本申請的實施例涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、電子行業(yè)對更小、更快的電子器件的需求不斷增長，這些器件能夠同時支持更多越來越復(fù)雜和復(fù)雜的功能。為了滿足這些需求，集成電路(ic)行業(yè)中存在制造低成本、高性能和低功耗ic的持續(xù)趨勢。到目前為止，這些目標(biāo)在很大程度上是通過減小ic尺寸(例如，最小ic部件尺寸)來實現(xiàn)的，從而提高了生產(chǎn)效率并降低了相關(guān)成本。然而，這種按比例縮小也增加了ic制造過程的復(fù)雜性。因此，實現(xiàn)ic器件及其性能的持續(xù)進步需要ic制造工藝和技術(shù)的類似進步。

2、隨著技術(shù)節(jié)點變小，相鄰晶體管之間的信號耦合變得更加明顯。因此，相鄰晶體管之間的偽區(qū)域應(yīng)該具有足夠的間隔以進行適當(dāng)?shù)母綦x。在偽區(qū)域中，沒有有源器件。然而，公共柵極結(jié)構(gòu)仍然可以跨越偽區(qū)域并且延伸以連接和著落在跨越多個晶體管器件的多個溝道區(qū)域上。因此，偽區(qū)域也可以被稱為柵極連接件區(qū)或柵極連接件區(qū)域。這樣，到一個晶體管器件的柵極輸入信號也可以耦合到相鄰晶體管器件或者甚至耦合到相鄰晶體管器件之外的其他晶體管器件的柵極。在一些應(yīng)用中，這些柵極輸入信號可能具有不適合傳遞到相鄰晶體管器件或共享相同柵極結(jié)構(gòu)的其他晶體管器件的信號分量或損耗。換句話說，這些柵極輸入信號可能需要調(diào)節(jié)和濾波以提高性能。

3、因此，盡管相鄰晶體管之間的偽區(qū)域的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)通常足以達到其預(yù)期目的，但它們不是在各個方面完全令人滿意的。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、根據(jù)本申請的實施例的一個方面，提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：第一電路區(qū)，具有在襯底上方沿第一方向縱向延伸的第一鰭有源區(qū)域，每個第一鰭有源區(qū)域包括在第一源極/漏極部件之間的第一溝道區(qū)域；第二電路區(qū)，具有在襯底上方沿第一方向縱向延伸的第二鰭有源區(qū)域，每個第二鰭有源區(qū)域包括在第二源極/漏極部件之間的第二溝道區(qū)域；柵極連接件區(qū)，位于第一電路區(qū)和第二電路區(qū)之間并且將第一電路區(qū)和第二電路區(qū)分隔開，柵極連接件區(qū)具有在襯底上方沿第一方向縱向延伸的濾波器鰭；和柵極結(jié)構(gòu)，沿垂直于第一方向的第二方向延伸跨過第一電路區(qū)、柵極連接件區(qū)和第二電路區(qū)，柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一溝道區(qū)域和第二溝道區(qū)域上方以及濾波器鰭上方，其中，柵極結(jié)構(gòu)包括位于第一鰭有源區(qū)域、第二鰭有源區(qū)域和濾波器鰭的頂表面和側(cè)表面上方的柵極電介質(zhì)，其中，柵極結(jié)構(gòu)的在柵極連接件區(qū)中的部分比柵極結(jié)構(gòu)的在第一電路區(qū)和第二電路區(qū)中的部分的電阻率大。

2、根據(jù)本申請的實施例的另一個方面，提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：晶體管區(qū)，具有在襯底上沿第一方向縱向延伸的鰭有源區(qū)域，每個鰭有源區(qū)域包括在源極/漏極部件之間的溝道區(qū)域；濾波器區(qū)，沿垂直于第一方向的第二方向與晶體管區(qū)相鄰，濾波器區(qū)具有在襯底上沿第一方向縱向延伸的濾波器鰭；以及柵極結(jié)構(gòu)，具有柵極電介質(zhì)和在柵極電介質(zhì)上方的柵極填充金屬，柵極結(jié)構(gòu)沿第二方向延伸跨過晶體管區(qū)和濾波器區(qū)，并且柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置在鰭有源區(qū)域的溝道區(qū)域正上方和濾波器鰭正上方，其中，鰭有源區(qū)域的源極/漏極部件包括外延部件，并且濾波器鰭沒有外延部件。

3、根據(jù)本申請的實施例的又一個方面，提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：晶體管區(qū)，具有在襯底上沿第一方向縱向延伸的鰭有源區(qū)域，每個鰭有源區(qū)域包括源極/漏極部件之間的溝道區(qū)域；濾波器區(qū)，沿垂直于第一方向的第二方向與晶體管區(qū)相鄰，濾波器區(qū)具有在襯底上方沿第一方向縱向延伸的濾波器鰭；第一柵極結(jié)構(gòu)，具有第一柵極電介質(zhì)和在第一柵極電介質(zhì)上方的第一柵極電極，第一柵極結(jié)構(gòu)沿第二方向延伸跨過晶體管區(qū)和濾波器區(qū)，并且第一柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一組溝道區(qū)域和濾波器鰭上方；第二柵極結(jié)構(gòu)，具有第二柵極電介質(zhì)和在第二柵極電介質(zhì)上方的第二柵極電極，第二柵極結(jié)構(gòu)沿第二方向延伸跨過晶體管區(qū)和濾波器區(qū)，并且第二柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置在第二組溝道區(qū)域和濾波器鰭上方；以及層間介電(ild)層，具有圍繞源極/漏極部件的第一介電部分、圍繞濾波器鰭的第二介電部分，并且第二介電部分具有比第一介電部分大的介電常數(shù)。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述第一鰭有源區(qū)域沿所述第二方向彼此間隔開第一間距，所述濾波器鰭沿所述第二方向彼此間隔開第二間距，并且所述第一間距大于所述第二間距。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述第一鰭有源區(qū)域具有沿所述第二方向的第一寬度，所述濾波器鰭具有沿所述第二方向的第二寬度，并且所述第二寬度大于所述第一寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述柵極結(jié)構(gòu)是第一柵極結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述柵極結(jié)構(gòu)是第一柵極結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：

8.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括在所述晶體管區(qū)內(nèi)的第一柵極部分和在所述濾波器區(qū)內(nèi)的第二柵極部分，并且所述第二柵極部分具有比所述第一柵極部分大的電阻率。

10.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括第一電路區(qū)，所述第一電路區(qū)具有沿第一方向縱向延伸的第一鰭有源區(qū)域，每個第一鰭有源區(qū)域包括第一溝道區(qū)域；第二電路區(qū)，具有沿所述第一方向縱向延伸的第二鰭有源區(qū)域，每個所述第二鰭有源區(qū)域包括第二溝道區(qū)域；柵極連接件區(qū)，所述柵極連接件區(qū)位于所述第一電路區(qū)和所述第二電路區(qū)之間并且將所述第一和第二電路區(qū)分隔開，所述柵極連接件區(qū)具有沿所述第一方向縱向延伸的濾波器鰭；以及柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)在所述第一溝道區(qū)域和所述第二溝道區(qū)域以及所述濾波器鰭之上沿第二方向延伸跨過所述第一電路區(qū)、所述柵極連接件區(qū)和第二電路區(qū)。柵極連接件區(qū)中的柵極結(jié)構(gòu)的部分具有比第一和第二電路區(qū)中的柵極結(jié)構(gòu)的部分更大的電阻率。

技術(shù)研發(fā)人員：王貽泓,龔暉軒,朱天宇,陳致孝,李怡蓁
受保護的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19