本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體涉及晶圓切割方法以及晶圓待切割結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、如圖1所示，現(xiàn)有晶圓1會(huì)通過(guò)fow膜2與基膜4結(jié)合來(lái)進(jìn)行切割，現(xiàn)有量產(chǎn)的fow膜2的厚度在60um左右,?當(dāng)晶圓的切割通道5的寬度為80μm左右時(shí)，切割后的結(jié)構(gòu)如圖2所示，當(dāng)晶圓的切割通道5的寬度變窄，?切割后發(fā)現(xiàn)fow膜2受重力影響流動(dòng)，基膜上相鄰單元的fow膜2會(huì)沿著基膜表面流動(dòng)而造成黏連問(wèn)題，見(jiàn)圖3。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明針對(duì)上述問(wèn)題，提出了晶圓切割方法以及晶圓待切割結(jié)構(gòu)，使得切割后fow膜不會(huì)流動(dòng)黏連在一起。

2、本發(fā)明采取的技術(shù)方案如下：

3、一種晶圓切割方法，包括以下步驟：

4、提供基膜，所述基膜上具有突出基膜的上表面設(shè)置的凸條，所述凸條的位置與后續(xù)待切割晶圓的切割通道相對(duì)應(yīng)；

5、提供晶圓、fow膜和粘連膠，所述粘連膠覆蓋在所述基膜和所述凸條的上表面，所述晶圓的下表面設(shè)置有所述fow膜，所述fow膜與所述粘接膠連接；

6、按照預(yù)設(shè)的晶圓的切割通道對(duì)晶圓進(jìn)行切割，將晶圓切割成多個(gè)芯片，所述切割通道的底壁至少位于粘連膠上表面下方，并且所述切割通道不切破基膜；

7、將fow膜與粘連膠分離，得到多個(gè)單元，所述單元包括芯片以及位于芯片下表面的fow膜。

8、本申請(qǐng)通過(guò)在基膜上設(shè)置凸條使得在切割后相鄰兩個(gè)單元之間均有凸條進(jìn)行阻擋，能夠有效防止fow膜受芯片重力影響而流動(dòng)，能夠有效防止fow膜黏連。

9、于本發(fā)明其中一實(shí)施例中，所述粘連膠與fow膜的結(jié)合力小于fow膜與晶圓的結(jié)合力。

10、這樣設(shè)置方便單元的分離，防止在分離fow膜與粘連膠時(shí)，芯片與fow膜分離。

11、于本發(fā)明其中一實(shí)施例中，所述凸條呈縱橫交錯(cuò)設(shè)置。

12、于本發(fā)明其中一實(shí)施例中，所述凸條與基膜的材質(zhì)相同。

13、于本發(fā)明其中一實(shí)施例中，所述凸條與基膜的材質(zhì)不相同，所述凸條固定在基膜的上端面。

14、在基膜上形成凸條的方式有多種，比如，直接通過(guò)涂膠機(jī)構(gòu)在基膜上按照要求涂上縱橫交錯(cuò)的膠液，待膠液固化后形成凸條。

15、又比如，還可以設(shè)計(jì)模具在基膜上來(lái)形成凸條。

16、于本發(fā)明其中一實(shí)施例中，通過(guò)第一模具來(lái)加工出凸條，第一模具包括：

17、基板，基板具有向下設(shè)置的延伸柱；

18、矩形壓板，固定在延伸柱的下方，各矩形壓板的下表面在同一個(gè)水平面上，各矩形壓板之間的孔隙形成縱橫交錯(cuò)的限位通道。

19、具體操作時(shí)，將基膜放置在第一模具的正下方，工作時(shí)，第一模具下壓，矩形壓板與基膜接觸配合；然后可以將下部涂有結(jié)合膠水的凸條放置在限位通道上，或者是，將膠液涂在限位通道上，待膠液固化后形成凸條。

20、通過(guò)延伸柱來(lái)跟各矩形壓板連接，各延伸柱相互平行，能夠形成較大的操作空間來(lái)放置凸條或涂膠機(jī)構(gòu)進(jìn)行涂膠。

21、于本發(fā)明其中一實(shí)施例中，通過(guò)第二模具來(lái)加工出凸條，第二模具為板體狀結(jié)構(gòu)，第二模具的下表面具有縱橫交錯(cuò)設(shè)置的注液槽，基座的上表面具有至少一個(gè)注液口和至少一個(gè)排氣口，注液口和排氣口均與注液槽連通。

22、具體操作時(shí)，將第二模具放置在基膜的上表面，使第二模具的周沿與基膜密封接觸，通過(guò)注液槍向注液口中注入膠液，通過(guò)抽吸槍與排氣口連通，來(lái)排出注液槽中的空氣，方便膠液更好更快的注入注液槽，完成后待膠液固化，形成凸條。

23、于本發(fā)明其中一實(shí)施例中，基膜的上表面具有多個(gè)平行設(shè)置的第一條形槽以及多個(gè)平行設(shè)置的第二條形槽，第一條形槽垂直于第二條形槽。此時(shí)凸條可以為單獨(dú)的膜，凸條直接可以嵌入第一條形槽和第二條形槽，因?yàn)闂l形槽的限位作用，凸條嵌入后也不易移動(dòng)位置。凸條除了直接嵌入第一條形槽和第二條形槽，凸條還可以涂抹膠水后再嵌入第一條形槽和第二條形槽，這樣安裝后凸條可以更好的與基膜結(jié)合固定。凸條除了為單獨(dú)的膜，還可以通過(guò)膠液來(lái)形成，通過(guò)注膠機(jī)構(gòu)將膠液注入第一條形槽和第二條形槽，且使膠液上端露出基膜的上表面，待膠液固化后，形成凸條。

24、實(shí)際運(yùn)用時(shí)，基膜的第一條形槽和第二條形槽可以在基膜加工時(shí)加工形成，也可以在基膜加工完成后另外加工形成，比如通過(guò)按壓模具來(lái)按壓形成。

25、實(shí)際運(yùn)用時(shí)，優(yōu)選的，為了保證基膜的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，基膜相比于傳統(tǒng)工藝的厚度而言，做了加厚，即此時(shí)為加厚基膜。

26、實(shí)際運(yùn)用時(shí)，凸條可以為硬質(zhì)的凸條，硬質(zhì)的凸條能夠更方便的嵌入第一條形槽和第二條形槽。

27、于本發(fā)明其中一實(shí)施例中，所述凸條的寬度大于晶圓的切割通道的寬度，所述切割通道的底壁為所述基膜的上表面或其上表面的上方。

28、于本發(fā)明其中一實(shí)施例中，所述凸條的寬度小于等于晶圓的切割通道的寬度，所述切割通道的底壁在基膜的上表面的上方。

29、本申請(qǐng)還公開(kāi)了一種晶圓待切割結(jié)構(gòu)，包括由上到下依次設(shè)置的晶圓、fow膜、粘連膠和基膜；

30、所述基膜的上表面具有凸條，所述晶圓具有若干芯片，相鄰的所述芯片之間具有切割通道，所述凸條的位置與晶圓的切割通道相對(duì)應(yīng)，所述粘連膠覆蓋在所述基膜和所述凸條的上表面。

31、于本發(fā)明其中一實(shí)施例中，所述粘連膠與fow膜的結(jié)合力小于fow膜與晶圓的結(jié)合力。

32、于本發(fā)明其中一實(shí)施例中，所述凸條呈縱橫交錯(cuò)設(shè)置。

33、實(shí)際運(yùn)用時(shí)，凸條還可以為與切割通道相對(duì)應(yīng)的其他形狀，比如當(dāng)切割通道為弧形時(shí)，凸條也為弧形。

34、于本發(fā)明其中一實(shí)施例中，所述凸條與基膜的材質(zhì)相同。

35、于本發(fā)明其中一實(shí)施例中，所述凸條與基膜的材質(zhì)不相同，所述凸條固定在基膜的上端面，凸條可以通過(guò)多種方式固定在基膜的上方，包括但不限于粘接、焊接等。

36、本發(fā)明的有益效果是：本申請(qǐng)通過(guò)在基膜上設(shè)置凸條使得在切割后相鄰兩個(gè)單元之間均有凸條進(jìn)行阻擋，能夠有效防止fow膜受芯片重力影響而流動(dòng)，能夠有效防止fow膜黏連。

技術(shù)特征：

1.一種晶圓切割方法，其特征在于，包括以下步驟：

2.如權(quán)利要求1所述的晶圓切割方法，其特征在于，所述粘連膠與fow膜的結(jié)合力小于fow膜與晶圓的結(jié)合力。

3.如權(quán)利要求1所述的晶圓切割方法，其特征在于，所述凸條呈縱橫交錯(cuò)設(shè)置。

4.如權(quán)利要求1所述的晶圓切割方法，其特征在于，所述凸條與基膜的材質(zhì)相同。

5.如權(quán)利要求1所述的晶圓切割方法，其特征在于，所述凸條與基膜的材質(zhì)不相同，所述凸條固定在基膜的上端面。

6.如權(quán)利要求1所述的晶圓切割方法，其特征在于，所述凸條的寬度大于晶圓的切割通道的寬度，所述切割通道的底壁在所述基膜的上表面或其上表面的上方。

7.如權(quán)利要求1所述的晶圓切割方法，其特征在于，所述凸條的寬度小于等于晶圓的切割通道的寬度，所述切割通道的底壁在基膜的上表面的上方。

8.一種晶圓待切割結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括由上到下依次設(shè)置的晶圓、fow膜、粘連膠和基膜；

9.如權(quán)利要求8所述的晶圓待切割結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述粘連膠與fow膜的結(jié)合力小于fow膜與晶圓的結(jié)合力。

10.如權(quán)利要求8所述的晶圓待切割結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸條呈縱橫交錯(cuò)設(shè)置。

11.如權(quán)利要求8所述的晶圓待切割結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸條與基膜的材質(zhì)相同。

12.如權(quán)利要求8所述的晶圓待切割結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸條與基膜的材質(zhì)不相同，所述凸條固定在基膜的上端面。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開(kāi)了晶圓切割方法以及晶圓待切割結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，其中，晶圓切割方法包括以下步驟：提供基膜，基膜具有突出基膜的上表面設(shè)置的凸條，凸條的位置與晶圓的切割通道相對(duì)應(yīng)；提供晶圓、FOW膜和粘連膠，粘連膠覆蓋在基膜和凸條的上表面，晶圓的下表面設(shè)置有FOW膜，F(xiàn)OW膜與粘接膠連接；按照預(yù)設(shè)的晶圓的切割通道對(duì)晶圓進(jìn)行切割，將晶圓切割成多個(gè)芯片，切割通道的底壁位于基膜的上表面和凸條的上表面之間；將FOW膜與粘連膠分離，得到多個(gè)單元。本申請(qǐng)通過(guò)在基膜上設(shè)置凸條使得在切割后相鄰兩個(gè)單元之間均有凸條進(jìn)行阻擋，能夠有效防止FOW膜受芯片重力影響而流動(dòng)，能夠有效防止FOW膜黏連。

技術(shù)研發(fā)人員：花竹和,呂岱烈,王孫艷
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/26