本公開涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、功率芯片通常應(yīng)用于新能源汽車的電驅(qū)控制器。行業(yè)應(yīng)用對大功率應(yīng)用需求越來越多。單芯片的功率輸出能力有限，只能通過多芯片并聯(lián)來實(shí)現(xiàn)大功率輸出。然而，相關(guān)技術(shù)中，多芯片并聯(lián)的均流性較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為克服相關(guān)技術(shù)中存在的問題，本公開提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)。

2、根據(jù)本公開實(shí)施例的第一方面，提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，所述芯片封裝結(jié)構(gòu)包括多個(gè)功率器件、多個(gè)第一連接線、封裝基板和第二連接線，其中：

3、所述多個(gè)功率器件中每個(gè)功率器件的第一輸入輸出端分別與各自的第一連接線的第一端電氣連接，各個(gè)所述第一輸入輸出端通過所述第二連接線電氣連接在一起；

4、各個(gè)所述第一連接線的第二端與所述封裝基板的第一金屬區(qū)電氣連接；

5、各個(gè)所述功率器件的第二輸入輸出端與所述封裝基板的第二金屬區(qū)電氣連接，其中，所述第一金屬區(qū)與所述第二金屬區(qū)未電氣連接。

6、可選地，所述第一金屬區(qū)的寬度大于3毫米。

7、可選地，所述第一金屬區(qū)的寬度大于4.5毫米。

8、可選地，所述第一連接線的所述第二端與所述第一金屬區(qū)的電氣連接面的寬度大于3毫米。

9、可選地，所述第一連接線的所述第二端與所述第一金屬區(qū)的電氣連接面的寬度與所述功率器件的寬度相同。

10、可選地，所述第一連接線和所述第二連接線為條帶或者鍵合引線。

11、可選地，所述封裝基板為活性金屬釬焊基板。

12、可選地，所述功率器件為功率mosfet。

13、可選地，所述多個(gè)第一連接線平行。

14、可選地，所述第二連接線位于所述第一輸入輸出端上方。

15、通過采用上述技術(shù)方案，由于多個(gè)功率器件中每個(gè)功率器件的第一輸入輸出端分別與各自的第一連接線的第一端電氣連接，各個(gè)所述第一輸入輸出端通過所述第二連接線電氣連接在一起，各個(gè)所述第一連接線的第二端與所述封裝基板的第一金屬區(qū)電氣連接，各個(gè)所述功率器件的第二輸入輸出端與所述封裝基板的第二金屬區(qū)電氣連接，其中，所述第一金屬區(qū)與所述第二金屬區(qū)未電氣連接，因此，通過使用第二連接線將各個(gè)第一輸入輸出端電氣連接在一起，增加了電路通路并降低了寄生電感的值，降低了不同功率器件第一輸入輸出端阻抗，減小了不同功率器件第一輸入輸出端的電位差，從而改善了各功率器件門級電壓的一致性，最終明顯提升了均流度。

16、應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本公開。

技術(shù)特征：

1.一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片封裝結(jié)構(gòu)包括多個(gè)功率器件、多個(gè)第一連接線、封裝基板和第二連接線，其中：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬區(qū)的寬度大于3毫米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬區(qū)的寬度大于4.5毫米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一連接線的所述第二端與所述第一金屬區(qū)的電氣連接面的寬度大于3毫米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一連接線的所述第二端與所述第一金屬區(qū)的電氣連接面的寬度與所述功率器件的寬度相同。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一連接線和所述第二連接線為條帶或者鍵合引線。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝基板為活性金屬釬焊基板。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述功率器件為功率mosfet。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個(gè)第一連接線平行。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二連接線位于所述第一輸入輸出端上方。

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，能夠改善多芯片并聯(lián)封裝的均流性。一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括多個(gè)功率器件、多個(gè)第一連接線、封裝基板和第二連接線，其中：所述多個(gè)功率器件中每個(gè)功率器件的第一輸入輸出端分別與各自的第一連接線的第一端電氣連接，各個(gè)所述第一輸入輸出端通過所述第二連接線電氣連接在一起；各個(gè)所述第一連接線的第二端與所述封裝基板的第一金屬區(qū)電氣連接；各個(gè)所述功率器件的第二輸入輸出端與所述封裝基板的第二金屬區(qū)電氣連接，其中，所述第一金屬區(qū)與所述第二金屬區(qū)未電氣連接。

技術(shù)研發(fā)人員：蘭祥
受保護(hù)的技術(shù)使用者：小米汽車科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240104
技術(shù)公布日：2024/12/19