三基底上；以及通過在所述薄膜集成電路經(jīng)過第一輥與第二輥的同時(shí)執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種，將所述薄膜集成電路密封在第二基底與第三基底之間，其中，所述薄膜集成電路的第一表面和第二表面相對(duì)設(shè)置。
14.一種用于制造IC芯片的方法，包括在包括絕緣表面的第一基底上形成釋放層；在所述釋放層上形成至少一個(gè)薄膜集成電路；在所述薄膜集成電路的邊界處形成開口，由此顯露出所述釋放層；將一種蝕刻劑導(dǎo)入所述開口內(nèi)，由此去除所述釋放層；旋轉(zhuǎn)第一輥，以便將所述第一基底上的薄膜集成電路的第一表面附著到第二基底上；旋轉(zhuǎn)第一輥和第二輥，以便將所述第一基底上的薄膜集成電路的第二表面附著在第三基底上；通過在所述薄膜集成電路經(jīng)過第一輥與第二輥的同時(shí)執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種，將所述薄膜集成電路密封在第二基底與第三基底之間，以及旋轉(zhuǎn)接收輥，以便用所述第二基底與第三基底密封的薄膜集成電路卷繞起來，其中，所述薄膜集成電路的第一表面和第二表面相對(duì)設(shè)置。
15.一種用于制造IC芯片的方法，包括在包括絕緣表面的第一基底上形成釋放層；在所述釋放層上形成至少一個(gè)薄膜集成電路；在所述薄膜集成電路的邊界處形成開口，由此顯露出所述釋放層；將一種蝕刻劑導(dǎo)入所述開口內(nèi)，由此去除所述釋放層；旋轉(zhuǎn)剝離輥，以便將所述第一基底上的薄膜集成電路的第一表面附著到第二基底上；旋轉(zhuǎn)第一輥和第二輥，以便將所述第一基底上的薄膜集成電路的第二表面附著在第三基底上；通過在所述薄膜集成電路經(jīng)過第一輥與第二輥的同時(shí)執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種，將所述薄膜集成電路密封在第二基底與第三基底之間，以及旋轉(zhuǎn)接收輥，以便將密封在所述第二基底與第三基底之間的薄膜集成電路卷繞起來，其中，所述薄膜集成電路的第一表面和第二表面相對(duì)設(shè)置。
16.根據(jù)權(quán)利要求
1中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第一輥和第二輥中的至少一個(gè)包括加熱裝置；并且所述加熱裝置包括加熱絲或者油。
17.根據(jù)權(quán)利要求
1中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底和第三基底中的至少一個(gè)包括層壓膜或者由纖維材料制成的紙張。
18.根據(jù)權(quán)利要求
1中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底的表面和第三基底的表面中的至少一個(gè)具有粘結(jié)表面。
19.根據(jù)權(quán)利要求
1中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，針對(duì)所述第二基底、第三基底以及薄膜集成電路執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種。
20.根據(jù)權(quán)利要求
2中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第一輥和第二輥中的至少一個(gè)包括加熱裝置；并且所述加熱裝置包括加熱絲或者油。
21.根據(jù)權(quán)利要求
2中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底和第三基底中的至少一個(gè)包括層壓膜或者由纖維材料制成的紙張。
22.根據(jù)權(quán)利要求
2中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底的表面和第三基底的表面中的至少一個(gè)具有粘結(jié)表面。
23.根據(jù)權(quán)利要求
2中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，針對(duì)所述第二基底、第三基底以及薄膜集成電路執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種。
24.根據(jù)權(quán)利要求
2中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述傳送裝置包括傳送帶、多個(gè)輥以及機(jī)械手中的至少一種。
25.根據(jù)權(quán)利要求
3中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第一輥和第二輥中的至少一個(gè)包括加熱裝置；并且所述加熱裝置包括加熱絲或者油。
26.根據(jù)權(quán)利要求
3中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底和第三基底中的至少一個(gè)包括層壓膜或者由纖維材料制成的紙張。
27.根據(jù)權(quán)利要求
3中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底的表面和第三基底的表面中的至少一個(gè)具有粘結(jié)表面。
28.根據(jù)權(quán)利要求
3中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，針對(duì)所述第二基底、第三基底以及薄膜集成電路執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種。
29.根據(jù)權(quán)利要求
4中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第一輥和第二輥中的至少一個(gè)包括加熱裝置；并且所述加熱裝置包括加熱絲或者油。
30.根據(jù)權(quán)利要求
4中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底和第三基底中的至少一個(gè)包括層壓膜或者由纖維材料制成的紙張。
31.根據(jù)權(quán)利要求
4中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底的表面和第三基底的表面中的至少一個(gè)具有粘結(jié)表面。
32.根據(jù)權(quán)利要求
4中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，針對(duì)所述第二基底、第三基底以及薄膜集成電路執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種。
33.根據(jù)權(quán)利要求
4中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述傳送裝置包括傳送帶、多個(gè)輥以及機(jī)械手中的至少一種。
34.根據(jù)權(quán)利要求
5中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第一輥和第二輥中的至少一個(gè)包括加熱裝置；并且所述加熱裝置包括加熱絲或者油。
35.根據(jù)權(quán)利要求
5中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底和第三基底中的至少一個(gè)包括層壓膜或者由纖維材料制成的紙張。
36.根據(jù)權(quán)利要求
5中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底的表面和第三基底的表面中的至少一個(gè)具有粘結(jié)表面。
37.根據(jù)權(quán)利要求
5中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，針對(duì)所述第二基底、第三基底以及薄膜集成電路執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種。
38.根據(jù)權(quán)利要求
5中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述傳送裝置包括傳送帶、多個(gè)輥以及機(jī)械手中的至少一種。
39.根據(jù)權(quán)利要求
6中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第一輥和第二輥中的至少一個(gè)包括加熱裝置；并且所述加熱裝置包括加熱絲或者油。
40.根據(jù)權(quán)利要求
6中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底和第三基底中的至少一個(gè)包括層壓膜或者由纖維材料制成的紙張。
41.根據(jù)權(quán)利要求
6中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底的表面和第三基底的表面中的至少一個(gè)具有粘結(jié)表面。
42.根據(jù)權(quán)利要求
6中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，針對(duì)所述第二基底、第三基底以及薄膜集成電路執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種。
43.根據(jù)權(quán)利要求
7中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第一輥和第二輥中的至少一個(gè)包括加熱裝置；并且所述加熱裝置包括加熱絲或者油。
44.根據(jù)權(quán)利要求
7中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底和第三基底中的至少一個(gè)包括層壓膜或者由纖維材料制成的紙張。
45.根據(jù)權(quán)利要求
7中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底的表面和第三基底的表面中的至少一個(gè)具有粘結(jié)表面。
46.根據(jù)權(quán)利要求
7中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，針對(duì)所述第二基底、第三基底以及薄膜集成電路執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種。
47.根據(jù)權(quán)利要求
7中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述傳送裝置包括傳送帶、多個(gè)輥以及機(jī)械手中的至少一種。
48.根據(jù)權(quán)利要求
8中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第一輥和第二輥中的至少一個(gè)包括加熱裝置；并且所述加熱裝置包括加熱絲或者油。
49.根據(jù)權(quán)利要求
8中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底和第三基底中的至少一個(gè)包括層壓膜或者由纖維材料制成的紙張。
50.根據(jù)權(quán)利要求
8中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底的表面和第三基底的表面中的至少一個(gè)具有粘結(jié)表面。
51.根據(jù)權(quán)利要求
8中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，針對(duì)所述第二基底、第三基底以及薄膜集成電路執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種。
52.根據(jù)權(quán)利要求
9中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第一輥和第二輥中的至少一個(gè)包括加熱裝置；并且所述加熱裝置包括加熱絲或者油。
53.根據(jù)權(quán)利要求
9中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底和第三基底中的至少一個(gè)包括層壓膜或者由纖維材料制成的紙張。
54.根據(jù)權(quán)利要求
9中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底的表面和第三基底的表面中的至少一個(gè)具有粘結(jié)表面。
55.根據(jù)權(quán)利要求
9中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，針對(duì)所述第二基底、第三基底以及薄膜集成電路執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種。
56.根據(jù)權(quán)利要求
9中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述傳送裝置包括傳送帶、多個(gè)輥以及機(jī)械手中的至少一種。
57.根據(jù)權(quán)利要求
10中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第一輥和第二輥中的至少一個(gè)包括加熱裝置；并且所述加熱裝置包括加熱絲或者油。
58.根據(jù)權(quán)利要求
10中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底和第三基底中的至少一個(gè)包括層壓膜或者由纖維材料制成的紙張。
59.根據(jù)權(quán)利要求
10中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底的表面和第三基底的表面中的至少一個(gè)具有粘結(jié)表面。
60.根據(jù)權(quán)利要求
10中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，針對(duì)所述第二基底、第三基底以及薄膜集成電路執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種。
61.根據(jù)權(quán)利要求
10中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述傳送裝置包括傳送帶、多個(gè)輥以及機(jī)械手中的至少一種。
62.根據(jù)權(quán)利要求
11中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第一輥和第二輥中的至少一個(gè)包括加熱裝置；并且所述加熱裝置包括加熱絲或者油。
63.根據(jù)權(quán)利要求
11中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底和第三基底中的至少一個(gè)包括層壓膜或者由纖維材料制成的紙張。
64.根據(jù)權(quán)利要求
11中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底的表面和第三基底的表面中的至少一個(gè)具有粘結(jié)表面。
65.根據(jù)權(quán)利要求
11中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，針對(duì)所述第二基底、第三基底以及薄膜集成電路執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種。
66.根據(jù)權(quán)利要求
12中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第一輥和第二輥中的至少一個(gè)包括加熱裝置；并且所述加熱裝置包括加熱絲或者油。
67.根據(jù)權(quán)利要求
12中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底和第三基底中的至少一個(gè)包括層壓膜或者由纖維材料制成的紙張。
68.根據(jù)權(quán)利要求
12中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底的表面和第三基底的表面中的至少一個(gè)具有粘結(jié)表面。
69.根據(jù)權(quán)利要求
12中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，針對(duì)所述第二基底、第三基底以及薄膜集成電路執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種。
70.根據(jù)權(quán)利要求
13中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第一輥和第二輥中的至少一個(gè)包括加熱裝置；并且所述加熱裝置包括加熱絲或者油。
71.根據(jù)權(quán)利要求
13中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底和第三基底中的至少一個(gè)包括層壓膜或者由纖維材料制成的紙張。
72.根據(jù)權(quán)利要求
13中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底的表面和第三基底的表面中的至少一個(gè)具有粘結(jié)表面。
73.根據(jù)權(quán)利要求
13中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，針對(duì)所述第二基底、第三基底以及薄膜集成電路執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種。
74.根據(jù)權(quán)利要求
14中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第一輥和第二輥中的至少一個(gè)包括加熱裝置；并且所述加熱裝置包括加熱絲或者油。
75.根據(jù)權(quán)利要求
14中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底和第三基底中的至少一個(gè)包括層壓膜或者由纖維材料制成的紙張。
76.根據(jù)權(quán)利要求
14中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底的表面和第三基底的表面中的至少一個(gè)具有粘結(jié)表面。
77.根據(jù)權(quán)利要求
14中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，針對(duì)所述第二基底、第三基底以及薄膜集成電路執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種。
78.根據(jù)權(quán)利要求
15中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第一輥和第二輥中的至少一個(gè)包括加熱裝置；并且所述加熱裝置包括加熱絲或者油。
79.根據(jù)權(quán)利要求
15中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底和第三基底中的至少一個(gè)包括層壓膜或者由纖維材料制成的紙張。
80.根據(jù)權(quán)利要求
15中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，所述第二基底的表面和第三基底的表面中的至少一個(gè)具有粘結(jié)表面。
81.根據(jù)權(quán)利要求
15中所述的層壓系統(tǒng)，其特征在于，針對(duì)所述第二基底、第三基底以及薄膜集成電路執(zhí)行壓力處理和加熱處理中的至少一種。
專利摘要
本發(fā)明的目的在于提高在對(duì)薄膜集成電路進(jìn)行密封過程中的生產(chǎn)效率，并且防止損失和破壞。還有，本發(fā)明的另外一個(gè)目的在于防止薄膜集成電路在運(yùn)輸過程中遭受損傷，并且使得易于搬運(yùn)薄膜集成電路。本發(fā)明提供了一種層壓系統(tǒng)，其中使用輥來供給密封用基底、接收IC芯片、分離以及密封。對(duì)大量的薄膜集成電路進(jìn)行分離、密封和接收操作可以通過旋轉(zhuǎn)所述輥來連續(xù)地進(jìn)行；因此，可以極大地提高生產(chǎn)效率。還有，由于使用了相互對(duì)置的輥對(duì)，因此可以輕易地所述密封薄膜集成電路。
文檔編號(hào)G06K19/077GK1993829SQ200580026229
公開日2007年7月4日 申請(qǐng)日期2005年5月31日
發(fā)明者渡邊了介, 高橋秀和, 鶴目卓也 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan