本實(shí)用新型涉及電路保護(hù)裝置，特別涉及一種應(yīng)用于鋰電池保護(hù)板和適配器的薄形電路保護(hù)裝置。

背景技術(shù)：

計(jì)算機(jī)正朝著個(gè)性化、小型化方向發(fā)展，越來越多的超薄超小型筆記本電腦和平板電腦的問世，電池容量的增加，對(duì)鋰電池保護(hù)板等電子元件的要求也越來越高，公告號(hào)為CN201120149915.0的一種薄型電路保護(hù)裝置，包括雙金屬片、PTC電阻及上下電極，PTC電阻具有中空腔，雙金屬片置于中空腔中，上下電極分別貼附在PTC上下面并封裝形成密閉結(jié)構(gòu)，雙金屬片與上下電極的內(nèi)表面同時(shí)緊密接觸，并與PTC電阻并聯(lián)連接，上下電極中一電極在對(duì)應(yīng)中空腔的內(nèi)表面中部形成導(dǎo)電部分，外圍形成絕緣部分，另一電極的內(nèi)表面中部形成絕緣部分，外圍形成導(dǎo)電部分；雙金屬片呈翹曲狀態(tài)，中部及邊緣處設(shè)有觸點(diǎn)，觸點(diǎn)與上下電極導(dǎo)電部分分別接觸，連入電路；或雙金屬片反向翹曲，觸點(diǎn)與上下電極導(dǎo)電部分脫開。

雖然上述薄形電路保護(hù)裝置能夠通過雙金屬片自身的形變動(dòng)作，實(shí)現(xiàn)電路斷開或閉合的控制，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，但是雙金屬片與PTC電阻之間必須要有間隙存在才能發(fā)生形變，因此雙金屬片在發(fā)生形變的過程中會(huì)發(fā)生側(cè)向位移，長(zhǎng)期如此，會(huì)導(dǎo)致雙金屬片錯(cuò)位嚴(yán)重，從而導(dǎo)致雙金屬片與電極抵觸不穩(wěn)定，造成接觸不良。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是提供一種薄形電路保護(hù)裝置，其具有讓雙金屬片不易錯(cuò)位的效果。

本實(shí)用新型的上述技術(shù)目的是通過以下技術(shù)方案得以實(shí)現(xiàn)的：一種薄型電路保護(hù)裝置，包括雙金屬片、PTC熱敏電阻、上電極、下電極、導(dǎo)電部分和絕緣部分，所述PTC熱敏電阻具有供雙金屬片放置的中空腔，所述下電極的內(nèi)表面中部形成有絕緣部分，所述絕緣部分的中部設(shè)有固定柱，所述固定柱為絕緣柱，所述固定柱一端與導(dǎo)電部分抵觸，另一端與絕緣部分抵觸，所述雙金屬片上開設(shè)有對(duì)應(yīng)固定柱的通孔。

通過上述方案，正常狀態(tài)下，雙金屬片的頂部遠(yuǎn)離下電極設(shè)置，雙金屬片的頂部和兩個(gè)側(cè)邊均與導(dǎo)電部分接觸，電流由上電極經(jīng)由雙金屬片和PTC熱敏電阻流入到下電極，然后由下電極流出，且由于雙金屬片與上電極和下電極之間的接觸電阻遠(yuǎn)小于PTC部件的室溫電阻，電流主要從雙金屬片流過，當(dāng)出現(xiàn)異常狀態(tài)時(shí)，雙金屬片上產(chǎn)生大量的熱，使得雙金屬片發(fā)生形變，從而使雙金屬片的兩個(gè)側(cè)邊和頂部均脫離導(dǎo)電部分，在雙金屬片形變過程中，由于有固定柱的設(shè)置，雙金屬片會(huì)沿著固定柱逐漸形變，固定柱會(huì)對(duì)正在發(fā)生形變的雙金屬片限位，使雙金屬片不會(huì)發(fā)生左右位移，進(jìn)而不易使雙金屬片錯(cuò)位。

進(jìn)一步的，所述雙金屬片的邊緣處設(shè)有觸點(diǎn)一，所述雙金屬片朝向?qū)щ姴糠忠粋?cè)的中部設(shè)有觸點(diǎn)二，所述觸點(diǎn)二上開設(shè)有供固定柱穿過的通孔二。

通過上述方案，設(shè)有觸點(diǎn)一和觸點(diǎn)二能夠使雙金屬片較大程度的與導(dǎo)電部分接觸，從而提高雙金屬片與導(dǎo)電部分的連接穩(wěn)定性。

進(jìn)一步的，所述通孔一、通孔二的直徑均比固定柱的直徑大0.1cm。

通過上述方案，由于雙金屬片在受熱后會(huì)發(fā)生微小的膨脹，讓通孔一、通孔二的直徑均比固定柱的直徑大0.1cm，既能夠讓雙金屬片較順利的沿著固定柱形變，又不會(huì)由于與固定柱之間的間隙過大而減緩固定柱對(duì)雙金屬片的限位效果。

進(jìn)一步的，所述導(dǎo)電部分和絕緣部分上均開設(shè)有供固定柱鉗入的限位槽。

通過上述方案，開設(shè)有限位槽可以讓固定柱的兩端分別被導(dǎo)電部分和絕緣部分限位，使固定柱處于較穩(wěn)定的狀態(tài)。

進(jìn)一步的，所述固定柱內(nèi)部設(shè)有密封的儲(chǔ)水腔，所述儲(chǔ)水腔內(nèi)填充有水分。

通過上述方案，當(dāng)中空腔內(nèi)溫度較高時(shí)，固定柱內(nèi)的水分會(huì)抑制固定柱自身的溫度升高，從而抑制固定柱受熱膨脹，能夠讓雙金屬片較順利的沿著固定柱形變。

綜上所述，本實(shí)用新型具有以下有益效果：

1、通過固定柱的設(shè)置，可以讓雙金屬片在形變過程中不易錯(cuò)位；

2、通過儲(chǔ)水腔的設(shè)置，可以抑制固定柱的受熱膨脹。

附圖說明

圖1為本實(shí)施例用于體現(xiàn)導(dǎo)電部分的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)施例用于體現(xiàn)限位槽的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)施例用于體現(xiàn)儲(chǔ)水腔的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中，1、雙金屬片；11、通孔一；2、PTC熱敏電阻；21、中空腔；3、上電極；301、下電極；4、導(dǎo)電部分；401、絕緣部分；5、觸點(diǎn)一；51、觸點(diǎn)二；511、通孔二；6、固定柱；61、儲(chǔ)水腔；7、限位槽。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。

一種薄型電路保護(hù)裝置，如圖1所示，包括有PTC熱敏電阻2，在PTC熱敏電阻2內(nèi)部開設(shè)有中空腔21，且在PTC熱敏電阻2的上下表面分別貼附有上電極3和下電極301，且上電機(jī)和下電極301與PTC熱敏電阻2之間形成密封結(jié)構(gòu)。

如圖1所示，在中空腔21內(nèi)設(shè)有雙金屬片1，雙金屬片1與上下電極301的內(nèi)表面同時(shí)抵觸，并與PTC熱敏電阻2電并聯(lián)連接。

如圖2所示，上電極3、下電極301中，其中上電極3在對(duì)應(yīng)中空腔21的內(nèi)表面中部形成導(dǎo)電部分4，內(nèi)表面的外圍形成絕緣部分401，而下電極301在對(duì)應(yīng)中空腔21的內(nèi)表面中部形成絕緣部分401，而其內(nèi)表外圍形成導(dǎo)電部分4。

如圖2所示，雙金屬片1朝向下電極301的一側(cè)的邊緣處設(shè)有觸點(diǎn)一5，且在朝向?qū)щ姴糠?的一側(cè)的中部設(shè)有觸點(diǎn)二51。

如圖2所示，在下電極301的絕緣部分401的中部設(shè)有固定柱6，固定柱6為絕緣柱，即固定柱6不導(dǎo)電，且固定柱6的一端與下電極301的絕緣部分401抵觸，另一端與上電極3的導(dǎo)電部分4抵觸。

如圖2所示，在上電極3的導(dǎo)電部分4和下電極301的絕緣部分401上均開設(shè)有限位槽7，供固定柱6放置，可以讓固定柱6處于較穩(wěn)定的狀態(tài)。

如圖2所示，在雙金屬片1上開設(shè)有供固定柱6穿設(shè)的通孔一11，并同時(shí)在觸點(diǎn)二51上開設(shè)有供固定柱6穿設(shè)的通孔二511，并使通孔一11和通孔二511的直徑比固定柱6的直徑大0.1cm。

如圖3所示，在固定柱6的內(nèi)部設(shè)有儲(chǔ)水腔61，并在儲(chǔ)水腔61捏填充有水分，固定柱6內(nèi)的水分可以抑制固定柱6的溫度上升，從而限制固定柱6的受熱膨脹。

正常狀態(tài)：雙金屬片1彎折，觸點(diǎn)一5與下電極301的導(dǎo)電部分4緊密抵觸，且觸點(diǎn)二51與上電極3中部的導(dǎo)電部分4緊密抵觸，此時(shí)電流由上電極3經(jīng)由雙金屬片1和PTC熱敏電阻2流入到下電極301，然后由下電極301流出，且由于雙金屬片1與上電極3和下電極301之間的接觸電阻遠(yuǎn)小于PTC部件的室溫電阻，電流主要從雙金屬片1流過，此時(shí)固定柱6穿設(shè)在雙金屬片1和觸點(diǎn)二51上。

異常狀態(tài)下：雙金屬片1上的電流會(huì)過大，導(dǎo)致雙金屬片1受熱發(fā)生翹曲形變，使觸點(diǎn)一5遠(yuǎn)離下電極301的導(dǎo)電部分4，且同時(shí)使觸點(diǎn)二51遠(yuǎn)離上電極3的導(dǎo)電部分4，與下電極301的絕緣部分401抵觸，在雙金屬片1形變的過程中，如果雙金屬片1要側(cè)向位移，會(huì)與固定柱6抵觸，而固定柱6不位移，則雙金屬片1會(huì)無法位移，而是沿著固定柱6開始形變，從而使雙金屬片1處于較穩(wěn)定的狀態(tài)。

本具體實(shí)施例僅僅是對(duì)本實(shí)用新型的解釋，其并不是對(duì)本實(shí)用新型的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀完本說明書后可以根據(jù)需要對(duì)本實(shí)施例做出沒有創(chuàng)造性貢獻(xiàn)的修改，但只要在本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍內(nèi)都受到專利法的保護(hù)。