本技術(shù)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體處理裝置。

背景技術(shù)：

1、晶圓在腔室內(nèi)邊刻蝕處理過程中，半導(dǎo)體處理裝置通過托盤承載晶圓，由于托盤和晶圓底部的接觸面積大，在托盤和不同晶圓的接觸過程中會(huì)把之前晶圓的污染殘留在托盤上，從而造成后面晶圓的交叉污染。而在需要清洗托盤的時(shí)候需要進(jìn)行手動(dòng)拆卸，費(fèi)時(shí)費(fèi)力。

2、因此，有必要提供一種新的技術(shù)方案。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題，本實(shí)用新型公開了一種半導(dǎo)體處理裝置，具體技術(shù)方案如下所述：

2、本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體處理裝置，包括

3、第一腔體；

4、設(shè)置在所述第一腔體下方的第二腔體，所述第二腔體和所述第一腔體可以密封扣合；和

5、升降裝置，其一端設(shè)置于所述第二腔體內(nèi)部，所述升降裝置的另一端自所述第二腔體的頂部向上伸出，所述升降裝置伸出所述第二腔體的部分可以活動(dòng)的上下伸縮，所述升降裝置伸出所述第二腔體的一端頂部可拆卸的設(shè)置有晶圓承載件，所述晶圓承載件的頂部高于所述升降裝置的頂部。

6、進(jìn)一步的，所述晶圓承載件為封閉式結(jié)構(gòu)，且所述晶圓承載件對稱的設(shè)置在所述升降裝置的頂部。

7、進(jìn)一步的，所述第一腔體的底部中央設(shè)置有第一凹槽，所述第一凹槽的中央設(shè)置有第二凹槽，所述第二凹槽的直徑大于晶圓的直徑；

8、所述第二腔體的頂部中央設(shè)置有第一凸臺(tái)，所述第一凸臺(tái)和所述第一凹槽可以卡合封閉，所述第一凸臺(tái)中央設(shè)置有第三凹槽，所述第三凹槽邊緣向上延伸成形有阻隔板，所述阻隔板的直徑小于晶圓的直徑，所述第三凹槽中央設(shè)置有第四凹槽，第四凹槽的中央設(shè)置有連接到所述第二腔體內(nèi)部容納空間的連接通道，所述容納空間的底部貫通至所述第二腔體的底部，

9、當(dāng)所述第一腔體和所述第二腔體卡合封閉時(shí)，晶圓被托放在所述阻隔板上，同時(shí)晶圓容納在所述第二凹槽內(nèi)且晶圓的頂部和所述第二凹槽緊密接觸。

10、進(jìn)一步的，所述升降裝置包括氣缸和托盤，

11、所述氣缸設(shè)置于所述第二腔體內(nèi)部的容納空間內(nèi)，所述氣缸的伸縮桿穿過所述連接通道向外伸出所述第二腔體，所述伸縮桿和所述連接通道緊密接觸形成密封，

12、所述托盤固定在所述伸縮桿的頂部且可隨所述伸縮桿的上下伸縮而上下移動(dòng)，所述托盤在所述伸縮桿收縮時(shí)收容在所述第四凹槽內(nèi)。

13、進(jìn)一步的，所述晶圓承載件設(shè)置在所述托盤表面靠近所述托盤邊緣的位置，所述托盤對應(yīng)所述晶圓承載件的位置設(shè)置有卡槽，所述晶圓承載件和所述卡槽過盈配合。

14、進(jìn)一步的，所述晶圓承載件的材質(zhì)包括橡膠和塑料。

15、進(jìn)一步的，所述晶圓承載件的整體形狀為環(huán)形，所述晶圓承載件的截面形狀包括圓形、方形以及其它不規(guī)則形狀。

16、進(jìn)一步的，所述第四凹槽內(nèi)在所述連接通道的外圍設(shè)置有一圈密封圈，所述密封圈的頂部可與所述托盤的底部接觸形成密封隔斷。

17、進(jìn)一步的，所述托盤的中央設(shè)置有氣缸連接孔，所述托盤通過所述氣缸連接孔和所述氣缸相連接，

18、所述托盤在所述密封圈的內(nèi)側(cè)范圍內(nèi)設(shè)置有多個(gè)氣孔，所述氣孔連通所述托盤的上方和下方空間。

19、進(jìn)一步的，所述第三凹槽內(nèi)在所述連接通道的外圍設(shè)置有一圈排液槽，所述排液槽呈坡形高低設(shè)置，在所述排液槽最低處設(shè)置有排液孔，所述排液孔向下貫通至所述第二腔體的底部。

20、本實(shí)用新型具有以下有益效果：

21、1、本實(shí)用新型提供的半導(dǎo)體處理裝置，結(jié)構(gòu)簡單、設(shè)計(jì)巧妙，便于大規(guī)模生產(chǎn)制造和推廣。

22、2、本實(shí)用新型提供的半導(dǎo)體處理裝置，利用晶圓承載件的環(huán)形結(jié)構(gòu)來承載晶圓，極大的減少了和晶圓背面接觸的面積，還避免了晶圓和托盤表面的接觸，能夠避免晶圓正面接觸的同時(shí)，晶圓背面也可以防止交叉污染。

23、3、本實(shí)用新型提供的半導(dǎo)體處理裝置，晶圓承載件的截面可以采用圓形、方形或者其他不規(guī)則形狀，能夠根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行定制，使用范圍更廣。

24、4、本實(shí)用新型提供的半導(dǎo)體處理裝置，在托盤的表面設(shè)置有氣孔，能夠?qū)⑼斜P表面的顆粒雜質(zhì)通過氣孔堆放到晶圓和第四凹槽之間的密封空間中，防止顆粒雜質(zhì)堆積在托盤表面從而造成交叉污染。

25、5、本實(shí)用新型提供的半導(dǎo)體處理裝置，方便維護(hù)清洗，每次只需更換晶圓承載件即可。

26、本實(shí)用新型的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本實(shí)用新型的實(shí)踐了解到。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，包括

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述晶圓承載件為封閉式結(jié)構(gòu)，且所述晶圓承載件對稱的設(shè)置在所述升降裝置的頂部。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述升降裝置包括氣缸和托盤，所述氣缸設(shè)置于所述第二腔體內(nèi)部的容納空間內(nèi)，所述氣缸的伸縮桿穿過所述連接通道向外伸出所述第二腔體，所述伸縮桿和所述連接通道緊密接觸形成密封，所述托盤固定在所述伸縮桿的頂部且可隨所述伸縮桿的上下伸縮而上下移動(dòng)，所述托盤在所述伸縮桿收縮時(shí)收容在所述第四凹槽內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述晶圓承載件設(shè)置在所述托盤表面靠近所述托盤邊緣的位置，所述托盤對應(yīng)所述晶圓承載件的位置設(shè)置有卡槽，所述晶圓承載件和所述卡槽過盈配合。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述晶圓承載件的材質(zhì)包括橡膠和塑料。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述晶圓承載件的整體形狀為環(huán)形，所述晶圓承載件的截面形狀包括圓形、方形以及其它不規(guī)則形狀。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述第四凹槽內(nèi)在所述連接通道的外圍設(shè)置有一圈密封圈，所述密封圈的頂部可與所述托盤的底部接觸形成密封隔斷。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，

10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述第三凹槽內(nèi)在所述連接通道的外圍設(shè)置有一圈排液槽，所述排液槽呈坡形高低設(shè)置，在所述排液槽最低處設(shè)置有排液孔，所述排液孔向下貫通至所述第二腔體的底部。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供一種半導(dǎo)體處理裝置，包括第一腔體、第二腔體和升降裝置，所述升降裝置包括氣缸和托盤，所述氣缸設(shè)置于所述第二腔體內(nèi)部的容納空間內(nèi)，所述氣缸的伸縮桿穿過所述連接通道向外伸出所述第二腔體，所述托盤的頂部可拆卸的設(shè)置有晶圓承載件，所述晶圓承載件的頂部高于所述升降裝置的頂部。本技術(shù)具有方便維護(hù)清洗、減少晶圓和托盤的接觸面積、避免晶圓間交叉污染的優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：王吉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：無錫華瑛微電子技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240320
技術(shù)公布日：2024/12/26